專利名稱：形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在半導體晶片等被處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅 絕緣膜的半導體處理用的成膜方法和裝置。在此，半導體處理是指，
為了通過在晶片或LCD ( Liquid Crystal Display )那樣的FPD (Flat Panel Display)用的玻璃襯底等被處理襯底上以規(guī)定的圖案形成半導體層、 絕緣層、導電層等來制造在該被處理襯底上包含半導體器件、與半導 體器件連接的布線、電極等的結構而實施的各種處理。
背景技術：
在構成半導體集成電路的半導體器件的制造中，在被處理襯底、 例如半導體晶片上實施成膜、蝕刻、氧化、擴散、改性、退火、除去 自然氧化膜等各種處理。US 2006 / 0286817 Al對立式(所謂間歇式) 熱處理裝置中的這種半導體處理方法進行了公開。在該方法中，首先， 將半導體晶片從晶片盒移載到晶片舟皿上，以多級進行支承。在晶片 盒中可收容例如25枚晶片，在晶片舟皿中可載置30 150枚晶片。接 著，晶片舟皿被從處理容器的下方裝入其內部，并且氣密地封閉處理 容器。接著，在對處理氣體的流量、處理壓力、處理溫度等各種處理 條件進行了控制的狀態(tài)下，進行規(guī)定的熱處理。
作為這種半導體集成電路的一種，有非易失性存儲元件。作為非 易失性存儲元件，眾所周知的是，具有浮置柵的浮置柵式存儲元件和 具有電荷捕獲層的SONOS式存儲元件等(日本特開2006-229233號公 報等)。由于寫入動作和擦除動作較為良好，因此具有電荷捕獲層的 SONOS式存儲元件備受關注。該SONOS式存儲元件的結構為由氧 化硅膜和氮化硅膜構成的電荷捕獲層、和氧化硅膜介于例如硅襯底即 半導體襯底和由多晶硅等構成的柵電極之間。
上述電荷捕獲層由在氮化硅膜(SiN膜)中摻雜有鋁等金屬的金屬 摻雜膜構成。如上所述，通過摻雜金屬，可提高該存儲元件的寫入動作、擦除動作、保持特性等。
例如，作為上述那樣的金屬摻雜膜的形成方法，有將形成SiN膜 的成膜用的各種氣體和含有上述金屬的氣體同時導入處理容器內、利
用CVD (Chemical Vapor D印osition)法形成的方法。另外，眾所周知 的方法是，將成膜用的各種氣體分別交替并間歇地反復提供而層疊多 層原子級、或分子級的非常薄的薄膜由此形成具有規(guī)定厚度的膜(曰 本特開平6-045256號公報、日本特開平11-087341號公報)。這樣的成 膜方法通常被稱為ALD (Atomic Layer Deposition)或MLD (Molecular LayerD印osition)，由此，即使不將晶片暴露在那樣程度的高溫下，也 能夠進行達到目的的處理。
但是，在上述那樣的金屬摻雜膜中，膜中的金屬的濃度和膜厚方 向的濃度分布給該金屬摻雜膜的特性帶來非常大的影響。但是，在上 述那樣的現(xiàn)有金屬摻雜膜的形成方法中，金屬濃度處于成為較高濃度 的趨勢，難以將該金屬濃度控制性良好地設定為較低濃度。因此，不 能充分提高金屬摻雜膜的電特性。特別是，最近半導體集成電路的進 一步高集成化和高精細化的要求越發(fā)強烈，尤其期望解決上述問題點。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，提供一種半導體處理用的成膜方法和裝置， 其在形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜時，可將金屬濃度控制性良好地設 定為較低濃度。
本發(fā)明的第一觀點為一種半導體處理用的成膜方法，在能夠被有 選擇地供給硅源氣體和金屬源氣體的處理容器的處理區(qū)域內，進行在
被處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜處理，包括阻斷 所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第 一絕緣薄層的工序；接著，阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金 屬源氣體發(fā)生化學反應來形成第一金屬薄層的工序；接著，阻斷所述 金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第二絕 緣薄層的工序，將所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、和所述第 二絕緣薄層按所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、所述第二絕緣 薄層的順序層疊。本發(fā)明第二觀點為一種能由計算機讀取的介質，包含為了進行權 利要求1所述的方法而在處理器上執(zhí)行的程序指令，所述介質能夠在 半導體處理用的成膜裝置中使用，所述成膜裝置包括能夠被有選擇地 供給硅源氣體和金屬源氣體的處理容器的處理區(qū)域，所述程序指令在 由所述處理器執(zhí)行時，為了在所述成膜裝置中并在所述處理區(qū)域內、 在被處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜，執(zhí)行第一觀點所述的 方法。
