專利名稱：覆層的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種覆層的形成方法。
背景技術(shù)：
為了改進(jìn)滑動(dòng)部件的耐磨性和潤(rùn)滑性，于在其他構(gòu)件上滑動(dòng)的滑動(dòng)構(gòu)件上形成類金剛石碳(下文中簡(jiǎn)稱為“DLC”)薄膜。如果在滑動(dòng)構(gòu)件上具有不形成DLC薄膜的部分，那么首先將DLC薄膜形成在整個(gè)滑動(dòng)構(gòu)件上，隨后將該部分上的DLC薄膜去除(例如，參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi) No. 2006-9110 (JP-A-2006-9110))。在JP-A-2006-9110公開(kāi)的DLC覆層去除方法中，以掩模構(gòu)件覆蓋工件，使得開(kāi)口定位在DLC薄膜要被去除的部分，并且隨后以等于或高于^MPa的壓力將刻蝕氣體吹到開(kāi)口上以刻蝕和去除DLC薄膜。根據(jù)在JP-A-2006-9110中公開(kāi)的DLC覆層去除方法，雖然能夠獲得僅在期望的部分上形成DLC薄膜的構(gòu)件，但是不得不臨時(shí)形成DLC薄膜且隨后去除。由此，增加了工序數(shù)目，并且這成為使生產(chǎn)成本增加的一個(gè)因素。此外，確定的是，在通過(guò)將掩模構(gòu)件應(yīng)用于工件以遮蔽工件的一部分來(lái)形成DLC 薄膜的情況與不應(yīng)用掩模構(gòu)件來(lái)形成DLC薄膜的情況相比時(shí)，通過(guò)將掩模構(gòu)件應(yīng)用于遮蔽工件的一部分來(lái)形成DLC薄膜的情況下，DLC薄膜的硬度減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種覆層的形成方法，其允許覆層形成在被覆本體中的除了非被覆部分以外的部分上、并且允許防止被覆部分中的覆層的硬度的減小。作為解決上述問(wèn)題的認(rèn)真研究的結(jié)果，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)被覆部分上的覆層的硬度與用于遮蔽非被覆部分的遮蔽構(gòu)件與被覆部分之間的間距具有相關(guān)性、并且由此完成本發(fā)明。本發(fā)明提供了如下所述的覆層的形成方法以解決所述問(wèn)題。本發(fā)明的一方面涉及一種以覆層覆蓋被覆本體的覆層的形成方法。該形成方法包括在真空沉積室中產(chǎn)生圓柱形的等離子體以及將原料氣體供應(yīng)到真空沉積室內(nèi)；向被覆本體施加脈沖電壓；以及，將遮蔽非被覆構(gòu)件的遮蔽構(gòu)件附接至不形成被覆本體的覆層的非被覆部分、且與形成覆層的被覆部分保持分隔間距，以防止被覆部分中的覆層的硬度減在以上方面中，被覆本體可以設(shè)置在真空沉積室中使得被覆部分平行于等離子體，并且，被覆本體可以繞其軸向方向旋轉(zhuǎn)，從而使得覆層形成在被覆部分上。在以上方面中，被覆本體可以是在沿軸向方向的端部處具有非被覆部分的軸構(gòu)件，兩個(gè)被覆本體可以設(shè)置在真空沉積室中使得沿軸向方向的相應(yīng)端部彼此面對(duì)，并且，覆層可以形成在被覆部分上。在以上方面中，被覆本體可以是構(gòu)成用于車輛的傳動(dòng)軸的軸組成構(gòu)件，該傳動(dòng)軸能夠沿軸向方向延伸和收縮，被覆部分可以是花鍵配合部，該花鍵配合部通過(guò)傳動(dòng)軸的延伸和收縮而與傳動(dòng)軸的其他組成構(gòu)件一起沿軸向方向滑動(dòng)，并且非被覆部分可以是將傳動(dòng)軸聯(lián)接至另一驅(qū)動(dòng)軸的聯(lián)接部。在以上方面中，聯(lián)接部的沿被覆本體的軸向方向的頂端可以呈包括弧形凹部的U 形，而遮蔽構(gòu)件的與該聯(lián)接部的頂端相對(duì)應(yīng)的部分可以形成為與該頂端的弧形一致的弧形。在以上方面中，在被覆本體與遮蔽構(gòu)件之間的如從等離子體所見(jiàn)的尺寸關(guān)系可以滿足下面的表達(dá)式Ci1Xa2"2 彡 3.48其中α工是分隔間距；α 2是兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間的距離，該兩個(gè)遮蔽構(gòu)件附接成使得被覆本體被插置在這兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間；而Y是從被覆部分的表面到遮蔽構(gòu)件的位于等離子體側(cè)的表面之間的平均距離。在以上方面中，聯(lián)接部可以形成為使得U形頂端的端部之間的寬度大于頂端的厚度，并且，在被覆本體與遮蔽構(gòu)件之間的從等離子體所見(jiàn)的尺寸關(guān)系可以滿足下面的表達(dá)式Q1X α2/(βιχ β2)彡 5.9其中，α工是分隔間距；a 2是兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間的距離，該兩個(gè)遮蔽構(gòu)件附接成使得被覆本體被插置在該兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間；β ！是從被覆部分的表面到遮蔽構(gòu)件的位于等離子體側(cè)的表面的沿聯(lián)接部的寬度的距離；而β 2是從涂覆部件的表面到遮蔽構(gòu)件的位于等離子體側(cè)的表面的沿聯(lián)接部的厚度的距離。根據(jù)上述方面，覆層能夠形成在被覆本體的除了非被覆部分以外的部分上，并且能夠防止被覆部分上的覆層的硬度減小。


