專(zhuān)利名稱(chēng)：靶材和內(nèi)磁極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
靶材和內(nèi)磁極
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于CPA型濺射設(shè)備的靶材和內(nèi)磁極。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的靶材通過(guò)內(nèi)磁極和壓條間接固定在CPA型濺射設(shè)備基座上，由于內(nèi)磁極高度較高，導(dǎo)致靶材整體厚度大8mm)，但是厚度不均勻，靶材容易過(guò)早被擊穿。

實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種不易過(guò)早被擊穿的靶材以及與所述靶材適配的內(nèi)磁極。一種靶材，用于CPA型濺射設(shè)備，所述靶材截面為工字形，包括主體結(jié)構(gòu)、起固定作用的并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第一外結(jié)構(gòu)以及作為靶源并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第二外結(jié)構(gòu)；所述主體結(jié)構(gòu)厚度為9 13mm，所述第二外結(jié)構(gòu)厚度為6 9mm。優(yōu)選的，所述主體結(jié)構(gòu)厚度為12mm，所述第二外結(jié)構(gòu)厚度為8mm。一種內(nèi)磁極，用于CPA型濺射設(shè)備，所述內(nèi)磁極與上述靶材適配，所述內(nèi)磁極厚度為9 13mm，所述內(nèi)磁極導(dǎo)磁率為3000 4000 μ。。一種內(nèi)磁極，用于CPA型濺射設(shè)備，所述內(nèi)磁極與上述靶材適配，所述內(nèi)磁極厚度為12mm，所述內(nèi)磁極導(dǎo)磁率為3000 4000 μ。。這種靶材通過(guò)改變主體結(jié)構(gòu)和第二外結(jié)構(gòu)的厚度，使得靶材整體厚度降低，且厚度均勻，不易被過(guò)早擊穿。

圖1為一實(shí)施方式的裝配在一起的靶材和內(nèi)磁極的截面示意圖；圖2為如圖1所示的裝配在一起的靶材和內(nèi)磁極的俯視示意圖；圖3為如圖1所示的靶材的截面結(jié)構(gòu)示意圖；[0012]圖4為如圖3所示的靶材的截面俯視示意圖；圖5為如圖1所示的內(nèi)磁極的第一內(nèi)磁極的截面示意圖；圖6為如圖5所示的第一內(nèi)磁極的俯視示意圖；圖7為如圖1所示的內(nèi)磁極的第二內(nèi)磁極的截面示意圖；圖8為如圖7所示的第二內(nèi)磁極的俯視示意圖；圖9為如圖1所示的內(nèi)磁極的第三內(nèi)磁極的截面示意圖；圖10為如圖9所示的第一內(nèi)磁極的俯視示意圖；圖11為如圖1所示的內(nèi)磁極的第四內(nèi)磁極的截面示意圖；圖12為如圖11所示的第四內(nèi)磁極的俯視示意圖。
具體實(shí)施方式
傳統(tǒng)的靶材整體厚度大8mm)，但是厚度不均勻，靶材容易過(guò)早被擊穿。傳統(tǒng)的內(nèi)磁極固定截面位置高，而靶材的截面設(shè)計(jì)位置又低，靶材和內(nèi)磁極之間需要通過(guò)一塊鋁塊作為傳導(dǎo)連接固定。這樣使得靶材在基座上的固定不牢固，存在較大的接觸電阻，產(chǎn)生較大的壓降和熱量，不利于熱量的散發(fā)，同時(shí)勞動(dòng)技能要求高。我們通過(guò)改變靶材的厚度，將靶材整體厚度降低的同時(shí)維持靶材厚度均勻，使得靶材不易被過(guò)早擊穿；再設(shè)計(jì)出與靶材適配內(nèi)磁極，使得靶材和內(nèi)磁極直接接觸，靶材在基座上固定牢固，有利于熱量的散發(fā)，消除了工作時(shí)的壓降，同時(shí)對(duì)勞動(dòng)技能要求大幅降低， 靶材利用率也得到提高。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)靶材和內(nèi)磁極做進(jìn)一步的解釋說(shuō)明。如圖1和圖2所示，靶材10通過(guò)與靶材10相適配的內(nèi)磁極20直接固定在基座30 上。內(nèi)磁極20共有七塊，包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩塊第一內(nèi)磁極22、對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩塊第二內(nèi)磁極對(duì)、對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩塊第三內(nèi)磁極26以及第四內(nèi)磁極觀。兩塊第一內(nèi)磁極22和兩塊第二內(nèi)磁極M圍成方形，兩塊第三內(nèi)磁極沈和第四內(nèi)磁極28設(shè)置在靶材10中心處。如圖3和圖4所示的靶材10，截面為工字形，包括主體結(jié)構(gòu)12、起固定作用的并沿主體結(jié)構(gòu)12分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第一外結(jié)構(gòu)14以及作為靶源并沿主體結(jié)構(gòu)12分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第二外結(jié)構(gòu)16 ；主體結(jié)構(gòu)12厚度為9 13mm，第二外結(jié)構(gòu)14厚度為6 9mm ο本實(shí)施例中，主體結(jié)構(gòu)12厚度為12mm，第二外結(jié)構(gòu)14厚度為8mm。參考圖4，靶材10俯視時(shí)，中間具有空心結(jié)構(gòu)18，結(jié)合圖1，兩塊第三內(nèi)磁極沈和第四內(nèi)磁極觀即設(shè)置在靶材10中心處。內(nèi)磁極20的磁導(dǎo)率選擇在3000 4000 μ 0,厚度選擇范圍為9 13mm，
