專利名稱：銅合金材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及銅合金材料。
背景技術(shù)：
目前，通常作為電氣電子設(shè)備用材料，除鐵系材料外，還廣泛使用電傳導(dǎo)性及熱傳 導(dǎo)性優(yōu)異的磷青銅、紅銅、黃銅等銅系材料。近年來，對電氣電子設(shè)備的小型化、輕量化、甚 至隨之而來的高密度安裝化的要求提高，對適用于這些要求的銅系材料也要求各種性能。 作為銅系材料主要尋求的性能，為實現(xiàn)制品性能，尋求機械性質(zhì)、導(dǎo)電性及彎曲加工成形 性，另外，為得到制品使用時的可靠性，尋求抗應(yīng)力松弛性能及疲勞性能。目前，疲勞性能等 要求可靠性的部件使用疲勞強度良好的鈦銅、鈹銅等高強度合金。鈦銅、鈹銅等高強度合金與磷青銅等銅合金相比，價格高昂，另外，由于鈹銅中金 屬鈹對人體有害，所以從其制造過程及對環(huán)境的考慮，期望其代替材料。近年來，制造成本較廉價且強度和導(dǎo)電率的均衡性優(yōu)異的Cu-Ni-Si系合金(科森 合金)備受關(guān)注，且被用作連接器用銅合金。Cu-Ni-Si系銅合金是形成由Ni和Si構(gòu)成的 析出物并使其強化的析出型的合金，其強化的能力非常高。通常，伴隨拉伸強度的提高，疲勞性能提高。但是，Cu-Ni-Si系合金中，拉伸強度 越高，越難以維持彎曲加工性。另外，為得到拉伸強度而對材料導(dǎo)入了高的加工率的情況 下，存在抗應(yīng)力松弛性能劣化的問題。因此，正在尋求同時滿足用于實現(xiàn)制品功能的強度 及彎曲加工性、和用于得到使用制品時的可靠性的良好的抗應(yīng)力松弛性能及疲勞性能的 Cu-Ni-Si合金的開發(fā)?？粕辖鹬校纳屏藦姸群蛷澢庸ば约皬姸群推谛阅艿母邚姸茹~合金在專利 文獻(xiàn)1 2等中已被提出。但是，如上所述，正在尋求屈服強度、彎曲加工性、抗應(yīng)力松弛性 能、疲勞性能均進(jìn)一步提高的銅合金材料。專利文獻(xiàn)1 (日本)特許第3520034號公報專利文獻(xiàn)2 (日本)特開2005-48262號公報

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的問題點，本發(fā)明的課題在于，提供具有高強度且彎曲加工性及抗應(yīng)力 松弛性能優(yōu)異且疲勞性能也優(yōu)異的適用于電氣電子設(shè)備用的端子、連接器、開關(guān)、繼電器等 的銅合金材料。本發(fā)明人等對適用于電氣電子零件用途的銅合金材料進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)在時效處 理時，在銅合金中的結(jié)晶晶界附近形成無析出帶(precipitate free zone :PFZ)，由于該無 析出帶在粒內(nèi)為較低強度，所以在對銅合金進(jìn)行加工或施加重復(fù)應(yīng)力的情況下優(yōu)先引起變 形，使彎曲加工性及疲勞性能劣化，但如果使該無析出帶的寬度變窄則可無害化。另外，通 過對晶界上存在的化合物的粒徑及晶粒直徑一并進(jìn)行控制，直至完成具有高強度、彎曲加 工性及抗應(yīng)力松弛性能優(yōu)異且疲勞性能也優(yōu)異的銅合金材料的發(fā)明。
S卩，本發(fā)明提供，<1> 一種銅合金材料，含有1.8 5.0質(zhì)量％的附，0.3 1. 7質(zhì)量％的Si，Ni和 Si的含量之比Ni/Si為3. 0 6. 0，S的含量不足0. 005質(zhì)量％，剩余部分由Cu及不可避 免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，滿足下記(1) (4)式130 X C+300 ^ TS ^ 130 X C+650…(1)0. 001 彡 d 彡 0. 020... (2)W <150... (3)10 彡 L 彡 800... (4)式中，TS表示銅合金材料的軋制平行方向(LD)的拉伸強度(MPa)，C表示銅合金 材料的Ni含量(質(zhì)量％ )，d表示銅合金材料的平均晶粒直徑(mm)，W表示無析出帶(PFZ) 的寬度(nm)，L表示結(jié)晶晶界上的化合物的平均粒徑(nm)。