下面將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的特征、優(yōu)點(diǎn)、及技術(shù)的和工業(yè)的顯著性，附圖中相同的標(biāo)記表示相同的元件，并且圖中圖1是局部橫截面圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的車輛傳動(dòng)軸的構(gòu)造示例；圖2Α是沿圖1的線A-A截取的、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一軸和第二軸的配合結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖2Β是圖2Α的第一軸的局部放大圖；圖3是示意圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的熱陰極PIG(潘寧電離計(jì))等離子體CVD (化學(xué)氣相淀積)設(shè)備的構(gòu)造示例；圖4是沿圖3的線B-B截取的、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的熱陰極PIG等離子體CVD 設(shè)備的橫截面圖；圖5Α是第一軸和根據(jù)本發(fā)明的示例1的夾具的正視圖；圖5Β是第一軸和根據(jù)本發(fā)明的示例1的夾具的側(cè)視圖；圖6Α是從90°相位的視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例1的組件的構(gòu)造示例；圖6Β是從0°相位的視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例1的組件的構(gòu)造示例；圖7Α是第一軸和根據(jù)本發(fā)明的示例1的夾具的正視圖7B是第一軸和根據(jù)本發(fā)明的示例1的夾具的側(cè)視圖；圖8A是從90°相位的視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例1的組件的構(gòu)造示例；圖8B是從0°相位的視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例1的組件的構(gòu)造示例；圖9A是表格，其示出了夾具與花鍵配合部中的DLC薄膜的硬度的測(cè)量位置之間的尺寸關(guān)系以及關(guān)于根據(jù)示例1和2的組件的表面硬度的測(cè)量結(jié)果；圖9B是圖表，其示出了(Ci1X α2/(β9。Χ β。))的計(jì)算值與測(cè)量位置的表面硬度之間的關(guān)系；以及圖9C是圖表，其示出了(Ci1X Ci2W的計(jì)算值與測(cè)量位置的表面硬度之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式下文中，本發(fā)明的實(shí)施方式將描述為對(duì)傳動(dòng)軸的一個(gè)構(gòu)件的應(yīng)用示例，該傳動(dòng)軸將車輛的驅(qū)動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)力傳遞至車輪側(cè)。圖1是局部橫截面圖，其示出了用于車輛的傳動(dòng)軸100的構(gòu)造示例。如圖1所示， 傳動(dòng)軸100包括作為組成構(gòu)件的第一軸10和第二軸20。第一軸10和第二軸20可滑動(dòng)地聯(lián)接。通過(guò)以上結(jié)構(gòu)，傳動(dòng)軸100能夠沿軸向方向延伸和收縮。在隨同傳動(dòng)軸100的延伸和收縮而與第二軸一起沿軸向方向滑動(dòng)的第一軸10的表面的一部分上，形成有用于改進(jìn)耐磨性和潤(rùn)滑性的覆層(下文描述)。即，第一軸10是被覆本體的示例。(第一軸的結(jié)構(gòu))第一軸10是例如由用于機(jī)械結(jié)構(gòu)用途的碳素鋼例如S35C在不淬火和回火或熱處理的情況下制成的中空的軸狀構(gòu)件。第一軸10的中心部分形成有在軸向方向上沿中心軸線01穿過(guò)第一軸的通孔10a。第一軸100的一個(gè)端部具有軛11，該軛11 一體地設(shè)置為用于與車輛的其他驅(qū)動(dòng)軸例如差動(dòng)齒輪(未示出)的輸入軸聯(lián)接的聯(lián)接部。第一軸10的另一端部具有圓筒形的花鍵配合部12，該花鍵配合部12設(shè)有外周花鍵齒120，外周花鍵齒120以均勻間隔在外周上沿軸向方向延伸。軛11具有繞中心軸線01彼此相對(duì)的一對(duì)臂111。軛11的橫截面在沿著中心軸線 01的包括有所述一對(duì)臂111的方向上形成為U形。軛11包括所述一對(duì)臂111和基部110， 該基部110相比于所述一對(duì)臂111形成在中心軸線01的附近。所述一對(duì)臂111形成有保持孔111a，該保持孔Illa保持作為聯(lián)接構(gòu)件的、用于可旋轉(zhuǎn)地支承十字接頭(未示出)的軸部的軸承。沿軸向方向延伸的圓筒形軸部13設(shè)置在軛11與花鍵配合部12之間。軸部13形成為使得直徑小于花鍵配合部12的外徑。(第二軸的結(jié)構(gòu))第二軸20是例如由用于機(jī)械結(jié)構(gòu)用途的碳素鋼例如S20C(根據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))制成的中空的軸狀構(gòu)件。軛21 —體地設(shè)置在第二軸20的一個(gè)端部處，以與車輛的變速器的輸出軸(未示出)聯(lián)接。軛21保持十字接頭M的一對(duì)軸，該十字接頭 24使第二軸20與變速器的輸出軸聯(lián)接以旋轉(zhuǎn)。圓筒形花鍵配合部22設(shè)置在第二軸20的另一端部處。沿軸向方向延伸的內(nèi)周花鍵齒220形成在圓筒形花鍵配合部22的內(nèi)周上。通過(guò)例如摩擦壓力焊接而與軛21和花鍵配合部22聯(lián)接的圓筒部23被設(shè)置在軛21與花鍵配合部22之間。(第一軸和第二軸的配合結(jié)構(gòu))圖2A是沿圖1的線A-A截取的第一軸10和第二軸20的配合結(jié)構(gòu)的橫截面圖。圖2B是圖2A中的第一軸10的局部放大圖。如圖2A所示，花鍵配合部12設(shè)置在花鍵配合部22的內(nèi)側(cè)，使得軸線彼此一致?；ㄦI配合部12的外周花鍵齒120和花鍵配合部22的內(nèi)周花鍵齒220相互嚙合和配合。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一軸10和第二軸20聯(lián)接成不能相對(duì)旋轉(zhuǎn)但能沿軸向方向滑動(dòng)。(DLC薄膜的組分)如圖2B所示，作為覆層的示例的DLC薄膜121形成在第一軸 10的花鍵配合部12的外周側(cè)表面上。DLC薄膜是具有以碳為主要成分的非晶結(jié)構(gòu)的類金剛石碳薄膜。更具體地，DLC薄膜121具有包括中間層和含硅DLC層(DLC-Si層)的雙層結(jié)構(gòu)，其中中間層包含諸如鉻之類的材料以提高對(duì)第一軸10的附著強(qiáng)度，而含硅DLC層形成在中間層上且具有梯度構(gòu)成、使得Si含量隨著逐漸靠近表面而減少。