專利名稱：殼體的制作方法及由該方法制得的殼體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種殼體的制作方法及由該方法制得的殼體。
背景技術：
隨著科技的不斷進步，手機及計算機等各式電子裝置也迅速發(fā)展，其功能亦愈來愈豐富。為了使電子裝置的外殼具有更加豐富色彩，傳統(tǒng)上可利用彩色塑料形成彩色塑料外殼，或藉由噴漆方式在電子裝置的殼體表面形成色彩層。但是，使用塑料殼體不能呈現(xiàn)良好的金屬質感。磁控濺射技術因其環(huán)保、制備的薄膜耐磨性好、產品外觀極具金屬質感等特點，因此在裝飾性鍍膜領域應用越來越廣。通過磁控濺射雖然可以在塑料殼體上獲得較佳的金屬質感的膜層，但是膜層的顏色卻不如烤漆、陽極處理等成膜工藝的顏色豐富，嚴重限制了磁控濺射工藝在裝飾鍍膜領域的競爭力。

發(fā)明內容
鑒于此，有必要提供一種具有紫紅色金屬質感殼體的制作方法。另外，還有必要提供一種由上述方法所制得的殼體。一種殼體的制備方法，包括如下步驟提供透明的基體，對基體的表面進行遮蔽，使用鈦靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10 14SCCm，氮氣流量為115 125sccm,采用磁控濺射方法對基體進行磁控濺射，濺射時間為75 95分鐘，以在基體的另一表面形成鈦氧氮膜層；在該鈦氧氮膜層上以磁控濺射方法形成鉻膜層，濺射時間為0. 5小時，使該鈦氧氮膜層一側呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標值介于40至55，a*坐標值介于 8至10，b*坐標值介于-24至-16。一種由上述方法制得的殼體，包括透明的基體及形成于基體上的復合膜層，該復合膜層包括鈦氧氮膜層及鉻膜層，該鈦氧氮膜層直接形成于基體的表面上，該鉻膜層形成于該鈦氧氮膜層上，該復合膜層于該鈦氧氮膜層一側呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標值介于40至55，a*坐標值介于8至10，b*坐標值介于- 至-16。本發(fā)明殼體的制作方法通過于透明的基體的表面磁控濺射鈦氧氮膜層和鉻膜層的復合膜層，并通過控制濺射過程中反應氣體的流量以使所述復合膜層形成特定的微觀結構，而使所述殼體呈現(xiàn)出紫紅色并有金屬質感的外觀，豐富了磁控濺射層的顏色，提高了產品的外觀競爭力。


圖1是本發(fā)明較佳實施例的殼體的剖視示意圖。主要元件符號說明殼體10
基體11
內表面112
外表面114
復合膜層13
鈦氧氮膜層131
鉻膜層13具體實施例方式本發(fā)明一較佳實施方式的殼體10(如圖1所示)的制作方法包括如下步驟提供透明的基體11，該基體11可以為透明玻璃或透明塑料。該基體11包括內表面112及外表面114。對基體11進行表面清洗，以除去基體11表面的雜質和油污等，清洗完畢后烘干備用。所述清洗包括將基體11放入盛裝有乙醇及/或丙酮溶液的超聲波清洗器中進行震動清洗。對基體11的外表面114進行遮蔽，以防止于內表面112形成復合膜層13時對外表面114造成污染。在本優(yōu)選實施例使用高溫膠帶對外表面114進行遮蔽。將基體11固定于磁控濺射鍍膜機(圖未示)的轉架上，抽真空該鍍膜機的腔體至 8 X 10 ,并使該腔體的溫度保持在0°C左右，通入流量為400 450sCCm(標準狀態(tài)毫升/ 分鐘)的高純氬氣(工作氣體)，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10 Hsccm，氮氣流量為115 12kccm ；開啟鈦靶材的電源，設定功率為8 12kw，并設置轉架的公轉轉速為3轉每分鐘(revolution per minute, rpm)，對基體11的內表面112進行磁控濺射，以在該內表面112上形成鈦氧氮膜層131。濺射形成該鈦氧氮膜層131的時間為75 95分鐘。濺射所述鈦氧氮膜層131后，關閉鈦靶，停止通入氮氣及氧氣，然后開啟鉻靶并調節(jié)鉻靶功率為8 10kw，繼續(xù)進行磁控濺射，以在該鈦氧氮膜層131上形成鉻膜層133。濺射形成該鉻膜層133的時間為0. 5小時。所述鉻膜層133形成后，即制得所述復合膜層13。磁控濺射完成后，撕掉高溫膠帶。根據上述步驟制作的復合膜層13透過基體11的外表面114呈紫紅色，并具有較佳的金屬質感。