專利名稱：基座以及包括該基座的化學(xué)氣相沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及基座(susc印tor)以及包括該基座的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置。
背景技術(shù)：
通常，化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置是用于利用化學(xué)反應(yīng)在沉積靶(exposition target)(通常包括諸如半導(dǎo)體晶片的襯底)上形成薄膜的裝置。CVD裝置將高壓反應(yīng)氣體注入到真空腔室中以在該腔室中的被加熱的襯底上生長(zhǎng)反應(yīng)氣體的膜。目前，由于微型半導(dǎo)體器件和具有大輸出功率的高效率發(fā)光二極管(LED)的發(fā)展，諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法的CVD法正吸引人們的關(guān)注。由于腔室和基座正變得更大以同時(shí)在多個(gè)沉積靶上進(jìn)行沉積，所以在多個(gè)沉積靶上均勻地形成薄膜的技術(shù)已經(jīng)成為核心技術(shù)。在這種情況下，沉積靶設(shè)置在衛(wèi)星盤(satellite disk)上，衛(wèi)星盤獨(dú)立地容納在形成于基座中的多個(gè)凹穴(pocket)中。為了在沉積靶上均勻地生長(zhǎng)薄膜，基座自身旋轉(zhuǎn)并且沉積靶設(shè)置在其上的衛(wèi)星盤也旋轉(zhuǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了具有改善的結(jié)構(gòu)以增大耐久性的基座以及包括該基座的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置。附加的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且將由該描述而部分地清楚，或者可以通過實(shí)踐給出的實(shí)施例而習(xí)知。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，用于化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置基座具有包括孔(hollow) 的盤形并且包括多個(gè)凹穴，形成在基座的上表面中以容納沉積靶；以及基座通道 (susceptor channel)，形成在基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到多個(gè)凹穴，其中基座通道的入口形成在孔的側(cè)壁中。在這種情況下，基座通道可以從入口成直線地延伸到在凹穴下方的部分，然后從凹穴下方的部分彎曲到形成在凹穴中的出口。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置的基座具有包括孔的盤形并且包括多個(gè)凹穴，形成在基座的上表面中以容納沉積靶；以及基座通道，形成在基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到多個(gè)凹穴，其中基座通道的入口形成在基座的下表面中，其中增強(qiáng)單元形成在基座的上表面上以對(duì)應(yīng)于基座通道的入口。在這種情況下，基座通道的入口可以沿著繞基座的中心的圓形成，增強(qiáng)單元可以從基座的上表面上的圓形區(qū)域突出以對(duì)應(yīng)于基座通道的入口。增強(qiáng)單元可以從基座突出并與基座一體地形成。多個(gè)凹穴可以彼此間隔開，沿多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣可以是連續(xù)的。多個(gè)凹穴可以彼此交疊，沿多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣可以不連續(xù)以具有間斷部分(discontinuous portion)，至少間斷部分可以具有圓化的截面。在這種情況下，間斷部分的圓化截面可以具有0. 7mm至1. 3mm的曲率半徑。