<2>如<1>所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0. 01 0. 20質(zhì)量％的Mg。<3>如<1>或<2>所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0. 05 1. 5質(zhì)量％的Sn。<4>如<1> <3>中任一項所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0. 2 1. 5質(zhì) 量％的211。<5>如<1> <4>中任一項所述的銅合金材料，其特征在于，還含有合計0. 005 2.0質(zhì)量％的以下(I) (IV)中的一種或兩種以上(1)0. 005 0.3質(zhì)量％的選自Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Mo、及Ag構(gòu)成的組中的一種或 兩種以上；(11)0. 01 0. 5 質(zhì)量 ％的 Mn ；(111)0. 05 2. 0 質(zhì)量 ％的 Co ；(IV)O. 005 1. 0 質(zhì)量％的 Cr。本發(fā)明的Cu-Ni-Si系銅合金材料與現(xiàn)有相比，是具有高強度，彎曲加工性、抗應(yīng) 力松弛性能及疲勞性能均優(yōu)異的銅合金材料。參照適宜添附的附圖，從下述的記載對本發(fā)明的上述及其它特征及優(yōu)點將更加了解。


圖1是本發(fā)明的銅合金材料之一例的含有無析出帶的結(jié)晶晶界附近的透射型電 子顯微鏡照片；圖2是本發(fā)明中規(guī)定的無析出帶的寬度W及晶界上的化合物的粒徑L的求取方法 的說明圖。符號說明1結(jié)晶晶界2結(jié)晶晶界上的化合物3 晶粒內(nèi)Ni2Si析出物
具體實施例方式下面，對本發(fā)明的銅合金材料的組成及合金組織，詳細(xì)說明其最佳的實施方式。另 外，本發(fā)明中，銅合金材料是指通過軋制工序加工成例如板材、條材、箔等特定形狀的銅合^^ ο銅合金中的鎳(Ni)和硅(Si)在實施時效處理時，主要形成Ni2Si相，提高強度及 導(dǎo)電率。Ni的含量為1. 8 5.0質(zhì)量％，優(yōu)選為2.0 4.8質(zhì)量％。這樣規(guī)定的理由是因 為產(chǎn)生以下問題添加量若低于1.8質(zhì)量％，則作為連接器用途的銅合金不能得到充分的 強度，若大幅超過5. 0質(zhì)量％，則鑄造時或熱加工時產(chǎn)生對強度提高沒有幫助的化合物，不 僅得不到與添加量相應(yīng)的強度，而且熱加工性降低而造成不良影響。Si的含量為0.3 1.7質(zhì)量％，優(yōu)選為0.35 1.6質(zhì)量％。這樣規(guī)定的理由是， Si量低于0. 3質(zhì)量％的情況下，時效處理得到的強度提高不充分，得不到足夠的強度，另 外，Si含量大幅超過1. 7質(zhì)量％的情況下，不僅產(chǎn)生與Ni量多的情況相同的問題，而且還 帶來導(dǎo)電率的降低。Ni和Si主要形成Ni2Si相，因此，為提高強度而存在最佳的Ni和Si之比。Si量 形成了 Ni2Si相時的Ni (質(zhì)量％ )和Si (質(zhì)量％ )之比、Ni/Si為4. 2，以該值為中心，優(yōu)選 將Ni/Si設(shè)定在3. 0 6. 0的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)定在3. 8 4. 6的范圍內(nèi)。硫(S)是在銅合金中微量含有的元素，在0.005質(zhì)量％以上時，使熱加工性惡化， 因此，其含量規(guī)定為不足0. 005質(zhì)量％。特別優(yōu)選為不足0. 002質(zhì)量％。另外，優(yōu)選在銅合金中含有鎂(Mg)。其量為0. 01 0. 20質(zhì)量％。Mg雖然大幅改善 應(yīng)力松弛性能，但對彎曲加工性帶來不良影響。為改善應(yīng)力松弛性能，Mg量為0. 01質(zhì)量％ 以上，且越多越好，但超過0. 20質(zhì)量％時，彎曲加工性不能滿足要求性能。