本發(fā)明第三觀點為一種半導體處理用的成膜裝置，包括具有收 納被處理襯底的處理區(qū)域的處理容器；在所述處理區(qū)域內支承所述被 處理襯底的支承部件；對所述處理區(qū)域內的所述被處理襯底進行加熱 的加熱器；對所述處理區(qū)域內進行排氣的排氣系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域 供給硅源氣體的供給系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給金屬源氣體的供給系 統(tǒng)；和對所述裝置的動作進行控制的控制部，所述控制部進行預先設 定，使得在所述處理區(qū)域內進行在所述被處理襯底上形成摻雜有金屬 的含硅絕緣膜的成膜處理，所述成膜處理包括阻斷所述金屬源氣體 的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第一絕緣薄層的工 序；接著，阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金屬源氣體發(fā)生化 學反應來形成第一金屬薄層的工序；接著，阻斷所述金屬源氣體的供 給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第二絕緣薄層的工序， 將所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、和所述第二絕緣薄層按所 述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、所述第二絕緣薄層的順序層疊。


圖1是表示本發(fā)明實施方式的成膜裝置(立式CVD裝置)的剖視圖。
圖2是表示圖1所示的裝置的一部分的橫剖俯視圖。 圖3是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的流程圖。 圖4是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的各工序和溫度的關系圖。 圖5A、圖5B分別是表示用本發(fā)明實施方式的成膜方法形成的不 同的金屬摻雜膜的放大剖視圖。
圖6A、圖6B分別是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的絕緣薄層
9形成工序和金屬薄層形成工序中的氣體供給和RF (高頻)施加的狀況 的時序圖。
圖7A、圖7B分別是表示由實驗得到的圖5A、圖5B所示的金屬 摻雜膜中鋁的濃度分布的曲線圖。
圖8是表示由實驗得到的絕緣薄層形成工序的鋁的濃度相對于溫 度的依存性的曲線圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在以下的 說明中，對具有大致相同功能和結構的結構要素標注同一符號，只在 必要的情況下進行重復說明。
圖1是表示本發(fā)明實施方式的成膜裝置(立式CVD裝置)的剖視 圖。圖2是表示圖l所示的裝置的一部分的橫剖俯視圖。該成膜裝置2 具備能夠被有選擇地供給第一處理氣體、第二處理氣體、第三處理氣 體的處理區(qū)域，其中，第一處理氣體作為硅源氣體含有二氯硅垸(DCS) 氣體；第二處理氣體作為氮化氣體或還原氣體含有氨(NH3)氣體；第 三處理氣體作為金屬源氣體含有TMA (三甲基鋁有機金屬化合物) 氣體。成膜裝置2構成為在這樣的處理區(qū)域內，在被處理襯底上作 為摻雜有金屬的含硅絕緣膜的一例形成鋁摻雜氮化硅膜(SiAlN膜)。
成膜裝置2具有下端開口的有頂?shù)膱A筒體狀處理容器4，將收納隔 開間隔重疊的多個半導體晶片(被處理襯底)并進行處理的處理區(qū)域5 規(guī)定在內部。處理容器4整體由例如石英形成。在處理容器4內的頂 上配設石英制的頂板6進行密封，在處理容器4的下端開口配設有凸 緣部8。另外，也可以將不銹鋼制的岐管與處理容器4的下端連結。
穿過處理容器4的下端開口升降石英制的晶片舟皿12，由此，晶 片舟皿12相對于處理容器4被裝入/卸出。在晶片舟皿12上以多級 載置多枚半導體晶片W作為被處理襯底。在本實施方式的情況下，在 晶片舟皿12的支柱12A上能大致等間距地多級支承例如50 100枚的 程度的直徑300mm的晶片W。
晶片舟皿12經由石英制的保溫筒14載置在工作臺16上。工作臺 16被支承在旋轉軸20上，其中，旋轉軸20貫通用于開閉處理容器4的下端開口的例如不銹鋼制的蓋體18。
在旋轉軸20的貫通部插裝有磁性流體密封件22，使支承旋轉軸 20氣密地密封且能旋轉。在蓋體18的周邊部和處理容器4的下端部插 裝有由例如0型圈等構成的密封部件24，保持容器內的密封性。
旋轉軸20安裝在例如螺旋升降機等升降機構25所支承的臂26的 前端。利用升降機構25， 一體地升降晶片舟皿12和蓋體18等。另外， 也可以將工作臺16固定設置在蓋體18側，不使晶片舟皿12旋轉地進 行晶片W的處理。
用于對處理容器4內的處理區(qū)域5供給規(guī)定的處理氣體的氣體供 給部與處理容器4的下部連接。氣體供給部包括第二處理氣體供給系 統(tǒng)28、第一處理氣體供給系統(tǒng)30、第三處理氣體供給系統(tǒng)32、和清洗 氣體供給系統(tǒng)34。第一處理氣體供給系統(tǒng)30供給含有DCS (二氯硅 烷)氣體的第一處理氣體作為硅源氣體。第二處理氣體供給系統(tǒng)28供 給含有氨(NH3)氣體的第二處理氣體作為氮化氣體或還原氣體。第三 處理氣體供給系統(tǒng)32供給含有TMA氣體的第三處理氣體作為金屬源 氣體。清洗氣體供給系統(tǒng)34供給惰性氣體、例如N2氣體作為清洗氣 體。在第一至第三處理氣體中根據(jù)需要混合有適量的載氣，但為了便 于說明，關于載氣未言及。
