專利名稱：抗污薄膜的常壓蒸鍍方法、常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜的制造方法，且特別是有關(guān)于一種抗污薄膜(Anti-smudge Film)的常壓蒸鍍(Atmospheric Evaporation)方法、常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著可攜式電子裝置的普及，為了維持其外觀，對于這類可攜式電子裝置的外層表面的保護(hù)需求也日益提高。目前，為了保護(hù)這些電子裝置的外層表面，最常見的作法是在電子裝置的外層表面上涂布抗污薄膜，例如抗指紋薄膜。舉例而言，現(xiàn)在相當(dāng)流行的觸控式電子裝置的觸控屏幕表面通常披覆有一層抗指紋膜，以使屏幕表面在歷經(jīng)使用者的多次碰 觸摩擦后，仍保有良好的顯示質(zhì)量與操作敏感度。一般而言，抗污薄膜的表面大都具有良好的抗污性、可防止指紋沾黏、觸感平滑、可防水排油與透明等特性。此外，抗污薄膜對其所覆蓋的裝置的外層表面需具有高附著力，以延長抗污薄膜的使用壽命。目前，涂布抗污薄膜的方式主要有四種。第一種方式是真空蒸鍍方式，其是在真空腔室內(nèi)，于基材的下方加熱裝載有抗污涂料溶液的容器，使其內(nèi)的抗污涂料氣化而上升附著在基材的下表面上，進(jìn)而在基材的下表面上形成一層抗污薄膜。然而，此種涂布方式需對蒸鍍反應(yīng)室抽真空，因此不僅設(shè)備造價昂貴、制程時間長，而導(dǎo)致產(chǎn)能不佳，且此種方式也不適宜在連續(xù)性的待蒸鍍基材表面上進(jìn)行。第二種方式是浸潤涂布(dipping coating)方式，其是將待處理基材浸入抗污涂料溶液中，再將待處理基材自抗污涂料溶液中取出，借此使抗污涂料涂覆在待處理基材的表面上。然而，針對連續(xù)性待處理基材的涂布，此種方式所需的設(shè)備體積相當(dāng)龐大，因此也不適宜應(yīng)用在連續(xù)性待處理基材上。第三種方式為噴霧式涂布(spray coating)方式，其是以噴霧裝置直接朝待處理基材的表面噴射抗污涂料，借以在待處理基材的表面上形成抗污薄膜。然而，噴霧裝置所噴出的涂料大都在尚未氣化前便已接觸到待處理基材的表面，因而噴霧裝置所噴出的霧滴會滴在基材的待涂布的表面上，故所形成的抗污薄膜的均勻性不佳。第四種方式為刷涂(brush coating)法，其是以刷子直接將抗污涂料涂設(shè)在待處理基材的表面上。然而，這樣的涂布方式常會在相鄰的二涂刷區(qū)域的相鄰處上產(chǎn)生重復(fù)涂布的現(xiàn)象，因此所形成的抗污薄膜的均勻性差。故，目前亟需一種制作抗污薄膜的方法與設(shè)備，可大量快速且均勻地將抗污涂料涂布到待處理基材的表面上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一方面就是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其采用常壓蒸鍍方式來進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此可大幅增加抗污薄膜的產(chǎn)能。
本發(fā)明的另一方面是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其可有效率地進(jìn)行連續(xù)性待處理基材的抗污薄膜的涂布。本發(fā)明的又一方面是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其可大量快速并有效地將抗污涂料均勻地涂布在待處理基材的表面上。本發(fā)明的再一方面就是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備，其可在常壓環(huán)境下進(jìn)行抗污薄膜的涂布，故可快速地進(jìn)行待處理基材的抗污薄膜的涂布。本發(fā)明的再一方面是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備，其可同時進(jìn)行大量基材的抗污薄膜的涂布，因此可大幅提高抗污薄膜的產(chǎn) 量。本發(fā)明的再一方面是在提供一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備，其可有效率地且均勻地進(jìn)行連續(xù)性基材的抗污薄膜的涂布。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其包含下列步驟。提供一基材。對一抗污涂料溶液進(jìn)行一氣化步驟，以形成多個抗污蒸氣分子。沉積這些抗污蒸氣分子于前述基材的一表面上，以形成抗污薄膜。