優(yōu)選為0. 05 0. 15質(zhì)量％。另外，優(yōu)選在銅合金中含有錫(Sn)。其量為0.05 1.5質(zhì)量％。Sn和Mg相互關(guān) 聯(lián)，使應(yīng)力松弛性能更進(jìn)一步提高，但其效果不如Mg大。Sn不足0. 05質(zhì)量％時，其效果不 能充分顯現(xiàn)，超過1. 5質(zhì)量％時，導(dǎo)電率大幅度降低。優(yōu)選為0. 1 0. 7質(zhì)量％。另外，優(yōu)選在銅合金中含有鋅(Zn)。其量為0. 2 1. 5質(zhì)量％。Zn對彎曲加工性 有一定改善。通過含有0. 2 1. 5質(zhì)量％的Zn量，即使將Mg添加至最大0. 20質(zhì)量％，也 能夠得到實用上沒有問題的水平的彎曲加工性。另外，Zn改善鍍Sn及鍍錫的粘附性及遷移 性能。Zn量不足0.2質(zhì)量％時，不能充分得到其效果，超過1.5質(zhì)量％時，導(dǎo)電性降低。優(yōu) 選為0. 3 1.0質(zhì)量％。另外，在銅合金中可以添加合計0.005 0.3質(zhì)量％的鈧(Sc)、釔(Y)、鈦(Ti)、 鋯(&)、鉿(Hf)、釩(V)、鉬(Mo)、銀(Ag)中的任一種或兩種以上。Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Mo 與M或Si形成化合物，具有抑制晶粒直徑的粗大化的效果。其添加量可以在不使強度及 導(dǎo)電性等性能降低的上述范圍添加。Ag在使耐熱性及強度提高的同時，阻止晶粒的粗大化，改善彎曲加工性。Ag量不 足0. 005質(zhì)量％時，不能充分得到其效果，即使超過0. 3質(zhì)量％添加，雖然性能上沒有不良 影響，但成本升高。從這些觀點出發(fā)，Ag的含量優(yōu)選在上述的范圍。錳(Mn)具有改善熱加工性的效果，以不使導(dǎo)電性劣化的程度添加0. 01 0. 5質(zhì) 量％是有效的。鈷(Co)與Ni相同，具有與Si形成化合物而使強度提高的作用，因此，優(yōu)選含有 0. 05 2. 0質(zhì)量％的Co。含量不足0. 05質(zhì)量％時，不能充分得到其效果，超過2. 0質(zhì)量％ 時，固溶化處理后也存在對強度沒有幫助的結(jié)晶·析出物，彎曲加工性劣化。
鉻(Cr)在銅中微細(xì)析出，有助于強度提高，并且與Si或Ni和Si形成化合物，與 上述的Sc、Y、Ti、&、Hf、V、Mo組相同，具有抑制晶粒直徑粗大化的效果。在添加的情況下， 不足0. 05質(zhì)量％時，不能充分得到其效果，超過1. 0質(zhì)量％時，彎曲加工性劣化。在添加兩種以上的上述Sc、Y、Ti、&、Hf、V、Mo、Ag、Mn、Co、Cr的情況下，根據(jù)要求 性能在合計為0. 005 2. 0質(zhì)量％的范圍內(nèi)決定。本發(fā)明中，規(guī)定上述組成的銅合金材料的軋制平行方向(LD)的拉伸強度TS。另 外，熱軋及冷軋在本銅合金材料的制造工序中均在相同的方向進(jìn)行，因此，該軋制方向相 同。在端子、連接器、繼電器等用途中，為確保彈性，銅合金材料需要強度，但在通過加 工等使強度顯著提高的情況下彎曲加工性劣化。另外，Cu-Ni-Si系合金中使Ni及Si含量 增加時，強度增加，但即使是上述記載的M及Si的含量，在無益地增加的情況下成本也會 提高。從該觀點表明，即使在上述記載的M及Si的含量的范圍中也有適合各強度域的M 及Si含量存在，直至導(dǎo)出⑴式。此時，Si含量具有如上所述最適合Ni和Si的含量之比 的區(qū)域，作為代表，可通過Ni含量C來規(guī)定。拉伸強度TS過小的情況下，意味著相對于強 度，Ni、Si的含量多，成本升高。拉伸強度TS過大的情況下，意味著通過加工等使強度顯著 提高，彎曲加工性劣化。130 X C+300 ^ TS ^ 130 X C+650…(1)本發(fā)明中，TS是以JIS Z 2241為基準(zhǔn)求出的。TS優(yōu)選為 (130XC+350) ^ TS ^ (130XC+600)。本發(fā)明中，銅合金材料的母材的晶粒的平均晶粒直徑d(mm)為 0. 001彡d彡0. 020。