具體而言，第二、第一、和第三處理氣體供給系統(tǒng)28、 30、 32、 和清洗氣體供給系統(tǒng)34分別具有與在處理容器4的凸緣部8內沿半徑 方向延伸的氣體流路連接的氣體分散噴嘴38、 40、 42、 44。各氣體分 散噴嘴38、 40、 42、 44由自水平方向彎曲到垂直方向而向上方向延伸 的石英管構成。另外，在圖1中，為了容易理解結構，噴嘴38、 40、 42、 44以貫通處理容器4的下部側壁的狀態(tài)示出。在各氣體分散噴嘴 38 44上，以沿其長度方向(上下方向)且遍及晶片舟皿12上的晶片 W的整體的方式，隔開規(guī)定的間隔形成有多個氣體噴射孔38A、 40A、 42A、 44A。氣體噴射孔38A、 40A、 42A、 44A分別在水平方向上大致 均勻地供給對應的處理氣體，以使其形成相對于晶片舟皿12上的晶片 W平行的氣體流。
噴嘴38、 40、 42、 44分別經由氣體供給線路(氣體通路)48、 50、 52、 54與NH3氣體、DCS氣體、TMA氣體、和N2氣體的氣體源28S、30S、 32S、 34S連接。在氣體供給線路48、 50、 52、 54上配設有開閉 閥48A、 50A、 52A、 54A和質量流量控制器那樣的流量控制器48B、 50B、 52B、 54B。由此，能夠對NH3氣體、DCS氣體、TMA氣體、和 N2氣體分別進行流量控制、同時進行供給。
在處理容器4的側壁的局部沿其高度方向配設有氣體激勵部66。 在與氣體激勵部66對置的處理容器4的相反側，為了將該內部氣氛進 行真空排氣而配設有細長的排氣口 68，其中，排氣口 68通過向例如上 下方向切去處理容器4的側壁而形成。
具體而言，氣體激勵部66具有上下細長的開口 70，其中，開口 70通過沿上下方向以規(guī)定的寬度切去處理容器4的側壁而形成。開口 70由與處理容器4的外壁氣密地焊接接合的石英制的罩72覆蓋。罩 72以突出到處理容器4的外側的方式構成截面凹部狀，且具有上下細 長的形狀。
根據(jù)該結構，形成有自處理容器4的側壁突出且一側向處理容器4 內開口的氣體激勵部66。即，氣體激勵部66的內部空間與處理容器4 內的處理區(qū)域5連通。開口 70形成為在上下方向上足夠長，以使其在 高度方向上能罩住保持于晶片舟皿12的全部的晶片W。
在罩72的兩側壁的外側面上沿其長度方向(上下方向)配設有彼 此對置的、細長的一對電極74。等離子體發(fā)生用的高頻電源76經由供 電線路78與電極74連接。通過對電極74施加例如13.56MHz的高頻 電壓，能夠在一對電極74間形成用于激勵等離子體的高頻電場。另外， 高頻電壓的頻率不局限于13.56MHz，也可以使用其它頻率、例如 400kHz等。
第二處理氣體的氣體分散噴嘴38在比晶片舟皿12上的最下層的 晶片W更靠下的位置向處理容器4的半徑方向外側彎曲。其后，氣體 分散噴嘴38在氣體激勵部66內的最深(距處理容器4的中心最遠的 部分)的位置垂直地立起。如圖2所示，氣體分散噴嘴38設置在一對 對置的電極74所夾的區(qū)域(高頻電場最強的位置)、即比主要的等離 子體實際發(fā)生的等離子體發(fā)生區(qū)域PS更靠向外側的位置。自氣體分散 噴嘴38的氣體噴射孔38A噴射的含有NH3氣體的第二處理氣體向等 離子體發(fā)生區(qū)域PS被噴射，在此被激勵(分解或活性化)，以該狀態(tài)被提供給晶片舟皿12上的晶片W。
在罩72的外側，覆蓋罩72安裝有由例如石英構成的絕緣保護罩 80，。在絕緣保護罩80的內側、且在與電極74對置的部分配設有由制 冷劑通路構成的冷卻機構(未圖示)。通過使例如已冷卻的氮氣體作為 制冷劑在制冷劑通路中流動來冷卻電極74。另外，為了覆蓋絕緣保護 罩80以防止高頻泄漏，在絕緣保護罩80的外側配設有屏蔽件(未圖 示)。
在氣體激勵部66的開口 70的外側附近、即開口 70的外側(處理 容器4內)的一側使第一和第三處理氣體的氣體分散噴嘴40、 42垂直 地立起、在另一側使清洗氣體的氣體分散噴嘴44垂直地立起而進行配 設。自形成于氣體分散噴嘴40、 42、 44的氣體噴射孔40A、 42A、 44A， 向處理容器4的中心方向分別噴射含有DCS氣體的第一處理氣體、含 有TMA氣體的第三處理氣體、和由N2構成的清洗氣體。
另一方面，在與氣體激勵部66對置設置的排氣口 68上，覆蓋排 氣口 68并通過焊接安裝有由石英構成的、成形為截面3字狀的排氣口 罩部件82。排氣口罩部件82沿處理容器4的側壁向下方延伸且彎曲為 水平方向，并在此形成氣體出口 84。包括壓力調節(jié)閥86和真空泵88 的真空排氣系統(tǒng)GE與氣體出口 84連接。
以包圍處理容器4的方式配設對處理容器4內的氣氛和晶片W進 行加熱的加熱器90。在處理容器4內的排氣口 68的附近配設有用于控 制加熱器90的熱電偶(未圖示)。
另外，成膜裝置2具備由控制裝置整體的動作的計算機等構成的 主控制部92。主控制部92根據(jù)預先存儲于主控制部92附帶的存儲部 94的成膜處理用的處理方法(redpe)、例如要形成的膜的膜厚和組成 來進行后述的成膜處理。在該存儲部94還預先存儲有處理氣體流量等 處理條件和膜的膜厚、組成的關系作為控制數(shù)據(jù)。因此，主控制部92 能夠基于所存儲的這些處理方法和控制數(shù)據(jù)控制升降機構25、氣體供 給系統(tǒng)28、 30、 32、 34、排氣系統(tǒng)GE、氣體激勵部66、加熱器卯等。
接著，對用圖1所示的裝置進行的成膜方法進行說明。在該成膜 方法中，在半導體晶片W上作為摻雜有金屬的含硅絕緣膜的一例形成 鋁摻雜氮化硅膜(SiAlN膜)。因此，向收納有晶片W的處理區(qū)域5