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的抗污涂料溶液包含一抗污涂料與一溶劑，且此溶劑包含一高揮發(fā)性液體及/或水。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述的抗污涂料的材料包含氟碳硅烴類化合物、全氟碳硅烴類化合物、氟碳硅烷烴類化合物、全氟硅烷烴類化合物、或全氟硅烷烴醚類化合物。依據(jù)本發(fā)明的又一實施例，上述的高揮發(fā)性液體在常溫下的蒸氣壓比水的蒸氣壓大,且此高揮發(fā)性液體是選自于由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類、含氟基苯類所組成的一族群。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述氣化步驟包含利用一霧化組件。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述抗污薄膜的常壓蒸鍍方法于氣化步驟前，還包含利用一等離子在上述基材的表面進(jìn)行清潔及處理，借以在基材的表面上形成多個官能基，這些官能基可包含多個氫氧官能基、多個氮氫官能基、及/或多個空懸鍵。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述抗污薄膜的常壓蒸鍍方法于氣化步驟前，還包含利用一保護(hù)罩罩覆住基材，且氣化步驟是在此保護(hù)罩中進(jìn)行。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述抗污薄膜的常壓蒸鍍方法于沉積抗污蒸氣分子的步驟前，還包含使這些抗污蒸氣分子在保護(hù)罩內(nèi)對流。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，另提出一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置。此抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置包含一傳輸裝置與霧化裝置。霧化裝置包含至少一涂料承接裝置、以及至少一霧化組件。傳輸裝置適用以傳送至少一基材。前述的至少一涂料承接裝置用以裝載一抗污涂料溶液。前述的至少一霧化組件設(shè)于前述至少一涂料承接裝置上，用以使抗污涂料溶液氣化成多個抗污涂料蒸氣分子而沉積在前述至少一基材的一表面上。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的至少一霧化組件包含一超音波霧化震片、一加熱蒸鍍霧化組件、一高壓氣體噴射組件、或一噴嘴霧化組件。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述的至少一霧化組件設(shè)于上述至少一涂料承接裝置的上部上，且霧化裝置還包含至少一涂料傳導(dǎo)構(gòu)件，適用以將抗污涂料溶液傳送至前述的至少一霧化組件。依據(jù)本發(fā)明的又一實施例，上述的抗污薄膜的蒸鍍裝置還包含一保護(hù)罩，適用以罩覆住上述的至少一基材、至少一涂料承接裝置、與至少一霧化組件。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述的至少一涂料承接裝置包含多個涂料承接裝置，且至少一霧化組件包含單一霧化組件設(shè)置在這些涂料承接裝置上。依據(jù)本發(fā)明的再一實施例，上述的至少一涂料承接裝置包含單一涂料承接裝置，且上述的至少一霧化組件包含多個霧化組件設(shè)置在此一涂料承接裝置上。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，還提出一種抗污薄膜的制作設(shè)備。此抗污薄膜的制作設(shè)備包含一傳輸裝置、一等離子裝置以及一常壓蒸鍍裝置。此傳輸裝置適用以傳送至少一基材。等離子裝置設(shè)于傳輸裝置上方，且適用以對前述至少一基材的一表面進(jìn)行一表面活化處理。常壓蒸鍍裝置則鄰設(shè)于等離子裝置旁。常壓蒸鍍裝置包含一霧化裝置，且此霧化裝置包含至少一涂料承接裝置以及至少一霧化組件。此至少一涂料承接裝置用以裝載一抗污涂料溶液。前述的至少一霧化組件設(shè)于至少一涂料承接裝置上，用以使抗污涂料溶液氣化成多個抗污涂料蒸氣分子，而使這些抗污涂料蒸氣分子沉積在前述經(jīng)表面活化處理后的至 少一基材的表面上，借以形成一抗污薄膜。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的等離子裝置是一大氣等離子裝置、一低壓等離子裝置或電磁耦合式等離子裝置。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述的常壓蒸鍍裝置還包含一涂料容量傳感器，適用以感測上述至少一涂料承接裝置內(nèi)所裝載的抗污涂料溶液的量。