DLC薄膜121具有例如0. 4 μ m到10 μ m的厚度、以及對(duì)于第一軸10的花鍵配合部12的等于或大于ION的附著強(qiáng)度。在圖2B中，出于示例的目的夸大了 DLC薄膜121的厚度。形成這種DLC薄膜的方法例如化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法、以及離子氣相沉積法是已知的。在本實(shí)施方式中，將對(duì)通過(guò)使用熱陰極潘寧電離計(jì)(Perming ionization gauge (PIG))等離子體CVD法來(lái)形成DLC薄膜121進(jìn)行描述。(熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備的結(jié)構(gòu))圖3是示意圖，其示出了熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3的構(gòu)造示例。圖4是沿圖3的線B-B截取的熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備 3的橫截面圖。如圖3所示，該熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3具有真空沉積室30，該真空沉積室30具有位于上表面中的開(kāi)口 30a ；和設(shè)置成覆蓋該開(kāi)口 30a的等離子體室31。真空沉積室30通過(guò)壁部分300與外部隔離，壁部分300包括上壁301、側(cè)壁302和底壁303。上壁301具有形成為與等離子體室31連通的開(kāi)口 30a。排氣口 30 形成在側(cè)壁302中且連接至真空泵(未示出)。等離子體室31具有設(shè)置在內(nèi)部的熱陰極311、陽(yáng)極312、電子噴射電極313、以及氣體噴嘴314。真空沉積室30和等離子體室31通過(guò)由氟塑料、氧化鋁等制成的絕緣體32彼此絕緣。熱電極311是例如鎢絲且通過(guò)由直流電源315提供的電力加熱到發(fā)射熱電子(例如，2000°C)的溫度。陽(yáng)極312由陽(yáng)極電源316相對(duì)于熱陰極311以正電壓供能。電子噴射電極313經(jīng)由電子噴射電源317連接至熱陰極311且被接地。熱陰極311、陽(yáng)極312和電子噴射電極313從等離子體室31的壁部分310懸置。等離子體室31被保持在絕緣電勢(shì)。第一線圈33設(shè)置在真空沉積室30的上方且面對(duì)上壁301從而圍繞等離子體室 31。具有與第一線圈33相同直徑的第二線圈34設(shè)置在真空沉積室30的下方且面對(duì)底壁 303。將原料氣體引入到真空沉積室30中的噴嘴35設(shè)置成穿過(guò)側(cè)壁302。反射電極304以如下?tīng)顟B(tài)設(shè)置在真空沉積室30中反射電極通過(guò)開(kāi)口 30a面對(duì)等離子體室31且從真空沉積室30的壁部分200懸置。呈盤(pán)狀的第一轉(zhuǎn)盤(pán)305在真空沉積室 20中設(shè)置在反射電極304的下方，使得第一轉(zhuǎn)盤(pán)能夠由設(shè)置在真空沉積室30的外部的電機(jī) 36穿過(guò)底壁303可旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)。具有比第一轉(zhuǎn)盤(pán)305小的直徑的呈盤(pán)狀的多個(gè)第二轉(zhuǎn)盤(pán)
7306設(shè)置成使得第二轉(zhuǎn)盤(pán)通過(guò)齒輪機(jī)構(gòu)(未示出)而隨同第一轉(zhuǎn)盤(pán)305的旋轉(zhuǎn)一起旋轉(zhuǎn)。第二轉(zhuǎn)盤(pán)306中的每一個(gè)都支承三個(gè)第一軸10，桿狀支承軸307穿過(guò)所述第一軸 10的通孔IOa (參見(jiàn)圖1)。支承軸307豎向地設(shè)置在第二轉(zhuǎn)盤(pán)306的旋轉(zhuǎn)軸上。每個(gè)第一軸10的一個(gè)端部都由作為遮蔽構(gòu)件的夾具41遮蔽，該夾具41被附接為覆蓋軛11。環(huán)形隔離件42設(shè)置在位于頂部的第一軸與附接至位于中部的第一軸10的夾具41之間。下面將描述夾具41的細(xì)節(jié)。通過(guò)組裝三個(gè)第一軸10、三個(gè)夾具41以及隔離件42而成的組件40如圖4所示隨同第二轉(zhuǎn)盤(pán)306的旋轉(zhuǎn)一起繞第一軸的軸向方向旋轉(zhuǎn)、并且隨同第一轉(zhuǎn)盤(pán)305的旋轉(zhuǎn)一起繞反射電極304旋轉(zhuǎn)。構(gòu)成組件40的三個(gè)第一軸10經(jīng)由電機(jī)36的旋轉(zhuǎn)軸360等通過(guò)電線(未示出) 與不對(duì)稱脈沖電源37相連。不對(duì)稱脈沖電源37向每個(gè)第一軸10施加脈沖電壓，其中在特定的頻率(例如，IOkHz到250kHz)，負(fù)電壓的絕對(duì)值高于正電壓的絕對(duì)值。如圖4所示，真空沉積室30在其內(nèi)部具有由鉻之類的金屬制成的濺射源38、以及用于將組件40加熱到特定的溫度的加熱器39。(DLC薄膜的形成過(guò)程)當(dāng)在第一軸10的花鍵配合部12中形成DLC薄膜121時(shí)， 首先將包括三個(gè)第一軸10的組件40設(shè)置在位于真空沉積室30中的第二轉(zhuǎn)盤(pán)36上。在圖 4所示的示例中，十二個(gè)組件40設(shè)置在真空沉積室30中。然后，通過(guò)真空泵將真空沉積室 30中的空氣從排氣口 30 排出。使真空沉積室30的內(nèi)部達(dá)到大約真空的狀態(tài)。接下來(lái)，電機(jī)36被驅(qū)動(dòng)以使第一轉(zhuǎn)盤(pán)305和第二轉(zhuǎn)盤(pán)306旋轉(zhuǎn)。并且，熱陰極311、 陽(yáng)極312和電子噴射電極313被供能以在真空沉積室30的中央產(chǎn)生等離子體3a。等離子體3a在開(kāi)口 30a與反射電極304之間產(chǎn)生且被保持成圓柱形，使得其中間部分因第一線圈 33和第二線圈34所產(chǎn)生的磁力而膨脹。從不對(duì)稱脈沖電源37向每個(gè)第一軸10施加脈沖電壓。