專利名稱：半導(dǎo)體激光器芯片p面清洗和n面拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光方法。
背景技術(shù)：
目前高功率半導(dǎo)體激光器芯片制作工藝所面臨的主要問(wèn)題是P面清洗不干凈，N 面拋光質(zhì)量不好。如果半導(dǎo)體激光器的P面清洗不干凈，N面拋光質(zhì)量不好，會(huì)使半導(dǎo)體激光器的歐姆接觸不好，N面金絲鍵合不上，串聯(lián)電阻高，電光轉(zhuǎn)換效率低，這在很大程度上限制了半導(dǎo)體激光器的制作工藝，同時(shí)也限制了半導(dǎo)體激光器的實(shí)際應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光采用手工操作方式，重復(fù)性差，質(zhì)量不好。手工操作即操作者先將清洗(拋光)液倒入培養(yǎng)皿里，再用鑷子將半導(dǎo)體激光器芯片放到培養(yǎng)皿里，使半導(dǎo)體激光器芯片在清洗(拋光)液里浸泡一定的時(shí)間，達(dá)到清洗 (拋光)的效果。由于半導(dǎo)體激光器芯片和清洗(拋光)液在培養(yǎng)皿里是靜止不動(dòng)的，清洗(拋光)液溶解的沾污和雜質(zhì)會(huì)聚集在清洗(拋光)液里，使清洗(拋光)液純度降低， 清洗(拋光)效果變差，清洗(拋光)質(zhì)量不好。另外，手工操作存在的缺點(diǎn)還有清洗(拋光)時(shí)間長(zhǎng)，重復(fù)性差，良率差，效率低。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)手工操作方式存在的清洗(拋光)時(shí)間長(zhǎng)，重復(fù)性差，清洗(拋光) 質(zhì)量不好，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光方法，其原理是利用機(jī)械方法將半導(dǎo)體激光器芯片以高速轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)起來(lái)，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中通過(guò)不斷向半導(dǎo)體激光器芯片表面噴射超聲霧化小霧滴而達(dá)到清洗(拋光)半導(dǎo)體激光器芯片目的的一種方法。在清洗(拋光)半導(dǎo)體激光器芯片前，調(diào)節(jié)低速調(diào)節(jié)鈕沈、低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25、高速調(diào)節(jié)鈕27和高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間觀，打開(kāi)真空泵1，將半導(dǎo)體激光器芯片放到承片盤(pán)22上，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)24， 按吸片鍵210，使半導(dǎo)體激光器芯片吸附在承片盤(pán)22上，將準(zhǔn)備好的清洗(拋光)液放進(jìn)超聲霧化器3里，調(diào)節(jié)定時(shí)旋鈕32和霧量調(diào)節(jié)鈕34，按啟動(dòng)鍵四，啟動(dòng)高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2， 使半導(dǎo)體激光器芯片旋轉(zhuǎn)起來(lái)，打開(kāi)電源鍵33，運(yùn)行超聲霧化器3，產(chǎn)生超聲霧化小霧滴對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片進(jìn)行清洗(拋光)。本發(fā)明包括真空泵1，抽氣管11，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，防護(hù)罩21，承片盤(pán)22，轉(zhuǎn)速顯示23，電源開(kāi)關(guān)M，低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25，低速調(diào)節(jié)鈕沈，高速調(diào)節(jié)鈕27，高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間28， 啟動(dòng)鍵29，吸片鍵210，超聲霧化器3，波紋管31，定時(shí)旋鈕32，電源鍵33，霧量調(diào)節(jié)鈕34 ； 真空泵1通過(guò)抽氣管11連接到高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2上，提供真空以便承片盤(pán)22吸附半導(dǎo)體激光器芯片，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2帶動(dòng)承片盤(pán)22轉(zhuǎn)動(dòng)，使半導(dǎo)體激光器芯片高速旋轉(zhuǎn)；超聲霧化器3提供超聲霧化清洗(拋光)小霧滴，小霧滴直接噴射到高速旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體激光器芯片上，進(jìn)行清洗(拋光)。使用本發(fā)明清洗(拋光)半導(dǎo)體激光器芯片P面(N面)包括以下步驟
用酒精棉簽擦拭承片盤(pán)22，將承片盤(pán)22放到高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2上；調(diào)節(jié)好低速調(diào)節(jié)鈕沈、低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25、高速調(diào)節(jié)鈕27和高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間28 ；打開(kāi)真空泵1，將半導(dǎo)體激光器芯片放到承片盤(pán)22上，對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體激光器芯片和承片盤(pán)22的中心位置，防止承片盤(pán)22在旋轉(zhuǎn)時(shí)將半導(dǎo)體激光器芯片拋出去；將準(zhǔn)備好的清洗(拋光)液放進(jìn)超聲霧化器3里，調(diào)節(jié)好定時(shí)旋鈕32和霧量調(diào)節(jié)鈕34 ；按啟動(dòng)鍵四，啟動(dòng)高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，使半導(dǎo)體激光器芯片旋轉(zhuǎn)起來(lái)；打開(kāi)電源鍵33，運(yùn)行超聲霧化器3，產(chǎn)生超聲霧化小霧滴，小霧滴直接噴射到芯片上，進(jìn)行清洗(拋光)；待清洗(拋光)完后，關(guān)閉超聲霧化器3，關(guān)閉高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，關(guān)閉真空泵1， 取下半導(dǎo)體激光器芯片用去離子水沖洗，直至將清洗(拋光)液去掉為止。有益效果本發(fā)明抑制了清洗(拋光)液的二次污染，保證了芯片表面清洗(拋光)液的純度，重復(fù)性好，效率高，可有效的提高半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光質(zhì)量。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，制作成本低，適用于各種半導(dǎo)體激光器P面清洗、N面拋光及其他半導(dǎo)體光電子芯片的清洗(拋光)等。


