專利名稱：Smd石英方片圓孔游輪研磨工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于石英晶片的研磨，特別是指一種SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器、振蕩器廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，市場需求量非常大。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，市場對高精度、高穩(wěn)定性石英諧振器需求量增加，由于石英晶體諧振器、振蕩器的高精度和高穩(wěn)定性與石英晶片的頻率寄生和切割角度有密切的關(guān)系，它們要求石英晶片頻率寄生遠(yuǎn)，晶片角度集中；但是目前石英晶片在研磨加工過程中，容易出現(xiàn)研磨后角度中心出現(xiàn)偏移，大方片切割成小條片以后角度的離散度增大；而且高頻頻率寄生多，離主振頻率比較接近的現(xiàn)象；使大量晶片無法滿足成品加工所要求，從而造成生產(chǎn)上的浪費。
因此在提高產(chǎn)品品質(zhì)、節(jié)約資源等方面的綜合考慮下，亟需一種能改善晶片頻率寄生，改善石英晶片研磨后角度發(fā)散的加工方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，能夠有效改善石英
晶片研磨后角度中心偏移，大方片切割成小條片以后角度發(fā)散，改善高頻石英晶片的頻率
寄生，提高產(chǎn)品品質(zhì)。 本發(fā)明的整體技術(shù)構(gòu)思是 SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，包括如下工藝步驟 A、改方加工將線切割后的晶片制成晶坨后進(jìn)行改方處理，處理后的方片尺寸為9X10mm 12Xllmm ; B、倒角加工對改方后的晶坨進(jìn)行倒角加工，倒角的規(guī)格為0. 3 0. 7mm ;
C、化坨將步驟B中制備的晶坨化成晶片； D、研磨采用圓孔游輪對步驟B制備的晶片進(jìn)行研磨，每研磨完一盤，圓孔游輪翻面后再碼入步驟C制備的晶片進(jìn)行研磨；其中研磨設(shè)備的工藝參數(shù)為機(jī)器平面度
為±0. 005mm，機(jī)器盤面平行度為0 0. Olmm，研磨液流速為8 12滴/秒，機(jī)器轉(zhuǎn)速為25rpm 33rpm/m ; E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片檢驗角度、腐蝕頻率選分。
本發(fā)明各工藝步驟的的具體技術(shù)參數(shù)是 步驟c中研磨液的各組份的質(zhì)量比為水研磨砂101懸浮劑=13 :5:2。研磨砂采用GC3000#綠碳化硅，粒徑為0. 0035 0. 0045mm。 研磨砂的研磨量小于0. 6mm/次，每次更換新研磨液后先修盤1 1. 5小時，再進(jìn)行晶片研磨。 所述的101懸浮劑采用表面活性碳合成。 101懸浮劑為天津市華翔電子材料有限公司生產(chǎn)，型號為WH-101研磨劑。 步驟C中的圓孔游輪的厚度為0. 090mm，研磨頻率從11210KHz 17500KHz，圓孔游輪的孔徑為小r，小r 二步驟B中制備的方片(長X長+寬X寬)1/2-(0.3 0. 7) X2+(0. 3 0. 7)mm。 步驟C中的研磨設(shè)備采用湖南宇晶6B研磨機(jī)。 步驟E中所述的粘坨是將步驟D中研磨好的晶片粘成長度為22±0. lmm的晶坨，
切坨是將晶坨切割成2. 15X10X22mm的大坨或2. 0X1. 49X22mm的小坨。 步驟E中所述的磨坨是將對切割后的大坨或小坨進(jìn)行研磨，去掉晶坨切割的破壞
層，并把大坨研磨到厚度為2. Omm或?qū)⑿≯缪心サ胶穸葹?. 32mm。 本發(fā)明所取得的實質(zhì)性特點和顯著的技術(shù)進(jìn)步在于 1、研磨后晶片的角度離散度小，角度中心偏移小，方便生產(chǎn)中角度控制。 2、大片切割成小晶片后，離散度增加小，有效提高晶片角度的一致性。 3、有效改善了石英晶片研磨后的頻率寄生，減少了白片分頻時的寄生不良現(xiàn)象。
具體實施例方式以下結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限定。
