專利名稱：用于拋光半導體襯底的邊緣的設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于拋光半導體襯底的邊緣的設備、用于這種設備的拋光墊以及 用于再生包括突出的殘留形貌(topography)的半導體襯底的表面的方法，其中所述半導 體襯底包括在所述襯底的外圍區(qū)域中由包括離子注入步驟的層轉移所產生的突出的殘留 形貌。
背景技術：
圖l所示的所謂的Smart 0^"(智能剝離)工藝提供了高質量的絕緣體上硅 (SOI)襯底。在該工藝期間，稱為操作襯底(handle substrate) 101和供體襯底(donor substrate) 103的兩個襯底，通常是硅片，經歷一定數量的工序步驟以將具有給定厚度的 供體襯底103的層轉移到操作襯底101之上。在該工藝期間，通常在供體襯底103上生成 氧化層105(例如通過熱氧化作用或氧化物的沉積作用)以稍后形成SOI結構的氧化埋層 (BOX)，并且應用離子注入步驟以形成限定待轉移的層的預定分裂區(qū)域107。隨后，源襯底 103特別是經粘接而利用范德瓦耳斯力附接到操作襯底101，以得到源-操作化合物109。 在機械和/或熱處理時，半導體層111和氧化埋層113 —起在預定分裂區(qū)域107發(fā)生分離， 以使該兩個層轉移到操作襯底101之上而獲得所希望的絕緣體上硅結構115。
供體襯底101的剩余部分117，也稱為底片，能作為新的供體襯底或操作襯底在 Smart Cut 式工藝中再循環(huán)并且再使用。該Smart Cut 式SOI制造工藝由于再循環(huán)工藝 而具有重大經濟效益。實際上，該工藝提供了對于諸如硅片的原料的最優(yōu)化利用。
如圖1所示，底片具有在邊緣區(qū)域中呈現突出的殘留物119a和119b的特征形貌， 該特征形貌與由于初始的晶片103和/或101的邊緣的形狀而沒有發(fā)生層轉移的區(qū)域相對 應。突出的區(qū)域119a和119b實際上屬于在橫截面中所見為一個基本上環(huán)形的殘留物。突 出的殘留物119a和119b之間的底片117的表面具有第一內部區(qū)域121，在該第一內部區(qū) 域121上發(fā)生分離以提供操作襯底109上的轉移層lll，并且該第一內部區(qū)域121具有相 當粗糙的表面，與標準硅片的1-3 A比較，具有由AFM測量的接近于60-70 A咖S的粗糙度 值。具有突出的殘留物119a和119b的剩余部分117的邊緣實際上具有斜面形狀并且還包 括從內部區(qū)域121所見為臺階狀的結構123，該臺階狀的結構123包括氧化埋層125的剩余 部分和在離子注入的預定分裂區(qū)域129的剩余部分之上的非轉移硅127。底片117的邊緣 131和背部133由此也被氧化物覆蓋。 底片117的臺階123通常具有大約1. 000-10. 000 A的硅和100-10. 000 A的二氧 化硅的厚度，并且具有l(wèi)-2mm量級的沿橫向的寬度w。 在將底片117作為供體襯底103或操作襯底101再使用之前，需要除去突出的殘 留形貌119a和119b。例如從EP1156531A1和US7，402，520B2已知這樣做的方法。通常，下 列工藝用于除去突出的殘留形貌再生工藝以脫氧步驟開始，以除去剩余部分117的邊緣 上的突出的殘留形貌的頂部上的以及剩余部分117的側部131和背部133上的氧化層125。 例如能利用高頻浴實現脫氧，其中酸消耗氧化層125、 131以及133。隨后，執(zhí)行襯底1的邊緣區(qū)域的第一拋光步驟以至少部分除去突出的硅部分127和注入殘留物。然后執(zhí)行雙側 拋光(DSP)步驟以改善內部區(qū)域121的表面粗糙度而且進一步沿突出的殘留形貌119a和 119b的方向除去臺階123。在DSP工藝期間，除去了大約10iim(襯底的每一側上5iim)的 襯底。最后，為在剩余部分117的前表面上獲得適當的表面粗糙度，執(zhí)行化學機械拋光步驟 (CMP)。 