13內有選擇地供給作為硅源氣體的含有二氯硅烷(DCS)氣體的第一處 理氣體、作為氮化氣體或還原氣體的含有氨(NH3)氣體的第二處理氣 體、和作為金屬源氣體的含有TMA氣體的第三處理氣體。具體而言， 通過以下的操作進行成膜處理。
首先，將保持有多枚例如50 100枚、尺寸300mm的晶片W的常 溫的晶片舟皿12裝入設定為規(guī)定溫度的處理容器4內，將處理容器4 密閉。接著，對處理容器4內抽真空以維持為規(guī)定的處理壓力，并且 待機直到晶片溫度上升并穩(wěn)定在成膜用的處理溫度。接著，邊使晶片 舟皿12旋轉，邊對第一至第三處理氣體和清洗氣體分別以如后所述的 定時進行流量控制且自氣體分散噴嘴40、 38、 42、 44進行供給。另外， 在成膜處理中，對處理容器4內連續(xù)進行真空排氣。
圖3是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的流程圖。如圖3所示， 在本實施方式中，通過交替地多次反復進行用硅源氣體形成絕緣薄層 的工序、和用金屬源氣體形成金屬薄層的工序來形成摻雜有金屬的含 硅絕緣膜。
在絕緣薄層形成工序中，使用含有DCS氣體的第一處理氣體和含 有NH3氣體的第二處理氣體，在金屬薄層形成工序中，使用含有TMA 氣體的第三處理氣體和含有NH3氣體的第二處理氣體。在絕緣薄層形 成工序和金屬薄層形成工序之間進行向處理容器4內供給清洗氣體來 排除殘留氣體的層間清洗工序(中間工序)。成膜處理的最初和最后進 行絕緣薄層形成工序。
圖3中，表示在絕緣薄層形成工序和金屬薄層形成工序之間插入 層間清洗工序并自工序S1進行到Sn(n表示3以上的正整數(shù))的情況。 上述n為3以上，因此，使得金屬薄層至少設置一層。
圖4是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的各工序和溫度的關系的 圖。如圖4所示，優(yōu)選的是根據(jù)在金屬薄層形成工序中使用的金屬 源氣體，從絕緣薄層形成工序的處理溫度起進行變更，以達到最適合 其氣體種類的處理溫度。用于該變更的升降溫的操作在層間清洗工序 中進行。
層間清洗工序的長度也根據(jù)處理容器4的容量而定，例如為 0.5~2.0小時的程度。圖3中的各絕緣薄層形成工序Sl、 S3…和各金屬薄層形成工序S2、 S4…的各長度分別可以單獨地任意設定。通過適當 選擇各工序的長度，能夠控制金屬摻雜膜中的金屬濃度和膜厚方向上 的金屬的濃度分布。
圖5A、圖5B分別是表示用本發(fā)明實施方式的成膜方法形成的不 同的金屬摻雜膜的放大剖視圖。圖5A表示圖3中的n-3的情況，圖 5B表示r^7的情況。即，在圖5A所示的情況下，形成于半導體晶片 W的表面的金屬摻雜膜100通過按順序層疊在圖3中的工序Sl中形成 的由SiN構成的第一絕緣薄層102、在工序S2中形成的由Al構成的第 一金屬薄層104、和在工序S3中形成的由SiN構成的第二絕緣薄層106 而構成。
在圖5A所示的金屬摻雜膜100的情況下，第一金屬薄層104的厚 度非常薄，該上下兩側的絕緣薄層102、 106的厚度相當厚。由此，設 定為金屬摻雜膜100的膜厚方向的中央部的金屬濃度高。另外，在圖 5A中，明確地表示了金屬摻雜膜100的各層的邊界線，但實際上，邊 界線沒有那么明確。原因是，由于作為成膜工序和后工序進行的加熱 處理的溫度，金屬薄層104中的金屬、即鋁向上下的絕緣薄層102、 106 進行熱擴散。
在圖5B所示的金屬摻雜膜110的情況下，通過按順序層疊在圖3 中的工序Sl中形成的由SiN構成的第一絕緣薄層112、在工序S2中 形成的由Al構成的第一金屬薄層114、在工序S3中形成的由SiN構成 的第二絕緣薄層116、在工序S4中形成的由Al構成的第二金屬薄層 118、在工序S5中形成的由SiN構成的第三絕緣薄層120、在工序S6 中形成的由Al構成的第三金屬薄層122、和在工序S7中形成的由SiN 構成的第四絕緣薄層124而構成。在這種情況下，和圖5A的情況不同， 設定為金屬濃度在金屬摻雜膜110的膜厚方向上大致均等。
在圖5B中也明確地表示了金屬摻雜膜110的各層的邊界線，但實 際上，邊界線沒有那么明確。原因是，由于作為成膜工序和后工序進 行的加熱處理的溫度，金屬薄層114、 118、 122中的金屬、即鋁向上 下的絕緣薄層112、 116、 120、 124進行熱擴散。
圖5A、圖5B只表示了金屬摻雜膜的一例，各絕緣薄層和金屬薄 層的層疊數(shù)不局限于在此表示的數(shù)量。另外，在圖5A、圖5B中，為了便于理解，在晶片W上直接形成金屬摻雜膜，但也可以有其它的薄 膜介于晶片W和金屬摻雜膜之間。
圖6A是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的絕緣薄層形成工序中 的氣體供給和RF (高頻)施加的狀況的時序圖。如圖6A所示，在絕 緣薄層形成工序中，使用作為硅源氣體的含有DCS氣體的第一處理氣 體和作為氮化氣體的含有NH3氣體的第二處理氣體，交替地反復進行 第一至第四子工序T1 T4。將由第一至第四子工序T1 T4構成的循環(huán) 反復進行一次或多次，將每一循環(huán)形成的非常薄的硅氮化物層進行層 疊，由此能得到規(guī)定厚度的絕緣薄層。
艮P，在第一子工序T1中，對處理區(qū)域5供給第一處理氣體(在圖 6A中，表示為DCS),另一方面，阻斷對處理區(qū)域5供給第二處理氣 體(在圖6A中，表示為NH3)。在第二子工序T2中，阻斷對處理區(qū)域 5供給第一和第二處理氣體。在第三子工序T3中，對處理區(qū)域5供給 第二處理氣體，另一方面，阻斷對處理區(qū)域5供給第一處理氣體。在 第四子工序T4中，阻斷對處理區(qū)域5供給第一和第二處理氣體。