基座可以被覆以硬涂層(hard-coated)。在這種情況下，基座通過在石墨上涂覆碳化硅(SiC)來形成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置包括基座，具有包括孔的盤形；和支撐單元，用于支撐基座并且將流動(dòng)氣體注入到基座中以旋轉(zhuǎn)沉積靶，其中基座包括多個(gè)凹穴，形成在基座的上表面中以容納沉積靶；和基座通道，形成在基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到多個(gè)凹穴，其中基座通道的入口形成在孔的側(cè)壁中，從而支撐單元從基座的孔的側(cè)壁注入流動(dòng)氣體?；ǖ揽梢詮娜肟诔芍本€地延伸到在凹穴下方的部分，然后從凹穴下方的部分彎曲到形成在凹穴中的出口。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置包括基座，具有包括孔的盤形；和支撐單元，用于支撐基座并且將流動(dòng)氣體注入到基座中以旋轉(zhuǎn)沉積靶，其中基座包括多個(gè)凹穴，形成在基座的上表面中以容納沉積靶；和基座通道，形成在基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到多個(gè)凹穴，其中基座通道的入口形成在基座的下表面中，從而支撐單元從基座的下表面注入流動(dòng)氣體，其中增強(qiáng)單元形成在基座的上表面上以對(duì)應(yīng)于基座通道的入口?；ǖ赖娜肟诳梢匝刂@基座的中心的圓形成，增強(qiáng)單元可以從基座的上表面上的圓形區(qū)域突出以對(duì)應(yīng)于基座通道的入口。


從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其它的方面將變得更加明顯且更易于理解，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置的截面圖；圖2是圖1所示的CVD裝置中的基座以及耦接到基座的部件的透視截面圖；圖3是根據(jù)比較例的基座的截面圖；圖4是用于描述在圖3所示的基座中發(fā)生破裂的截面圖；圖5是圖1所示的CVD裝置的基座的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖1所示的CVD裝置的基座的透視截面圖；圖7是圖6所示的基座的平面圖；圖8是沿圖7的線C-C’截取的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的CVD裝置的截面圖；以及圖10是圖9所示的CVD裝置中的基座以及耦接到基座的部件的透視截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照實(shí)施例，實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中相似的附圖標(biāo)記始終指示相似的元件。在這點(diǎn)上，本發(fā)明的實(shí)施例可以具有不同的形式而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的描述。因此，以下通過參照附圖僅描述實(shí)施例，以解釋本描述的方面。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置100的截面圖。圖2是圖1 所示的CVD裝置100中的基座110以及耦接到基座110的部件的透視截面圖。參照?qǐng)D1和圖2，CVD裝置100包括基座110 ；支撐單元(130、140和150)，用于支撐基座Iio以及將流動(dòng)氣體Gl注入到基座110中；加熱器175，用于加熱基座110 ；反應(yīng)氣體注入單元180，用于供應(yīng)反應(yīng)氣體G2 ；腔室190，用于容納基座110和反應(yīng)氣體注入單元180的噴嘴185 ；以及氣體排出單元195，用于排出填充在腔室190中的流動(dòng)氣體Gl和反應(yīng)氣體G2?；?10可以具有包括孔IlOa的盤形。多個(gè)凹穴111形成在基座110的上表面中。如圖5所示，凹穴111可以沿著環(huán)繞基座110的中心的圓排列以彼此等間距地間隔開。 雖然在圖2中形成六個(gè)凹穴111以及在圖5中形成八個(gè)凹穴111，但是六個(gè)和八個(gè)是凹穴 111的示范數(shù)量，凹穴111的數(shù)目可以根據(jù)基座100的尺寸和凹穴111的尺寸而改變。在一些情形下，凹穴111可以排列成多行。每個(gè)凹穴111是從基座110的上表面凹入至預(yù)定深度的凹陷(recess)。衛(wèi)星盤120容納在凹穴111中。突起Illa(見圖5)可以形成在凹穴 111的中心，突起Illa用于在衛(wèi)星盤120旋轉(zhuǎn)時(shí)防止衛(wèi)星盤120與凹穴111分離。用于釋放流動(dòng)氣體Gl的至少一個(gè)出口 11 形成在每個(gè)凹穴111的底表面中。