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的一優(yōu)點為本發(fā)明是采用常壓蒸鍍方式來進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此省略降壓抽真空的程序，進(jìn)而可大幅降低設(shè)備成本及增加產(chǎn)能。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的另一優(yōu)點就是因為本發(fā)明是采用常壓蒸鍍方式來涂布抗污薄膜，因此可極有效率地進(jìn)行連續(xù)性待處理基材的抗污薄膜的涂布。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的又一優(yōu)點就是因為本發(fā)明是在大氣環(huán)境下，進(jìn)行抗污涂料溶液的霧化、氣化，因此可大量快速并有效地將抗污涂料均勻地涂布在待處理基材的單一或多個表面上。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點就是因為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可在常壓環(huán)境下進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此可快速地進(jìn)行待處理基材的抗污薄膜的涂布。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點就是因為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可同時進(jìn)行大量基材的抗污薄膜的涂布，因此可大幅提高抗污薄
膜的產(chǎn)量。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可有效率地且均勻地進(jìn)行連續(xù)性基材的抗污薄膜的涂布。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下圖I是繪示依照本發(fā)明一實施方式的一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置的霧化裝置的不意圖；圖2是繪示圖I的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置的裝設(shè)示意圖3是繪示依照本發(fā)明的一實施方式的一種抗污薄膜的制作設(shè)備的示意圖；圖4是繪示依照本發(fā)明一實施方式的一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法的流程圖；圖5是繪示依照本發(fā)明一實施方式的一種抗污薄膜常壓蒸鍍于基材上的示意圖。主要組件符號說明100 :常壓蒸鍍裝置102 :傳輸裝置102a :傳輸裝置104 :承載構(gòu)件104a :承載構(gòu)件106 :涂料承接裝置108 :霧化組件110:涂料傳導(dǎo)構(gòu)件 112:抗污涂料溶液114:涂料供應(yīng)槽116:傳送管118:保護(hù)罩120 :基材122 :滾輪124 :霧化裝置126 :涂料容量傳感器128 :對流裝置130 :加熱器132 :反應(yīng)腔室134 :開孔136 :等離子裝置138 :制作設(shè)備140 :抗污涂料霧氣142 :抗污涂料蒸氣分子144 :等離子146 :表面148 :支撐裝置150 :抗污薄膜152 :側(cè)面154 :表面200 :方法202 :步驟204:步驟206 :步驟208 :步驟
具體實施例方式請參照圖I與圖2，其中圖I是繪示依照本發(fā)明的一實施方式的一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置的霧化裝置的示意圖，圖2是繪示圖I的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置的裝設(shè)示意圖。在本實施方式中，如圖2所示，抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置100主要包含傳輸裝置102與霧化裝置124。在一實施例中，如圖I所示，霧化裝置124包含一或多個涂料承接裝置106、以及一或多個霧化組件108。傳輸裝置102是用以傳送一或多個待處理的基材120，如圖2所示。在圖2所示的實施例中，傳輸裝置102可包含承載構(gòu)件104，而待處理的基材120可放置在承載構(gòu)件104上，并藉由傳輸裝置102來傳送。其中，基材120可例如為保護(hù)玻璃、塑料基材、強(qiáng)化玻璃或金屬基材。