圖1是本發(fā)明立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖1中包括真空泵1，抽氣管11，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，防護(hù)罩21，承片盤(pán)22，轉(zhuǎn)速顯示23，電源開(kāi)關(guān)對(duì)，低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25，低速調(diào)節(jié)鈕沈，高速調(diào)節(jié)鈕27，高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間28，啟動(dòng)鍵四，吸片鍵210，超聲霧化器3，波紋管31，定時(shí)旋鈕 32，電源鍵33，霧量調(diào)節(jié)鈕34。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，但本發(fā)明不限于實(shí)施例。本發(fā)明包括真空泵1，抽氣管11，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，防護(hù)罩21，承片盤(pán)22，轉(zhuǎn)速顯示23，電源開(kāi)關(guān)M，低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25，低速調(diào)節(jié)鈕沈，高速調(diào)節(jié)鈕27，高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間28， 啟動(dòng)鍵四，吸片鍵210，超聲霧化器3，波紋管31，定時(shí)旋鈕32，電源鍵33，霧量調(diào)節(jié)鈕34 ；用酒精棉簽擦拭承片盤(pán)22，將承片盤(pán)22放到高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2上；調(diào)節(jié)好低速調(diào)節(jié)鈕26、 低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間25、高速調(diào)節(jié)鈕27和高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間觀；打開(kāi)真空泵1，將808nm半導(dǎo)體激光器芯片N面朝上放到承片盤(pán)22上，對(duì)準(zhǔn)808nm半導(dǎo)體激光器芯片和承片盤(pán)22的中心位置；將準(zhǔn)備好的拋光液放進(jìn)超聲霧化器3里，調(diào)節(jié)好定時(shí)旋鈕32和霧量調(diào)節(jié)鈕34 ；按啟動(dòng)鍵29， 啟動(dòng)高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，使808nm半導(dǎo)體激光器芯片旋轉(zhuǎn)起來(lái)；打開(kāi)電源鍵33，運(yùn)行超聲霧化器3，產(chǎn)生超聲霧化小霧滴，小霧滴直接噴射到芯片上，進(jìn)行拋光；待拋光完后，關(guān)閉超聲霧化器3，關(guān)閉高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，關(guān)閉真空泵1，取下808nm半導(dǎo)體激光器芯片用去離子水沖洗，直至將拋光液去掉為止，最后放入到真空鍍膜機(jī)里，以便蒸鍍N面金屬膜。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光方法，其特征在于包括真空泵1，抽氣管11，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2，防護(hù)罩21，承片盤(pán)22，轉(zhuǎn)速顯示23，電源開(kāi)關(guān)M，低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間 25，低速調(diào)節(jié)鈕沈，高速調(diào)節(jié)鈕27，高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間觀，啟動(dòng)鍵四，吸片鍵210，超聲霧化器3， 波紋管31，定時(shí)旋鈕32，電源鍵33，霧量調(diào)節(jié)鈕34。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光方法，其特征在于真空泵1通過(guò)抽氣管11連接到高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)2上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光方法，其特征在于超聲霧化器3通過(guò)波紋管31將霧化小霧滴噴射到承片盤(pán)22上。
全文摘要
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體激光器P面清洗和N面拋光方法，包括真空泵，抽氣管，高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)，防護(hù)罩，承片盤(pán)，轉(zhuǎn)速顯示，電源開(kāi)關(guān)，低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間，低速調(diào)節(jié)鈕，高速調(diào)節(jié)鈕，高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間，啟動(dòng)鍵，吸片鍵，超聲霧化器，波紋管，定時(shí)旋鈕，電源鍵，霧量調(diào)節(jié)鈕；通過(guò)真空泵抽真空，將芯片吸附在承片盤(pán)上，運(yùn)轉(zhuǎn)高速旋轉(zhuǎn)真空載臺(tái)使芯片旋轉(zhuǎn)，再用超聲霧化器使清洗(拋光)液霧化，將霧化的小霧滴噴射到旋轉(zhuǎn)的芯片上，從而使芯片清洗(拋光)均勻，達(dá)到更好的清洗(拋光)效果，提高了半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光質(zhì)量。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作成本低，適用于各種半導(dǎo)體激光器芯片P面清洗和N面拋光等。
文檔編號(hào)B24B29/00GK102354662SQ201110227630
公開(kāi)日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者喬忠良, 劉國(guó)軍, 張斯鈺, 曲軼, 李再金, 李占國(guó), 李林, 李特, 李輝, 王勇, 蘆鵬, 薄報(bào)學(xué), 鄒永剛, 高欣, 魏志鵬 申請(qǐng)人:長(zhǎng)春理工大學(xué)