第二和第四子工序T2、 T4被用作排除殘留在處理容器4內的氣體 的清洗子工序。在此，清洗的意思是指，通過邊使N2氣體等惰性氣體 流動邊對處理容器4內進行真空排氣、或阻斷全部氣體的供給并對處 理容器4內進行真空排氣來除去處理容器4內的殘留氣體。另外，也 可以在第二和第四子工序T2、 T4的前半部分只進行真空排氣，在后半
部分同時進行真空排氣和惰性供給。
在第三子工序T3中，將RF電源76設定為ON狀態(tài)，用氣體激勵
部66將第二處理氣體等離子化，由此將第二處理氣體以激勵后的狀態(tài) 向處理區(qū)域5供給。由此，能夠生成來自NH3氣體的游離基，能夠使 與附著在晶片W的表面的DCS氣體的分子等的反應性提高。
具體而言，含有DCS氣體的第一處理氣體自氣體分散噴嘴40的 噴射孔40A，以形成相對于晶片舟皿12上的多個晶片W平行的氣流 的方式被供給。在此期間，DCS氣體的分子或通過其分解發(fā)生的分解 生成物的分子或原子吸附在晶片上。
另一方面，含有NH3氣體的第二處理氣體自氣體分散噴嘴38的噴 射孔38A，以形成相對于晶片舟皿12上的多個晶片W平行的氣流的
16方式被供給。第二處理氣體在通過一對電極74間的等離子發(fā)生區(qū)域PS 時被激勵， 一部分被等離子化。這時，生成例如N*、 NH*、 NH2*、 NH^等游離基(活性物質)(符號"*"表示為游離基)。來自皿3氣 體的游離基等自氣體激勵部66的開口 70向處理容器4的中心流出， 以層流的狀態(tài)被供給到晶片W彼此間。
上述游離基等與附著在晶片W的表面的DCS氣體的分子等迸行 反應(氮化)，由此，在晶片W上形成原子級或分子級的非常薄的硅 氮化物層。而在DCS氣體流到在晶片W的表面上吸附有來自NH3氣 體的游離基等的部位時，也發(fā)生同樣的反應，在晶片W上也形成非常 薄的硅氮化物層。用由第一至第四子工序T1 T4構成的循環(huán)形成的非 常薄的硅氮化物層的厚度為O.lnm的程度。通過反復進行該循環(huán)來層 疊這樣的非常薄的硅氮化物層，能得到規(guī)定厚度的絕緣薄層。
通過上述那樣的成膜處理，能形成圖5A、圖5B中的各絕緣薄層 102、 106、 112、 116、 120、 124。另外，含有DCS氣體的第一處理氣 體的供給子工序Tl為3 60sec的程度，含有NH3氣體的第二處理氣體 的供給子工序T3為10 120sec的程度，清洗子工序T2、T4為10 60sec 的程度。
圖6B是表示本發(fā)明實施方式的成膜方法的金屬薄層形成工序中 的氣體供給和RF (高頻)施加的狀況的時序圖。如圖6B所示，在金 屬薄層形成工序中，使用作為金屬源氣體的含有TMA氣體的第三處理 氣體和作為反應氣體的含有NH3氣體的第二處理氣體，交替反復進行 第一至第四子工序T1 T4。將由第一至第四子工序T11 T14構成的循 環(huán)反復進行一次或多次，將每一循環(huán)形成的非常薄的金屬層進行層疊， 由此能得到規(guī)定厚度的金屬薄層。
艮P,在第一子工序Tll中，對處理區(qū)域5供給第三處理氣體(在 圖6B中，表示為TMA)，另一方面，阻斷對處理區(qū)域5供給第二處理 氣體(在圖6B中，表示為NH》。在第二子工序T12中，阻斷對處理 區(qū)域5供給第二和第三處理氣體。在第三子工序T13中，對處理區(qū)域5 供給第二處理氣體，另一方面，阻斷對處理區(qū)域5供給第三處理氣體。 在第四子工序T14中，阻斷對處理區(qū)域5供給第二和第三處理氣體。 第二和第四子工序T12、 T14用作排除殘留在處理容器4內的氣體的清洗子工序。
在第三子工序T13中，將RF電源76設定為ON狀態(tài)，用氣體激 勵部66將第二處理氣體等離子化，由此將第二處理氣體以激勵后的狀 態(tài)向處理區(qū)域5供給。由此，能夠生成來自NH3氣體的游離基，能夠 使與附著于晶片W的表面的TMA氣體的分子等的反應性提高。
具體而言，含有TMA氣體的第三處理氣體自氣體分散噴嘴42的 噴射孔42A以形成相對于晶片舟皿12上的多個晶片W平行的氣體流 的方式被供給。在此期間，TMA氣體的分子或通過其分解發(fā)生的分解 生成物的分子或原子吸附在晶片上。
另一方面，含有NH3氣體的第二處理氣體自氣體分散噴嘴38的噴 射孔38A以形成相對于晶片舟皿12上的多個晶片W平行的氣體流的 方式被供給。第二處理氣體在通過一對電極74間的等離子發(fā)生區(qū)域PS 時被激勵， 一部分被等離子化。來自NH3氣體的游離基等自氣體激勵 部66的開口 70向處理容器4的中心流出，以層流狀態(tài)被供給到晶片 W彼此間。
上述游離基與附著在晶片W的表面的TMA氣體的分子等發(fā)生反 應，由此，在晶片W上形成原子級或分子級的非常薄的金屬層。用由 第一至第四子工序T11 T14構成的循環(huán)形成的非常薄的金屬層的厚度 為O.lnm的程度。通過反復進行該循環(huán)來層疊這樣的非常薄的金屬層， 能得到規(guī)定厚度的金屬薄層。
通過上述那樣的成膜處理，形成圖5A、圖5B中的各金屬薄層104、 114、 118、 122。另外，含有TMA氣體的第三處理氣體的供給子工序 Tll為3 60sec的程度，含有NH3氣體的第二處理氣體的供給子工序 T13為10 120sec的程度，清洗子工序T12、 T14為10 60sec的程度。
在圖6A、圖6B所示的時序圖中，起點和終點可以為含有DCS氣 體的第一處理氣體或含有TMA氣體的第三處理氣體的供給子工序、含 有NH3氣體的第二處理氣體的供給子工序、清洗子工序中的任意工序。