在另一實施例中，如圖3所示，傳輸裝置102a包含承載構(gòu)件104a與數(shù)個滾輪122，其中這些滾輪122設(shè)置在承載構(gòu)件104a下，并可帶動承載構(gòu)件104a。在又一些實施例中，基材可為連續(xù)性基材，且傳輸裝置可為帶動此連續(xù)性基材的傳送裝置，例如在霧化裝置124前后二側(cè)支撐且?guī)舆B續(xù)性基材前進(jìn)的二滾輪，此時基材無需透過輸送帶來承載。請再次參照圖1，每個涂料承接裝置106可裝載抗污涂料溶液112。而且，如圖2所示，涂料承接裝置106設(shè)置于基材120的上方?？刮弁苛先芤?12可包含抗污涂料與溶齊IJ。在一實施例中，抗污涂料的材料可包含氟碳硅烴類化合物、全氟碳硅烴類化合物、氟碳硅烷烴類化合物、全氟硅烷烴類化合物、或全氟硅烷烴醚類化合物。此外，抗污涂料溶液112的溶劑可例如包含高揮發(fā)性液體、水、或高揮發(fā)性液體與水所混合而成的液體。高揮發(fā)性溶劑的性質(zhì)為常溫下液體狀態(tài)、具有穩(wěn)定的化學(xué)結(jié)構(gòu)、具有高揮發(fā)性、低沸點、透明無色、以及對生物無明顯傷害性的液體。在一較佳實施例中，高揮發(fā)性液體在常溫下的蒸氣壓比水的蒸氣壓大，且此高揮發(fā)性液體可選自于由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類與含氟基苯類所組成的一族群。霧化組件108設(shè)置在涂料承接裝置106的一側(cè)的上部上，以利在基材120上方霧化抗污涂料溶液112。經(jīng)霧化組件108的處理后，抗污涂料溶液112可被霧化成抗污涂料霧氣，隨后因霧化溶液中的溶劑快速揮發(fā)而氣化成抗污涂料蒸氣分子。霧化組件108可例如為超音波霧化震片、加熱蒸鍍霧化組件、高壓氣體噴射組件、或噴嘴霧化組件。在本實施方式中，如圖I與圖2所示，霧化組件108為超音波霧化震片。
在圖I與圖2所示的實施例中，霧化裝置124還包含至少一涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110。此涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110連接在涂料承接裝置106中的抗污涂料溶液112與霧化組件108之間，而可將抗污涂料溶液112從涂料承接裝置106內(nèi)傳送至霧化組件108。涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110可例如為棉條或傳導(dǎo)管。在另一實施例中，霧化組件108可直接放在抗污涂料溶液112的液面上，此時霧化裝置122可無需包含涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110。在圖I與圖2的實施例中，霧化裝置124包含多個涂料承接裝置106、多個霧化組件108與多個涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110。在霧化裝置124中，每個涂料承接裝置106對應(yīng)配置有一個霧化組件108與一個涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110。然而，在另一實施例中，霧化裝置可包含多個涂料承接裝置與單一個霧化組件，此霧化組件設(shè)置在這些涂料承接裝置上。這些涂料承接裝置所裝載的抗污涂料溶液可分別通過涂料傳導(dǎo)構(gòu)件，而傳送至此霧化組件。此時，透過此一霧化組件，即可對所有涂料承接裝置所裝載的抗污涂料溶液進(jìn)行霧化處理。在又一實施例中，霧化裝置可包含單一個涂料承接裝置與多個霧化組件，其中這些霧化組件設(shè)置在此一涂料承接裝置上。此涂料承接裝置所裝載的抗污涂料溶液可通過一或多個涂料傳導(dǎo)構(gòu)件，而分別傳送至所有的霧化組件。此時，透過這些霧化組件，即可對此一涂料承接裝置所裝載的抗污涂料溶液進(jìn)行霧化處理。請再次參照圖1，霧化裝置124還可根據(jù)運(yùn)作需求而包含涂料供應(yīng)槽114，以透過連通所有涂料承接裝置106的傳送管116，來供應(yīng)抗污涂料溶液112給所有的涂料承接裝置106。此外，在霧化裝置124中，由于連通管原理，因此所有的涂料承接裝置106內(nèi)的抗污涂料溶液112的液面高度大致上相等。故，在另一實施例中，常壓蒸鍍裝置100還可根據(jù)實際需求，而在其中一涂料承接裝置106中設(shè)置涂料容量傳感器126，以感測涂料承接裝置106內(nèi)所裝載的抗污涂料溶液122的量，如圖I所示。涂料容量傳感器126所監(jiān)測到的抗污涂料溶液122數(shù)量的信息，可直接顯示于常壓蒸鍍裝置100的一外表面的顯示組件上，或者可利用傳輸線路將而傳送到涂布的監(jiān)控系統(tǒng)中，以供在線工作人員監(jiān)控涂料承接裝置106內(nèi)的抗污涂料溶液122的量。