專利名稱：一種研磨墊及其制備方法、使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別是一種研磨墊及其制備方法、使用方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制備工藝中，平整的晶圓表面對于器件的小型化和高密度化極其重要， 傳統(tǒng)平坦化晶圓表面的方法為化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)。該方法在晶圓表面與研磨墊之間加入研磨液，利用機(jī)械力的作用和研磨液與晶圓表面產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)，平坦化晶圓表面。由于在化學(xué)機(jī)械研磨法中研磨液隨機(jī)分布，密度不均勻，研磨效果比較差，而且研磨液利用率低，研磨液廢液容易污染環(huán)境，因此逐漸被固結(jié)磨料研磨法(Fixed Abrasive Polishing) 取代。固結(jié)磨料研磨法，是將磨料和研磨墊結(jié)合起來，形成表面具有規(guī)則凹凸形狀的固結(jié)磨料研磨墊，如美國專利20020049027中所介紹的固結(jié)磨料研磨墊，然后將研磨墊放置在研磨臺上，將晶圓放置在研磨墊的研磨面進(jìn)行研磨?，F(xiàn)有的固結(jié)磨料研磨法的研磨過程， 如圖I所示，輸入滾筒1051和輸出滾筒1052將研磨墊102輸送到研磨臺101上，并用研磨劑潤濕研磨墊102表面；將晶圓103吸附固定在研磨頭104上，并使其表面與研磨墊102表面相接觸；啟動動力驅(qū)動，研磨臺101在軸承100的旋轉(zhuǎn)帶動下旋轉(zhuǎn)，晶圓103也在旋轉(zhuǎn)的研磨頭104帶動下旋轉(zhuǎn),其與研磨墊102作相對運(yùn)動,使得晶圓103表面不斷與研磨墊102 表面摩擦而被研磨。但是,在固結(jié)磨料研磨法中，隨著研磨的進(jìn)行，晶圓的研磨速率越來越慢，研磨速率變化很大。如圖2所示，研磨速率從頭60秒內(nèi)的1050埃/分鐘左右迅速下降到第180 秒至第240秒間的190埃/分鐘左右。由于研磨速率的下降快使得晶圓的研磨程度無法精確控制，導(dǎo)致晶圓的過研磨或研磨不夠，引起晶圓報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種研磨墊及其制備方法、使用方法，解決現(xiàn)有研磨墊不能夠保持均衡的晶圓研磨速率，易發(fā)生晶圓研磨不夠或過研磨而導(dǎo)致晶圓報(bào)廢的問題。為解決上述問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案—種研磨墊，包括基底和固結(jié)在所述基底上的若干分立的磨料塊，所述磨料塊具有至少兩種聞度。優(yōu)選的，所述磨料塊高度為10 50微米。優(yōu)選的，所述任意兩種高度的磨料塊高度至少相差3 5微米。優(yōu)選的，所述磨料塊高度為2 20種。優(yōu)選的，所述磨料塊的寬度為50 200微米。一種研磨墊的制備方法，包括將磨料顆粒與有機(jī)聚合物混合形成混合物；將所述混合物涂布在基底上；用模具壓制混合物，形成具有至少兩種高度的磨料塊，所述模具具有與所述磨料塊相匹配的至少兩種深度的凹印圖案；將所述磨料塊進(jìn)行固結(jié)。
優(yōu)選的，所述磨料顆粒為二氧化鈰、二氧化硅、金剛石、氧化鋯、氧化鋁和氮化硅中的一種或多種。優(yōu)選的，所述磨料塊的高度為2 20種。優(yōu)選的，所述磨料塊高度為10 50微米。優(yōu)選的，所述磨料塊由高到低或由低到高或高低間隔周期性排列在所述基底上。優(yōu)選的，所述任意兩種高度的磨料塊高度至少相差3 5微米。一種應(yīng)用所述的研磨墊進(jìn)行研磨的方法，包括如下步驟提供研磨墊，所述研磨墊上的磨料塊具有至少兩種高度；將晶圓放置在所述研磨墊上，加入研磨液，進(jìn)行研磨。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的研磨墊，通過固結(jié)在基底上的具有至少兩種高度的磨料塊，使得研磨晶圓時(shí)，在最高高度的磨料塊因研磨損耗而降低高度，引起研磨作用下降后，下一高度的磨料塊能夠補(bǔ)充研磨作用，從而穩(wěn)定晶圓的研磨速率，易于精確控制晶圓的研磨程度，提高晶圓研磨效果及良率。