在絕緣薄層形成工序中，處理壓力為70 860Pa的范圍內，處理溫 度為400 600°C，優(yōu)選為450 550。C的范圍內。在金屬薄層形成工序中， 處理壓力為4~200Pa的范圍內，處理溫度為15(K300。C，優(yōu)選為 200 25(TC的范圍內(參照圖4)。
18圖5A中，第一絕緣薄層102的厚度為2.0~10.0nm的程度、例如 3.9nm的程度，第一金屬薄層104的厚度為0.1~1.0nm的程度、例如 0.1 (Unm的程度，第二絕緣薄層106的厚度為2.0 10.0nm的程度、 例如4.0nm的程度，在圖5B中，第一和第四絕緣薄層112、 124的厚 度均為0.1 1.5nm的程度、例如0.2 0.5nm的程度，第二和第三絕緣薄 層116、 120的厚度均為0.2 3.0nm的程度、例如0.4~1.0nm的程度， 第一、第二、第三金屬薄層114、 118、 122的厚度同為0.1 0.6nm的程 度、例如0.1 0.3nm的程度。
根據(jù)上述實施方式的成膜方法，在形成金屬摻雜膜IOO、 110時， 交替地反復進行用硅源氣體形成絕緣薄層的絕緣薄層形成工序、和用 作為金屬含有例如鋁的金屬源氣體形成金屬薄層的金屬薄層形成工 序，以使其至少包括一次金屬薄層形成工序。由此，在形成摻雜有金 屬的含硅絕緣膜時，能夠將金屬濃度控制性良好地設定為較低濃度， 并且能夠調節(jié)膜厚方向上的金屬的濃度分布。
特別是，只要相對于絕緣薄層的整體的厚度減小金屬薄層的整體 的厚度，即可使金屬摻雜膜中的金屬的濃度非常小。如上所述，這樣 的金屬摻雜膜能有效地利用為存儲元件的電荷捕獲層等。 〈實驗1〉
用上述實施方式的成膜方法形成圖5A所示的金屬摻雜膜IOO和圖 5B所示的金屬摻雜膜110，并測定了它們的金屬濃度。作為硅源氣體 使用了DCS氣體，作為金屬源氣體使用了 TMA氣體，作為氮化氣體 或反應氣體使用了 NH3氣體。用SIMS (二次離子質量分析法)測定了 金屬摻雜膜中的Al。
圖5A所示的金屬摻雜膜IOO為了形成第一和第二絕緣薄層102、 106，反復進行40次圖6A所示的循環(huán)，為了形成第一金屬薄層104， 反復進行6次圖6B所示的循環(huán)。圖5B所示的金屬摻雜膜110為了形 成第一和第四絕緣薄層112、 124，反復進行3次圖6A所示的循環(huán)， 為了形成第二和第三絕緣薄層116、 120，反復進行6次圖6A所示的 循環(huán)，另外，為了形成第一、第二和第三金屬薄層114、 118、 120，進 行1次圖6B所示的循環(huán)。
圖7A、圖7B分別是表示由實驗得到的圖5A、圖5B所示的金屬摻雜膜中的鋁的濃度分布的曲線圖。如圖7A所示，在金屬摻雜膜中只 設置有一層金屬薄層的情況下，Al濃度的尖銳的峰值存在于膜厚方向 的中央部附近。與此相反，如圖7B所示，在金屬摻雜膜中分散設置有 三層金屬薄層的情況下，Al濃度在膜厚方向上大致均勻地擴散、或分 散存在。
這樣，通過調節(jié)形成的金屬薄層的數(shù)目，能夠調節(jié)金屬摻雜膜的 厚度方向的金屬濃度。另外，只要增減各金屬薄層的厚度本身，就能 夠任意地控制金屬濃度本身的大小。 〈實驗2〉
用上述實施方式的成膜方法對金屬摻雜膜中的金屬濃度的控制性 進行研究。在實際的成膜裝置中，少量且穩(wěn)定供給金屬源氣體是相當 困難的，在要求更低濃度的金屬摻雜量的情況下，應對起來并不容易。 因此，通過使暫時形成的金屬薄層的一部分升華、或揮發(fā)，能夠在實 質上實現(xiàn)低深度的金屬摻雜量。例如，通過對在金屬薄層形成工序(例 如，圖4的工序S4)中形成金屬薄層后的絕緣薄層形成工序(S5)中 的處理溫度進行控制，能夠進行上述金屬薄層的厚度的調節(jié)。
在該實驗中，形成圖5A所示的金屬摻雜膜100，將形成第二絕緣 薄層106的絕緣薄層形成工序中的處理溫度tl設定為不同的值45(TC、 550°C。金屬薄層形成工序的處理溫度設定為250°C，層間清洗工序的 長度TP (參照圖4)設定為1小時。
圖8是表示由實驗得到的絕緣薄層形成工序的鋁的濃度相對于溫 度的依存性的曲線圖。在圖8中，Al金屬濃度換算為將金屬摻雜膜的 整體的厚度設定為7.0nm時的濃度。如圖8所示，在金屬薄層形成工 序中實際形成的厚度相對于金屬薄層的理論金屬濃度為0.859 ( atom% )。而在將之后的絕緣薄層形成工序中的處理溫度tl設定為45(TC的 情況下，金屬濃度減少為0.323 ( atom% )。在將處理溫度tl設定為 550。C的情況下，金屬濃度進一步減少為0.139 ( atom% )。
因此，在由金屬薄層形成工序形成金屬薄層后，將之后進行的絕 緣薄層形成工序的處理溫度在容許范圍內(使用處理溫度作為參數(shù)) 進行調節(jié)。由此，通過使該金屬薄層只升華或揮發(fā)規(guī)定量，能夠改變 金屬薄層的厚度，因此，能夠將金屬濃度進一步控制在低濃度區(qū)域。另外，從同樣的觀點出發(fā)，即使使用層間清洗工序的長度TP和設 定溫度作為參數(shù)，也能夠通過使之前形成的金屬薄層只升華或揮發(fā)規(guī) 定量來變更金屬薄層的厚度，因此，能夠進一步將金屬濃度控制在低 濃度區(qū)域。
〈變形例〉
在上述實施方式中，如圖6A和圖6B所示，在絕緣薄層形成工序 和金屬薄層形成工序中，在供給作為氮化氣體或反應氣體的含有NH3 氣體的第二處理氣體的子工序中，接通RF，生成等離子體，將NH3 氣體活性化。但是，在絕緣薄層形成工序和/或金屬薄層形成工序中， 也可以不將NH3氣體利用等離子體活性化而進行供給。