由于從出口 11 釋放的流動(dòng)氣體Gl產(chǎn)生緩沖作用，所以當(dāng)衛(wèi)星盤120旋轉(zhuǎn)時(shí)在衛(wèi)星盤120與凹穴111的底表面之間的摩擦力可以非常小，因此可以被忽略。此外，允許從出口 11 釋放的流動(dòng)氣體 Gl在預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的圖案形成在凹穴111的底表面中，使得衛(wèi)星盤120可以旋轉(zhuǎn)。諸如晶片的沉積靶設(shè)置在衛(wèi)星盤120上。輪緣(rim)(未示出)可以沿著每個(gè)衛(wèi)星盤120的圓周形成從而防止沉積靶的移動(dòng)。用于將流動(dòng)氣體Gl供應(yīng)到凹穴111的基座通道115形成在基座110中?；ǖ?15的入口 11 形成在基座110的孔IlOa的側(cè)壁中。同時(shí)，基座通道115的出口 115b 形成在凹穴111的底表面中?；ǖ?15的數(shù)目可以對(duì)應(yīng)于凹穴111的數(shù)目。一個(gè)基座通道115可以被劃分到多個(gè)出口 115b。由于基座通道115的入口 11 形成在基座110的孔IlOa的側(cè)壁中，所以基座通道115從入口 11 成直線地延伸到在凹穴111下方的部分， 然后從凹穴111下方的部分彎曲到形成在凹穴111中的出口 115b。同時(shí)，用于形成基座110的材料可以根據(jù)加熱設(shè)置在衛(wèi)星盤120上的沉積靶的方法而改變。如果使用感應(yīng)加熱法，基座110可以由可使用感應(yīng)加熱法加熱的材料形成。例如，基座110可以由石墨形成。基座110可以被覆以硬涂層從而增加基座110的耐久性。例如，基座110可以通過在石墨上涂覆碳化硅(SiC)來形成。由于基座110被自加熱以加熱沉積靶，所以基座110可能被熱沖擊損壞。然而，如下所述，基座110的損傷可以通過改善基座110的結(jié)構(gòu)而減少。用于支撐基座110的支撐單元包括支承盤130，設(shè)置在基座110的下部；上耦接板140，設(shè)置在基座110的上部；以及支撐管150，耦接到支承盤130以用作旋轉(zhuǎn)軸。上耦接板140和支承盤130可以利用公知的耦接方法而彼此耦接，裝配在上耦接板140與支承盤 130之間的基座110被固定在支承盤130上。支承盤130耦接到支撐管150，支撐管150連接到流動(dòng)氣體注入單元160。同時(shí)，支承盤通道135形成在支承盤130中，流動(dòng)氣體Gl通過支承盤通道135流動(dòng)。支承盤通道135連接到支撐管150的支撐管通道155，支承盤通道135的出口 13 形成在支承盤130的外圓周中。如果支承盤130的一部分被插入到基座110的孔IlOa中，支承盤通道135的出口 13 面對(duì)基座通道115的入口 115a。盡管在圖2中支承盤通道135 的出口 13 與基座通道115的入口 11 ——對(duì)應(yīng)，但是出口 13 與入口 11 之間的連接結(jié)構(gòu)不限于此。替換地，基座通道115的相鄰入口 11 可以彼此連接，然后連接到盤通道135的一個(gè)出口 135a。用于形成支承盤130的材料不受限制。例如，支承盤130可以由金屬形成。支撐管150可以是桿或空心軸。支撐管通道155形成在支撐管150中并連接到流動(dòng)氣體注入單元160的注入單元通道165。流動(dòng)氣體注入單元160連接到流動(dòng)氣體供給線169以將流動(dòng)氣體Gl注入到支撐管150的支撐管通道155中，并將驅(qū)動(dòng)電機(jī)170的旋轉(zhuǎn)動(dòng)力傳輸?shù)街喂?50。在這種情況下，為了保持腔室190被密封，可以對(duì)腔室190與流動(dòng)氣體注入單元160的旋轉(zhuǎn)部分之間的間隙進(jìn)行鐵磁流體密封。同時(shí)，流動(dòng)氣體Gl可以為例如氮，衛(wèi)星盤120的旋轉(zhuǎn)可以通過調(diào)節(jié)供應(yīng)到流動(dòng)氣體供給線169的流動(dòng)氣體Gl的流速而被有效地控制。此外，衛(wèi)星盤120的旋轉(zhuǎn)可以通過調(diào)節(jié)供應(yīng)到每個(gè)凹穴111或一些凹穴111的流動(dòng)氣體Gl的流速而被不同地控制。加熱器175將基座110加熱至預(yù)定溫度。加熱器175可以將基座110加熱至等于或大于幾百至1000°c的溫度。例如，為了生長(zhǎng)基于氮化鎵(GaN)的層，加熱器175可以將基座110加熱到約700至1300°C。