所述的復合膜層13于鈦氧氮膜層131 —側呈現(xiàn)的色度坐標0Λ a*, b*)為 (40 55，8 10，-24 -16)。由于復合膜層13形成于基體11的內表面112，使用時，可將外表面114作為外觀面，因而可以避免復合膜層13刮傷或脫落。所述殼體10的制作方法通過于透明的基體11的內表面112磁控濺射鈦氧氮膜層 131與鉻膜層133的復合膜層13，并通過控制濺射過程中反應氣體的流量、濺射時間等，以使所述復合膜層13形成特定的微觀結構，而使所述殼體10呈現(xiàn)出紫紅色并有金屬質感的外觀。請再一次參閱圖1，由上述方法所制得的殼體10包括透明的基體11及形成于基體 11上的復合膜層13。
基體11可以為透明玻璃或塑料?；w11包括內表面112及與該內表面112相對的外表面114，該外表面114為該殼體的外觀面，該復合膜層13形成于該內表面112上。復合膜層13包括鈦氧氮膜層131及鉻膜層133。該鈦氧氮膜層131直接形成于基體11的內表面112。鉻膜層133形成于該鈦氧氮膜層131上，所述鉻膜層133的透光率較低，其可很好地阻止光線透過，給鈦氧氮膜層131起到襯底的作用，使該復合膜層13在鈦氧氮膜層131 —側所呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標值介于40至55，a*坐標值介于8至10，b*坐標值介于至-16，呈現(xiàn)為紫紅色。應該指出，上述實施方式僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發(fā)明精神內做其它變化。這些依據本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種殼體的制作方法，其包括如下步驟提供透明的基體；使用鈦靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10 14SCCm，氮氣流量為115 125sccm,采用磁控濺射方法對基體進行磁控濺射，濺射時間為75 95分鐘，以在基體的表面形成鈦氧氮膜層；在該鈦氧氮膜層上以磁控濺射方法形成鉻膜層，濺射時間為0. 5小時，使該鈦氧氮膜層一側呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標值介于40至55，a*坐標值介于8至 10，b*坐標值介于-24至-16。
2.如權利要求1所述的殼體的制作方法，其特征在于形成該鈦氧氮膜層以氬氣為工作氣體，鍍膜腔體的溫度保持在0°C，鈦靶的功率為8 12kw。
3.如權利要求1所述的殼體的制作方法，其特征在于磁控濺射該鉻膜層以鉻靶為靶材，鉻靶功率為8 10kw。
4.如權利要求1所述的殼體的制作方法，其特征在于所述基體為透明玻璃或塑料。
5.如權利要求1所述的殼體的制作方法，其特征在于所述對基體的一表面遮蔽是采用高溫膠帶進行遮蔽。
6.一種由權利要求1-5中的任一項所述的方法制得的殼體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種殼體的制作方法，其包括如下步驟提供透明的基體，對基體的表面進行遮蔽，使用鈦靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10～14sccm，氮氣流量為115～125sccm，采用磁控濺射方法對基體進行磁控濺射，以在基體的另一表面形成鈦氧氮膜層，在該鈦氧氮膜層上以磁控濺射方法形成鉻膜層，使該鈦氧氮膜層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE LAB表色系統(tǒng)的L*坐標值介于40至55，a*坐標值介于8至10，b*坐標值介于-24至-16。本發(fā)明還提供一種上述方法制得的殼體，該殼體呈現(xiàn)出紫紅色的外觀。
文檔編號C23C14/04GK102373416SQ20101026372
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月26日 優(yōu)先權日2010年8月26日
發(fā)明者萬自成, 張新倍, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司