突出的硅部分119a和119b的去除實際上不能用CMP工藝來執(zhí)行，就這種高材料 去除而言，再生襯底的幾何形狀會退化。使用DSP，能保持所希望的幾何性質，這是因為晶片 經受浮式拋光。實際上，在DSP的情況下，晶片浮在兩個拋光墊之間，而在CMP的情況下，晶 片在背部固定到支架，這在拋光期間可能導致機械約束并且從而導致平面度退化。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種改良的再生工藝和執(zhí)行所述改良的再生工藝的設備， 以使具有大量材料去除的雙側拋光步驟不再使用。 使用用于拋光半導體襯底的邊緣的設備來實現此目的，所述半導體襯底的邊緣包 括在所述襯底的外圍區(qū)域中的突出的殘留形貌，該突出的殘留形貌由基于離子注入步驟、 結合步驟以及分離步驟的、特別是根據Smart-Cut 式工藝的轉移工藝所產生。根據本發(fā)明 的所述設備包括拋光墊和用于容納所述半導體襯底的襯底保持器，其中所述拋光墊被布置 并且構造為使得在與所述襯底保持器的表面垂直的平面中的所述拋光墊的橫截面是彎曲 的。 所述彎曲的橫截面具有的優(yōu)點在于所述突出的殘留形貌能在其整個徑向延伸范 圍內被除去，以使如現有技術中使用的雙側拋光步驟不再是必需的。這具有的獨特優(yōu)點在 于，由于使用根據本發(fā)明的所述設備，因此能執(zhí)行與已知的應用DSP的工藝相比消耗更少 材料的拋光工藝。同時，利用彎曲的墊的拋光具有的進一步優(yōu)點在于，能選擇橫截面使得特 別是所述邊緣區(qū)域中的、所述襯底的幾何形狀能保持不變，這意味著在再使用所述襯底的 情況下，由重復利用的襯底制得的產品的質量保持穩(wěn)定。因而再生工藝能更快地并且以更 低的成本執(zhí)行。 事實上，因為所述拋光墊的橫截面在與所述襯底保持器的表面垂直的平面中是彎 曲的，所以所述拋光墊的橫截面相對于定位在所述襯底保持器上的所述襯底的表面也是彎 曲的。關于此點，所述彎曲的表面朝向所述襯底保持器布置，從而當定位在所述襯底保持器 上時面向襯底。在一個優(yōu)選實施方式中，與所述襯底保持器的表面垂直的所述平面由所述 襯底保持器的法線(因此由定位在所述襯底保持器上的襯底的法線)以及定位在所述襯底 保持器上的所述襯底的徑向所限定。 優(yōu)選地，所述拋光墊能附接到墊保持器，所述墊保持器布置并構造成使得在與所 述襯底保持器的表面垂直的平面中的所述墊保持器的橫截面是彎曲的。通過提供所述彎曲 的墊保持器，可適用任何適當的(例如柔性的)拋光墊，使得其拋光側根據本發(fā)明而彎曲。
根據優(yōu)選實施方式，所述拋光墊和/或所述墊保持器的橫截面可包括凹形部分。 因而，所述拋光墊或所述墊保持器具有在面向所述襯底保持器的側部上向內彎曲的表面。 關于此點，進一步優(yōu)選地所述凹形與所述半導體襯底的所希望的最終形狀相對應，特別是 與不具有突出的形貌的邊緣區(qū)的最終形狀相對應，所述最終形狀保持所述襯底的最初幾何形狀，從而具有斜面邊緣區(qū)域。此特殊形狀具有的優(yōu)點在于，通常與所述襯底的外圍邊緣 處的臺階狀冠部相對應的突出部分能在一個步驟中被完全除去，并且甚至僅用沿一個方向 (豎直或傾斜)的一個平移運動就能被完全除去，并且能通過所述墊/所述保持器或所述襯 底保持器來完成所述突出部分的完全除去。因而，僅在技術上還易于實現的一個步驟中就 能去除不需要的突出區(qū)域，而且同時能保持所述襯底的最初幾何形狀。通過連續(xù)的彎曲或 相續(xù)直線能獲得所述凹形。 根據優(yōu)選實施方式，所述拋光墊和/或所述墊保持器的橫截面能具有至少一個凸 形部分。所述凸形具有能實現局部拋光的優(yōu)點。因而，通過編程設計所述拋光墊/拋光保 持器在待拋光的所述襯底的表面之上的移動，所述臺階狀突出的形貌也能被完全除去。最 后，當使用這種拋光墊時，能應用附加的邊緣拋光步驟，利用例如被水平(或徑向)控制的 邊緣拋光技術并且拋光所述襯底的外圍區(qū)域的外部和所述襯底的側部。