專利名稱：腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備，特別涉及一種對(duì)硅片表面進(jìn)行 腐蝕處理的腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越需要把不同的器件集成在一起。目 前較為常用的，是在完成電路制作的硅片的背面做上一層金屬，以達(dá)到該電路散熱和與其 他電子器件連接的目的。硅片表面容易被氧化而生成二氧化硅(Si02)，而影響硅片與金屬 的接觸，進(jìn)而影響與其他器件的連接性能，最終將影響產(chǎn)品整體的工作性能。現(xiàn)有技術(shù)中， 通常采用濕法腐蝕的方法來(lái)去除硅片表面的二氧化硅，即通過(guò)人工操作將硅片放入到裝有 氫氟酸溶液的容器中進(jìn)行浸泡，然后再用水對(duì)硅片進(jìn)行清洗，最后再對(duì)硅片經(jīng)行烘干處理。然而，這種通過(guò)將硅片浸泡在腐蝕溶液進(jìn)行腐蝕以去除二氧化硅的方法，在清洗 烘干后，二氧化硅又易于重新生長(zhǎng)出來(lái)，從而導(dǎo)致工藝質(zhì)量和產(chǎn)品良率下降。另外，經(jīng)過(guò)烘 干的過(guò)程，由于水的表面張力的作用，使在微電機(jī)械系統(tǒng)的釋放工藝中造成硅的懸臂梁與 基底產(chǎn)生粘連現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致工藝質(zhì)量和產(chǎn)品良率下降。此外，由于氫氟酸具有劇毒性，尤 其對(duì)人體的皮膚及骨頭具有強(qiáng)烈的腐蝕作用，通過(guò)人工操作很容易因保護(hù)措施不完善而對(duì) 人體產(chǎn)生傷害，以及對(duì)環(huán)境造成污染。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕處理時(shí)存在的二氧化 硅易重生、產(chǎn)品良率較低、工藝步驟復(fù)雜、安全隱患和環(huán)境污染等技術(shù)問題，本實(shí)用新型提 供一種腐蝕腔裝置及使用該腐蝕腔裝置的氣相腐蝕設(shè)備。本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案如下本實(shí)用新型提供一種氣相腐蝕設(shè)備，其包括一腐蝕氣體產(chǎn)生裝置和一腐蝕腔裝 置，該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置將產(chǎn)生的氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到該腐蝕腔裝置；該腐蝕 腔裝置包括一腔體、一上蓋、至少一進(jìn)氣端、至少一排氣端和至少一用于承載硅片的承載裝 置，該上蓋位于該腔體的頂部，該承載裝置位于該腔體的底部，該進(jìn)氣端和該排氣端分別位 于該腔體的兩端，該進(jìn)氣端與該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置相連。所述的氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一與該腐蝕腔裝置的排氣端相連的尾氣收集裝 置，該尾氣收集裝置對(duì)該腐蝕腔裝置生成附產(chǎn)物尾氣進(jìn)行回收處理。所述的氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一氮?dú)廨斎胙b置，該氮?dú)廨斎胙b置將氮?dú)廨斎氲?該腐蝕氣體生成裝置。所述的氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一 PLC控制裝置，該氮?dú)廨斎胙b置和該承載裝置 在該P(yáng)LC控制裝置控制下工作。所述的腐蝕氣體產(chǎn)生裝置包括一液體容器、一進(jìn)氣管和一出氣管，該液體容器內(nèi) 裝載氫氟酸溶液，該進(jìn)氣管和該出氣管都穿過(guò)該液體容器的頂部，該進(jìn)氣管的一端接收外部輸入的氮?dú)?，該進(jìn)氣管的另一端延伸到該裝載氫氟酸溶液的液體容器的底部，該出氣管 的一端延伸到該液體容器內(nèi)且鄰近該液體容器的頂部，并且其未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟 酸溶液，該出氣管的另一端與該腐蝕腔裝置的進(jìn)氣端相連。所述的腐蝕氣體產(chǎn)生裝置包括一液體容器、一液體回收容器、一第一進(jìn)氣管、一第 二進(jìn)氣管、一第一出氣管和一第二出氣管，該液體容器內(nèi)裝載氫氟酸溶液，該液體回收容器 裝載有空氣，該第一進(jìn)氣管和該第一出氣管都穿過(guò)該液體容器的頂部，該第二進(jìn)氣管和該 第二出氣管都穿過(guò)該液體回收容器的頂部，該第一進(jìn)氣管的一端與該氮?dú)廨斎胙b置的氣體 容器端口相連，該第一進(jìn)氣管的另一端延伸到該裝載氫氟酸溶液的液體容器的底部，該第 一出氣管的一端延伸到該液體容器內(nèi)且鄰近該液體容器的頂部，并且該第一出氣管的一端 未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟酸溶液，另一端與該第二進(jìn)氣管相連，該第二出氣管與該腐蝕 腔裝置的進(jìn)氣端相連。