在本實施方式中，可利用由多個霧化裝置124，來同時對傳輸裝置102上的多個基材120，例如排列成行、成列或成陣列式的多個基材，進(jìn)行抗污薄膜的蒸鍍。此外，由于本發(fā)明是在常壓下進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此可大量快速且有效地將抗污涂料均勻地涂布在基材120表面上。請再次參照圖2，在此實施例中，常壓蒸鍍裝置100還可包含保護(hù)罩118。保護(hù)罩118罩覆住部分的傳輸裝置102，且可與傳輸裝置102的承載構(gòu)件104定義出反應(yīng)腔室132。此外，保護(hù)罩118罩覆住此部分的傳輸裝置102上的基材120，以及霧化裝置124的涂料承接裝置106、霧化組件108、與涂料傳導(dǎo)構(gòu)件110。值得注意的是，當(dāng)基材為連續(xù)性基材時，保護(hù)罩可直接與其所罩覆的基材定義出反應(yīng)腔室。如圖2所示，保護(hù)罩118的一側(cè)壁可具有一開孔134。保護(hù)罩118的開孔134的面積可約略大于涂料承接裝置106的側(cè)面的面積，如此霧化裝置124可從保護(hù)罩118的開孔134而進(jìn)入保護(hù)罩118內(nèi)部的反應(yīng)腔室132中。如圖3所示，尚可在反應(yīng)腔室132內(nèi)設(shè)置支撐裝置148，借以承托霧化裝置124。 在一實施例中，霧化裝置124還可包含加熱器130。加熱器130較佳是設(shè)置在反應(yīng)腔室132中，例如反應(yīng)腔室132內(nèi)部的保護(hù)罩118上或傳輸裝置102上。加熱器130可加熱霧化組件108所產(chǎn)生的抗污涂料霧氣，借此將抗污涂料霧氣加速轉(zhuǎn)化成抗污涂料蒸氣分子。舉例而言，當(dāng)抗污涂料溶液112的溶劑為水等非高揮發(fā)性液體時，即可利用加熱器130來幫助抗污涂料霧氣，使其順利轉(zhuǎn)化成抗污涂料蒸氣分子。在又一實施例中，根據(jù)制程需求，霧化裝置124可進(jìn)一步包含對流裝置128。其中，對流裝置128同樣可設(shè)置在反應(yīng)腔室132中，例如反應(yīng)腔室132內(nèi)部的保護(hù)罩118上或傳輸裝置102上。對流裝置128可在抗污涂料蒸氣分子沉積在基材120上之前，先使分布在反應(yīng)腔室132內(nèi)的抗污涂料蒸氣分子更均勻地散布于反應(yīng)腔室132中。藉由對流裝置128的設(shè)置，不僅可使所形成的抗污薄膜更為均勻，亦使得常壓蒸鍍裝置100可順利進(jìn)行立體結(jié)構(gòu)的各表面的抗污薄膜涂布。本實施方式的常壓蒸鍍裝置可搭配等離子裝置來進(jìn)行抗污薄膜的涂布。請參照圖3，其是繪示依照本發(fā)明的一實施方式的一種抗污薄膜的制作設(shè)備的示意圖?？刮郾∧さ闹谱髟O(shè)備138除了包含常壓蒸鍍裝置100外，還包含等離子裝置136。在一較佳實施例中，常壓蒸鍍裝置100與等離子裝置136可共享傳輸裝置102a。然而，在另一實施例中，常壓蒸鍍裝置100與等離子裝置136亦可利用不同傳輸裝置來傳送待處理的基材。其中，常壓蒸鍍裝置100與等離子裝置136均設(shè)置在傳輸裝置102a上方。常壓蒸鍍裝置100較佳是鄰設(shè)于等離子裝置136，以在基材120經(jīng)等離子裝置136處理后，隨即進(jìn)行抗污薄膜的常壓蒸鍍。等離子裝置136是用以產(chǎn)生等離子144，并利用等離子144來對基材120表面進(jìn)行清潔與表面改質(zhì)處理，借以活化基材120的表面。在一實施例中，基材120表面經(jīng)等離子144活化后，可在基材120表面上形成數(shù)個官能基。在一例子中，等離子裝置136可利用氮氣、氬氣、氧氣或空氣等工作氣體，來產(chǎn)生等離子144。經(jīng)等離子144表面處理后，基材120表面上所廣生的官能基可例如包含氧氧官能基及/或氣氧官能基。在一實施例中，基材120的表面146上所產(chǎn)生的官能基還包含空懸鍵，其中這些空懸鍵可以與抗污蒸氣分子142形成鍵結(jié)。在一實施例中，等離子裝置136可例如為大氣等離子裝置、低壓等離子裝置或電磁耦合式等離子裝置等，以產(chǎn)生大氣等離子或低壓等離子，來對基材120表面進(jìn)行清潔與改質(zhì)處理。其中，大氣等離子可例如為常壓噴射等離子(plasma jet或plasma torch)或?qū)捊懋w常壓等離子(dielectric barrier discharge ;DBD 或 atmospheric glow discharge)等，而低壓等離子則可例如為真空等離子。