將平均晶粒直徑d規(guī)定為0. OOlmm以上0. 02mm以下的理由是因為，平 均晶粒直徑d不足0. OOlmm時，再結(jié)晶組織容易成為混合晶粒(大小不同的晶?；旌系慕M 織)，彎曲加工性以及應(yīng)力松弛性能降低，另外，平均晶粒直徑d超過0. 020mm時，彎曲加工 時促進(jìn)應(yīng)力向晶界附近的集中，與后述的無析出帶(PFZ)及晶界上的化合物相互作用，使 彎曲加工性劣化。另外，上述晶粒直徑d設(shè)為基于JIS H 0501 (切斷法)測定的值。用于求取 上述晶粒直徑d的測定數(shù)為1000個以上。平均晶粒直徑d (mm)優(yōu)選為0. 001 ^ d^ 0. 015。無析出帶(PFZ)是在時效處理的過程中在結(jié)晶晶界附近形成且不存在析出物的 區(qū)域。圖1是本發(fā)明的銅合金材料之一例的包含無析出帶的結(jié)晶晶界附近的透射型電子 顯微鏡照片。對于無析出帶(PFZ)，由于有析出物不存在的區(qū)域，所以與晶粒內(nèi)相比相對較 軟。因此，在銅合金材料變形或負(fù)載了重復(fù)應(yīng)力的情況下，變形優(yōu)先進(jìn)行，成為破裂的起點， 另外由于位錯的蓄積而成為疲勞破損的起點。因此，PFZ寬度W窄的情況能夠緩和銅合金 組織的脆弱性。對于無析出帶的寬度W(nm)，如果150(150nm以下)，根據(jù)詳細(xì)的探討 的結(jié)果可知，對彎曲加工性及疲勞性能的劣化不會帶來大的影響。本發(fā)明中，對于PFZ寬度W而言，使射束的入射方向與(100)面一致，對銅合金板 的晶界附近以5萬倍2視場拍攝透射電子顯微鏡照片，測定每一視場5處的PFZ寬度，得到 合計10處的平均值。W優(yōu)選為0 lOOnm。結(jié)晶晶界上的化合物主要是金屬間化合物，與晶粒內(nèi)及無析出帶相比較硬。在銅 合金材料變形或負(fù)載了重復(fù)應(yīng)力的情況下，在硬的化合物和其周圍的組織中產(chǎn)生強度差， 容易在化合物附近的銅合金組織上蓄積位錯，而成為破裂的起點及疲勞破壞的起點。因此，
6晶界上的化合物小的情況能夠緩和銅合金組織的脆弱性。本發(fā)明中，晶界上的化合物的平 均粒徑L(nrn)為10彡L彡800。若化合物的平均粒徑L為800nm以下，則對彎曲加工性及 疲勞性能的劣化不會帶來大的影響。化合物的平均粒徑L優(yōu)選為500nm以下。但是，在結(jié) 晶晶界存在的化合物具有抑制晶粒的移動且微細(xì)地保持晶粒直徑的效果。因此，粒徑L為 IOnm以上，優(yōu)選為30nm以上。本發(fā)明中，晶界上的化合物的平均粒徑L為使射束的入射方向與(100)面一致， 對銅合金板的晶界以5萬倍5視場拍攝透射電子顯微鏡照片，對一個化合物測定長徑和短 徑，將平均值作為該化合物的粒徑，進(jìn)而將20個化合物的粒徑進(jìn)行平均后的值。圖2是概略性表示本發(fā)明的無析出帶的寬度W及晶界上的化合物的粒徑L的求取 方法的說明圖。圖中，1表示結(jié)晶晶界，2表示結(jié)晶晶界上的化合物，3表示晶粒內(nèi)M2Si析 出物。如圖所示，無析出帶的寬度W通過測定從結(jié)晶晶界1到由一方的晶粒形成的范圍的 邊界的距離來求得。晶界上的化合物的平均粒徑L如下求得，測定結(jié)晶晶界上的化合物2 的長徑和短徑，將平均作為其化合物的粒徑，進(jìn)而將20個化合物的粒徑進(jìn)行平均。晶粒、無析出帶、晶界化合物在銅合金變形或負(fù)載了重復(fù)應(yīng)力的情況下相互作用。 因此，平均晶粒直徑d、無析出帶的寬度W、晶界化合物的平均粒徑L僅分別滿足上述的規(guī)定 是不充分的，通過滿足其全部而可緩和銅合金組織的脆弱性。其次，對本發(fā)明的銅合金材料的優(yōu)選的制造方法進(jìn)行說明。通過通常的半連續(xù)鑄造法即所謂的DV(direct chill)鑄造法等進(jìn)行鑄造。其次， 對鑄塊以例如850 1000°C的溫度實施0. 5 6小時的均質(zhì)化處理之后，以600 1000°C 的溫度進(jìn)行熱軋。熱軋后適時進(jìn)行冷軋。熱軋后的冷卻中形成的析出物容易變得粗大，有 時在最終制品的晶界上殘存IOOOnm以上的粗大的化合物，使彎曲加工性及疲勞性能劣化。 