專利名稱：一種氮化鋯鈦鋁氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法，特別是采用鋯靶和鈦鋁靶組合靶
制備多弧離子鍍氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的方法，比如氮化鋯鈦鋁氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜(以下使用
"ZrTiAIN"來代替"氮化鋯鈦鋁")的制備方法。
背景技術(shù)：
多弧離子鍍是一種設(shè)有多個可同時蒸發(fā)的陰極弧蒸發(fā)源的真空物理沉積技術(shù)，具 有沉積速度快、膜層組織致密、附著力強(qiáng)、均勻性好等顯著特點(diǎn)。該技術(shù)適用于硬質(zhì)膜及硬 質(zhì)反應(yīng)梯度膜的制備，并在氮化鈦，氮化鈦鋁以及更多元的硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方面獲得成 功應(yīng)用。氮化鈦鋁，氮化鈦鉻，氮化鈦鋯等鈦基硬質(zhì)反應(yīng)膜由于硬度高、摩擦系數(shù)小、耐熱性 強(qiáng)等各自特性而比氮化鈦膜更具有開發(fā)應(yīng)用前景，到目前為止，多組元硬質(zhì)反應(yīng)梯度膜主 要以鈦為基并通過添加鋁、鋯、鉻等元素來實(shí)現(xiàn)的。 對于單層的多元硬質(zhì)反應(yīng)膜和以鈦為基的多組元硬質(zhì)反應(yīng)梯度膜而言，主要存在 以下缺點(diǎn)1、多組元合金靶市場上不易購買，常常需要專門熔煉、加工，不僅成本較高，而且 周期較長；2、一般容易出現(xiàn)膜層硬度與膜層附著力之間的矛盾，即硬度與附著力難以同時 滿足；3、容易在膜層中產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，影響硬質(zhì)膜的使用效果和使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種氮化鋯鈦鋁(ZrTiAlN)氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法。 該方法降低了鍍膜成本，保證了高膜層硬度和高附著力的同時實(shí)現(xiàn)，減小膜層的內(nèi)應(yīng)力，并 具有良好的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。 本發(fā)明的技術(shù)方案是一種氮化鋯鈦鋁(ZrTiAlN)氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法 依次包括 1、沉積技術(shù)及靶材成分的確定確定多弧離子鍍作為ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜 的制備技術(shù)，選用兩個不同方位且成90度配置的弧源同時起弧沉積，其中一個弧源為純度 99.99%的鋯耙，另一個弧源為純度99.99%的鈦鋁合金耙，鈦鋁合金耙的原子比為11 : Al =50 : 50。 2、工件的選擇與前處理選擇商用硬質(zhì)合金作為工件材料，在放入鍍膜室進(jìn)行鍍 膜前，使用金屬洗滌劑對工件進(jìn)行常規(guī)去油、去污處理并進(jìn)行表面拋光處理，最后分別用丙 酮和乙醇進(jìn)行超聲波清洗，電吹風(fēng)吹干以備用。 3、預(yù)轟擊工藝的確定指為獲得多弧離子鍍ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而在沉積 之前進(jìn)行的離子轟擊工藝，當(dāng)鍍膜室背底真空達(dá)到10—3帕、溫度達(dá)到240 26(TC時充入 反應(yīng)氣體氬氣，使鍍膜室真空度達(dá)到1. 8X10—1 2. 2X10—1帕，開啟兩弧源，保持弧電流在 55 56安培，進(jìn)行離子轟擊8 12分鐘，轟擊偏壓從350伏逐漸增加到400伏。
4、沉積工藝的確定指為獲得多弧離子鍍技術(shù)制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而 采用的沉積工藝，鍍膜過程分為七個階段，第一步，將鍍膜室內(nèi)的氬氣壓強(qiáng)保持在2. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200 250伏，沉積時 間5分鐘；第二步，向鍍膜室內(nèi)通入氮?dú)?，使其分壓?qiáng)達(dá)到0.5X10—^白，然后調(diào)整氬氣流量， 使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. OX 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安 培，工件偏壓為200 250伏，沉積時間10分鐘；第三步，增大氮?dú)饬髁?，使其分壓?qiáng)達(dá)到
1. OX 10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. OX 10—1帕，鈦鋁合金靶和純 鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200 250伏，沉積時間15分鐘；第四步， 繼續(xù)增大氮?dú)饬髁?，使其分壓?qiáng)達(dá)到1. 5X10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng) 保持在2. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200 250伏，沉積時間15分鐘；第五步，關(guān)閉氬氣入口，使氬氣流量為O，氬氣分壓為O，并繼續(xù)增 加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到2. OX 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安 培，工件偏壓為200 250伏，沉積時間15分鐘；第六步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到