所述的承載裝置包括一載片盤、一旋轉(zhuǎn)軸和一動(dòng)力裝置，該載片盤位于該腔體內(nèi) 的底部，該旋轉(zhuǎn)軸的一端穿過(guò)該腔體與該載片盤的底部固定連接，另一端與該動(dòng)力裝置傳 動(dòng)連接，該動(dòng)力裝置位于該承載裝置的底部，該動(dòng)力裝置驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使得該載片盤 在該旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型還提供一種腐蝕腔裝置，其包括一腔體、一上蓋、至少一進(jìn)氣端、至少 一排氣端和至少一用于承載硅片的承載裝置，該上蓋位于該腔體的頂部，該承載裝置位于 該腔體的底部，該進(jìn)氣端和該排氣端分別位于該腔體的兩端。所述的承載裝置包括一載片盤、一旋轉(zhuǎn)軸和一動(dòng)力裝置，該載片盤位于該腔體內(nèi) 的底部，該旋轉(zhuǎn)軸的一端穿過(guò)該腔體與該載片盤的底部固定連接，另一端與該動(dòng)力裝置傳 動(dòng)連接，該動(dòng)力裝置驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使得該載片盤在該旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。所述的腐蝕腔裝置可以收容裝載有硅片的外部裝載架，并使得該裝載架固定在該 承載裝置的載片盤上。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型所述的腐蝕腔裝置及使用該腐蝕腔裝置的氣相腐蝕 設(shè)備的主要有益效果在于(1).本實(shí)用新型所述的氣相腐蝕設(shè)備是將氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到所述 的腐蝕腔裝置，在該腐蝕腔裝置內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行充分腐蝕，從而使得硅片表面的二氧化硅被 均勻腐蝕掉，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。另外，氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w腐蝕硅片表面的二氧化 硅而生成附產(chǎn)物尾氣，該附產(chǎn)物尾氣被氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w直接帶走，使得硅片的表 面保持干燥和清潔，因而節(jié)省了后續(xù)的清洗工藝，并且解決了二氧化硅重生和由于水的表 面張力而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)粘連現(xiàn)象所帶來(lái)的技術(shù)問題。(2).本實(shí)用新型所述的腐蝕腔裝置及使用該腐蝕腔裝置的氣相腐蝕設(shè)備都采用 密閉的空間，并通過(guò)PLC控制裝置自動(dòng)控制該氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)行工作，不需要進(jìn)行人工清 洗操作，使得生產(chǎn)操作安全，且易于環(huán)境保護(hù)。(3).所述的腐蝕腔裝置可以收容裝載硅片的外部裝載架，并將該裝載架固定在該 承載裝置的載片盤上，使得裝載在外部裝載架上的硅片不需要取下即可直接進(jìn)行腐蝕二氧 化硅的工藝步驟，從而使得在大規(guī)模半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造中減少操作步驟，提高生產(chǎn)效率。
圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施方式氣相腐蝕設(shè)備的方框示意圖。圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施方式氣相腐蝕設(shè)備的腐蝕腔裝置的側(cè)視圖。圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施方式氣相腐蝕設(shè)備的腐蝕腔裝置的俯視圖。
具體實(shí)施方式本實(shí)用新型涉及一種氣相腐蝕設(shè)備，
以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方 案第一實(shí)施方式如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種氣相腐蝕設(shè)備，其包括一 PLC控制裝置10、一氮 氣輸入裝置20、一腐蝕氣體產(chǎn)生裝置30、一腐蝕腔裝置40和一尾氣收集裝置50。