專利名稱：用于形成光伏器件的背反射層的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體而言涉及薄膜光伏(PV)器件，且更具體地說涉及一種用于形成薄膜 PV器件的具有高織構(gòu)和高反射率的背反射層的改善型工藝。更特定來說，本發(fā)明提供一種 用于形成一改善型背反射層的工藝，并考慮到對該背反射層織構(gòu)與反射率的更好控制。
背景技術(shù)：
近些年來，薄膜PV器件已經(jīng)得到了深入的研究和發(fā)展，其可以通過在低成本基板 (諸如，玻璃、不銹鋼等)上形成薄膜PV半導(dǎo)體材料(諸如，薄膜硅基非晶硅(a-Si))來生產(chǎn)。圖1圖示現(xiàn)有技術(shù)中已知的制作在金屬基板12上的a-Si基薄膜PV器件10。該 金屬基板12被覆蓋了一常規(guī)的背反射層14。該背反射層14包括覆蓋著一透明且導(dǎo)電的 氧化物(TCO)阻擋層18的一金屬層16。接著，一 a-Si基半導(dǎo)體材料20和一前接觸TCO層 22安置在背反射層14的頂部。背反射層14通常應(yīng)用在半導(dǎo)體材料20的下面以改善器件10的性能。在此種布 置中，背反射層14將已透過但還沒有被吸收的部分日光反射回半導(dǎo)體材料20以進一步吸 收。背反射層14也可以利用具有高織構(gòu)的一金屬層以進行更好地光散射和捕集。為了降低制造PV器件的成本和減輕該PV器件的光誘導(dǎo)退化，該PV器件的半導(dǎo)體 材料吸收器層不可以太厚。另一方面，薄的吸收器層不能成本有效地將太陽光轉(zhuǎn)換為電能。 因此，改善PV器件性能的一種方式為增加來自背反射層的漫反射(增加散射)。歸因于增強 的內(nèi)部反射，漫反射率導(dǎo)致更多的光吸收。然而，沉積一高織構(gòu)背反射層和控制該織構(gòu)不是 一件容易的事。因此，迫切需要一種對生產(chǎn)并控制在PV器件中沉積高織構(gòu)背反射層的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于形成光伏器件的有織構(gòu)的背反射層的工藝。在一實施例中，該工藝包括提供一移動基板的步驟。該工藝包括將該基板定位在 一沉積腔室內(nèi)的步驟。該工藝還包括濺射定位于該沉積腔室內(nèi)的一金屬或一金屬合金靶以 生產(chǎn)濺射材料的步驟。另外，該工藝包括將混合有氬氣的一反應(yīng)氣體引入到該沉積腔室中 的步驟。該反應(yīng)氣體和濺射的金屬或金屬合金材料形成一合金層。該合金層形成在該基板 上，并在該基板上形成一有織構(gòu)的表面。在另一實施例中，用于形成光伏器件的有織構(gòu)的背反射層的該工藝包括在大約 400°C下提供一不銹鋼基板的步驟。該工藝還包括提供一沉積腔室的步驟。該基板在該腔 室內(nèi)以介于每分鐘5到100英寸的速率移動。另外，該工藝包括提供包含鋁的一金屬靶和2/6頁
濺射該金屬靶以生產(chǎn)濺射材料的步驟。一反應(yīng)氣體被連續(xù)地引入到該沉積腔室中以與該濺 射材料反應(yīng)。通過該反應(yīng)氣體和濺射材料的反應(yīng)，一合金層形成在該基板上。該合金層具 有至少60 nm的RMS表面粗糙度和至少38%的漫反射。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中已知的PV器件； 圖2為本發(fā)明的PV器件；
圖3為本發(fā)明一實施例的剖視圖4為漫反射系數(shù)與部分電磁波譜的曲線圖5a為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖5b為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖5c為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖5d為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖6為表2中實例5至實例7的漫反射系數(shù)與部分電磁波譜的曲線圖7為表2中實例5至實例7的總反射系數(shù)與部分電磁波譜的曲線圖8a為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖8b為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；