2. 5X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200 250 伏，沉積時間15分鐘；第七步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到3. 0X10—1帕，鈦鋁合金靶 和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200 250伏，沉積時間15分鐘。
5、真空加熱處理包括工件加熱和膜層烘烤，工件加熱方式采用電熱體烘烤加熱， 在工件加熱時，升溫速度保持在3 5°C /分鐘，1小時后達(dá)到240 260°C ;膜層烘烤是指 沉積過程結(jié)束后對所沉積的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行后加熱烘烤，采用小電流進(jìn)行 微加熱10 15分鐘，電流逐漸從50安培降低到30安培。 6、工件旋轉(zhuǎn)在工件加熱、離子轟擊、膜層沉積、膜層烘烤的整個過程中一直保持 工件旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為4 6轉(zhuǎn)/分鐘。 按照本發(fā)明所提出的采用鋯靶和鈦鋁合金靶組合靶制備多弧離子鍍ZrTiAlN氮
梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的方法，可以獲得上述的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜，該ZrTiAlN氮梯度硬
質(zhì)反應(yīng)膜的氮含量呈梯度分布，附著力強(qiáng)(> 120N)、硬度高(> HV3800)。 同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明確定了常規(guī)通用的多弧離子鍍作為ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)
反應(yīng)膜的制備技術(shù)，確定了商用鋯靶和鈦鋁合金靶作為電弧源，避免了專門冶煉、制備鋯鈦
鋁合金靶的局限性，降低了鍍膜成本；本發(fā)明確定了靶材成分、數(shù)量及配置方位、確定了商
用YT15硬質(zhì)合金作為工件材料，確定了工件前處理工藝，保證了高膜層硬度和高附著力的
同時實(shí)現(xiàn)，從而更加有利于提高ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的耐磨壽命，更適合于在刀具
行業(yè)的應(yīng)用；本發(fā)明確定了 ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的沉積工藝，從而保證了所制備的
ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜在膜層生長方向上具有明顯的氮含量梯度分布，有利于減小膜
層的內(nèi)應(yīng)力，并具有良好的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
實(shí)施例 實(shí)施例1在商用YT15硬質(zhì)合金上制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜，其方法是
1、沉積技術(shù)及靶材成分的確定確定多弧離子鍍作為ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜 的制備技術(shù)，選用兩個不同方位且成90度配置的弧源同時起弧沉積，其中一個弧源為純度 99.99%的鋯耙，另一個弧源為純度99.99%的鈦鋁合金耙，鈦鋁合金耙的原子比為11 : Al =50 : 50。
2、工件的選擇與前處理選擇商用YT15硬質(zhì)合金作為工件材料，在放入鍍膜室進(jìn) 行鍍膜前，使用金屬洗滌劑對工件進(jìn)行常規(guī)去油、去污處理并進(jìn)行表面拋光處理，最后分別 用丙酮和乙醇進(jìn)行超聲波清洗，電吹風(fēng)吹干以備用。 3、預(yù)轟擊工藝的確定指為獲得多弧離子鍍ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而在沉積 之前進(jìn)行的離子轟擊工藝，當(dāng)鍍膜室背底真空達(dá)到10—3帕、溫度達(dá)到26(TC時充入反應(yīng)氣體 氬氣，使鍍膜室真空度達(dá)到1. 8X 10—1帕，開啟兩弧源，保持弧電流在55 56安培，進(jìn)行離 子轟擊10分鐘，轟擊偏壓從350伏逐漸增加到400伏。 4、沉積工藝的確定指為獲得多弧離子鍍技術(shù)制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而 采用的沉積工藝，鍍膜過程分為七個階段，第一步，將鍍膜室內(nèi)的氬氣壓強(qiáng)保持在2. 0 X 10—1 帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200伏，沉積時間5分 鐘；第二步，向鍍膜室內(nèi)通入氮?dú)?，使其分壓?qiáng)達(dá)到0. 5X10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混 合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安培，工 件偏壓為200伏，沉積時間IO分鐘；第三步，增大氮?dú)饬髁?，使其分壓?qiáng)達(dá)到1.0X10—1帕， 然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流 均置于55 56安培，工件偏壓為200伏，沉積時間15分鐘；第四步，繼續(xù)增大氮?dú)饬髁?，?其分壓強(qiáng)達(dá)到1. 5X10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0X10—1帕，鈦 鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200伏，沉積時間15分鐘；第 五步，關(guān)閉氬氣入口 ，使氬氣流量為0，氬氣分壓為0，并繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到 2. 