由此，在晶片的斜 面邊緣上剩余的注入層也能被除去。 根據本發(fā)明的優(yōu)選變型，所述拋光墊和/或所述墊保持器的橫截面能具有定位在 兩個凸形部分之間的凹形部分。在本發(fā)明的此實施方式中，所述拋光墊或墊保持器的凹形 部分具有與所述襯底的所述邊緣區(qū)域的所希望的最終形狀相對應的形狀。所述凸形部分提 供所述突出部分的臺階狀部分和發(fā)生分離的所述襯底的內表面之間的平滑過渡。所述拋光 墊/墊保持器和所述襯底/襯底保持器之間的相對運動也僅需要沿一個方向(豎直/傾 斜)進行。 根據變型，所述拋光墊和/或所述墊保持器的橫截面能具有定位在凸形部分和/ 或凹形部分之間的至少一個平面部分。這種拋光墊/墊保持器易于實現并且允許有效地 除去所述突出的形貌的臺階狀部分，從而允許有效地除去定位在發(fā)生分離的表面之上的部 分。所述平面部分的橫向延伸適應于所述殘留物的橫向寬度。對于斜面邊緣部分，能執(zhí)行 附加的邊緣拋光以同樣地拋光所述襯底的所述邊緣區(qū)域。 優(yōu)選地，特別在具有300mm直徑的晶片的情況下，所述拋光墊和/或墊保持器能橫 向延伸至少1. 5mm，優(yōu)選地橫向延伸至少3mm。關于此點，所述橫向延伸涉及所述拋光墊/墊 保持器沿所述襯底的徑向延伸成與待拋光的所述襯底接觸。通過提供至少1. 5mm的延伸， 能除去在具有突出部分的所述襯底的圓周上的整個邊緣區(qū)域。而且通過提供至少3mm的延 伸，更可以除去在半導體片的凹口區(qū)中的、指示所述襯底的晶體方向的任何突出部分。從而 在一次運行中可以有效地拋光所述圓周邊緣區(qū)域和所述凹口區(qū)域以除去所述突出部分。因 此能進一步使工藝最優(yōu)化。 根據優(yōu)選實施方式，所述拋光墊和/或所述墊保持器在與所述襯底保持器的表面 平行的平面中是至少一段以上的環(huán)形。通過在與所述襯底表面平行的平面中以大的角范圍 延伸所述拋光墊和/或所述墊保持器，能提供大的拋光相互作用表面以使所述拋光工藝能 快速執(zhí)行。關于此點，特別優(yōu)選所述拋光墊/墊保持器的形狀是完整的環(huán)形，使得所述墊保 持器和所述襯底之間簡單的豎直平移就足以除去所述突出區(qū)域。 有利地，所述拋光墊和/或所述墊保持器能由多個段形成。通過提供多個段來代 替一個環(huán)，能以簡單的方式獲得所希望的大的拋光表面。 優(yōu)選地，所述設備還可包括控制單元，所述控制單元構造成垂直于所述襯底保持 器的所述表面移動所述拋光墊和/或所述墊保持器。從而根據所述彎曲的表面的形狀，僅提供一個平移就足以能夠除去所述襯底的所述邊緣區(qū)域中的整個殘留的突出形貌。 根據優(yōu)選實施方式，所述控制單元也可構造成在與所述襯底保持器的表面平行的
平面中移動所述拋光墊和/或所述墊保持器。在凹面或凸面的墊保持器/拋光墊的情況下，
所述整個邊緣區(qū)域仍能被拋光，因而所述突出部分和所述斜面區(qū)域也能被拋光。 本發(fā)明還涉及用于在根據上文所述的特征的設備中使用的墊保持器，其中，所述
表面構造成容納具有彎曲表面的拋光墊。使用此墊保持器，能實現如上文所述的關于所述
設備的優(yōu)點。 本發(fā)明也能用根據權利要求14的方法實現，因而用于再生半導體襯底的表面的 方法包括以下步驟利用上文所述的設備拋光所述表面的方法，其中所述半導體襯底的表 面包括由離子注入和層轉移工藝產生的、在所述襯底的外圍區(qū)域中的突出的殘留形貌。因 而使用本方法，可以再生半導體襯底而不必執(zhí)行如現有技術中的雙側拋光，以使所述襯底 能在Smart Cut 式層轉移工藝中被更經常地再使用。 優(yōu)選地，能執(zhí)行所述方法使得在拋光期間能除去更多的所述形貌的所述突出部 分，特別是，所述襯底的側部上的、特別是在斜面區(qū)域中的邊緣部分。 更優(yōu)選地，所述方法可包括脫氧步驟以除去存在于所述突出的形貌上的所有氧化 物。這進一步使所述拋光工藝變得容易。 有利地，所述方法還可包括邊緣拋光步驟。根據所述拋光墊/墊保持器的形狀，所 述邊緣拋光步驟能用來除去所述襯底的邊緣/側部上的不希望有的材料。所述拋光方法基 本上是機械拋光，但是也能作為化學機械拋光而執(zhí)行。