為防止冷卻中的析出，理想的是在熱軋后進(jìn)行水冷。優(yōu)選在冷卻之后，在對氧化膜進(jìn)行端面 切削后進(jìn)行坯料軋制。坯料軋制優(yōu)選在下一工序之后的冷軋加工中以得到規(guī)定的加工率的 板厚進(jìn)行軋制。接著，固溶化處理根據(jù)Ni的含量C決定溫度來進(jìn)行。材料的實體溫度Tst (°C )優(yōu) 選在滿足(5)式的范圍進(jìn)行。54 X C+625 彡 Tst 彡 54 X C+725…(5)固溶化處理的溫度越高，晶界上的析出物的平均粒徑L越小，無析出帶的寬度W越 窄，另外，得到良好的固溶狀態(tài)，在下一工序之后的時效處理時可得到高強度。但是，在Tst 超出上限式的范圍時，有時晶粒粗大化，平均晶粒直徑d不能滿足上述的范圍，使彎曲加工 性劣化。在Tst低于下限式的情況下，有時粗軋的冷軋加工引起的位錯組織殘存，使彎曲加 工性劣化。接著，時效處理中，使Ni2Si化合物均勻分散析出于銅合金中，使強度、導(dǎo)電率提 高。優(yōu)選使用間歇爐以實體溫度350 600°C保持0. 5 12小時。時效處理時的溫度低于 350°C時，為得到充分的M2Si析出量而需要長時間，成本升高，或者拉伸強度及導(dǎo)電率不充 分。時效處理時的溫度高于600°C時，在晶粒內(nèi)形成粗大化的Ni2Si,使強度降低，在晶界附 近無析出帶的寬度W擴展，因此，有時使彎曲加工性及疲勞性能劣化。時間不足0.5小時時 有時得不到足夠的性能，成為超過12小時的長時間時，不僅成本升高，而且無析出帶的寬 度W擴展，因此，有時使加工性及疲勞性能劣化。
為進(jìn)一步提高拉伸強度，也可以在從固溶化后到進(jìn)行時效處理之間增加冷軋。由 該冷軋導(dǎo)入的位錯以促進(jìn)m2Si化合物的析出的方式作用，也具有使無析出帶W的寬度減 少的作用。該冷加工率過高時使彎曲加工性劣化，因此優(yōu)選在50%以下進(jìn)行。另外，為了也具有使無析出帶的寬度W減少的作用，也可以實施進(jìn)行兩次時效處 理。要通過兩次時效處理使無析出帶的寬度W減少，優(yōu)選將上述時效處理溫度分為溫度域 1 :350 450°C和溫度域2 450 600°C，各進(jìn)行一次在溫度域1和溫度域2的處理。此時， 在溫度域1和溫度域2進(jìn)行處理的順序可以不分先后。理想的是在溫度域1以4 12小 時的較長時間進(jìn)行處理，在溫度域2以0. 5 6小時的較短時間進(jìn)行處理。在兩次的時效 處理期間，為促進(jìn)Ni2Si化合物的析出，也可以實施50%以下的冷軋。接著時效處理，為提高拉伸強度而進(jìn)行精冷軋。在時效處理后的拉伸強度足夠的 情況下，也可以不導(dǎo)入精冷軋。在精冷軋的軋制率過高的情況下，彎曲加工性劣化，另外使 抗應(yīng)力松弛性能劣化。因此，理想的精軋的軋制率為50%以下。接著精軋進(jìn)行的低溫退火是為了在將強度維持某種程度的狀態(tài)下使拉伸、彎曲加 工性及彈性界限值回復(fù)而進(jìn)行的。在未進(jìn)行精軋的情況下，也可以省略低溫退火的工序。理 想的是在實體溫度300 600°C下進(jìn)行5 60秒的短時間的退火。退火時的溫度低于300°C 時，有時拉伸、彎曲加工性及退火界限值的回復(fù)不充分，當(dāng)退火時的溫度高于600°C時，有時 導(dǎo)致強度降低。實施例下面，對于基于本發(fā)明的實施例，與比較例進(jìn)行對比進(jìn)行更詳細(xì)說明，但本發(fā)明不 限定于這些實施例。本發(fā)明的實施例及比較例的銅合金材料通過表1所示的化學(xué)組成(剩余部分為 Cu)的銅合金(合金No. 1 25)形成。將這些銅合金用高頻熔解爐熔解，鑄造成厚度30mm、 寬度120mm、長度150mm的鑄塊，接著將這些鑄塊加熱到980°C，在該溫度保持1小時后，熱 軋至厚度12mm，迅速進(jìn)行冷卻。此時，關(guān)于合金No. 19，Ni量過多，關(guān)于合金No. 20，S量過多，關(guān)于合金No. 21，Si 量過多，關(guān)于合金No. 23，Cr量過多，關(guān)于合金No. 24及25，Zr、Ti、Hf的合計量及V、Mo、Y 的合計量過多，因此，在熱軋中發(fā)生破裂，中止下一工序以后的工序。表 1