加熱器175可以是其上施加有高頻電流的線圈，在這種情況下，基座110可以利用感應(yīng)加熱法來加熱?？蛇x地，加熱器175可以是產(chǎn)生電阻熱的導(dǎo)線。反應(yīng)氣體注入單元180是用于供應(yīng)反應(yīng)氣體G2的器件，反應(yīng)氣體G2包括載氣和將要沉積在沉積靶上的源氣。反應(yīng)氣體注入單元180的噴嘴185暴露在腔室190中，反應(yīng)氣體G2通過噴嘴185的噴嘴孔18 排出。由于被高度加熱的基座110，沉積靶被保持在高的溫度，化學(xué)沉積反應(yīng)在沉積靶的接觸反應(yīng)氣體G2的上表面上發(fā)生。由于化學(xué)沉積反應(yīng)，諸如基于GaN的化合物的預(yù)定材料在諸如晶片的沉積靶上晶體生長(zhǎng)。腔室190容納基座110和反應(yīng)氣體注入單元180的噴嘴185，可以在沉積工藝中被密封并且可以被打開以更換沉積靶。氣體排出單元195排出填充在腔室190中的流動(dòng)氣體Gl和反應(yīng)氣體G2。現(xiàn)在將通過比較CVD裝置100和根據(jù)比較例的CVD裝置來描述CVD裝置100的改進(jìn)。圖3是根據(jù)比較例的基座210的截面圖。圖4是用于描述在圖3所示的基座210 中發(fā)生破裂的截面圖。基座210是一個(gè)商品化的產(chǎn)品。參照?qǐng)D3和圖4，基座通道215的入口 21 形成在基座210的下表面中，因此基座通道215從基座210的下表面向上行進(jìn)， 彎曲到水平方向，然后從凹穴211下方的部分向上彎曲。通過在石墨層211上涂覆SiC層 212，基座210被覆以硬涂層以增加基座210的耐久性。然而，由于基座通道215在靠近入口 215a處垂直地彎曲，基座通道215的靠近入口 21 的垂直彎曲部分不斷地接受從支撐管 250注入的流動(dòng)氣體Gl所產(chǎn)生的熱沖擊。同時(shí)，基座210被加熱到例如約1000至1300°C 用于沉積，而流動(dòng)氣體Gl以例如約室溫的低溫注入。因此，由于基座通道215的靠近入口 215a的垂直彎曲部分不斷地接受熱沖擊，所以盡管通過在石墨層211上涂覆SiC層212使得基座210被覆以硬涂層從而增加基座210的耐久性，但是基座通道215的靠近入口 21 的垂直彎曲部分會(huì)破壞。由于破裂，基座210的壽命會(huì)在使用大約20至30次之后結(jié)束，不得不頻繁地更換相對(duì)昂貴的基座210，因此會(huì)增大制造成本。
另一方面，在圖1和圖2所示的基座110中，基座通道115的路線不同于基座通道 215的路線。也就是說，在包括基座通道115的基座110中，流動(dòng)氣體Gl被水平地注入。更具體地，由于入口 11 形成在基座110的孔IlOa的側(cè)壁中，所以基座通道115從入口 11 成直線地延伸到凹穴111下方的部分。因此，不會(huì)出現(xiàn)在基座210中產(chǎn)生的熱沖擊，因此在靠近入口 11 處不會(huì)發(fā)生破裂。如上所述，與基座210相比，基座110的壽命可以通過抑制靠近入口 11 處的破裂而被極大地延長(zhǎng)，并且可以降低包括基座110的CVD裝置100的制造成本。此外，在基座110中，凹穴111如圖5所示地彼此等間距的間隔開。由于凹穴111 從基座110的上表面凹入，所以凹穴111與基座110成階梯狀以形成沿著凹穴111的圓周的邊緣。如以上關(guān)于圖1所述，反應(yīng)氣體G2通過反應(yīng)氣體注入單元180的噴嘴185注入到腔室190中，并接觸設(shè)置在衛(wèi)星盤120上的沉積靶的上表面。在這種情況下，反應(yīng)氣體G2 不斷地碰撞沿著凹穴111的圓周的邊緣，該凹穴111用于容納衛(wèi)星盤120。然而，由于基座 110被加熱到高的溫度以加熱沉積靶，所以沿凹穴111的圓周的邊緣會(huì)不斷地接受反應(yīng)氣體G2產(chǎn)生的熱沖擊。在一般的商品化的基座中，多個(gè)凹穴如圖6所示地彼此交疊以在有限的區(qū)域中排列盡可能多的沉積靶，因此沿凹穴的圓周的邊緣可以被局部地切開。被切開的邊緣具有非常小的厚度，因此會(huì)易于因反應(yīng)氣體G2產(chǎn)生的熱沖擊而破裂。如果被切開的邊緣破裂，則衛(wèi)星盤會(huì)在旋轉(zhuǎn)時(shí)振動(dòng)并且會(huì)從它們的原始位置離開，因此基座本身不能再繼續(xù)使用。與一般的商品化的基座不同，在圖1和圖2所示的基座110中，凹穴111彼此間隔開，因此沿凹穴111的圓周的邊緣沒有被切開，而是連續(xù)地形成。因此，如圖5所示，即使在兩個(gè)凹穴111彼此最靠近的區(qū)域112中，邊緣也不會(huì)被破壞，而是不變地保持抵抗反應(yīng)氣體 G2的熱沖擊，因此可以大大增加基座110的壽命。