然，值得注意的一點是，配合后續(xù)的常壓蒸鍍的作業(yè)一貫性，本實施方式較佳是采用大氣等離子來進(jìn)行基材120表面的清潔與活化處理，以縮短制程時間。請參照圖4，是繪示依照本發(fā)明一實施方式的一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法的流程圖。在本實施方式中，常壓蒸鍍抗污薄膜時可在上述圖3所示的實施方式的制作設(shè)備138中進(jìn)行。如圖4所示，在本實施方式中，抗污薄膜的常壓蒸鍍方法200，可先如步驟202所述，提供基材120。在一實施例中，進(jìn)行步驟202以提供基材120時，可將一或多個基材120設(shè)置在傳輸裝置102a。在圖3所示的實施例中，基材120是排列在傳輸裝置102a的承載構(gòu)件104a上。在另一些實施例中，當(dāng)基材為連續(xù)性基材時，基材可由帶動此連續(xù)性基材的傳送裝置(例如滾輪)來運(yùn)送，此時無需透過承載構(gòu)件104a來承載。
在本實施方式中，進(jìn)行抗污薄膜150(請先參照圖5)的涂布時，可根據(jù)制程需求，而如圖4的步驟204所述，先選擇性地利用等離子裝置136來產(chǎn)生等離子144，并利用等離子144對基材120的表面146進(jìn)行清潔與表面改質(zhì)處理，借以活化基材120的表面146。在一實施例中，基材120的表面146經(jīng)等離子144活化后，可在基材120的表面146上形成數(shù)
個官能基。完成基材120的表面處理步驟204后，隨即進(jìn)行步驟206。在一實施例中，進(jìn)行步驟206時，可先將霧化裝置124設(shè)置在基材120的表面146上方，并利用保護(hù)罩118罩覆住基材120，借以使保護(hù)罩118與傳輸裝置102a的承載構(gòu)件定義出反應(yīng)腔室132。接著，如圖3所示，在大氣環(huán)境下，利用霧化裝置124于反應(yīng)腔室132內(nèi)部的基材120的表面146上方霧化抗污涂料溶液112，以在基材120的表面146上方形成抗污涂料霧氣140。利用霧化裝置124的霧化組件108進(jìn)行霧化時，通過高揮化性溶劑可帶動分子較大的抗污涂料，如此一來有利于將抗污涂料溶液112霧化轉(zhuǎn)化成抗污涂料霧氣140。隨后，因抗污涂料霧氣140成分中的溶劑快速揮發(fā)而氣化成抗污涂料蒸氣分子142。在另一些實施例中，還可利用如圖2所示的加熱器130，來加熱霧化裝置124所形成的抗污涂料霧氣140，以加速抗污涂料霧氣140轉(zhuǎn)化成抗污涂料蒸氣分子142。舉例而言，當(dāng)抗污涂料溶液112的溶劑為水等非高揮發(fā)性液體時，即可利用加熱器130來幫助抗污涂料霧氣140轉(zhuǎn)化成抗污涂料蒸氣分子142。抗污涂料溶液112在反應(yīng)腔室132經(jīng)霧化或氣化后，所形成的抗污涂料霧氣140散布在反應(yīng)腔室132中。如圖4的步驟208所述，由于抗污涂料霧氣140中的溶劑易揮發(fā)，而抗污涂料的分子較重，因此散布在反應(yīng)腔室132內(nèi)的抗污涂料霧氣140在溶劑揮發(fā)后便會氣化成抗污涂料蒸氣分子142，且向下降落而沉積在基材120的表面146上，進(jìn)而在基材120的表面146上形成抗污薄膜150,如圖5所示。在本發(fā)明的較佳實施例中，由于基材120的表面146經(jīng)活化后產(chǎn)生有官能基，因此抗污涂料霧氣140中的抗污涂料分子會以非等向性的方式附著于基材120的表面146，并與基材120表面146上的官能基產(chǎn)生縮合反應(yīng)(CondensationReaction)。故,所形成的抗污薄膜150對基材120的表面146具有極強(qiáng)的附著力。在本發(fā)明的另一實施方式中，還可根據(jù)制程需求，而于抗污涂料蒸氣分子142沉積前，先選擇性地將對流裝置128設(shè)置在反應(yīng)腔室132中，并利用對流裝置128來使抗污涂料蒸氣分子142更均勻地散布于反應(yīng)腔室132中。此時，若基材120的表面154及/或側(cè)面152并非完全貼設(shè)于承載構(gòu)件104a時，抗污涂料蒸氣分子142可同時沉積在基材120的表面146、表面154及/或側(cè)面152上，進(jìn)而使抗污薄膜150涂布在基材120的表面146、表面154及/或側(cè)面152。藉由涂布抗污薄膜150，可使基材120的表面146、表面154及/或側(cè)面152具有疏水、疏油及抗油污的功能。在本實施方式中，可利用由多個霧化裝置124所組成的蒸鍍設(shè)備，來同時對多個基材120，例如排列成行、成列或陣列式基材，進(jìn)行抗污薄膜的蒸鍍。此外，由于本發(fā)明是在常壓下進(jìn)行抗污薄膜150的涂布，因此可大量快速且有效地將抗污涂料均勻地涂布在基材120的表面146上。