以下結(jié)合附圖具體介紹各個(gè)內(nèi)磁極的結(jié)構(gòu)。如圖5和圖6所示的第一內(nèi)磁極22為條狀，設(shè)置有若干螺孔224，參考圖1，第一內(nèi)磁極22通過(guò)螺孔224固定在基材30上。第一內(nèi)磁極22兩端設(shè)有固定面222，固定面222 與靶材10相適配即可，本實(shí)施例中，固定面222處厚度為12mm。如圖7和圖8所示的第二內(nèi)磁極M為條狀，設(shè)置有若干螺孔M4，參考圖1，第二內(nèi)磁極M通過(guò)螺孔244固定在基材30上。第二內(nèi)磁極M兩端設(shè)有固定面M2，固定面242 與靶材10相適配即可，本實(shí)施例中，固定面242處厚度為12mm。如圖9和圖10所示的第三內(nèi)磁極沈?yàn)闂l狀，設(shè)置有若干螺孔沈4，參考圖1，第三內(nèi)磁極沈通過(guò)螺孔264固定在基材30上。第三內(nèi)磁極沈兩端設(shè)有固定面沈2，固定面262 與靶材10相適配即可，本實(shí)施例中，固定面262處厚度為12mm。如圖11和圖12所示的第四內(nèi)磁極觀為條狀，設(shè)置有若干螺孔觀4，參考圖1，第三內(nèi)磁極28通過(guò)螺孔觀4固定在基材30上。第三內(nèi)磁極28兩端設(shè)有固定面282，固定面 282與靶材10相適配即可，本實(shí)施例中，固定面282處厚度為12mm。這種靶材10通過(guò)改變主體結(jié)構(gòu)12和第二外結(jié)構(gòu)14的厚度，使得靶材10整體厚度降低，且厚度均勻，不易被過(guò)早擊穿。這種靶材10利用率由原來(lái)的25. 6%提升到45. 22%，降幅達(dá)到76. 6% ；生產(chǎn)成本由原來(lái)的6. 247元降低到2. 626元，降幅達(dá)到58%。[0035]設(shè)計(jì)出與靶材10適配內(nèi)磁極20，使得靶材10和內(nèi)磁極20直接接觸，靶材10在基座30上固定牢固，有利于熱量的散發(fā)，消除了工作時(shí)的壓降，同時(shí)對(duì)勞動(dòng)技能要求大幅降低。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的一種或幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種靶材，用于CPA型濺射設(shè)備，所述靶材截面為工字形，包括主體結(jié)構(gòu)、起固定作用的并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第一外結(jié)構(gòu)以及作為靶源并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第二外結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述主體結(jié)構(gòu)厚度為9 13mm，所述第二外結(jié)構(gòu)厚度為6 9mm。
2.如權(quán)利要求1所述的靶材，其特征在于，所述主體結(jié)構(gòu)厚度為12mm，所述第二外結(jié)構(gòu)厚度為8mm。
3.—種內(nèi)磁極，用于CPA型濺射設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)磁極與如權(quán)利要求1所述的靶材適配，所述內(nèi)磁極厚度為9 13mm，所述內(nèi)磁極導(dǎo)磁率為3000 4000 μ。。
4.一種內(nèi)磁極，用于CPA型濺射設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)磁極與如權(quán)利要求2所述的靶材適配，所述內(nèi)磁極厚度為12mm，所述內(nèi)磁極導(dǎo)磁率為3000 4000 μ。。
專(zhuān)利摘要一種靶材，用于CPA型濺射設(shè)備，所述靶材截面為工字形，包括主體結(jié)構(gòu)、起固定作用的并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第一外結(jié)構(gòu)以及作為靶源并沿所述主體結(jié)構(gòu)分別向兩側(cè)延伸的兩個(gè)第二外結(jié)構(gòu)；所述主體結(jié)構(gòu)厚度為9～13mm，所述第二外結(jié)構(gòu)厚度為6～9mm。這種靶材通過(guò)改變主體結(jié)構(gòu)和第二外結(jié)構(gòu)的厚度，使得靶材整體厚度降低，且厚度均勻，不易被過(guò)早擊穿。同時(shí)公開(kāi)了一種內(nèi)磁極，用于CPA型濺射設(shè)備，所述內(nèi)磁極與上述靶材適配，所述內(nèi)磁極厚度為9～13mm，所述內(nèi)磁極導(dǎo)磁率為3000～4000μ0。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202090051SQ20102069586
公開(kāi)日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者方雪冰 申請(qǐng)人:深圳深?lèi)?ài)半導(dǎo)體股份有限公司