圖6B中，在金屬薄層形成工序中，包括供給含有反應氣體(NH3) 的第二處理氣體的子工序，但也可以只供給含有TMA氣體的第三處理 氣體而不供給含有反應氣體(NH3)的第二處理氣體(因此，也不生成 等離子體)。在這種情況下，當使用具有有機官能團和氨基的有機金屬 化合物作為金屬源氣體時，給特性帶來不良影響的碳成分和氫成分等 有可能被攝入金屬薄層中。但是，由于在該金屬薄層形成工序之后進 行的絕緣薄層形成工序中生成等離子體(參照圖6A)，因此能利用該 等離子體某程度上除去上述金屬薄層中的碳成分和氫成分，該結果是， 幾乎不給特性帶來不良影響。
在上述實施方式中，如圖6A和圖6B所示，在絕緣薄層形成工序 和金屬薄層形成工序中，按照ALD或MLD方法，交替地供給兩種處 理氣體。也可以取而代之，在絕緣薄層形成工序和/或金屬薄層形成 工序中，按照通常的CVD方法，同時供給兩種處理氣體。另外，在這 種變形例中，也可以按照通常的熱CVD方法，不將NH3氣體利用等離 子體活性化而進行供給。
在上述實施方式中，形成氮化硅膜(SiN)作為絕緣薄層，但也可 以采用氧化氣體代替氮化氣體形成氧化硅膜(Si02)。
在上述實施方式中，作為第一處理氣體中的硅源氣體，例示有DCS 氣體，關于這點，作為硅源氣體，可以使用從由如下氣體構成的組中 選擇的一種以上的氣體DCS (二氯硅烷)、四乙氧基硅烷(TEOS)、 四甲基硅烷(TMS)、HCD(六氯乙硅烷)、甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、HMDS (六甲基二硅氮烷)、TCS (三氯硅垸)、DSA (二甲硅烷基胺)、 TSA (三甲硅烷基胺)、BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷)、3DMAS (三-二甲基氨基硅烷)、4DMAS (四-二甲基氨基硅烷)、TEMASiH (三甲 基乙基氨基硅烷)、TEMASi (四乙基甲基氨硅烷)、Si (MMP) 4 (四 甲氧基甲基丙氧基硅烷)。
在上述實施方式中，作為第三處理氣體中的金屬源氣體，例示有 TMA氣體，關于這點，作為金屬源氣體，可以使用從由如下氣體構成 的組中選擇的一種以上的氣體TMA (三甲基鋁)、Cu (hfac) TMVS (六氟乙酰丙酮三甲基乙烯基甲硅烷基銅)、Cu(EDMDD)2、 TBTDET (叔丁基酰亞胺三-二乙酰胺鉭)、PET (五乙氧基鉭)、TiCl4 (四氯化 鈦)、A1C13 (三氯化鋁)、TEH (四乙氧基鉿)、Zr (OtBt) 4、 HTTB (四 叔丁氧基鉿)、TDMAH (四-二甲氨基鉿)、TDEAH (四-二乙氨基鉿)、 TEMAH (四乙基甲基氨基鉿)、Hf (MMP) 4 (四甲氧基甲基丙氧基鉿)、 ZTTB (四叔丁氧基鋯)、TDMAZ (四-二甲基氨基鋯)、TDEAZ (四-二乙基氨鋯)、TEMAZ (四乙基甲基氨基鋯)、Zr (MMP) 4 (四甲氧 基甲基丙氧基鋯)、TEA (四乙基鋁)、Al (MMP) 3 (三甲氧基甲基丙 氧基鋁)。
作為用于形成氮化硅膜的氮化氣體，可以使用NH3或N2氣體。另 外，作為用于形成氧化硅膜的氧化氣體，可以使用從由如下氣體構成 的組中選擇的一種以上的氣體02、 03、 H20、 H202、 N20、 NO。另 外，作為清洗氣體，可以使用N2氣體和、He、 Ar等稀有氣體這樣的 惰性氣體。
在上述實施方式中，作為成膜裝置，例示有一次處理多枚被處理 襯底的批式成膜裝置。取而代之，本發(fā)明也能應用于每次處理一枚被 處理襯底的單片式成膜裝置。另外，作為被處理襯底，不局限于半導 體晶片，也可以為LCD襯底、玻璃襯底等其它襯底。
2權利要求
1、一種半導體處理用的成膜方法，在能夠被有選擇地供給硅源氣體和金屬源氣體的處理容器的處理區(qū)域內，進行在被處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜處理，包括阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第一絕緣薄層的工序；接著，阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金屬源氣體發(fā)生化學反應來形成第一金屬薄層的工序；接著，阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第二絕緣薄層的工序，將所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、和所述第二絕緣薄層按所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、所述第二絕緣薄層的順序層疊。
2、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，所述第一金屬薄層具有0.1~1.0nm的厚度。
3、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述摻雜有金屬的含硅絕緣膜的最下層為所述第一絕緣薄層。
4、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述摻雜有金屬的含硅絕緣膜的最上層為所述第二絕緣薄層。