圖8c為由本發(fā)明一實施例制成的一金屬合金層的AFM圖像；及
圖9為描繪表格3中實例8至實例10的漫反射系數(shù)與O2/氬氣混合物流速的曲線圖。圖中10、PV器件；12、金屬基板；14、背反射層；16、金屬層；18、氧化物(TCO)阻 擋層；20、半導(dǎo)體材料；22、前接觸TCO層；24、PV器件；26、基板；28、背反射層；30、半導(dǎo)體 材料；32、前接觸TCO層；34、合金層；36、光反射層；38、沉積腔室；40、金屬或金屬合金濺射 靶；42、清洗腔室；44、橋接腔室；46、濺射靶；48、沉積腔室38的部分；50、阻擋層；52、濺射
具體實施例方式應(yīng)了解，本發(fā)明可以采用各種替代取向和步驟順序，除非明確陳述了相反的情況。 也應(yīng)了解，在以下說明書中所圖示和描述的具體實施例和工藝僅僅是附加權(quán)利要求中所定 義的發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例。例如，雖然本發(fā)明將結(jié)合a-Si來描述，但是本發(fā)明并非被 如此限定的。同樣地，本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有至少一個單接面的碲化鎘(CdTe)單接面、 非晶硅鍺(a-SiGe )、晶體硅(c-Si )、微晶硅(mc-Si )、非晶體硅(nc-Si )、銅銦硫(CIS2)或銅 銦鎵(di)硒(CIGS)的PV器件。另外，雖然本發(fā)明將用一基板來描述，應(yīng)了解，其也可以被 結(jié)合一覆板來利用。圖2圖示現(xiàn)有技術(shù)水平中形成在一基板26上的a-Si基薄膜PV器件24，基板26 涂覆有具有高漫反射的一有織構(gòu)的背反射層28。在一實施例中，該PV器件24包括用于電 背接觸和器件支撐的一基板26、一有織構(gòu)的背反射層28、a-Si基PV半導(dǎo)體材料30和一前 接觸TCO層32。在一實施例中，該基板為金屬的，且優(yōu)選為一不銹鋼箔。在另一實施例中， 該PV器件24包括一聚合基板而不是一金屬基板。該有織構(gòu)的背反射層28沉積在基板26之上，并在其上提供一有織構(gòu)的和導(dǎo)電的表面。優(yōu)選地，該有織構(gòu)的背反射層28直接沉積在基板26上。有織構(gòu)的背反射層28包括 一合金層34。優(yōu)選地，合金層34為一金屬合金層。在一實施例中，有織構(gòu)的背反射層28進 一步包括沉積在金屬合金層34之上的一光反射層36，即，在金屬合金層34與基板26間隔 開的一側(cè)。光反射層36包括具有比金屬合金層34更高的可見光反射率的至少一種材料。優(yōu) 選地，該光反射層36的可見光反射率大于等于90%。在一實施例中，光反射層36選自由鋁、 銀、銅、鈀及其組合的群組。在該實施例中，金屬合金層34和光反射層36提供了一種組合 效益，其使得該有織構(gòu)的背反射層28生產(chǎn)出更高的總的漫反射。該有織構(gòu)的背反射層28可以由用于沉積薄膜的一工藝形成。如圖3所示，用于形 成該有織構(gòu)的背反射層28的該工藝包括提供基板26和將該基板26定位在一沉積腔室38 內(nèi)的步驟。在一實施例中，該薄膜沉積工藝為濺射，優(yōu)選地為磁控濺射。在該實施例中，可以 在低壓下執(zhí)行該濺射工藝。例如，沉積金屬合金層34是在沉積腔室38中在大約2-20毫托 的壓力下進行的。優(yōu)選地，沉積腔室38中的壓力為約3毫托到約15毫托。然而，應(yīng)了解， 其他薄膜沉積方法可以用于形成PV器件24，包括用于沉積有織構(gòu)的背反射層28。