其次，在將兩面各切削1. 5mm而除去氧化膜后，通過冷軋加工至厚度0. 16 0. 50mm。此時，合金No. 22由于Sn過多，所以在冷軋中發(fā)生邊部破裂，將下一工序之后的工 序中止。之后，以800 950°C進(jìn)行30秒熱處理，并馬上以15°C /秒以上的冷卻速度進(jìn)行冷卻。在時效處理之前，以0 50%的各種軋制率實施冷軋后(軋制率為0%的情況下 不進(jìn)行冷軋)，且在惰性氣體氛圍中以500°C實施了 2小時的時效處理。另外，乳制率0%是 指不實施軋制。另外，作為熱處理，代替上述時效處理，實施下述熱處理實施兩次的時效處 理的熱處理；在惰性氣體氛圍中進(jìn)行了 4小時的400°C的熱處理后再進(jìn)行2小時的500°C的
權(quán)利要求
一種銅合金材料，含有1.8～5.0質(zhì)量％的Ni，0.3～1.7質(zhì)量％的Si，Ni和Si的含量之比Ni/Si為3.0～6.0，S的含量不足0.005質(zhì)量％，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，滿足下記(1)～(4)式130×C+300≤TS≤130×C+650…(1)0.001≤d≤0.020…(2)W≤150…(3)10≤L≤800…(4)式中，TS表示銅合金材料的軋制平行方向(LD)的拉伸強度(MPa)，C表示銅合金材料的Ni含量(質(zhì)量％)，d表示銅合金材料的平均晶粒直徑(mm)，W表示無析出帶的寬度(nm)，L表示結(jié)晶晶界上的化合物的平均粒徑(nm)。
2.如權(quán)利要求1所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0.01 0. 20質(zhì)量％的Mg。
3.如權(quán)利要求1或2所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0.05 1. 5質(zhì)量％的Sn。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的銅合金材料，其特征在于，還含有0.2 1. 5質(zhì) 量％的211。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的銅合金材料，其特征在于，還含有合計0.005 2.0質(zhì)量％的以下(I) (IV)中的一種或兩種以上(I)0.005 0. 3質(zhì)量％的選自Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Mo、及Ag構(gòu)成的組中的一種或兩種 以上；(II)0.01 0. 5 質(zhì)量％的 Mn ；(III)0.05 2. 0 質(zhì)量％的 Co ；(IV)O.005 1. 0 質(zhì)量％的 Cr。
全文摘要
本發(fā)明提供一種銅合金材料，含有1.8～5.0質(zhì)量％的Ni，0.3～1.7質(zhì)量％的Si，Ni和Si的含量之比Ni/Si為3.0～6.0，S的含量不足0.005質(zhì)量％，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其中，滿足下記(1)～(4)式。130×C+300≤TS≤130×C+650…(1)，0.001≤d≤0.020…(2)，W≤150…(3)，10≤L≤800…(4)。式中，TS表示銅合金材料的軋制平行方向(LD)的拉伸強度(MPa)，C表示銅合金材料的Ni含量(質(zhì)量％)，d表示銅合金材料的平均晶粒直徑(mm)，W表示無析出帶的寬度(nm)，L表示結(jié)晶晶界上的化合物的平均粒徑(nm)。
文檔編號C22F1/08GK101946014SQ20098010539
公開日2011年1月12日 申請日期2009年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月18日
發(fā)明者廣瀨清慈, 江口立彥 申請人:古河電氣工業(yè)株式會社