0X 10—1帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200伏，沉積 時間15分鐘。第六步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到2.5X10—^自，鈦鋁合金耙和純鋯 靶的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為200伏，沉積時間15分鐘；第七步，繼續(xù)增加 氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到3. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安培， 工件偏壓為200伏，沉積時間15分鐘。 5、真空加熱處理包括工件加熱和膜層烘烤，工件加熱方式采用電熱體烘烤加熱， 在工件加熱時，升溫速度保持在3 5°C /分鐘，一小時后達(dá)到26(TC;膜層烘烤是指沉積過 程結(jié)束后對所沉積的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行后加熱烘烤，采用小電流進(jìn)行微加熱 15分鐘，電流逐漸從50安培降低到30安培。 6、工件旋轉(zhuǎn)在工件加熱、離子轟擊、膜層沉積、膜層烘烤的整個過程中一直保持 工件旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為5轉(zhuǎn)/分鐘。 對使用上述方法制備的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行測試，該ZrTiAlN氮梯度 硬質(zhì)反應(yīng)膜的氮含量呈梯度分布，附著力達(dá)到125N，硬度高達(dá)HV4000。
實(shí)施例2 在商用YT15硬質(zhì)合金上制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜，其方法是
1、沉積技術(shù)及靶材成分的確定確定多弧離子鍍作為ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜 的制備技術(shù)，選用兩個不同方位且成90度配置的弧源同時起弧沉積，其中一個弧源為純度 99.99%的鋯耙，另一個弧源為純度99.99%的鈦鋁合金耙，鈦鋁合金耙的原子比為11 : Al =50 : 50。 2、工件的選擇與前處理選擇商用YT15硬質(zhì)合金作為工件材料，在放入鍍膜室進(jìn) 行鍍膜前，使用金屬洗滌劑對工件進(jìn)行常規(guī)去油、去污處理并進(jìn)行表面拋光處理，最后分別用丙酮和乙醇進(jìn)行超聲波清洗，電吹風(fēng)吹干以備用。 3、預(yù)轟擊工藝的確定指為獲得多弧離子鍍ZrTiAIN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而在沉積 之前進(jìn)行的離子轟擊工藝，當(dāng)鍍膜室背底真空達(dá)到10—3帕、溫度達(dá)到24(TC時充入反應(yīng)氣體 氬氣，使鍍膜室真空度達(dá)到1. 8X 10—1帕，開啟兩弧源，保持弧電流在55 56安培，進(jìn)行離 子轟擊10分鐘，轟擊偏壓從350伏逐漸增加到400伏。 4、沉積工藝的確定指為獲得多弧離子鍍技術(shù)制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而 采用的沉積工藝，鍍膜過程分為七個階段，第一步，將鍍膜室內(nèi)的氬氣壓強(qiáng)保持在2. 0 X 10—1 帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為250伏，沉積時間5分 鐘；第二步，向鍍膜室內(nèi)通入氮?dú)?，使其分壓?qiáng)達(dá)到0. 5X10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混 合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安培，工 件偏壓為250伏，沉積時間IO分鐘；第三步，增大氮?dú)饬髁?，使其分壓?qiáng)達(dá)到1.0X10—1帕， 然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流 均置于55 56安培，工件偏壓為250伏，沉積時間15分鐘；第四步，繼續(xù)增大氮?dú)饬髁?，?其分壓強(qiáng)達(dá)到1. 5X10—1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2. 0X10—1帕，鈦 鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為250伏，沉積時間15分鐘；第 五步，關(guān)閉氬氣入口 ，使氬氣流量為0，氬氣分壓為0，并繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到 2. 0X 10—1帕，鈦鋁合金耙和純鋯耙的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為250伏，沉積 時間15分鐘。第六步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁浚蛊鋲簭?qiáng)達(dá)到2.5X10—^自，鈦鋁合金耙和純鋯 靶的弧電流均置于55 56安培，工件偏壓為250伏，沉積時間15分鐘；第七步，繼續(xù)增加 氮?dú)饬髁浚蛊鋲簭?qiáng)達(dá)到3. 0 X 10—1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55 56安培， 工件偏壓為250伏，沉積時間15分鐘。 5、真空加熱處理包括工件加熱和膜層烘烤，工件加熱方式采用電熱體烘烤加熱， 在工件加熱時，升溫速度保持在3 5°C /分鐘，一小時后達(dá)到24(TC;膜層烘烤是指沉積過 程結(jié)束后對所沉積的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行后加熱烘烤，采用小電流進(jìn)行微加熱 15分鐘，電流逐漸從50安培降低到30安培。 6、工件旋轉(zhuǎn)在工件加熱、離子轟擊、膜層沉積、膜層烘烤的整個過程中一直保持 工件旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為5轉(zhuǎn)/分鐘。 對使用上述方法制備的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行測試，該ZrTiAlN氮梯度 硬質(zhì)反應(yīng)膜的氮含量呈梯度分布，附著力達(dá)到130N、硬度高達(dá)HV4100。