然后，從氣體噴嘴314引入氬氣和氫氣以執(zhí)行第一軸10的未由夾具41遮蔽的部分(未遮蔽部分)的放電清洗。在保持電機(jī)36的驅(qū)動(dòng)和脈沖電壓的施加的同時(shí)，實(shí)施濺射以使從濺射源38釋放的鉻附著至第一軸10的未遮蔽部分。另外，DLC薄膜121通過(guò)以下方式形成在每個(gè)第一軸 10上從噴嘴35供應(yīng)原料氣體例如四甲基硅烷(TMS = Si(CH3)4)氣體和烴族C2H2 ；沿等離子體3a的徑向方向徑向地加速原料氣體；使被加速的原料氣體撞擊和附著至平行于等離子體3a設(shè)置的每個(gè)第一軸10的未遮蔽部分。下文中，將參照示例1和2更具體地描述本發(fā)明的覆層形成方法。但是，本發(fā)明并不限于這些示例。在示例1和2中，圖3所示的熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3用于在第一軸10上形成DLC薄膜121 ；但是，覆蓋第一軸10的軛11的夾具的形狀不同。(示例1)圖5A是根據(jù)示例1的夾具41的橫截面圖和第一軸10的正視圖，其中夾具41覆蓋該第一軸10的包括有軛11的一個(gè)端部(從一對(duì)臂111分隔開(kāi)的方向所見(jiàn)的視圖)。圖5B是根據(jù)示例1的夾具41的橫截面圖和第一軸10的側(cè)視圖，其中夾具41覆蓋該第一軸10的包括有軛11的一個(gè)端部(從一對(duì)臂111彼此重疊的方向所見(jiàn)的視圖)。夾具41由諸如碳素鋼之類的鋼制成且具有中空的三角桿形。夾具41具有具有弧形橫截面的底壁410 ；具有在平面視圖中呈三角形且彼此面對(duì)的第一側(cè)壁411和第二側(cè)壁412 ；具有在平面視圖中呈矩形且形成在第一側(cè)壁411與第二側(cè)壁412之間的第三側(cè)壁 413和第四側(cè)壁414 ；以及面對(duì)底壁410的頂壁415。底壁410形成為使得其橫截面具有與臂111的半圓形頂端Illb的弧形的曲率半徑一致的曲率半徑。更具體地，底壁410具有槽狀形狀，底壁410的內(nèi)表面410a形成為具有與臂111的頂端Illb的曲率半徑相同或略小于臂111的頂端Illb的曲率半徑(例如， 頂端Illb的曲率半徑的0.7倍到1.0倍)的曲率半徑。底壁410形成有通孔(未示出)， 支承軸307插入穿過(guò)該通孔(參見(jiàn)圖3)。頂壁415在平面視圖中呈矩形且形成有插入孔415a，第一軸10的軸部13穿過(guò)該插入孔41 被插入中央部分中。在第三側(cè)壁413和第四側(cè)壁414與頂壁415之間的角度為銳角。第一軸10的包括有軛11的臂111和基部110的一個(gè)端部由夾具41覆蓋，使得臂 111的頂端Illb抵靠夾具41的底壁410的內(nèi)表面410a。軸部13的一部分和花鍵配合部 12處于由夾具41覆蓋的范圍之外。由夾具41覆蓋的軛11是不形成DLC薄膜121的非被覆部分。因?yàn)橛驳腄LC薄膜 121未形成在軛11上，所以在形成過(guò)程之后易于對(duì)軛11進(jìn)行機(jī)加工。軛11形成為使得在從圖5A所示的方向所見(jiàn)的寬度方向上的長(zhǎng)度w(所述一對(duì)臂 111的直徑)比在從圖5B所示的方向所見(jiàn)的厚度方向上的長(zhǎng)度t (垂直于長(zhǎng)度W)長(zhǎng)。這里，寬度方向是沿著保持孔11 Ia的中心軸線01的包括有所述一對(duì)臂111的橫截面方向，而厚度方向是垂直于該寬度方向和中心軸線01的方向。軛11在寬度方向上的長(zhǎng)度w和在厚度方向上的長(zhǎng)度t形成為大于花鍵配合部12的外周直徑(該外周直徑為49mm)。在夾具 41附接至第一軸10的情況下，夾具41在軛11的寬度方向上的長(zhǎng)度I1與夾具41在軛11 的厚度方向上的長(zhǎng)度I2相同。在第一軸10的未由夾具41覆蓋的部分上，花鍵配合部12是要形成DLC薄膜121 的被覆部分。因?yàn)檩S部13未由夾具41覆蓋，所以DLC薄膜121可以形成在軸部的至少一部分上。但是，軸部13不與其他構(gòu)件一起滑動(dòng)，由此，在軸部13上的DLC薄膜121不是必須的。另外，對(duì)軸部13上的DLC薄膜121的硬度沒(méi)有要求。即，軸部13是位于被覆部分與非被覆部分之間的中間部分。夾具41在包括第一軸10的中心軸線01的平面中能夠被分成兩個(gè)構(gòu)件。在分開(kāi)狀態(tài)下，夾具41保持第一軸10的一個(gè)端部，隨后通過(guò)連接所述兩個(gè)構(gòu)件而將夾具附接至第一軸10。頂壁415的插入孔41 可以形成為能夠?qū)④?1插入該插入孔中的尺寸，使得夾具能夠在不分成兩個(gè)構(gòu)件的情況下附接至第一軸10。圖6A是從夾具41的第三側(cè)壁所見(jiàn)(相位90° )的構(gòu)造圖，并且該構(gòu)造圖示出了如下?tīng)顟B(tài)其中，三個(gè)第一軸10、三個(gè)夾具41、和一個(gè)隔離件42被組裝為構(gòu)成設(shè)定在熱陰極 PIG等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室30中的組件40。圖6B是從夾具41的第一側(cè)壁411 所見(jiàn)(相位0° )的構(gòu)造圖，并且該構(gòu)造圖示出了如下?tīng)顟B(tài)其中，三個(gè)第一軸10、三個(gè)夾具41、和一個(gè)隔離件42被組裝為構(gòu)成設(shè)定在熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室 30中的組件40。雖然三個(gè)第一軸10中的每一個(gè)都具有相同的尺寸和形狀，但是為了區(qū)分于彼此，將進(jìn)行下面的描述使得當(dāng)這些軸被設(shè)定在真空沉積室中時(shí)，位于最上部(在等離子體室31 側(cè))的第一軸10稱為“上部第一軸(參考標(biāo)記10A) ”，位于最下部的第一軸稱為“下部第一軸(參考標(biāo)記10C)”，而位于上部第一軸IOA與下部第一軸IOC之間的第一軸10稱為“中部第一軸(參考標(biāo)記10B) ”。上部第一軸10A、中部第一軸10B、和下部第一軸IOC沿著軸向方向成列地設(shè)置，使得每個(gè)中心軸線彼此一致。