技術(shù)編號(hào)：3361107
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于拋光半導(dǎo)體襯底的邊緣的設(shè)備、用于這種設(shè)備的拋光墊以及 用于再生包括突出的殘留形貌(topography)的半導(dǎo)體襯底的表面的方法，其中所述半導(dǎo) 體襯底包括在所述襯底的外圍區(qū)域中由包括離子注入步驟的層轉(zhuǎn)移所產(chǎn)生的突出的殘留 形貌。背景技術(shù)圖l所示的所謂的Smart 0^"(智能剝離)工藝提供了高質(zhì)量的絕緣體上硅 (SOI)襯底。在該工藝期間，稱為操作襯底(handle substrate) 101和供體襯底(donor substrate)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。