沉積腔室38具有惰性氣氛，優(yōu)選為氬氣(Ar)，且維持在介于大約10(TC至50(TC之 間的一溫度下，優(yōu)選為介于大約100°C至430°C之間，且更優(yōu)選地為在大約400°C的溫度下。 因此，基板26也可處于介于大約100°C至500°C之間的溫度下，且優(yōu)選地處于大約400°C的 溫度下。另外，定位在沉積腔室38內(nèi)的為用作形成金屬合金層34的材料的至少一個金屬 或金屬合金濺射靶40。在一實施例中，該(等)金屬或金屬合金濺射靶40包括鋁。在該實 施例中，該(等)金屬或金屬合金濺射靶40可以為大體上純的鋁或鋁合金，優(yōu)選地為Al-Si 合金。然而，其他材料(諸如銀)可與鋁一起使用或替代鋁來沉積金屬合金層34。如上所述，用于形成有織構(gòu)的背反射層28的該工藝包括提供基板26的步驟。在 一實施例中，基板26隨著有織構(gòu)的背反射層28被沉積而移動。在該實施例中，基板26可 以經(jīng)移動作為用于形成薄膜PV器件的卷對卷工藝的一部分。優(yōu)選地，基板26以至少每分 鐘6英寸的速率移動。在一實施例中，基板26以介于每分鐘5英寸至每分鐘100英寸之間 的速率移動。優(yōu)選地，基板26以介于每分鐘24英寸至每分鐘60英寸的速率移動。在進入沉積腔室38之前，最好移除PV器件24將要形成處的基板26的表面上的 任何表面污染。如圖3所示，這可以通過提供在沉積腔室38上游的清洗腔室42來完成，其 使用Ar與氧氣(O2)的一氣體混合物來清洗基板26。優(yōu)選地，清洗腔室42與沉積腔室38 成流體連通?？稍谇逑辞皇?2與沉積腔室38之間提供一橋接腔室44以防止來自清洗腔 室42的氣流進入沉積腔室38。通常，將一吹掃氣引入到橋接腔室44以防止清洗腔室氣體 (02、H2O等)與沉積腔室氣體混合。在沉積腔室38內(nèi)，可以通過產(chǎn)生已電離Ar原子的等離子體來開始形成金屬合金 層34的步驟。已電離的Ar原子連續(xù)地擊打該金屬或金屬合金靶以生產(chǎn)濺射材料。在一實 施例中，其中至少一個金屬或金屬合金濺射靶40定位在沉積腔室38內(nèi)，該濺射材料沿金屬 合金層34沉積的該基板沉積表面方向從該靶表面排出。可以按類似方式利用包括所想要 的光反射層材料的濺射靶46來形成光反射層36。用于形成有織構(gòu)的背反射層28的該工藝還包括將一反應(yīng)氣體引入到沉積腔室38中的步驟。該反應(yīng)氣體和濺射材料反應(yīng)形成金屬合金層34。優(yōu)選地，反應(yīng)氣/Ar氣的混合 物作為反應(yīng)氣體被引入到具有Ar的沉積腔室38中。在一實施例中，該反應(yīng)氣體為一氧化 性氣體。在另一實施例中，反應(yīng)氣體包含0和OH原子及離子。在這些實施例中，該反應(yīng)氣 體可以包括水蒸汽(H20)、02或其組合。在一另一實施例中，該反應(yīng)氣體選自由02、H20及氮 氣(N2)組成的群組。如上所述，因為基板26在沉積腔室38中移動并穿過沉積腔室38，該反應(yīng)氣體必須 被連續(xù)地引入到沉積腔室38中。視所想要的背反射層28的織構(gòu)而定，可以一固定流速或 可變流速將該反應(yīng)氣體引入到沉積腔室38。如圖3中所描繪的，在一實施例中，該反應(yīng)氣體 可以被直接引入到沉積腔室38。在該實施例中，優(yōu)選地，該反應(yīng)氣體被以均勻的方式橫跨基 板26的寬度引入到沉積腔室38。然而，在一實施例中，該反應(yīng)氣體可以被引入到清洗腔室 42，并經(jīng)允許橫穿橋接腔室44以被引入到沉積腔室38。在另一實施例中，該反應(yīng)氣體可以 被引入到橋接腔室44，或該橋接腔室吹掃氣體被從此處引入到沉積腔室38。返回參閱圖2，在一實施例中，該有織構(gòu)的背反射層28包括金屬合金層34和光反 射層36。背反射層織構(gòu)主要由金屬合金層織構(gòu)來提供。該金屬合金層織構(gòu)也是造成光散射 或漫反射的原因。