現將相對于附圖描述本發(fā)明的有利的實施方式 圖l示出導致包括突出的殘留形貌的供體襯底的剩余部分的SmartCutTM式轉移工 藝； 圖2示出用于拋光半導體襯底的邊緣的設備的第一實施方式； 圖3示出根據本發(fā)明的第一拋光墊的剖視圖； 圖4示出根據本發(fā)明的第二拋光墊的剖視圖； 圖5示出根據本發(fā)明的第三拋光墊的剖視圖； 圖6示出根據本發(fā)明的第四拋光墊的剖視圖；以及 圖7a和7b示出根據本發(fā)明的拋光墊的頂視圖。
具體實施例方式
圖2示意性地示出了根據本發(fā)明的用于拋光半導體襯底的邊緣的設備1的剖視 圖。設備1包括襯底保持器3和墊保持器7，該襯底保持器3構造成用于容納不屬于設備1 的半導體襯底5，該墊保持器7具有附接到其上的、面向半導體襯底5的拋光墊9。拋光用 設備1還包括控制單元11，該控制單元11構造成允許墊保持器7和襯底保持器3之間的相 對運動。此相對運動優(yōu)選地如圖中所指示地是沿豎直方向的，但是根據變型能沿如圖2所 指示的其它方向。襯底5相應于圖l所示的底片117。 如圖2所示，墊保持器7的橫截面具有在附圖平面中的彎曲形狀，由此拋光墊9的橫截面具有在附圖平面中的彎曲形狀。附圖平面與容納半導體襯底5的襯底保持器3的表 面13垂直。該附圖平面因而也是與如序言部分所說明的發(fā)生分離的襯底5的表面15垂直 的平面。此外圖2所示的橫截面對應于不但包括襯底保持器表面13和襯底5的表面15的 法線n而且包括相對于定位在襯底保持器3上的襯底5的中央的徑向r的平面。
在圖2中，示出墊保持器7與獨立的拋光墊9相結合，然而也能代替為兩個元件用 一個單一的工件來制造。為執(zhí)行拋光，當墊和襯底接觸時，拋光墊9/墊保持器7和/或襯 底保持器3實際上圍繞軸線n旋轉。 圖3示出了根據本發(fā)明的墊保持器7和拋光墊9的第一實施方式。此時兩個元件 示出為一個單元。圖3所示的剖視圖與圖2所示的剖視圖相同。 墊保持器7/拋光墊9的橫截面具有面向定位在襯底保持器3上的襯底5的凹形 部分21。墊保持器7/拋光墊9具有的凹部21至少沿橫向、因而沿襯底5的圖2中的徑向 r延伸寬度wl，該寬度wl相應于承載突出的殘留形貌23(也參見圖1)的襯底5的邊緣部 分的寬度w2。通常，寬度w2約為1. 5mm，從而wl也至少1. 5mm。 根據該變型，寬度wl選擇為至少3mm。在這種情況下，也有可能除去在半導體片的 凹口區(qū)域中的突出形貌。 選擇墊保持器7/拋光墊9的凹形21，使得其與用于襯底5的邊緣區(qū)域的所希望的 最終形狀的底片相對應。因而如圖3所示，利用拋光墊9的形狀，可以除去臺階23并且同 時也除去了邊緣區(qū)域25。通常，對圖2所示的控制單元11編程，使得去除至少如上文關于 圖1所述并且在圖3中用虛線27示出的、定位在由注入的離子限定的預定分裂區(qū)域之上的 邊緣區(qū)中的區(qū)域。因為精確的結束點相當難以實現，其中在該精確的結束點處邊緣區(qū)域中 的表面應該與發(fā)生分離的襯底5的表面15相對應，所以控制單元11能構造成使得拋光超 過表面15的水平以獲得反臺階(coimterst印)。該反臺階由圖3中的點虛線29示出。
箭頭31和33示出了關于墊保持器7/拋光墊9相對于襯底5和襯底保持器3的 移動的兩個變型，所述移動由控制單元ll控制。為除去臺階狀的突出部分23，能執(zhí)行豎直 移動31以使拋光墊9/墊保持器7和襯底5的表面接觸，或者，代替地，能執(zhí)行仍然是僅沿 一個單一方向的傾斜移動33。 在圖3中，利用連續(xù)的曲線形狀而獲得凹形。代替地，也能通過相續(xù)的直線而獲得 凹形。 在除去突出的形貌后，執(zhí)行標準的CMP拋光步驟以拋光襯底5的整個表面，從而為 再使用半導體襯底作準備。 圖4示出了根據本發(fā)明的墊保持器7' /拋光墊9'的第二實施方式。