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I是現(xiàn)有固結(jié)磨料研磨法的研磨裝置示意2是現(xiàn)有固結(jié)磨料研磨法中研磨速率與研磨時(shí)間的關(guān)系圖； 3和圖4是現(xiàn)有研磨墊研磨速率變化原因示意5和圖6是本發(fā)明的研磨墊示意7至圖10是本發(fā)明研磨墊的制備方法具體實(shí)施例示意圖； 11是使用本發(fā)明研磨墊進(jìn)行研磨的具體實(shí)施例流程12是本發(fā)明研磨墊研磨過程的具體實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖3所示，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有固結(jié)磨料研磨法中，研磨墊由基底和磨料層構(gòu)成；所述磨料層固結(jié)在基底201上，由磨料顆粒與樹脂膠粘劑混合壓制形成具有特定形狀的三維結(jié)構(gòu)的磨料塊202，其中磨料顆粒包裹在樹脂膠粘劑中；所述磨料塊202中所有磨料塊是等高的，也即磨料塊202只有一種高度。如圖4所示，在研磨過程中，樹脂膠粘劑2021在研磨液的作用下，發(fā)生溶解，使最上層的磨料顆粒2022露出，并與晶圓203表面接觸，起到研磨晶圓203的作用；隨著研磨的持續(xù)進(jìn)行，樹脂膠粘劑2021進(jìn)一步溶解，最上層的磨料顆粒 2022在研磨力的作用下逐漸脫離樹脂膠粘劑2021游離出來，磨料塊202的高度便降低。但是此時(shí)，包裹下一層磨料顆粒2022的樹脂膠粘劑2021，由于浸泡時(shí)間不夠，不能及時(shí)被溶解導(dǎo)致這一層的磨料顆粒2022未能全部露出，使得這一層的部分磨料顆粒2022起不到研磨作用，降低了晶圓的研磨速率，這種研磨速率的變化使得晶圓的研磨精度很難控制，從而導(dǎo)致晶圓研磨不夠或過研磨，引起晶圓良率下降。針對上述問題，發(fā)明人提出了一種解決方案，具體為一種研磨墊，包括基底和固結(jié)在所述基底上的磨料塊陣列，所述磨料塊陣列具有至少兩種高度。本發(fā)明的研磨墊，由于磨料塊的磨料塊具有至少兩種高度，使得剛開始研磨晶圓時(shí)，第一高度的磨料塊先起到研磨作用；當(dāng)研磨進(jìn)行一段時(shí)間后，先起到研磨作用的第一高度的磨料塊高度降低，而由于磨料塊下一層的磨料顆粒因樹脂膠粘劑來不及溶解，第一高度的磨料塊起到研磨作用逐漸降低；但此時(shí)，第二高度的磨料塊因已在研磨液中浸泡一段時(shí)間了，因此磨料顆?？梢月冻鲆徊糠制鸬窖心プ饔?；如此一來,晶圓的整體研磨速率便不會下降，而是維持在比較穩(wěn)定的水平，從而方便精確控制晶圓表面的研磨程度，保證研磨質(zhì)量，提聞晶圓良率。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例作詳細(xì)說明。圖5為本發(fā)明的研磨墊第一具體實(shí)施例示意圖。如圖5所示，研磨墊包含基底301 和固結(jié)在基底301上的磨料塊302，所述磨料塊302具有兩種高度，即第一高度hi的磨料塊 3021和第二高度h2的磨料塊3022。所述第一高度hi高于第二高度h2為3 5微米，所述第一高度hi和第二高度h2為10 50微米，優(yōu)選第一高度hi為30微米。所述第一高度hi和第二高度h2的磨料塊302的寬度W為50 200微米，優(yōu)選為100微米。