另外，本發(fā)明的實施方式的一特征在于，抗污涂料溶液的霧化是在待處理基材上方進(jìn)行，因此抗污涂料溶液經(jīng)霧化后的噴霧方向并非直接朝向待處理基材。如此一來，抗污涂料溶液可在氣化更為明確后，才接觸到待處理基材表面上。因此，可避免在基材表面上產(chǎn) 生霧滴現(xiàn)象，進(jìn)而可提高抗污薄膜的涂布均勻性。在本發(fā)明的另一些實施方式中，抗污涂料溶液的霧化亦可在其它區(qū)域進(jìn)行，而可不在待處理的基材的上方進(jìn)行。舉例而言，可在待處理基材的下方進(jìn)行抗污涂料溶液的霧化，再利用導(dǎo)管來進(jìn)行抗污涂料霧氣的導(dǎo)引。藉由導(dǎo)管，可將傳導(dǎo)過程中由抗污涂料霧氣轉(zhuǎn)化成的抗污涂料蒸氣分子導(dǎo)引到基材所需涂布抗污薄膜的區(qū)域，進(jìn)而在基材所需區(qū)域形成抗污薄膜。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的一優(yōu)點為本發(fā)明是采用常壓蒸鍍方式來進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此省略降壓抽真空的程序，進(jìn)而可大幅降低設(shè)備成本及增加產(chǎn)能。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的另一優(yōu)點就是因為本發(fā)明是采用常壓蒸鍍方式來涂布抗污薄膜，因此可極有效率地進(jìn)行連續(xù)性待處理基材的抗污薄膜的涂布。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的又一優(yōu)點就是因為本發(fā)明是在大氣環(huán)境下，進(jìn)行抗污涂料溶液的霧化、氣化，因此可大量快速并有效地將抗污涂料均勻地涂布在待處理基材的單一或多個表面上。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點就是因為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可在常壓環(huán)境下進(jìn)行抗污薄膜的涂布，因此可快速地進(jìn)行待處理基材的抗污薄膜的涂布。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點就是因為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可同時進(jìn)行大量基材的抗污薄膜的涂布，因此可大幅提高抗污薄
膜的產(chǎn)量。由上述本發(fā)明的實施方式可知，本發(fā)明的再一優(yōu)點為本發(fā)明的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備可有效率地且均勻地進(jìn)行連續(xù)性基材的抗污薄膜的涂布。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何在此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，包含 提供一基材； 對一抗污涂料溶液進(jìn)行一氣化步驟，以形成多個抗污蒸氣分子；以及 沉積該些抗污蒸氣分子于該基材的一表面上，以形成該抗污薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，該抗污涂料溶液包含一抗污涂料與一溶劑，且該溶劑包含一高揮發(fā)性液體及/或水。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，該抗污涂料的材料包含氟碳硅烴類化合物、全氟碳硅烴類化合物、氟碳硅烷烴類化合物、全氟硅烷烴類化合物、或全氟硅烷烴醚類化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，該高揮發(fā)性液體在常溫下的蒸氣壓比水的蒸氣壓大，且該高揮發(fā)性液體是選自于由醇類、醚類、烷類、酮類、苯類、含氟基醇類、含氟基醚類、含氟基烷類、含氟基酮類與含氟基苯類所組成的一族群。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，該氣化步驟包含利用一霧化組件，該霧化組件包含一超音波霧化組件、一加熱蒸鍍霧化組件、一高壓氣體噴射組件、或一噴嘴霧化組件。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，于該氣化步驟前，還包含利用一等離子于該基材的該表面進(jìn)行清潔及處理，借以在該基材的該表面上形成多個官能基，該些官能基包含多個氫氧官能基、多個氮氫官能基、及/或多個空懸鍵。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，于該氣化步驟前，還包含利用一保護(hù)罩罩覆住該基材，且該氣化步驟是在該保護(hù)罩中進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍方法，其特征在于，于沉積該些抗污蒸氣分子的步驟前，還包含使該些抗污蒸氣分子在該保護(hù)罩內(nèi)對流。