上部第一軸IOA和中部第一軸IOB設(shè)置成使得位于軛11側(cè)的端部向上指向，而下部第一軸IOC設(shè)置成使得位于軛11側(cè)的端部向下指向。上部第一軸10A、 中部第一軸IOB和下部第一軸IOC各自的軛11都由夾具41覆蓋并且被遮蔽以免于真空沉積室30中產(chǎn)生的等離子體3a的影響。隔離件42設(shè)置在位于上部第一軸IOA的花鍵配合部12側(cè)的端面12a與附接至中部第一軸IOB的夾具41之間。中部第一軸IOB和下部第一軸IOC設(shè)置成使得位于花鍵配合部12側(cè)的相應(yīng)的端面1 彼此面對(duì)。假設(shè)上部第一軸10A、中部第一軸IOB和下部第一軸IOC的軸向方向是X方向，并且假設(shè)當(dāng)軸設(shè)定在熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室30中時(shí)，垂直于X方向且朝向等離子體3a的方向是Y方向。如圖6A所示，附接至上部第一軸IOA的夾具41的下端部與上部第一軸IOA的花鍵配合部12的上端部之間沿X方向的尺寸 是35mm，附接至上部第一軸IOA的夾具41的下端部與附接至中部第一軸IOB的夾具41的上端部之間沿X方向的尺寸h是143mm，而上部第一軸IOA的花鍵配合部12的下端部與附接至中部第一軸IOB 的夾具41的上端部之間沿X方向的尺寸C1是9mm。尺寸C1對(duì)應(yīng)于隔離件42的厚度。此外，附接至中部第一軸IOB的夾具41的下端部與中部第一軸IOB的花鍵配合部 12的上端部之間沿X方向的尺寸Cl1是35mm，而附接至中部第一軸IOB的夾具41的下端部與附接至下部第一軸IOC的夾具41的上端部之間的尺寸ei是272mm。在90°相位中，上部第一軸10A、中部第一軸IOB和下部第一軸IOC的花鍵配合部 12的外周(外周花鍵齒120的頂端)與每個(gè)夾具41的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸 是 23mm。如圖6B所示，在0°相位中，上部第一軸IOA的花鍵配合部12的外周與附接至中部第一軸IOB的夾具41的頂端41a之間沿Y方向的尺寸&是25mm。但是，在0°相位中， 與附接至中部第一軸IOB的夾具41的頂端41a相比，上部第一軸IOA的花鍵配合部12的外周向+Y方向突出，因此上部第一軸IOA的花鍵配合部12的外周向+Y方向的突出量是0mm。在0°相位中，中部第一軸IOB的花鍵配合部12的外周與附接至中部第一軸IOB 的夾具41的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸Ill是23mm。在0°相位中，上部第一軸 IOA的花鍵配合部12的外周與附接至上部第一軸IOA的夾具41的沿Y方向的端部之間沿 Y方向的尺寸、以及下部第一軸IOC的花鍵配合部12的外周與附接至下部第一軸IOC的夾具41的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸都是23mm，這與尺寸Ii1相同。尺寸 、(^和Cl1是分隔間距的示例，基于DLC薄膜121的硬度在夾具41的附近減小的發(fā)現(xiàn)而設(shè)定所述分隔間距以防止花鍵配合部12上的DLC薄膜121的硬度的減小。在該示例中，分隔間距設(shè)定為等于或大于9mm。(示例2、圖7A是根據(jù)示例2的夾具51的橫截面圖和第一軸10的正視圖，其中夾具51覆蓋該第一軸10的包括有軛11的一個(gè)端部(從一對(duì)臂111分隔開(kāi)的方向所見(jiàn)的視圖)。圖7B是根據(jù)示例2的夾具51的橫截面圖和第一軸10的側(cè)視圖，其中夾具51覆蓋該第一軸10的包括有軛11的一個(gè)端部(從一對(duì)臂111彼此重疊的方向所見(jiàn)的視圖)。夾具51由諸如碳素鋼之類的鋼制成且具有中空的長(zhǎng)方體的形狀。夾具51具有 底壁510 ；面對(duì)底壁510的頂壁515 ；以及形成在底壁510與頂壁515之間的第一側(cè)壁511、 第二側(cè)壁512、第三側(cè)壁513和第四側(cè)壁514。頂壁515形成有插入孔51 ，第一軸10的軸部13穿過(guò)該插入孔51 被插入到中央部分。第一側(cè)壁511和第三側(cè)壁513、以及第二側(cè)壁512和第四側(cè)壁514分別橫過(guò)第一軸 10的軛11而彼此面對(duì)。底壁510、第一側(cè)壁511、第二側(cè)壁512、第三側(cè)壁513、和第四側(cè)壁 514、以及頂壁515中的每一個(gè)在平面視圖中呈矩形形狀。第一軸10的包括有軛11的臂111、111和基部110的一個(gè)端部由夾具51覆蓋，使得臂111的頂端Illb抵靠夾具51的底壁510的內(nèi)表面510a。在夾具51附接至第一軸10的情況下，夾具51在軛11的寬度方向上的長(zhǎng)度I3形成為比夾具51在軛11的厚度方向上的長(zhǎng)度I4長(zhǎng)。與根據(jù)示例1的夾具41的情況一樣，夾具51能夠在包括第一軸10的中心軸線01 的平面中分成兩個(gè)構(gòu)件。在分開(kāi)狀態(tài)下，夾具51保持第一軸10的一個(gè)端部，隨后通過(guò)連接所述兩個(gè)構(gòu)件而將夾具附接至第一軸10。頂壁515的插入孔51 可以形成為能夠?qū)④?1 插入該插入孔51 中的尺寸，使得夾具能夠在不分成兩個(gè)構(gòu)件的情況下附接至第一軸10。圖8A是從夾具51的第三側(cè)壁513所見(jiàn)(相位90° )的構(gòu)造圖，并且該構(gòu)造圖示出了如下?tīng)顟B(tài)三個(gè)第一軸10、三個(gè)夾具51、和隔離件42被組裝為構(gòu)成設(shè)定在熱陰極PIG 等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室30中的組件50。圖8B是從夾具51的第一側(cè)壁511所見(jiàn)(相位0° )的構(gòu)造圖，并且該構(gòu)造圖示出了如下?tīng)顟B(tài)三個(gè)第一軸10、三個(gè)夾具51、和隔離件42被組裝為構(gòu)成設(shè)定在熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室30中的組件 50。除了夾具的形狀不同之外，組件50的結(jié)構(gòu)與圖6所示的根據(jù)示例1的組件40相同。