然而，CVD裝置100不限于如上所述的凹穴111彼此間隔開的結(jié)構(gòu)。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖1所示的CVD裝置100的基座310的透視截面圖。圖7是圖6所示的基座310的平面圖。圖8是沿著圖7的線C-C’截取的截面圖。參照?qǐng)D6至圖8，在基座310中，多個(gè)凹穴311彼此交疊。也就是說，如圖7所示， 凹穴311可以沿著繞基座310的中心的圓排列從而彼此交疊。在這種情況下，凹穴311的交疊部分彼此敞開，沿凹穴311的圓周的邊緣在交疊區(qū)(例如，圖6中的區(qū)域B)被切開以形成切口部分312。切口部分312可能對(duì)于反應(yīng)氣體G2的熱沖擊是脆弱的。因而，在基座 310中，至少切口部分312的邊緣可以被圓化，使得反應(yīng)氣體G2不會(huì)撞擊切口部分312的邊緣而是沿著圓化的切口部分312平滑地流動(dòng)，從而大大減少切口部分312的破裂。例如，如果切口部分312的邊緣被圓化為具有Imm的曲率半徑，則與0. 5mm的曲率半徑的情形相比， 基座310的壽命至少被加倍。因此，在基座310中，切口部分312的邊緣可以被圓化以具有約1 士 0. 3mm的曲率半徑。也就是說，切口部分312的圓化邊緣可以具有0. 7mm至1. 3mm的曲率半徑。不限于對(duì)切口部分312的邊緣進(jìn)行圓化，可以對(duì)沿凹穴311的圓周的邊緣整個(gè)地進(jìn)行圓化。圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的CVD裝置400的截面圖。圖10是圖9所示的CVD 裝置400中的基座410以及連接到基座410的部件的透視截面圖。參照?qǐng)D9和圖10，CVD裝置400包括基座410 ；支撐單元030、440和450)，用于支撐基座410并把流動(dòng)氣體Gl注入到基座410中；加熱器175，用于加熱基座410 ；反應(yīng)氣體注入單元180，用于供應(yīng)反應(yīng)氣體G2 ；腔室190，用于容納基座410和反應(yīng)氣體注入單元 180的噴嘴185 ；以及氣體排出單元195，用于排出填充在腔室190中的流動(dòng)氣體Gl和反應(yīng)氣體G2。在基座410中，基座通道415的入口 41 形成在基座410的下表面中。因而，基座通道415從基座410的下表面向上行進(jìn)，彎曲到水平方向，然后從凹穴411下面的部分向上彎曲。因而，支承盤430的支承盤通道435的出口 43 形成在支承盤430的上表面中， 支承盤通道435的出口 43 連接到基座通道415的入口 415a。如果基座通道415如上所述地在靠近基座通道415的入口 41 處彎曲，則會(huì)增加損壞基座410的可能性。因而，基座410包括增強(qiáng)單元417以減少損壞基座410的可能性。 增強(qiáng)單元417形成在基座410的上表面上以對(duì)應(yīng)于基座通道415的入口 415a?；ǖ?415的入口 41 可以沿著繞基座410的中心的圓形成，增強(qiáng)單元417可以從基座410的上表面上的圓形區(qū)域突出以對(duì)應(yīng)于基座通道415的入口 415a。增強(qiáng)單元417可以從基座410 突出并與基座410—體地形成。在一些情況下，增強(qiáng)單元417可以分開地形成，然后接合到基座410上。此外，可以形成多個(gè)增強(qiáng)單元417以各自對(duì)應(yīng)于基座通道415的入口 415a。 在這種情況下，增強(qiáng)單元417的高度可以被設(shè)計(jì)為不妨礙從反應(yīng)氣體注入單元180的噴嘴 185釋放的反應(yīng)氣體G2的流動(dòng)?；?10可以通過在石墨層上涂覆SiC來形成。在這種情況下，增強(qiáng)單元417可以從石墨層突出，SiC可以涂覆在增強(qiáng)單元417從其突出的石墨層上。在一些情況下，還可以形成平坦化層以平坦化基座410的上表面。如果基座410通過在石墨層上涂覆SiC來形成，則基座410的上表面可以通過利用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法、研磨法等而被平坦化。除了基座410和用于支撐基座410的支撐單元的通道結(jié)構(gòu)之外，CVD裝置400與圖1和圖2所示的CVD裝置100基本相同。此外，圖6至圖8所示的基座310也應(yīng)用于CVD 裝置400。這里將不提供重復(fù)的描述。