本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書記載的內(nèi)容為準(zhǔn)。
實施例1 SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，包括如下工藝步驟 A、改方加工將線切割后的晶片制成晶坨后進(jìn)行改方處理，處理后的方片尺寸為 9X10mm ; B、倒角加工對改方后的晶坨進(jìn)行倒角加工，倒角的規(guī)格為0. 5mm ;
C、化坨將步驟B中制備的晶坨化成晶片； D、研磨采用圓孔游輪對步驟B制備的晶片進(jìn)行研磨，每研磨完一盤，圓孔游輪 翻面后再碼入步驟C制備的晶片進(jìn)行研磨；其中研磨設(shè)備的工藝參數(shù)為機(jī)器平面度為 ±0. 005mm，機(jī)器盤面平行度為0. 005mm，研磨液流速為10滴/秒，機(jī)器轉(zhuǎn)速為30rpm ;
E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片檢驗角度、腐蝕頻率選分。
本實施例中各工藝步驟的的具體技術(shù)參數(shù)是 步驟c中研磨液的各組份的質(zhì)量比為水研磨砂101懸浮劑=13 :5:2。 研磨砂采用GC3000#綠碳化硅，粒徑為0. 004mm。 研磨砂的研磨量小于0. 6mm/次，每次更換新研磨液后先修盤1小時，再進(jìn)行晶片 研磨。 所述的101懸浮劑采用表面活性碳合成。 101懸浮劑為天津市華翔電子材料有限公司生產(chǎn)，型號為WH-101研磨劑。
步驟C中的圓孔游輪的厚度為0. 090mm，研磨頻率為從11210KHz 15000KHz， 圓孔游輪的孔徑為小r，小r 二步驟B中制備的方片(長X長+寬X寬)1/2-(0.3 0. 7) X2+(0. 3 0. 7)mm。 步驟C中的研磨設(shè)備采用湖南宇晶6B研磨機(jī)。 步驟E中所述的粘坨是將步驟D中研磨好的晶片粘成長度為22±0. lmm的晶坨， 切坨是將晶坨切割成2. 15X10X22mm的大坨。 步驟E中所述的磨坨是將對切割后的大坨或小坨進(jìn)行研磨，去掉晶坨切割的破壞
4層，并把大坨研磨到厚度為2. 0mm。
實施例2 SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，包括如下工藝步驟 A、改方加工將線切割后的晶片制成晶坨后進(jìn)行改方處理，處理后的方片尺寸為 12Xllmm ; B、倒角加工對改方后的晶坨進(jìn)行倒角加工，倒角的規(guī)格為0. 6mm ;
C、化坨將步驟B中制備的晶坨化成晶片； D、研磨采用圓孔游輪對步驟B制備的晶片進(jìn)行研磨，每研磨完一盤，圓孔游 輪翻面后再碼入步驟C制備的晶片進(jìn)行研磨；其中研磨設(shè)備的工藝參數(shù)為機(jī)器平面度 為±0. 005mm，機(jī)器盤面平行度為0. Olmm，研磨液流速為12滴/秒，機(jī)器轉(zhuǎn)速為25rpm 33rpm/m ; E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片檢驗角度、腐蝕頻率選分。
本發(fā)明各工藝步驟的的具體技術(shù)參數(shù)是 步驟c中研磨液的各組份的質(zhì)量比為水研磨砂101懸浮劑=13 :5:2。研磨砂采用GC3000#綠碳化硅，粒徑為0. 0035 0. 0045mm。 研磨砂的研磨量小于0. 6mm/次，每次更換新研磨液后先修盤1. 5小時，再進(jìn)行晶 片研磨。 所述的101懸浮劑采用表面活性碳合成。 101懸浮劑為天津市華翔電子材料有限公司生產(chǎn)，型號為WH-101研磨劑。
步驟C中的圓孔游輪的厚度為0. 090mm，研磨頻率從11210KHz 17500KHz， 圓孔游輪的孔徑為小r，小r 二步驟B中制備的方片(長X長+寬X寬)1/2-(0.3 0. 7) X2+(0. 3 0. 7)mm。 步驟C中的研磨設(shè)備采用湖南宇晶6B研磨機(jī)。 步驟E中所述的粘坨是將步驟D中研磨好的晶片粘成長度為22±0. lmm的晶坨， 切坨是將晶坨切割2. OX 1. 49X22mm的小坨。 步驟E中所述的磨坨是將對切割后的大坨或小坨進(jìn)行研磨，去掉晶坨切割的破壞 層，并把小坨研磨到厚度為1. 32mm。
權(quán)利要求
SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于包括如下工藝步驟A、改方加工將線切割后的晶片制成晶坨后進(jìn)行改方處理，處理后的方片尺寸為9×10mm～12×11mm；B、倒角加工對改方后的晶坨進(jìn)行倒角加工，倒角的規(guī)格為0.3～0.7mm；C、化坨將步驟B中制備的晶坨化成晶片；D、研磨采用圓孔游輪對步驟B制備的晶片進(jìn)行研磨，每研磨完一盤，圓孔游輪翻面后再碼入步驟C制備的晶片進(jìn)行研磨；其中研磨設(shè)備的工藝參數(shù)為機(jī)器平面度為±0.005mm，機(jī)器盤面平行度為0～0.01mm，研磨液流速為8～12滴/秒，機(jī)器轉(zhuǎn)速為25rpm～33rpm/m；E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片檢驗角度、腐蝕頻率選分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于步驟C中研磨液的各組份的質(zhì)量比為水研磨砂ioi懸浮劑=13 : 5 : 2。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于所述的研磨砂 采用GC3000#綠碳化硅，粒徑為0. 0035 0. 0045mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于所述的研磨砂 的研磨量小于0. 6mm/次，每次更換新研磨液后先修盤1 1. 5小時，再進(jìn)行晶片研磨。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于所述的101懸 浮劑采用表面活性碳合成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于所述的101 懸浮劑為天津市華翔電子材料有限公司生產(chǎn)的型號為WH-101的研磨劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于步驟C中的圓 孔游輪的厚度為0. 090mm，研磨頻率從11210KHz 17500KHz，圓孔游輪的孔徑為小r，小r 二步驟B中制備的方片(長X長+寬X寬)1/2-(0. 3 0. 7)X2+(0. 3 0. 7)mm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于步驟C中的研 磨設(shè)備采用湖南宇晶6B研磨機(jī)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于步驟E中所 述的粘坨是將步驟D中研磨好的晶片粘成長度為22±0. lmm的晶坨，切坨是將晶坨切割成 2. 15 X 10 X 22mm的大坨或2. 0 X 1. 49 X 22mm的小坨。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝，其特征在于步驟E中 所述的磨坨是將對切割后的大坨或小坨進(jìn)行研磨，去掉晶坨切割的破壞層，并把大坨研磨 到厚度為2. Omm或?qū)⑿≯缪心サ胶穸葹?. 32mm。
全文摘要
本發(fā)明屬于石英晶片的研磨，特別是指一種SMD石英方片圓孔游輪研磨工藝。它包括改方加工、倒角加工、化坨、研磨、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片檢驗角度、腐蝕頻率選分等工藝步驟，本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的容易出現(xiàn)研磨后角度中心出現(xiàn)偏移，大方片切割成小條片以后角度的離散度增大；而且高頻頻率寄生多，離主振頻率比較接近的問題。具有研磨后晶片的角度離散度小，角度中心偏移小，方便生產(chǎn)中角度控制，有效提高晶片角度的一致性，改善了石英晶片研磨后的頻率寄生，減少了白片分頻時的寄生不良現(xiàn)象等優(yōu)點。
文檔編號B24B7/20GK101716738SQ20091022799
公開日2010年6月2日 申請日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者吳敬軍, 張威, 張建軍, 符清銘, 董新友, 黃衛(wèi)龍 申請人:廊坊中電大成電子有限公司