權(quán)利要求
一種氮化鋯鈦鋁氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法，其特征是一種氮化鋯鈦鋁氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備方法依次包括(以下使用“ZrTiAlN”來代替“氮化鋯鈦鋁”)(1)、沉積技術(shù)及靶材成分的確定確定多弧離子鍍作為ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的制備技術(shù)，選用兩個不同方位且成90度配置的弧源同時起弧沉積，其中一個弧源為純度99.99％的鋯靶，另一個弧源為純度99.99％的鈦鋁合金靶，鈦鋁合金靶的原子比為Ti∶Al＝50∶50；(2)、工件的選擇與前處理選擇商用硬質(zhì)合金作為工件材料，在放入鍍膜室進(jìn)行鍍膜前，使用金屬洗滌劑對工件進(jìn)行常規(guī)去油、去污處理并進(jìn)行表面拋光處理，最后分別用丙酮和乙醇進(jìn)行超聲波清洗，電吹風(fēng)吹干以備用；(3)、預(yù)轟擊工藝的確定指為獲得多弧離子鍍ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而在沉積之前進(jìn)行的離子轟擊工藝，當(dāng)鍍膜室背底真空達(dá)到10-3帕、溫度達(dá)到240～260℃時充入反應(yīng)氣體氬氣，使鍍膜室真空度達(dá)到1.8×10-1～2.2×10-1帕，開啟兩弧源，保持弧電流在55～56安培，進(jìn)行離子轟擊8～12分鐘，轟擊偏壓從350伏逐漸增加到400伏；(4)、沉積工藝的確定指為獲得多弧離子鍍技術(shù)制備ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜而采用的沉積工藝，鍍膜過程分為七個階段，第一步，將鍍膜室內(nèi)的氬氣壓強(qiáng)保持在2.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間5分鐘；第二步，向鍍膜室內(nèi)通入氮?dú)?，使其分壓?qiáng)達(dá)到0.5×10-1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間10分鐘；第三步，增大氮?dú)饬髁?，使其分壓?qiáng)達(dá)到1.0×10-1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間15分鐘；第四步，繼續(xù)增大氮?dú)饬髁浚蛊浞謮簭?qiáng)達(dá)到1.5×10-1帕，然后調(diào)整氬氣流量，使混合氣體總壓強(qiáng)保持在2.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間15分鐘；第五步，關(guān)閉氬氣入口，使氬氣流量為0，氬氣分壓為0，并繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到2.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間15分鐘；第六步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁?，使其壓?qiáng)達(dá)到2.5×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間15分鐘；第七步，繼續(xù)增加氮?dú)饬髁浚蛊鋲簭?qiáng)達(dá)到3.0×10-1帕，鈦鋁合金靶和純鋯靶的弧電流均置于55～56安培，工件偏壓為200～250伏，沉積時間15分鐘；(5)、真空加熱處理包括工件加熱和膜層烘烤，工件加熱方式采用電熱體烘烤加熱，在工件加熱時，升溫速度保持在3～5℃/分鐘，1小時后達(dá)到240～260℃；膜層烘烤是指沉積過程結(jié)束后對所沉積的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜進(jìn)行后加熱烘烤，采用小電流進(jìn)行微加熱10～15分鐘，電流逐漸從50安培降低到30安培；(6)、工件旋轉(zhuǎn)在工件加熱、離子轟擊、膜層沉積、膜層烘烤的整個過程中一直保持工件旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為4～6轉(zhuǎn)/分鐘。
全文摘要
一種制備氮化鋯鈦鋁氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的方法依次包括1、沉積技術(shù)及靶材成分的確定；2、工件的選擇與前處理；3、預(yù)轟擊工藝的確定；4、沉積工藝的確定；5、真空加熱處理；6、工件旋轉(zhuǎn)。按照本發(fā)明所提出的采用鋯靶和鈦鋁合金靶組合靶制備多弧離子鍍ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的方法，可以獲得上述的ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜，該ZrTiAlN氮梯度硬質(zhì)反應(yīng)膜的氮含量呈梯度分布，附著力強(qiáng)(≥120N)、硬度高(≥HV3800)。本發(fā)明降低了鍍膜成本，保證了高膜層硬度和高附著力的同時實(shí)現(xiàn)，減小膜層的內(nèi)應(yīng)力，并具有良好的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
文檔編號C23C14/26GK101709450SQ200910220270
公開日2010年5月19日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者井治, 呂會敏, 姚正輝, 婁軍, 崔貫英, 張鈞, 賈恒 申請人:沈陽大學(xué)