本實(shí)施例中，不同高度的磨料塊302在基底301上可以是從高到低或從低到高或高低相間周期性排列，對于不同的排列順序可以根據(jù)實(shí)際需要選擇。本實(shí)施例中，所述磨料塊的寬度W是指磨料塊剖面的平均寬度，例如圓柱形磨料塊，其寬度為圓柱形的截面直徑長度；而梯形臺磨料塊，其寬度則為梯形臺剖面形成的梯形兩腰中點(diǎn)的連線長度，棱錐形磨料塊與其相似。所述磨料塊的寬度W目的是保證足夠的研磨速率，取值在50 200微米之間，優(yōu)選為100微米。本實(shí)施例中，所述磨料塊的間距為50 400微米，優(yōu)選200微米，其目的是保證化學(xué)溶液能夠在磨料塊之間充分流動。本實(shí)施例中，基底301可以采用剛性基底，如有機(jī)玻璃PMMA板、聚氯乙烯PVC板、 聚碳酸酯PC板或聚對苯二甲酸二乙酯PET板；基底301也可以是具有一定彈性的聚氨酯、 聚烯烴、苯乙烯、聚酯、聚酰胺或黑阻尼布；基底301還可以采用剛性基底與彈性基底相結(jié)合形成的多層基底。本實(shí)施例中，所述磨料塊302是由磨料顆粒與樹脂膠粘劑混合壓制形成的，具有特定形狀的三維規(guī)則形狀。所述磨料顆粒為二氧化硅、二氧化鈰、三氧化二鋁、碳化硅、碳化硼、氧化鋯、金剛石等顆粒中的一種或多種，優(yōu)選二氧化鈰磨料顆粒；所述磨料顆粒的粒徑在50 1000納米。所述樹脂膠粘劑包括酚醛樹脂、脲甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛樹脂、丙烯酸聚氨酯、丙烯酸環(huán)氧樹脂、烯鍵式不飽和化合物、乙烯基醚、環(huán)氧樹脂等有機(jī)樹脂中的一種或多種。所述磨料塊302的形狀有圓柱形、半球形、棱錐形、梯形臺等形狀，優(yōu)選梯形臺形狀，其橫截面積從基底沿其高度逐漸遞減。所述磨料塊302規(guī)則固結(jié)在所述基底301上， 形成規(guī)則的陣列形貌。上述磨料顆粒與樹脂膠粘劑按一定比例混合后，均勻涂布在基底301上，用具有相應(yīng)圖案的模具壓制形成具有特定形狀的磨料塊302陣列，然后通過熱能或輻射能使其固化。所述磨料顆粒與樹脂膠粘劑的混合比例，根據(jù)通用的配比即可，比如磨料顆粒與樹脂膠粘劑的重量百分比為I : 2。視具體情況，可以在磨料顆粒與樹脂膠粘劑混合物種加入固化劑、引發(fā)劑或催化劑來加速磨料顆粒與樹脂膠粘劑混合物的固化作用。為了進(jìn)一步提高磨料顆粒與樹脂膠粘劑的混合效果，可以對磨料顆粒進(jìn)行表面改性。因?yàn)槟チ项w粒為無機(jī)材料，大部分表面為親水性，與有機(jī)聚合物不相容；因此，會造成磨料顆粒在樹脂膠粘劑中分布不均及磨料顆粒與樹脂膠粘劑結(jié)合力低下。對磨料顆粒進(jìn)行表
5面改性可以采用機(jī)械化學(xué)改性法，比如高能球磨、攪拌磨、高速剪切或高頻超聲等。經(jīng)過改性的磨料顆粒露出新鮮表面，由于新鮮表面上含有大量的懸掛鍵，加上改性過程中的局部高溫，磨料顆粒與表面改性劑會產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)磨料顆粒的表面特性改變。圖6為本發(fā)明的研磨墊第二具體實(shí)施例示意圖。如圖6所示，研磨墊包含基底301 和固結(jié)在基底301上的磨料塊302 ;所述磨料塊302超過兩種高度第一高度hi、第二高度
h2........第η高度hn (η為3至20的自然數(shù))；所述磨料塊302的高度hn介于10 50
微米之間，任意兩種高度的磨料塊302高度至少相差3 5微米，即hn與hi (i不等于η, 且i為3至20的自然數(shù))的差的絕對值為3 5微米；所述磨料塊302的磨料塊寬度W為 50 200微米。本實(shí)施例中，基底301選用材料如第一實(shí)施例所述；磨料塊302的材料、形狀，以及磨料顆粒、樹脂膠粘劑的選擇如第一實(shí)施例所述，這里不再贅述。本實(shí)施例中，磨料塊302具有超過兩種的高度，換句話說，所述磨料塊302包含有