當(dāng)與示例1的情況一樣限定X方向和Y方向時(shí)，如圖8A所示，附接至上部第一軸 IOA的夾具51的下端部與上部第一軸IOA的花鍵配合部12的上端部之間沿X方向的尺寸 a2是17mm，附接至上部第一軸IOA的夾具51的下端部與附接至中部第一軸IOB的夾具51 的上端部之間沿X方向的尺寸1 是120mm，而上部第一軸IOA的花鍵配合部12的下端部與附接至中部第一軸IOB的夾具51的上端部之間沿X方向的尺寸C2是9mm。此外，附接至中部第一軸IOB的夾具51的下端部與中部第一軸IOB的花鍵配合部 12的上端部之間沿X方向的尺寸d2是17mm，而附接至中部第一軸IOB的夾具51的下端部與附接至下部第一軸IOC的夾具51的上端部之間的尺寸％是MOmm。在90°相位中，上部第一軸10A、中部第一軸IOB和下部第一軸IOC的花鍵配合部 12的外周(外周花鍵齒120的頂端)與每個(gè)夾具51的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸 f2 是 23mm。如圖8B所示，在0°相位中，中部第一軸IOB的花鍵配合部12的外周與附接至中部第一軸IOB的夾具51的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸&是16mm。在0°相位中， 上部第一軸IOA的花鍵配合部12的外周與附接至上部第一軸IOA的夾具51的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸、以及下部第一軸IOC的花鍵配合部12的外周與附接至下部第一軸IOC的夾具51的沿Y方向的端部之間沿Y方向的尺寸都是16mm，這與尺寸&相同。
尺寸 、c2和d2是分隔間距的示例，基于DLC薄膜121的硬度在夾具51的附近減小的發(fā)現(xiàn)來(lái)設(shè)定所述分隔間距以防止花鍵配合部12上的DLC薄膜121的硬度減小。在本示例中，分隔間距設(shè)定為等于或大于9mm。圖9A、圖9B和圖9C是表格和圖表，其示出了在根據(jù)上述示例1和2的組件40和 50設(shè)置在熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3的真空沉積室30中以形成DLC薄膜的情況下的表面硬度的試驗(yàn)結(jié)果。圖9A是表格，其示出了在根據(jù)示例1和2的組件40和50中的夾具41和51與第一軸10的花鍵配合部12的三個(gè)點(diǎn)之間的尺寸關(guān)系、并且示出了表面硬度的測(cè)量結(jié)果。這里，表面硬度以努氏硬度(Knoop hardness)表示。努氏硬度是通過(guò)適用或符合JIS B7734(顯微硬度測(cè)試器)的測(cè)試機(jī)器來(lái)測(cè)量的。 即，努氏硬度Hk(kgf/mm2)是用當(dāng)通過(guò)使用努氏壓頭(具有172° 30’和130°的對(duì)角線角度的金剛石正方棱錐壓頭)使測(cè)量表面凹入成正方棱錐時(shí)的載荷除以由永久凹槽的較長(zhǎng)對(duì)角線的長(zhǎng)度得到的凹槽的投影面積的商，并且以下面的等式(1)表示Hk = 14. 23XF/L2(1)其中，F(xiàn)表示載荷(N)，而L表示較長(zhǎng)對(duì)角線的長(zhǎng)度(mm)。如圖6A所示，在包括第一位置40a、第二位置40b和第三位置40c的三個(gè)測(cè)量位置處測(cè)量根據(jù)示例1的組件40的表面硬度。第一位置40a是上部第一軸IOA的花鍵配合部 12的上端部。第二位置40b是上部第一軸IOA的花鍵配合部12的下端部。第三位置40c 是中部第一軸IOB的花鍵配合部12的上端部。對(duì)于每個(gè)測(cè)量位置，在沿著周向方向的多個(gè)點(diǎn)處實(shí)施測(cè)量，并且將在多個(gè)點(diǎn)處的測(cè)量結(jié)果的平均值視為表面硬度的測(cè)量值。如圖8B所示，在包括第四位置50a、第五位置50b和第六位置50c的三個(gè)測(cè)量位置處測(cè)量根據(jù)示例2的組件50的表面硬度。第四位置50a、第五位置50b和第六位置50c的測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)于第一位置40a、第二位置40b、和第三位置40c。在這些測(cè)量位置處，除了在0°相位中的第二位置40b以外，沿X方向設(shè)置在測(cè)量位置的最近距離處的夾具41或 51相比于測(cè)量位置向Y方向突出。在圖9A所示的表格中，第一列9a示出了尺寸Ql。符號(hào)α i是從每個(gè)測(cè)量位置到沿X方向設(shè)置在測(cè)量位置的最近距離處的夾具41或51的尺寸。第一列9a以圖6A和圖8A 中的尺寸測(cè)量點(diǎn)的符號(hào)(^、(^、屯等)示出了 Ci1的尺寸值。第二列9b示出了尺寸a2。符號(hào)α 2是在兩個(gè)夾具41或兩個(gè)夾具51之間沿X方向的尺寸，其中包括了每一個(gè)測(cè)量位置。α 2的尺寸值也以圖6Α和圖8Α中的尺寸測(cè)量點(diǎn)的符號(hào)(!^、^、屯等)示出。第三列9c示出了尺寸β9(ι。符號(hào)β 9(|是在每個(gè)測(cè)量位置與夾具41或51的沿Y 方向的端部之間在90°相位中的的尺寸。S卩，β 9(|是從花鍵配合部12的外周到夾具41或 51的位于等離子體3a側(cè)的表面沿軛11的寬度方向的距離。第三列9c以圖6A和圖8A中的尺寸測(cè)量點(diǎn)的符號(hào)(fjPf2)示出了 β9(ι的尺寸值。第四列9d示出了尺寸 ^。符號(hào)是在每個(gè)測(cè)量位置與夾具41或51的沿Y方向的端部之間在0°相位中的的尺寸。即，β C1是從花鍵配合部12的外周到夾具41或51的位于等離子體3a側(cè)的表面沿軛11的寬度方向的距離。第四列9d以圖6A和圖8A中的尺寸測(cè)量點(diǎn)的符號(hào)㈨和^)示出了的尺寸值。