金屬合金層34的織構(gòu)可以由靶材料選擇及反應(yīng)氣體的流速來控制。因 此，優(yōu)選地，該反應(yīng)氣體被以控制流量的方式引入到沉積腔室38中。在該實施例中，可以利 用一質(zhì)量流量控制器。沉積腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體的數(shù)量和/或濃度也可由一殘余氣體分析儀 (RGA)來監(jiān)測。因此，可通過監(jiān)測并維持沉積腔室38內(nèi)反應(yīng)氣體的濃度，及增加和/或減少 反應(yīng)氣體流來完成背反射層28的織構(gòu)的控制，以達成一想要的織構(gòu)。在一實施例中，金屬合金層34和光反射層36沉積在相同的沉積腔室38中。在該 實施例中，該反應(yīng)氣體大體上并不與用以形成光反射層36的該濺射材料反應(yīng)。防止該反 應(yīng)氣體大體上與用以形成光反射層36的該材料反應(yīng)可以由幾種方式來達成。在一實施例 中，選擇用以形成光反射層36的材料以便當(dāng)暴露于反應(yīng)氣體時該光反射層不會受到明顯 變化，并將繼續(xù)反射可見光和最小化散射損失。在另一實施例中，沉積腔室38可以被隔開 以抑制反應(yīng)氣體流進入沉積腔室38的光反射層36形成處的部分。在又一實施例中，反應(yīng) 氣體被引入到鄰接于該至少一個金屬或金屬合金靶40的沉積腔室38的一部分48。沉積腔 室38的該部分48也可以鄰接于基板26進入沉積腔室38的該位置。當(dāng)半導(dǎo)體材料30直接沉積在金屬合金層34或光反射層36上時，a-Si半導(dǎo)體材 料30和金屬合金層34與光反射層36之間的相互擴散可能會發(fā)生。因此，如圖2中所指示 的，該有織構(gòu)的背反射層28可以進一步包括一阻擋層50，該阻擋層50可以沉積在a-Si半 導(dǎo)體材料30和金屬合金層34或光反射層36之間以防止此種相互擴散，即，在金屬合金層 34或光發(fā)射層36的與基板26間隔開的該側(cè)。優(yōu)選地，利用如上所述的該濺射工藝來形成 阻擋層50，且優(yōu)選地，用包括所想要的阻擋層材料的濺射靶52。優(yōu)選地，阻擋層50為一 TCO阻擋層。在一實施例中，該TCO阻擋層50包括氧化鋅 或鋁摻雜氧化鋅。該TCO層可以沉積到有100-2000納米(nm)的厚度，優(yōu)選地為300 nm的 厚度。然而，應(yīng)了解，其他阻擋層材料可以用于實踐本發(fā)明。實例
以下給出的實例僅為了進一步說明和揭示本發(fā)明的目的，且并非被理解為對本發(fā)明的 限制。
除非另有指示，以下實驗條件適合于實例1至實例10。具有一陰極、一大體上純鋁的金屬靶及磁控濺射能力的一沉積腔室被提供。該沉 積腔室具有Ar氣氛，且被維持在大約6毫托的壓力下。一 36英寸的寬的不銹鋼基板在該沉積腔室內(nèi)移動，且被加熱至大約430°C。對于 實例1至實例3，該基板以每分鐘6英寸的速率在該沉積腔室內(nèi)移動并穿過該沉積腔室。對 于實例1至實例3，鋁陰極的功率為大約14 KW，且該鋁金屬合金層被沉積大約300 nm的厚 度。對于實例4，該基板以每分鐘8英寸的速率在該沉積腔室內(nèi)移動并穿過該沉積腔室，且 該鋁陰極的功率為大約18. 1 KW，且該鋁金屬合金層被沉積大約300 nm的厚度。對于實例5至實例7，該基板以每分鐘18英寸的速率在該沉積腔室內(nèi)移動并穿過 該沉積腔室。另外，對于實例5至實例7，該鋁陰極的功率為大約39 KW，且該鋁金屬合金層 被沉積大約300 nm的厚度。對于實例8至實例10，該基板以每分鐘12英寸的速率在該沉 積腔室內(nèi)移動并穿過該沉積腔室，且該鋁陰極的功率為大約18 KW，且該鋁金屬合金層被沉 積大約300 nm的厚度。對于實例1至實例10，該不銹鋼基板定位在沉積腔室中的該陰極和金屬靶之上。一濺射沉積工藝由產(chǎn)生已電離的Ar原子的等離子體來發(fā)起。鋁金屬靶被已電離 的Ar原子不斷地擊打。該濺射鋁從該靶表面沿該基板表面方向排出。在進入沉積腔室之前，該基板移動穿過一清洗腔室以除去表面污染。