如同圖3所 示的第一實施方式，墊保持器7'/拋光墊9'具有面向定位在襯底保持器3上的襯底5的曲 面。和第一實施方式不同，在本實施方式中，本實施方式的表面具有凸形41。使用該墊保持 器7'/拋光墊9'，可以通過如箭頭43和45所示地在襯底5的表面上移動墊保持器7'/拋 光墊9'而從襯底5的臺階狀邊緣區(qū)域23局部地除去材料。然而，使用墊保持器7' /拋光 墊9'，能通過適當地對控制單元11編程以除去襯底5的邊緣區(qū)域的一部分，該襯底5的邊 緣區(qū)域的一部分在預定分裂區(qū)域27之上延伸乃至超過而獲得由點虛線29示出的反臺階， 使得如同在前的實施方式一樣不必進行DSP拋光。 根據變型，墊保持器7' /拋光墊9'也能僅沿一個方向移動，如圖3的實施方式所示沿箭頭31或33的方向移動。在這種情況下，臺階23被除去，并且執(zhí)行附加的邊緣拋光 處理步驟以除去襯底5的側部47上的不需要的材料。 圖5示出了墊保持器7"和拋光墊9"的第三實施方式。面向定位在襯底保持器3 上的襯底5的橫截面的形狀具有定位在兩個凸形部分53、55之間的平面部分51。此形狀特 別適于除去襯底5的邊緣區(qū)域中的臺階23，特別是在其與圖2示出的、由控制單元11所控 制的沿箭頭57的豎直移動相關聯(lián)時。此實施方式具有易于實現的優(yōu)點。此實施方式能與 附加的邊緣拋光步驟相關聯(lián)，以除去定位在襯底5的側部上的預定分裂區(qū)域27之上的不需 要的部分。 圖6示出了墊保持器7"'和拋光墊9"'的第四實施方式，該墊保持器7"'和拋光墊 片9"'結合了中央凹形部分61和兩個凸形部分63、65以及面向襯底5的表面15的側部。 在此實施方式中，在沿箭頭67或69的一個平移方向情況下，因而也是在沿豎直方向或傾斜 方向的情況下，用一個拋光步驟就能獲得襯底5的所希望的最終形狀，特別是在襯底5的側 部25上也獲得所希望的最終形狀，使得不再使用附加的邊緣拋光步驟。此外，由于凹形部 分和凸形部分之間的平滑過渡，在具有臺階23的區(qū)域和不具有臺階的襯底5的表面15上 的區(qū)域(發(fā)生分離的地方)之間過渡也是平滑的。 本發(fā)明的所有實施方式都具有能完全除去襯底的外圍區(qū)域中的不希望有的突出 的殘留形貌的優(yōu)點。因而如現有技術中的雙側拋光不再是必需的。從而，能將襯底再生期 間的材料去除通常限制到大約2000至12000 A，以使與具有雙側拋光的工藝相比較，襯底能 更經常地并且低成本地重復利用。 因而，根據本發(fā)明的重復利用工藝包括脫氧步驟、如上文所述利用根據本發(fā)明的
拋光設備的突出的殘留形貌拋光步驟以及取決于所使用的墊保持器/拋光墊的最后的邊
緣拋光步驟。該工藝以傳統(tǒng)的化學機械拋光步驟作為結束，以獲得如圖l所示將襯底作為
供體襯底或操作襯底而重復使用所必需的希望的表面粗糙度。 圖7a和7b示出了圖2所示的根據本發(fā)明的拋光用設備的頂視圖。 圖7a示出了根據本發(fā)明的實施方式，在該實施方式中墊保持器7具有環(huán)形形狀，
以使拋光墊7和定位在襯底保持器上的襯底5之間的相互作用表面最大化。在這種情況下，
能使用根據第一實施方式和第四實施方式的墊保持器7、7"' /拋光墊9、9"'的幾何形狀。
在這種情況下，控制單元11提供豎直移動以使墊保持器/拋光墊與襯底5的表面接觸。代
替完整的環(huán)，可提供圍繞襯底/襯底保持器的圓周分布的若干段。 圖7b示出了又一個變型，如同第二實施方式和第三實施方式，可在墊保持器必須 沿兩個方向移動的情況下應用該變型。
權利要求
一種用于拋光半導體襯底的邊緣的設備，所述半導體襯底包括由基于離子注入步驟、結合步驟以及分離步驟的層轉移工藝所產生的、在所述襯底的外圍區(qū)域中的突出的殘留形貌，所述設備包括用于容納所述半導體襯底的襯底保持器，和拋光墊，其中，所述拋光墊被布置并且構造成使得在與所述襯底保持器的表面垂直的平面中的所述拋光墊的橫截面是彎曲的。