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例，基座和包括該基座的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置具有以下的效果。首先，通過改善基座的氣體通道的結(jié)構(gòu)可以防止基座在靠近流動(dòng)氣體的入口處的破裂。其次，通過改善凹穴的圓周的結(jié)構(gòu)可以防止基座在靠近凹穴處的破裂。第三，可以保證基座的長(zhǎng)壽命，并可以提高產(chǎn)率和沉積質(zhì)量。應(yīng)當(dāng)理解，這里描述的示范性實(shí)施例應(yīng)當(dāng)僅以描述性的含義來理解而不是為了限制的目的。在每個(gè)實(shí)施例中的特征或方面的描述應(yīng)當(dāng)通常被理解為適用于其它實(shí)施例中的其它相似特征或方面。
權(quán)利要求
1.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基座，所述基座具有包括孔的盤形并且包括 多個(gè)凹穴，形成在所述基座的上表面中以容納沉積靶；和基座通道，形成在所述基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到所述多個(gè)凹穴， 其中所述基座通道的入口形成在所述孔的側(cè)壁中。
2.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述基座通道從所述入口成直線地延伸到在所述凹穴下方的部分，然后從所述凹穴下方的部分彎曲到形成在所述凹穴中的出口。
3.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述多個(gè)凹穴彼此間隔開，并且其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是連續(xù)的。
4.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述多個(gè)凹穴彼此交疊，其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是不連續(xù)的以具有間斷部分，并且其中至少所述間斷部分具有圓化的截面。
5.如權(quán)利要求4所述的基座，其中所述間斷部分的圓化截面具有0.7mm至1.3mm的曲率半徑。
6.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述基座被覆以硬涂層。
7.如權(quán)利要求6所述的基座，其中所述基座通過在石墨上涂覆碳化硅來形成。
8.一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的基座，所述基座具有包括孔的盤形并且包括 多個(gè)凹穴，形成在所述基座的上表面中以容納沉積靶；和基座通道，形成在所述基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到所述多個(gè)凹穴，其中所述基座通道的入口形成在所述基座的下表面中，并且其中增強(qiáng)單元形成在所述基座的上表面上以對(duì)應(yīng)于所述基座通道的所述入口。
9.如權(quán)利要求8所述的基座，其中所述基座通道的入口沿著繞所述基座的中心的圓形成，并且其中所述增強(qiáng)單元從所述基座的上表面上的圓形區(qū)域突出以對(duì)應(yīng)于所述基座通道的入口。
10.如權(quán)利要求8所述的基座，其中所述增強(qiáng)單元從所述基座突出并與所述基座一體地形成。
11.如權(quán)利要求8所述的基座，其中所述多個(gè)凹穴彼此間隔開，并且其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是連續(xù)的。
12.如權(quán)利要求8所述的基座，其中所述多個(gè)凹穴彼此交疊，其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是不連續(xù)的以具有間斷部分，并且其中至少所述間斷部分具有圓化的截面。
13.如權(quán)利要求12所述的基座，其中所述間斷部分的圓化截面具有0.7mm至1. 3mm的曲率半徑。
14.如權(quán)利要求8所述的基座，所述基座被覆以硬涂層。
15.如權(quán)利要求14所述的基座，其中所述基座通過在石墨上涂覆碳化硅來形成。