該清洗腔室 與沉積腔室成流體連通。如上所述和圖3中所示，該清洗腔室可以通過一橋接腔室連接至 沉積腔室，且一吹掃氣體被引入到該橋接腔室以防止該清洗腔室氣體與沉積腔室氣體混 合。在實例1至實例4中，氧氣作為80/20的Ar/Ojg合物被連續(xù)地引入到該清洗腔室。在 實例1中，該吹掃氣為流速為180 sccm的Ar。在實例2中，該吹掃氣為流速為90 sccm的 Ar。在實例3中，該吹掃氣為流速為45 sccm的Ar。在實例4中，該吹掃氣流速為45 sccm 的Ar。通過降低進入橋接腔室中的吹掃氣流速，可以增加并變化進入沉積腔室中的反應(yīng)氣 體(例如O2和/或H2O)的流速。在實例5至實例7中，反應(yīng)氣體為H2O (水蒸汽)，且其被直接引入到該沉積腔室鄰 接于該基板進入沉積腔室的位置處。用一質(zhì)量流量控制器來控制該反應(yīng)氣體的流速。水蒸 氣壓經(jīng)由連接至該沉積腔室的一 RGA來監(jiān)測。該H2O蒸氣壓在4. 1 E-5托至7. 4 E-5托之 間變化。在實例8至實例10中，該反應(yīng)氣體為02/Ar，且他們被引入到該基板進入該沉積腔 室的位置處。用一質(zhì)量流量控制器來控制該反應(yīng)氣體的流速。流量在3 sccm至10 sccm 之間變化。如上所述的濺射材料、反應(yīng)氣體、沉淀條件使得一合金層形成在該基板的表面上，其 如表格1、表格2及表格3中所概括的，提供具有改善的表面粗糙度及漫反射的一背反射層。表格1 沉積在一不銹鋼基板上的鋁金屬合金層
實 例表面粗糙度RMS (nm)600nm處的漫反射率800nm處的漫反射率IOOOnm處的漫反射率80/20氬氣/氧氣混合物的流速14428%18%17%2026438%55%38%403107. 680%72%82%4047076%59%56%40RMS (root-mean-square roughness )均方根粗糙度
在實例1中，被引入清洗腔室的Ar/Ojg合物中的氧氣并不進入沉積腔室。然而，通過增加該Ar/02混合物的流速及降低該吹掃氣流速，進入沉積腔室的O2的量增加。如表格1 中所圖示的，隨著Ar/02混合物的流速的增加及吹掃氣流速的降低，漫反射增加。如圖4和 表格1所示，當(dāng)在1000 nm電磁波譜處測量時，該鋁合金層的漫反射增加大約55個百分點。如圖5b至圖5d所示的實例2至實例4的條件生產(chǎn)具有比由圖5a所示的實例1的 條件生產(chǎn)的顆粒大小更大的晶粒尺寸的一有織構(gòu)的背反射層。另外，實例2至實例4的有 織構(gòu)的背反射層包括一鋁和O2的金屬合金層。該金屬合金層在該基板上提供一織構(gòu)表面， 其反射光的可見波長并提供改善的可見光散射。表格2 沉積在一不銹鋼基板上的鋁金屬合金層
實例RGAH2O蒸氣壓(托)830nm處的漫反射率830nm處的全反射率54. 1E-515. 8%80. 5%65. 1E-527. 8%76. 2%77. 4E-535. 2%73. 3%
表格3 沉積在一不銹鋼基板上的鋁金屬合金層
權(quán)利要求
1.一種用于形成一光伏器件的一有織構(gòu)的背反射層的工藝，包括以下步驟 提供一移動基板；將該基板定位在一沉積腔室內(nèi)；濺射定位在該沉積腔室內(nèi)的一金屬或一金屬合金靶以生產(chǎn)濺射材料；及 將混合有氬氣的一反應(yīng)氣體引入到該沉積腔室，其中該反應(yīng)氣體和該濺射金屬或金屬 合金材料形成一合金層，該合金層形成在該基板上，并在該基板上形成一有織構(gòu)的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該反應(yīng)氣體包含0和OH原子。
3.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該基板為一不銹鋼箔。
4.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該基板以至少每分鐘6英寸的速率移動。