該P(yáng)LC控 制裝置10控制該氮?dú)廨斎胙b置20將氮?dú)廨斎氲皆摳g氣體產(chǎn)生裝置30 ；該腐蝕氣體產(chǎn)生 裝置30將產(chǎn)生的氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到該腐蝕腔裝置40 ；該腐蝕腔裝置40在該 PLC控制裝置10的控制下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，使得放置在其內(nèi)部的硅片被充分腐蝕并生成附產(chǎn)物尾 氣；該尾氣收集裝置50將附產(chǎn)物尾氣以及部分氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w收集到其內(nèi)部，并 進(jìn)行回收處理。該P(yáng)LC控制裝置10包括一控制臺(tái)、一顯示器和一處理器。該顯示器與該處理器電 性相連，用來(lái)顯示該氣相腐蝕設(shè)備的參數(shù)信息。該控制臺(tái)用來(lái)接收外部的輸入指令，并將輸 入指令提供給該處理器。該處理器用來(lái)將輸入指令轉(zhuǎn)換為控制信號(hào)，并將控制信號(hào)分別輸 出到該氮?dú)廨斎胙b置20和該腐蝕腔裝置40以控制它們的工作狀態(tài)。該氮?dú)廨斎胙b置20包括一氣體容器和一開關(guān)裝置。該氣體容器用來(lái)裝載氮?dú)狻Ｔ?開關(guān)裝置接收該P(yáng)LC控制裝置10的處理器輸出的控制信號(hào)，以控制該氣體容器端口的開啟 或關(guān)閉，即控制氮?dú)獾妮敵龌蛲Ｖ馆敵?。該開關(guān)裝置在該P(yáng)LC控制裝置10控制下，可以控 制該氣體容器按照不同的流速輸出氮?dú)?。該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置30使得輸入的氮?dú)鈹y帶氫氟酸氣體并一起輸出到該腐蝕腔 裝置40，其包括一液體容器、一進(jìn)氣管和一出氣管。該液體容器用來(lái)裝載氫氟酸溶液。該進(jìn) 氣管和該出氣管都穿過(guò)該液體容器的頂部。該進(jìn)氣管的一端與該氮?dú)廨斎胙b置20的氣體 容器端口相連，該進(jìn)氣管的另一端延伸到該液體容器的底部。該出氣管的一端延伸到該液 體容器內(nèi)且鄰近該液體容器的頂部，并且其未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟酸溶液，另一端與 該腐蝕腔裝置40相連。該腐蝕腔裝置40包括一腔體410、一上蓋420、一進(jìn)氣端430、一排氣端440和一承 載裝置(未標(biāo)示)。該上蓋420位于該腔體410的頂部，其為上下開啟結(jié)構(gòu)。該承載裝置 位于該腔體410的底部。該進(jìn)氣端430和該排氣端440分別位于該腔體410的兩端。該進(jìn) 氣端430與該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置30的出氣管相連，該排氣端440與該尾氣收集裝置50相 連。該承載裝置包括一載片盤451、一旋轉(zhuǎn)軸452和一動(dòng)力裝置(圖未示)。該載片盤451 位于該腔體410內(nèi)的底部，用來(lái)承載硅片。該旋轉(zhuǎn)軸452的一端穿過(guò)該腔體410與該載片 盤451的底部固定連接，另一端與該動(dòng)力裝置傳動(dòng)連接。該動(dòng)力裝置位于該承載裝置的底 部，其接收該P(yáng)LC控制裝置10的處理器輸出的控制信號(hào)，以確定是否驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn) 而確定該載片盤是否在該旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。該動(dòng)力裝置在該P(yáng)LC控制裝置10的控制下可以以不同的轉(zhuǎn)速進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。該動(dòng)力裝置為氣動(dòng)馬達(dá)或電動(dòng)馬達(dá)。該尾氣收集裝置50與該腐蝕腔裝置40的排氣端相連。該尾氣收集裝置50用于 對(duì)該腐蝕腔裝置40輸出的附產(chǎn)物尾氣以及部分氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w進(jìn)行回收處理， 如可將附產(chǎn)物尾氣及氫氟酸氣體與預(yù)定的媒介進(jìn)行反應(yīng)而生成無(wú)害氣體，或者直接將附產(chǎn) 物尾氣進(jìn)行液化處理。第二實(shí)施方式本實(shí)用新型所提供的第二實(shí)施方式氣相腐蝕設(shè)備與第一實(shí)施方式氣相腐蝕設(shè)備 大致相同，其主要區(qū)別在于所述的腐蝕氣體產(chǎn)生裝置為雙源瓶裝置，其包括一液體容器、 一液體回收容器、一第一進(jìn)氣管、一第二進(jìn)氣管、一第一出氣管和一第二出氣管，該液體容 器內(nèi)裝載氫氟酸溶液，該液體回收容器僅裝載有空氣，該第一進(jìn)氣管和該第一出氣管都穿 過(guò)該液體容器的頂部，該第二進(jìn)氣管和該第二出氣管都穿過(guò)該液體回收容器的頂部。該第 一進(jìn)氣管的一端與該氮?dú)廨斎胙b置的氣體容器端口相連，該第一進(jìn)氣管的另一端延伸到該 裝載氫氟酸溶液的液體容器的底部。該第一出氣管的一端延伸到該液體容器內(nèi)且鄰近該液 體容器的頂部，并且其未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟酸溶液，另一端與該第二進(jìn)氣管相連。