第一高度hi、第二高度h2........第η高度hn (η為3至20的自然數(shù))的磨料塊302 ;所
述磨料塊302的高度為10 50微米；所述不同種高度的磨料塊302的高度至少相差3 5微米，也即相鄰高度的磨料塊302高度相差3 5微米；所述磨料塊302按從高到低或從低到高或高低間隔的順序周期性分布在基底301上，形成規(guī)則的陣列形貌。本實(shí)施例中，磨料塊302的磨料塊寬度W為50 200微米。所述磨料塊寬度W是指磨料塊剖面的平均寬度，例如圓柱形磨料塊，其寬度為圓柱形的截面直徑長度；而梯形臺磨料塊，其寬度則為梯形臺剖面形成的梯形兩腰中點(diǎn)的連線長度，棱錐形磨料塊與其相似。 所述磨料塊302的寬度W目的是保證足夠的研磨速率，取值在50 200微米之間，優(yōu)選為 100微米。本實(shí)施例中，所述磨料塊302的間距為50 400微米，優(yōu)選200微米，其目的是保證化學(xué)溶液能夠在磨料塊之間充分流動。本發(fā)明的研磨墊，由于磨料塊陣列的磨料塊具有集中至少兩種高度，使得剛開始研磨晶圓，第一高度的磨料塊陣列先起到研磨作用；當(dāng)研磨進(jìn)行一段時(shí)間后，先起到研磨作用的磨料塊陣列高度降低，而磨料塊下部的磨料顆粒因樹脂膠粘劑來不及溶解，不能起到研磨作用；但此時(shí)，第二高度的磨料塊陣列因已在研磨液中浸泡一段時(shí)間了，因此磨料顆?？梢月冻鲆徊糠制鸬窖心プ饔?；如此一來，則晶圓的研磨速率不會下降，而是維持在比較穩(wěn)定的水平，從而方便精確控制晶圓表面的研磨程度，保證研磨質(zhì)量，提高晶圓良率。圖7至圖10為本發(fā)明提供的研磨墊制備方法具體實(shí)施例示意圖。如圖7所示，提供基底301，并在基底301上均勻涂布磨料顆粒與樹脂膠粘劑的混合物3021。本實(shí)施例中，所述基底301為剛性基底或彈性基底，如有機(jī)玻璃PMMA板、聚氯乙烯 PVC板、聚碳酸酯PC板或聚對苯二甲酸二乙酯PET板或聚氨酯、聚烯烴、苯乙烯、聚酯、聚酰胺或黑阻尼布；所述基底301還可以采用剛性基底與彈性基底相結(jié)合形成的多層基底。本實(shí)施例中，所述磨料顆粒為二氧化硅、二氧化鈰、三氧化二鋁、碳化硅、碳化硼、 氧化錯(cuò)、金剛石等顆粒中的一種或多種，優(yōu)選二氧化鋪磨料顆粒；所述磨料顆粒的粒徑在 50 1000納米，優(yōu)選500納米。為了與樹脂膠粘劑更好地混合，所述磨料顆粒可以通過機(jī)械化學(xué)改性法，使其形成親油性表面。所述機(jī)械化學(xué)改性法可以是高能球磨、攪拌磨、高速剪切或高頻超聲等。經(jīng)過改性的磨料顆粒露出新鮮表面，由于新鮮表面上含有大量的懸掛鍵，加上改性過程中的局部高溫，磨料顆粒與表面改性劑會產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)磨料顆粒的表面特性改變，使其易與樹脂膠粘劑融合。所述樹脂膠粘劑包括酚醛樹脂、脲甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛樹脂、丙烯酸聚氨酯、丙烯酸環(huán)氧樹脂、烯鍵式不飽和化合物、乙烯基醚、環(huán)氧樹脂等有機(jī)樹脂中的一種或多種。所述磨料顆粒與樹脂膠粘劑的混合比例，根據(jù)通用的配比即可，比如磨料顆粒與樹脂膠粘劑的重量百分比為I : 2。根據(jù)實(shí)際情況，所述混合物3021還可以加入固化劑、引發(fā)劑或催化劑，以增強(qiáng)磨料塊陣列的成型效果。如圖8所示,將表面具有磨料塊圖案401的模棍400沿順時(shí)針方向滾動,不斷壓過研磨墊上的磨料顆粒與樹脂膠粘劑的混合物3021，形成規(guī)則的磨料塊302陣列。所述磨料塊圖案401為圓柱形、半球形、棱錐形、梯形臺等凹印，優(yōu)選梯形臺，其截面積沿其深度方向逐漸遞減，便于模輥400壓制后脫模；所述磨料塊圖案401決定了最后形成的磨料塊302陣列形貌。