5.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該基板處于約100°C到約500°C的一溫度下。
6.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該沉積腔室處于約3毫托到約15毫托的一壓力下。
7.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該合金層為導(dǎo)電的。
8.如權(quán)利要求1所述的工藝，進一步包括通過連續(xù)地將大量反應(yīng)氣體引入到該沉積腔 室來控制合金層織構(gòu)的步驟。
9.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該反應(yīng)氣體被以均勻的方式橫跨該基板的寬度引入 到該沉積腔室。
10.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該反應(yīng)氣體被以一固定流速引入到該沉積腔室。
11.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該反應(yīng)氣體被以一可變流速引入到該沉積腔室。
12.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該反應(yīng)氣體選自由02、H20和N2組成的群組。
13.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該金屬或金屬合金靶包括一鋁合金，或為大體上純 的鋁。
14.如權(quán)利要求1所述的工藝，進一步包括將一光反射層沉積在該合金層與該基板間 隔開的該側(cè)的步驟。
15.如權(quán)利要求1所述的工藝，進一步包括將一阻擋層沉積在該合金層與該基板間隔 開的該側(cè)的步驟。
16.如權(quán)利要求1所述的工藝，其中該合金層具有至少60nm的RMS表面粗糙度，且具 有大約200 nm的厚度。
17.如權(quán)利要求1所述的工藝，進一步包括通過維持該沉積腔室中的反應(yīng)氣體的濃度 來控制合金層織構(gòu)的步驟。
18.如權(quán)利要求16所述的工藝，其中該阻擋層包括氧化鋅或鋁摻雜氧化鋅。
19.一種用于形成一光伏器件的一有織構(gòu)的背反射層的工藝，包括以下步驟 在大約400°C下提供一不銹鋼基板；提供一沉積腔室，其中該基板在該腔室內(nèi)以介于每分鐘5到100英寸的速率移動； 提供包括鋁的一金屬靶； 濺射該金屬靶以生產(chǎn)濺射材料；連續(xù)地將一反應(yīng)氣體引入到該沉積腔室以與該濺射材料反應(yīng)；及 通過該反應(yīng)氣體與濺射材料的反應(yīng)在該基板上形成一合金層，其中該合金層具有至少 60 nm的RMS表面粗糙度和至少38%的漫反射。
20.如權(quán)利要求19所述的工藝，進一步包括在該合金層之上形成一光反射層以提供高于75%的總可見光反射和介于18%-35%之間的漫反射的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于形成光伏器件的有織構(gòu)的背反射層的工藝。該工藝包括以下步驟提供一移動基板；將該基板定位在一沉積腔室內(nèi)；及濺射定位在該沉積腔室內(nèi)的一金屬或一金屬合金靶以生產(chǎn)濺射材料。該工藝進一步包括將混合有氬氣的一反應(yīng)氣體引入到該沉積腔室中的步驟。該反應(yīng)氣體和濺射的金屬或金屬合金材料形成一合金層。該合金層形成在該基板上，并在該基板上形成一有織構(gòu)的表面。
文檔編號C23C14/34GK102134701SQ201110025270
公開日2011年7月27日 申請日期2011年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者拉瑪沙米·拉朱, 曹新民, 理查德·J·波德列斯內(nèi), 莎費悠·A·喬杜里 申請人:美國迅力光能公司