該 第二出氣管與該腐蝕腔裝置的進(jìn)氣端相連。該液體容器輸出的氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w先 進(jìn)入到該液體回收容器，再經(jīng)該液體回收容器進(jìn)入到所述的腐蝕腔裝置，使得該液體回收 容器收集氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w攜帶的氫氟酸溶液，從而避免氫氟酸溶液進(jìn)入到所述腐 蝕腔裝置而導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降的技術(shù)問題。本實(shí)用新型所述的腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備并不限于上述實(shí)施方式所述，如 所述的腐蝕腔裝置可以收容裝載有硅片的外部裝載架，并使得該裝載架固定在該承載裝置 的載片盤上，進(jìn)而使得該裝載架隨著該載片盤轉(zhuǎn)動(dòng)而進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)；所述的承載裝置的數(shù)量根 據(jù)實(shí)際需要，也可以設(shè)置為多個(gè)；所述的進(jìn)氣端和排氣端的數(shù)量為多個(gè)，可以設(shè)置在該腔體 的多個(gè)不同的位置。本實(shí)用新型提供了腐蝕腔裝置及氣相腐蝕設(shè)備，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的 主要有益效果在于(1).本實(shí)用新型所述的氣相腐蝕設(shè)備是將氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到所述 的腐蝕腔裝置，在該腐蝕腔裝置內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行充分腐蝕，從而使得硅片表面的二氧化硅被 均勻腐蝕掉，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。另外，氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w腐蝕硅片表面的二氧化 硅而生成附產(chǎn)物尾氣，該附產(chǎn)物尾氣被氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w直接帶走，使得硅片的表 面保持干燥和清潔，因而節(jié)省了后續(xù)的清洗工藝，并且避免了二氧化硅重生和由于水的表 面張力而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)粘連現(xiàn)象所帶來(lái)的技術(shù)問題。(2).本實(shí)用新型所述的腐蝕腔裝置及使用該腐蝕腔裝置的氣相腐蝕設(shè)備都采用 密閉的空間，并通過(guò)PLC控制裝置自動(dòng)控制該氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)行工作，不需要進(jìn)行人工清 洗操作，使得生產(chǎn)操作安全，且利于環(huán)境保護(hù)。(3).所述的腐蝕腔裝置可以收容裝載硅片的外部裝載架，并將該裝載架固定在該 承載裝置的載片盤上，使得裝載在外部裝載架上的硅片不需要取下即可直接進(jìn)行腐蝕二氧 化硅的工藝步驟，從而使得在大規(guī)模半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造中減少操作步驟，提高生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求一種氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該氣相腐蝕設(shè)備包括一腐蝕氣體產(chǎn)生裝置和一腐蝕腔裝置，該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置將其產(chǎn)生的氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到該腐蝕腔裝置；該腐蝕腔裝置包括一腔體、一上蓋、至少一進(jìn)氣端、至少一排氣端和至少一用于承載硅片的承載裝置，該上蓋位于該腔體的頂部，該承載裝置位于該腔體的底部，該進(jìn)氣端和該排氣端分別位于該腔體的兩端，該進(jìn)氣端與該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置相連。
2.如權(quán)利要求1所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一與 該腐蝕腔裝置的排氣端相連的尾氣收集裝置，該尾氣收集裝置對(duì)該腐蝕腔裝置生成附產(chǎn)物 尾氣以及部分氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w進(jìn)行回收處理。
3.如權(quán)利要求2所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一氮 氣輸入裝置，該氮?dú)廨斎胙b置將氮?dú)廨斎氲皆摳g氣體生成裝置。