2. 根據權利要求1所述的設備，其中，所述拋光墊附接到墊保持器，所述墊保持器被布 置并且構造成使得在與所述襯底保持器的所述表面垂直的所述平面中的所述墊保持器的 橫截面是彎曲的。
3. 根據權利要求1或2所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器的所述橫截 面包括凹形部分。
4. 根據權利要求3所述的設備，其中，所述凹形對應于所述半導體襯底的所希望的形 狀，特別是對應于不具有突出的形貌的邊緣區(qū)域的形狀。
5. 根據權利要求1至4中的任一項所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器 的所述橫截面具有至少一個凸形部分。
6. 根據權利要求3至5中的一項所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器的 所述橫截面具有定位在兩個凸形部分之間的所述凹形部分。
7. 根據權利要求3至6中的一項所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器的 所述橫截面具有定位在凸形部分和/或凹形部分之間的至少一個平面部分。
8. 根據權利要求1至7中的一項所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器橫 向延伸至少1. 5mm，優(yōu)選地延伸至少3mm。
9. 根據權利要求1至8中的一項所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器在 與所述襯底保持器的所述表面平行的平面中是至少一段以上的環(huán)形。
10. 根據權利要求9所述的設備，其中，所述拋光墊和/或所述墊保持器由多個段形成。
11. 根據權利要求1至10中的一項所述的設備，該設備還包括控制單元，所述控制單元 構造成使所述拋光墊和/或所述墊保持器垂直于所述襯底保持器的所述表面移動。
12. 根據權利要求l至ll中的一項所述的設備，其中，所述控制單元構造成使所述拋光 墊和/或所述墊保持器在與所述襯底保持器的所述表面平行的平面中移動。
13. 用于在根據權利要求1至12中的一項所述的設備中使用的墊保持器，其中，構造成 容納拋光墊的所述表面具有彎曲表面。
14. 用于再生半導體襯底的表面的方法，其中所述半導體襯底包括由基于離子注入步 驟、結合步驟以及分層步驟的層轉移工藝所產生的、在所述襯底的外圍區(qū)域中的突出的殘 留形貌，所述方法包括以下步驟利用根據權利要求1至12中的一項所述的設備來拋光所述表面。
15. 根據權利要求14所述的方法，其中，在拋光期間，除去所述形貌的更多的突出部分。
16. 根據權利要求14或15所述的方法，該方法還包括脫氧步驟，以除去存在于所述突 出的形貌上的所有氧化物。
17.根據權利要求14至16中的一項所述的方法，該方法還包括邊緣拋光步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于化學地和機械地拋光半導體襯底的邊緣的設備，所述半導體襯底包括由基于離子注入步驟、結合步驟以及分離步驟的諸如Smart-CutTM的層轉移工藝所產生的、在所述襯底的外圍區(qū)域中的突出的殘留形貌。為了能除去該臺階狀區(qū)域，所述設備包括拋光墊，其中所述拋光墊被布置和構造成使得在與襯底保持器的表面垂直的平面中的所述拋光墊的橫截面是彎曲的。本發(fā)明還涉及用于所述設備的墊保持器和用于拋光包括突出的殘留形貌的半導體襯底的方法。
文檔編號B24B37/04GK101791780SQ20101000339
公開日2010年8月4日 申請日期2010年1月19日 優(yōu)先權日2009年1月29日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·凱爾迪勒, 沃爾特·施瓦岑貝格, 阿齊茲·哈拉米-艾蒂里斯 申請人:硅絕緣體技術有限公司