9.一種抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，包含 一傳輸裝置，適用以傳送至少一基材；以及 一霧化裝置，包含 至少一涂料承接裝置，用以裝載一抗污涂料溶液；以及 至少一霧化組件，設(shè)于該至少一涂料承接裝置上，用以使該抗污涂料溶液氣化成多個抗污涂料蒸氣分子而沉積在該至少一基材的一表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，該至少一霧化組件包含一超音波霧化震片、一加熱蒸鍍霧化組件、一高壓氣體噴射組件、或一噴嘴霧化組件。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，該至少一霧化組件設(shè)于該至少一涂料承接裝置的上部上，且該霧化裝置還包含至少一涂料傳導(dǎo)構(gòu)件，適用以將該抗污涂料溶液傳送至該至少一霧化組件。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，還包含一保護(hù)罩，適用以罩覆住該至少一基材、該至少一涂料承接裝置、與該至少一霧化組件。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，該至少一涂料承接裝置包含多個涂料承接裝置，且該至少一霧化組件包含單一霧化組件設(shè)置在該些涂料承接裝置上。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗污薄膜的常壓蒸鍍裝置，其特征在于，該至少一涂料承接裝置包含單一涂料承接裝置，且該至少一霧化組件包含多個霧化組件設(shè)置在該涂料承接裝置上。
15.一種抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，包含 一傳輸裝置，適用以傳送至少一基材； 一等離子裝置，設(shè)于該傳輸裝置上方，且適用以對該至少一基材的一表面進(jìn)行一表面活化處理；以及 一常壓蒸鍍裝置，鄰設(shè)于該等離子裝 置旁，其中該常壓蒸鍍裝置包含一霧化裝置，且該霧化裝置包含 至少一涂料承接裝置，用以裝載一抗污涂料溶液；以及 至少一霧化組件，設(shè)于該至少一涂料承接裝置上，用以使該抗污涂料溶液氣化成多個涂料蒸氣分子，而使該些涂料蒸氣分子沉積在經(jīng)該表面活化處理后的該至少一基材的該表面上，借以形成一抗污薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，該等離子裝置是一大氣等離子裝置、一低壓等離子裝置或電磁耦合式等離子裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，該至少一霧化組件包含一超音波霧化震片、一加熱蒸鍍霧化組件、一高壓氣體噴射組件、或一噴嘴霧化組件。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，該至少一涂料承接裝置包含多個涂料承接裝置，且該至少一霧化組件包含單一霧化組件設(shè)置在該些涂料承接裝置上。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，該至少一涂料承接裝置包含單一涂料承接裝置，且該至少一霧化組件包含多個霧化組件設(shè)置在該涂料承接裝置上。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的抗污薄膜的制作設(shè)備，其特征在于，該常壓蒸鍍裝置還包含一涂料容量傳感器，適用以感測該至少一涂料承接裝置內(nèi)所裝載的該抗污涂料溶液的量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種抗污薄膜的常壓蒸鍍方法、常壓蒸鍍裝置與制作設(shè)備。此抗污薄膜的常壓蒸鍍方法包含下列步驟。提供一基材。對一抗污涂料溶液進(jìn)行一氣化步驟，以形成多個抗污蒸氣分子。沉積這些抗污蒸氣分子于基材的一表面上，以形成抗污薄膜。
文檔編號C23C14/24GK102747327SQ20111016230
公開日2012年10月24日 申請日期2011年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月21日
發(fā)明者葉俊嘉, 徐逸明, 陳姵菱, 陳彥政, 黃世明 申請人:馗鼎奈米科技股份有限公司