這里，第二位置40b的尺寸β。對(duì)應(yīng)于圖6B所示的尺寸gl ；但是，如上所述，夾具 41在該測(cè)量位置處沿Y方向的突出量是0mm，因此，β ^的尺寸值被設(shè)定為零。第五列9e示出了(CI1X α2)/(β9。Χ β。)的計(jì)算值。對(duì)于第二位置40b，β Q的尺寸值被設(shè)定為零，因此未示出計(jì)算值。第六列9f示出了尺寸Y。符號(hào)Y是從第一軸10的花鍵配合部12的外周到夾具 41或51的沿垂直于X方向的方向的端部之間的距離的平均值(平均距離)。Y能夠獲得為這樣的值該值是從具有與夾具41的頂壁415(假設(shè)未形成插入孔415a)的面積相同的面積的圓的半徑減去花鍵配合部12的外周半徑的結(jié)果。相似地，在示例2中，能夠基于夾具51的底壁510或頂壁515的面積來(lái)計(jì)算Y。第七列9g示出了((aiXci2)/Y2)的計(jì)算值。對(duì)于第二位置40b，與第五列9e的情況一樣，未示出計(jì)算值。第八列9h示出了在相應(yīng)的測(cè)量位置中的努氏硬度的測(cè)量結(jié)果。在試驗(yàn)結(jié)果中，幾乎不能發(fā)現(xiàn)由于第一軸10的花鍵配合部12的沿周向方向的位置所引起的表面硬度的不同。圖9B是圖表，其示出了(αιΧα2/(β9(ιΧβ。))的計(jì)算值與測(cè)量位置(除第二位置40b以外)處的表面硬度(努氏硬度)之間的關(guān)系。如從圖9B中明顯的，((Ci1Xa2)/ (β90Χβ0))的計(jì)算值與表面硬度具有相關(guān)性、并且還具有如下關(guān)系使得當(dāng)計(jì)算值變大時(shí)表面硬度增大。當(dāng)?shù)谝惠S10與夾具41或51之間的尺寸關(guān)系限定為滿足如下面的等式(2) 所表示的表達(dá)式時(shí)，發(fā)現(xiàn)能夠獲得用于保證傳動(dòng)軸100的耐用性所必需的1，100(kgf/mm2) 的努氏硬度。Q1X α2/(β90Χ β0) ^ 5.9(2)圖9C是圖表，其示出了((aiXci2)/Y2)的計(jì)算值與測(cè)量位置(除第二位置40b 以外)處的表面硬度(努氏硬度)之間的關(guān)系。如從圖9C中明顯的，((Ci1X Ci2)/Y2)的計(jì)算值與表面硬度具有相關(guān)性、并且還具有如下關(guān)系其中，當(dāng)計(jì)算值變大時(shí)表面硬度增大。 當(dāng)?shù)谝惠S10與夾具41或51之間的尺寸關(guān)系限定為滿足如下面的等式(3)所表示的表達(dá)式時(shí)，發(fā)現(xiàn)能夠獲得用于保證傳動(dòng)軸100的耐用性所必需的1，100(kgf/mm2)的努氏硬度。(Q1X a2)/y2 ^ 3. 48(3)根據(jù)如上述的實(shí)施方式，能夠獲得下面的效果。(A)通過(guò)以?shī)A具41或51遮蔽不形成DLC薄膜121的部分(軛11)，DLC薄膜121 能夠形成到除前述部分以外的部分上。因此，與在整個(gè)第一軸10上形成DLC薄膜121之后去除軛上的DLC薄膜121的情況相比，能夠減少工序的數(shù)目。(B)因?yàn)閵A具41或51附接為沿X方向與第一軸10的花鍵配合部12離開(kāi)特定的分隔間距(等于或大于9mm)，所以在花鍵配合部12中的DLC薄膜121的努氏硬度能夠等于或大于 990 (kgf/mm2)。(C)對(duì)于第一位置40a、第三位置40c、第四位置50a、以及第六位置50c，夾具41或 51附接為滿足上述等式⑴和⑵。因此，在花鍵配合部12中的DLC薄膜121的努氏硬度能夠等于或大于1，110 (kgf/mm2)。(D)在其中沿著軸向方向設(shè)置有多個(gè)(在上述實(shí)施方式中為三個(gè))第一軸10的組件40或50設(shè)置在真空沉積室30中以形成DLC薄膜121。因此，能夠提高加工效率。
(E)構(gòu)成組件40或50的三個(gè)第一軸10中的兩個(gè)(中部第一軸IOB和下部第一軸10C)設(shè)置成使得位于花鍵配合部12側(cè)的相應(yīng)端面1 彼此抵接。因此，能夠擴(kuò)大附接至相應(yīng)的第一軸10的夾具41之間的間距及夾具51之間的間距，并且能夠提高這兩個(gè)第一軸10的花鍵配合部12上的DLC薄膜121的硬度。(F)因?yàn)閵A具41的底壁410形成為弧形形狀，所以如圖6B所示，在0°相位中的上部第一軸IOA的花鍵配合部12的外周相比于附接至中部第一軸IOB的夾具41的底壁部分向Y方向突出，并且能夠提高在花鍵配合部12上的DLC薄膜121的硬度。(G)因?yàn)閵A具41或51能夠容易地從第一軸10的軛11上去除以及附接至第一軸 10的軛11，所以與通過(guò)用鋁箔覆蓋來(lái)遮蔽軛11的情況相比，能夠提高工作效率。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于所述的實(shí)施方式或構(gòu)造。相反，本發(fā)明意在涵蓋各種改型和等同方案。另外，雖然所公開(kāi)的發(fā)明的各種元件是以各種示例組合和構(gòu)型示出的，但是包括更多的、更少的或僅包括單個(gè)元件的其他組合和構(gòu)型也屬于所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。(i)在以上實(shí)施方式中，夾具41形成為三角桿形狀，而夾具51形成為長(zhǎng)方體形狀。 但是，本發(fā)明并不限于此，而是可以使用各種形狀例如圓柱形形狀。(ii)在以上實(shí)施方式中，一個(gè)組件40或50構(gòu)成為包括三個(gè)第一軸10。但是，本發(fā)明并不限于此，可以組裝兩個(gè)第一軸10以構(gòu)成一個(gè)組件。或者，可以組裝四個(gè)或更多個(gè)第一軸10以構(gòu)成一個(gè)組件。在一個(gè)組件中的第一軸10的布置方法并不限于圖6A和圖8B 中所示的那些。(iii)在以上實(shí)施方式中，夾具41或51由碳素鋼制成。但是，本發(fā)明并不限于此， 夾具可以由不銹鋼、鋁、或樹(shù)脂制成。(iv)在以上實(shí)施方式中，熱陰極PIG等離子體CVD設(shè)備3構(gòu)造成使得等離子體3a 沿豎直方向產(chǎn)生。但是，本發(fā)明并不限于此，所述設(shè)備可構(gòu)造成使得等離子體3a沿水平方向或者沿相對(duì)于豎直方向的傾斜方向產(chǎn)生。在該情況下，第一軸10可以設(shè)置成平行于等離子體3a。(ν)以上實(shí)施方式是就如下情況進(jìn)行描述其中，作為覆層的示例的DLC薄膜121 具有包括中間層和DLC-Si層的雙層結(jié)構(gòu)，該中間層包含諸如鉻之類的材料。但是，可以不需要中間層。DLC薄膜121可以是由不包含Si的DLC制成的薄膜。此外，覆層并不限于 DLC，而是可以為氮化鈦(TiN)等。