如圖9所示，模輥400表面上的磨料塊圖案401具有至少兩種不同深度的規(guī)則凹印，以使模輥壓過以后，在磨料與樹脂膠粘劑的混合物3021上形成至少具有兩種相應(yīng)高度的磨料塊。本實(shí)施例中，所述模輥400表面可以涂有脫模涂層，以使壓制過程中，混合物3021 更容易脫離模輥400。根據(jù)模輥400材料，所述脫模涂層可以是硬質(zhì)碳化物、氮化物、硼化物涂層或硅樹脂、含氟化合物。如圖10所示，用能量源處理壓制好的磨料塊302，使其固化并粘結(jié)在基底301上。 所述能量源包括熱能和輻射能，例如電子束、紫外光等，通過熱能處理或輻射能照射，使混合物3021中的樹脂膠粘劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，固化定型并粘結(jié)在基底301上。所述定型的磨料
塊302具有至少兩種高度，即第一高度hi、第二高度h2........第η高度hn (η為2至20
的自然數(shù))。本實(shí)施例中，形成的磨料塊302中每個(gè)磨料塊302的底部可以互相連接也可以是獨(dú)立粘結(jié)在基底301上的；優(yōu)選磨料塊底部互相連接的磨料塊陣列302，因底部相互連接， 可以增強(qiáng)磨料塊302對基底301的附著力，使得使用所述研磨墊研磨晶圓的過程中，磨料塊不會脫落，提高研磨效果。本發(fā)明還提供本發(fā)明所述研磨墊的使用方法。所述使用方法，具體為，如圖10所示步驟S11，提供本發(fā)明的研磨墊，將所述研磨墊放置于研磨臺上；步驟S12，將晶圓放置在所述研磨墊上，加入研磨液，進(jìn)行研磨。下面結(jié)合附圖對應(yīng)用本發(fā)明所述研磨墊進(jìn)行研磨的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。步驟Sll,提供研磨墊,所述研磨墊上的磨料塊具有至少兩種高度。本實(shí)施例中，所述研磨墊表面的磨料塊具有至少兩種高度，參考圖6，所述磨料塊
302包含有第一高度hi、第二高度h2........第η高度hn (η為2至20的自然數(shù))的磨料
塊302 ;所述磨料塊302的高度為10 50微米；所述任意兩種磨料塊302的高度相差至少為3 5微米，也即相鄰高度的磨料塊302高度相差3 5微米；所述磨料塊302可以是從高到低或從低到高或高低相間周期性排列，形成具有不同高度的磨料塊302的規(guī)則形貌。本實(shí)施例中，參考圖1，所述研磨墊102通過輸入滾筒1051和輸出滾筒1052將研磨墊102輸送到研磨臺101上。
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步驟S12，將晶圓放置在所述研磨墊上，加入研磨液，進(jìn)行研磨。本實(shí)施例中，由于所述研磨墊表面的磨料塊具有至少兩種高度，因此，可以在研磨過程中，維持穩(wěn)定的晶圓研磨速率。如圖12所示，現(xiàn)以具有兩種高度磨料塊的研磨墊為例， 說明所述研磨墊研磨晶圓的過程。所述研磨墊具有第一高度hi的磨料塊A和第二高度h2 的磨料塊B。利用所述研磨墊研磨晶圓203時(shí)，首先是第一高度hl，也即最高高度的磨料塊 A與晶圓203表面相接觸；由于第一高度hi的磨料塊A頂部的樹脂膠粘劑2021被研磨液溶解，露出研磨顆粒2022，起到研磨晶圓203表面的作用；當(dāng)研磨進(jìn)行一段時(shí)間后，第一高度hi的磨料塊A在研磨力作用下，磨料顆粒2022的不斷游離出來，使得磨料塊A的高度逐漸降低；當(dāng)下將到一定高度時(shí)，由于下層的樹脂膠粘劑2021來不及溶解，無法讓磨料顆粒 2022露出，使得第一高度hi磨料塊A的研磨作用大大下降。當(dāng)?shù)谝桓叨萮i的磨料塊A研磨作用減弱時(shí)，第二高度h2的磨料塊B由于已在研磨液中浸泡一段時(shí)間了，其頂部的樹脂膠粘劑2021已溶解，露出了磨料顆粒2022，使得第二高度h2的磨料塊B能夠起到對晶圓203表面的研磨作用，從而維持晶圓203研磨速率的