4.如權(quán)利要求1或3所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該氣相腐蝕設(shè)備進(jìn)一步包括一 PLC控制裝置，該氮?dú)廨斎胙b置和該承載裝置在該P(yáng)LC控制裝置控制下工作。
5.如權(quán)利要求1所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置包括一液體 容器、一進(jìn)氣管和一出氣管，該液體容器內(nèi)裝載氫氟酸溶液，該進(jìn)氣管和該出氣管都穿過(guò)該 液體容器的頂部，該進(jìn)氣管的一端接收外部輸入的氮?dú)?，該進(jìn)氣管的另一端延伸到該裝載 氫氟酸溶液的液體容器的底部，該出氣管的一端延伸到該液體容器內(nèi)且鄰近該液體容器的 頂部，并且其未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟酸溶液，該出氣管的另一端與該腐蝕腔裝置的進(jìn) 氣端相連。
6.如權(quán)利要求1所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，所述的腐蝕氣體產(chǎn)生裝置包括一 液體容器、一液體回收容器、一第一進(jìn)氣管、一第二進(jìn)氣管、一第一出氣管和一第二出氣管， 該液體容器內(nèi)裝載氫氟酸溶液，該液體回收容器裝載有空氣，該第一進(jìn)氣管和該第一出氣 管都穿過(guò)該液體容器的頂部，該第二進(jìn)氣管和該第二出氣管都穿過(guò)該液體回收容器的頂 部，該第一進(jìn)氣管的一端與該氮?dú)廨斎胙b置的氣體容器端口相連，該第一進(jìn)氣管的另一端 延伸到該裝載氫氟酸溶液的液體容器的底部，該第一出氣管的一端延伸到該液體容器內(nèi)且 鄰近該液體容器的頂部，并且該第一出氣管的一端未接觸該液體容器內(nèi)的氫氟酸溶液，另 一端與該第二進(jìn)氣管相連，該第二出氣管與該腐蝕腔裝置的進(jìn)氣端相連。
7.如權(quán)利要求1所述的氣相腐蝕設(shè)備，其特征在于，該承載裝置包括一載片盤、一旋轉(zhuǎn) 軸和一動(dòng)力裝置，該載片盤位于該腔體內(nèi)的底部，該旋轉(zhuǎn)軸的一端穿過(guò)該腔體與該載片盤 的底部固定連接，另一端與該動(dòng)力裝置傳動(dòng)連接，該動(dòng)力裝置位于該承載裝置的底部，該動(dòng) 力裝置驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使得該載片盤在該旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
8.一種腐蝕腔裝置，其特征在于，該腐蝕腔裝置包括一腔體、上蓋、至少一進(jìn)氣端、至少 一排氣端和至少一用于承載硅片的承載裝置，該上蓋位于該腔體的頂部，該承載裝置位于 該腔體的底部，該進(jìn)氣端和該排氣端分別位于該腔體的兩端。
9.如權(quán)利要求8所述的腐蝕腔裝置，其特征在于，該承載裝置包括一載片盤、一旋轉(zhuǎn)軸 和一動(dòng)力裝置，該載片盤位于該腔體內(nèi)的底部，該旋轉(zhuǎn)軸的一端穿過(guò)該腔體與該載片盤的 底部固定連接，另一端與該動(dòng)力裝置傳動(dòng)連接，該動(dòng)力裝置位于該承載裝置的底部，該動(dòng)力 裝置驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使得該載片盤在該旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)下進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
10.如權(quán)利要求9所述的腐蝕腔裝置，其特征在于，該腐蝕腔裝置用來(lái)收容裝載有硅片 的外部裝載架，并使得該裝載架固定在該承載裝置的載片盤上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種腐蝕腔裝置及使用該腐蝕腔裝置的氣相腐蝕設(shè)備。該氣相腐蝕設(shè)備包括一腐蝕氣體產(chǎn)生裝置和一腐蝕腔裝置，該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置將產(chǎn)生的氮?dú)夂蜌浞岬幕旌蠚怏w輸入到該腐蝕腔裝置；該腐蝕腔裝置包括一腔體、一上蓋、至少一進(jìn)氣端、至少一排氣端和至少一用于承載硅片的承載裝置，該上蓋位于該腔體的頂部，該承載裝置位于該腔體的底部，該進(jìn)氣端和該排氣端分別位于該腔體的兩端，該進(jìn)氣端與該腐蝕氣體產(chǎn)生裝置相連。本實(shí)用新型使得硅片表面得到均勻腐蝕，提高了產(chǎn)品的良率，并且生產(chǎn)操作安全，利于環(huán)境保護(hù)。
文檔編號(hào)C23F1/12GK201593065SQ200920260358
公開日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日
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