在該情況下，可以通過(guò)將對(duì)應(yīng)于覆層成分的原料氣體供應(yīng)到真空沉積室內(nèi)來(lái)形成覆層。(vi)在以上實(shí)施方式中，傳動(dòng)軸100構(gòu)造成使得第一軸10聯(lián)接至車輛的差動(dòng)齒輪的輸入軸并且使得第二軸20聯(lián)接至車輛的變速器的輸出軸。反之，傳動(dòng)軸可以構(gòu)造成使得第一軸10聯(lián)接至車輛的變速器的輸出軸并且使得第二軸20聯(lián)接至車輛的差動(dòng)齒輪的輸入軸。這里，差動(dòng)齒輪的輸入軸和變速器的輸出軸是對(duì)車輛的驅(qū)動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)力進(jìn)行傳遞的驅(qū)動(dòng)軸的示例。(vii)以上實(shí)施方式是就如下情況進(jìn)行描述其中，將作為傳動(dòng)軸100的組成構(gòu)件的第一軸10用作被覆本體的示例。但是，被覆本體并不限于此。任何構(gòu)件都可用作為被覆本體，只要需要覆層的硬度并且也部分地需要非被覆部分。
1權(quán)利要求
1.一種覆層(121)的形成方法，所述形成方法通過(guò)如下方式以所述覆層(121)覆蓋被覆本體在真空沉積室(30)中產(chǎn)生圓柱形的等離子體(3a)、以及將原料氣體供應(yīng)到所述真空沉積室(30)內(nèi)并且向所述被覆本體施加脈沖電壓，所述形成方法的特征在于包括將遮蔽非被覆構(gòu)件的遮蔽構(gòu)件附接至不形成所述被覆本體的所述覆層(121)的非被覆部分、且與形成所述覆層(121)的被覆部分保持分隔間距，以防止所述被覆部分中的所述覆層的硬度減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆層的形成方法，其中所述被覆本體設(shè)置在所述真空沉積室(30)中，使得所述被覆部分平行于所述等離子體(3a)；以及所述被覆本體繞其軸向方向旋轉(zhuǎn)，使得所述覆層(121)形成在所述被覆部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的覆層的形成方法，其中所述被覆本體是在沿軸向方向的端部處具有所述非被覆部分的軸構(gòu)件； 兩個(gè)所述被覆本體設(shè)置在所述真空沉積室(30)中，使得沿軸向方向的相應(yīng)端部彼此面對(duì)；以及所述覆層(121)形成在所述被覆部分上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的覆層的形成方法，其中所述被覆本體是構(gòu)成用于車輛的傳動(dòng)軸(100)的軸組成構(gòu)件，所述傳動(dòng)軸(100)能夠沿軸向方向延伸和收縮；所述被覆部分是花鍵配合部，所述花鍵配合部通過(guò)所述傳動(dòng)軸(100)的延伸和收縮而與所述傳動(dòng)軸(100)的其他組成構(gòu)件一起沿軸向方向滑動(dòng)；以及所述非被覆部分是將所述傳動(dòng)軸(100)聯(lián)接至另一驅(qū)動(dòng)軸的聯(lián)接部(11)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆層的形成方法，其中，所述聯(lián)接部(11)的沿所述被覆本體的軸向方向的頂端(111)呈包括弧形凹部的U形；以及所述遮蔽構(gòu)件的與所述聯(lián)接部(11)的所述頂端(111)相對(duì)應(yīng)的部分形成為與所述頂端(111)的弧形一致的弧形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的覆層的形成方法，其中，如從所述等離子體(3a)所見(jiàn)的所述被覆本體與所述遮蔽構(gòu)件之間的尺寸關(guān)系滿足以下表達(dá)式Q1X a2/y2 ^ 3. 48,其中α！是所述分隔間距；α 2是如下兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間的距離所述兩個(gè)遮蔽構(gòu)件附接為使得所述被覆本體被插置在所述兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間；Y是從所述被覆部分的表面到所述遮蔽構(gòu)件的位于所述等離子體(3a)側(cè)的表面之間的平均距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的覆層的形成方法，其中所述聯(lián)接部(11)形成為使得U形的所述頂端(111)的端部之間的寬度(W)大于所述頂端(111)的厚度⑴；以及如從所述等離子體(3a)所見(jiàn)的所述被覆本體與所述遮蔽構(gòu)件之間的尺寸關(guān)系滿足以下表達(dá)式α 義 Ci2Z^1X β 2) ^ 5. 9,其中α！是所述分隔間距；α 2是如下兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間的距離所述兩個(gè)遮蔽構(gòu)件附接為使得所述被覆本體被插置在所述兩個(gè)遮蔽構(gòu)件之間；β ！是從所述被覆部分的表面到所述遮蔽構(gòu)件的位于所述等離子體側(cè)的表面的沿所述聯(lián)接部的寬度(W)的距離；β2是從所述被覆部分的表面到所述遮蔽構(gòu)件的位于所述等離子體側(cè)的表面的沿所述聯(lián)接部的厚度(t)的距離。
全文摘要
一種形成在第一軸(10)的表面上的DLC薄膜(121)，其通過(guò)如下方式形成在真空沉積室(30)中產(chǎn)生圓柱形的等離子體(3a)、將原料氣體供應(yīng)到真空沉積室(30)內(nèi)、以及向作為被覆本體的第一軸(10)施加脈沖電壓。將遮蔽軛(11)的夾具(41)附接至作為不形成第一軸(10)的DLC薄膜(121)的非被覆部分的軛(11)、且與要形成DLC薄膜(121)的作為被覆部分的花鍵配合部(12)保持分隔間距，以防止花鍵配合部(12)中的DLC薄膜(121)的硬度減小。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102373437SQ201110227869
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月6日
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