穩(wěn)定性。本發(fā)明形成的研磨墊，可以在研磨晶圓時(shí)，保證穩(wěn)定的研磨墊上磨料塊陣列的研磨作用，從而使得晶圓的研磨速率不會隨著研磨時(shí)間的延長而下降，而是維持在比較穩(wěn)定的水平，從而方便精確控制晶圓表面的研磨程度，保證研磨質(zhì)量，提高晶圓良率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)力要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種研磨墊，包括基底和固結(jié)在所述基底上的若干分立的磨料塊，其特征在于，所述磨料塊具有至少兩種高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的研磨墊，其特征在于，所述磨料塊高度為10 50微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的研磨墊，其特征在于，所述任意兩種高度的磨料塊高度至少相差3 5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的研磨墊，其特征在于，所述磨料塊高度為2 20種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的研磨墊，其特征在于，所述磨料塊的寬度為50 200微米。
6.一種研磨墊的制備方法，包括將磨料顆粒與有機(jī)聚合物混合形成混合物；將所述混合物涂布在基底上；用模具壓制混合物，形成具有至少兩種高度的磨料塊，所述模具具有與所述磨料塊相匹配的至少兩種深度的凹印圖案；將所述磨料塊進(jìn)行固結(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述磨料顆粒為二氧化鈰、二氧化硅、金剛石、氧化鋯、氧化鋁和氮化硅中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述磨料塊的高度為2 20種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述磨料塊高度為10 50微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨墊，其特征在于，所述磨料塊由高到低或由低到高或高低間隔周期性排列在所述基底上。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述任意兩種高度的磨料塊高度至少相差3 5微米。
12.—種應(yīng)用權(quán)利要求I所述的研磨墊進(jìn)行研磨的方法，其特征在于，包括如下步驟提供研磨墊，所述研磨墊上的磨料塊具有至少兩種高度；將晶圓放置在所述研磨墊上，加入研磨液，進(jìn)行研磨。
全文摘要
一種研磨墊，包括基底和固結(jié)在所述基底上的若干分立的磨料塊，所述磨料塊具有至少兩種高度。本發(fā)明利用具有至少兩種高度的磨料塊，使得研磨墊在研磨晶圓的過程中，不會因?yàn)殚L時(shí)間的研磨導(dǎo)致研磨速率大幅下降，從而使得晶圓的研磨程度易于精確控制，提高了晶圓研磨的效果及良率。本發(fā)明還提供一種制備所述研磨墊的方法，利用該方法可以方便地制備本發(fā)明的研磨墊。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供應(yīng)用所述研磨墊進(jìn)行研磨的使用方法。
文檔編號B24D13/14GK102601747SQ20111002342
公開日2012年7月25日 申請日期2011年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月20日
發(fā)明者邵群 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司