16.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括 基座，具有包括孔的盤形；和支撐單元，用于支撐所述基座并將流動(dòng)氣體注入到所述基座中以旋轉(zhuǎn)沉積靶， 其中所述基座包括多個(gè)凹穴，形成在所述基座的上表面中以容納所述沉積靶；和基座通道，形成在所述基座中以將所述流動(dòng)氣體供應(yīng)到所述多個(gè)凹穴，并且其中所述基座通道的入口形成在所述孔的側(cè)壁中，從而所述支撐單元從所述基座的所述孔的側(cè)壁注入所述流動(dòng)氣體。
17.如權(quán)利要求16所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述基座通道從所述入口成直線地延伸到在所述凹穴下方的部分，然后從所述凹穴下方的部分彎曲到形成在所述凹穴中的出
18.如權(quán)利要求16所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述多個(gè)凹穴彼此間隔開，并且其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是連續(xù)的。
19.如權(quán)利要求16所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述多個(gè)凹穴彼此交疊，其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是不連續(xù)的以具有間斷部分，并且其中至少所述間斷部分具有圓化的截面。
20.如權(quán)利要求19所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述間斷部分的圓化截面具有 0. 7mm至1. 3mm的曲率半徑。
21.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括 基座，具有包括孔的盤形；和支撐單元，用于支撐所述基座并將流動(dòng)氣體注入到所述基座中以旋轉(zhuǎn)沉積靶， 其中所述基座包括多個(gè)凹穴，形成在所述基座的上表面中以容納所述沉積靶；和基座通道，形成在所述基座中以將所述流動(dòng)氣體供應(yīng)到所述多個(gè)凹穴， 其中所述基座通道的入口形成在所述基座的下表面中，從而所述支撐單元從所述基座的下表面注入所述流動(dòng)氣體，并且其中增強(qiáng)單元形成在所述基座的所述上表面上以對(duì)應(yīng)于所述基座通道的入口。
22.如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述基座通道的入口沿著繞所述基座的中心的圓形成，并且其中所述增強(qiáng)單元從所述基座的上表面上的圓形區(qū)域突出以對(duì)應(yīng)于所述基座通道的入口。
23.如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述增強(qiáng)單元從所述基座突出并與所述基座一體地形成。
24.如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述多個(gè)凹穴彼此間隔開，并且其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是連續(xù)的。
25.如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述多個(gè)凹穴彼此交疊，其中沿著所述多個(gè)凹穴中每個(gè)的圓周的邊緣是不連續(xù)的以具有間斷部分，并且其中至少所述間斷部分具有圓化的截面。
26.如權(quán)利要求25所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述間斷部分的圓化截面具有 0. 7mm至1. 3mm的曲率半徑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基座以及包括該基座的化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置。該基座具有包括孔的盤形并且包括多個(gè)凹穴，形成在基座的上表面中以容納沉積靶；和基座通道，形成在基座中以將流動(dòng)氣體供應(yīng)到多個(gè)凹穴?；ǖ赖娜肟谛纬稍诳椎膫?cè)壁中。替換地，基座通道的入口形成在基座的下表面中，并且進(jìn)一步形成增強(qiáng)單元。
文檔編號(hào)C23C16/458GK102286732SQ20111008400
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月15日
發(fā)明者鄭鎬壹, 金寧基, 韓成日, 高宗萬 申請(qǐng)人:三星Led株式會(huì)社