5、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，在所述形成第二絕緣薄層的工序之后，還包括阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金屬源氣體發(fā)生化學反應來形成第二金屬薄層的工序；接著，阻斷所述金屬源氣體的供給，并且使所述硅源氣體發(fā)生化 學反應來形成第三絕緣薄層的工序，將所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、所述第二絕緣薄層、所述第二金屬薄層、和所述第三絕緣薄層按所述第一絕緣薄層、所述 第一金屬薄層、所述第二絕緣薄層、所述第二金屬薄層、所述第三絕 緣薄的順序層疊。
6、 如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一金屬薄層和所述第二金屬薄層分別具有0.1 0.6nm的厚 度，所述第二絕緣薄層具有0.2 3.0nm的厚度。
7、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述處理區(qū)域能夠被有選擇地供給還原氣體， 在所述形成第一金屬薄層的工序中，使所述還原氣體與所述金屬源氣體發(fā)生化學反應。
8、 如權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述形成第一金屬薄層的工序中，交替地多次反復迸行如下子 工序第一供給子工序，對所述處理區(qū)域供給所述金屬源氣體，而阻斷 所述還原氣體的供給；第二供給子工序，對所述處理區(qū)域供給所述還原氣體，而阻斷所 述金屬源氣體的供給。
9、 如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二供給子工序具有激勵期間，將所述還原氣體以利用等離 子體激勵機構進行了激勵的狀態(tài)向所述處理區(qū)域供給。
10、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，在所述形成第一絕緣薄層的工序和所述形成第一金屬薄層的工序 之間、所述形成第一金屬薄層的工序和所述形成第二絕緣薄層的工序 之間，還分別包括阻斷所述硅源氣體和所述金屬源氣體的供給、并且 排除所述處理區(qū)域內的殘留氣體的第一中間工序和第二中間工序。
11、 如權利要求IO所述的方法，其特征在于，以所述第二中間工序的設定溫度為參數(shù)，改變所述第一金屬薄層 的厚度來控制所述摻雜有金屬的含硅絕緣膜的金屬濃度。
12、 如權利要求IO所述的方法，其特征在于， 以所述第二中間工序的長度為參數(shù)，改變所述第一金屬薄層的厚度來控制所述摻雜有金屬的含硅絕緣膜的金屬濃度。
13、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述處理區(qū)域能夠被有選擇地供給用于提供所述第一絕緣薄層和所述第二絕緣薄層的材料的一部分的反應氣體，在所述形成第一絕緣薄層的工序和所述形成第二絕緣薄層的工序 中，分別使所述反應氣體與所述硅源氣體發(fā)生化學反應。
14、 如權利要求13所述的方法，其特征在于， 在所述形成第一絕緣薄層的工序和所述形成第二絕緣薄層的工序中，分別交替地多次反復進行如下子工序第一供給子工序，對所述處理區(qū)域供給所述硅源氣體，而阻斷所 述反應氣體的供給；第二供給子工序，對所述處理區(qū)域供給所述反應氣體，而阻斷所 述硅源氣體的供給。
15、 如權利要求13所述的方法，其特征在于， 所述第二供給子工序具有激勵期間，將所述反應氣體以利用等離子體激勵機構進行了激勵的狀態(tài)向所述處理區(qū)域供給。
16、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，所述硅源氣體包含從由如下氣體構成的組中選擇的一種以上的氣 體DCS (二氯硅垸)、四乙氧基硅烷(TEOS)、四甲基硅烷(TMS)、 HCD (六氯乙硅垸)、甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、 HMDS (六甲 基二硅氮烷)、TCS (三氯硅垸)、DSA (二甲硅烷基胺)、TSA (三甲 硅垸基胺)、BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷)、3DMAS (三-二甲基氨基硅烷)、4DMAS (四-二甲基氨基硅垸)、TEMASiH (三甲基乙基氨基 硅垸)、TEMASi (四乙基甲基氨硅烷)、Si (MMP) 4 (四甲氧基甲基 丙氧基硅垸)。
17、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述金屬源氣體包含從由如下氣體構成的組中選擇的一種以上的氣體TMA (三甲基鋁)、Cu (hfac) TMVS (六氟乙酰丙酮三甲基乙 烯基甲硅垸基銅)、Cu (EDMDD) 2、 TBTDET (叔丁基酰亞胺三-二乙 酰胺鉭)、PET (五乙氧基鉭)、TiCl4 (四氯化鈦)、A1C13 (三氯化鋁)、 TEH (四乙氧基鉿)、Zr (OtBt) 4、 HTTB (四叔丁氧基鉿)、TDMAH (四-二甲氨基鉿)、TDEAH (四-二乙氨基鉿)、TEMAH (四乙基甲基 氨基鉿)、Hf (MMP) 4 (四甲氧基甲基丙氧基鉿)、ZTTB (四叔丁氧 基鋯)、TDMAZ(四-二甲基氨基鋯)、TDEAZ(四-二乙基氨鋯)、TEMAZ (四乙基甲基氨基鋯)、Zr (MMP) 4 (四甲氧基甲基丙氧基鋯)、TEA (四乙基鋁)、Al (MMP) 3 (三甲氧基甲基丙氧基鋁)。
18、 如權利要求l所述的方法，其特征在于， 所述處理區(qū)域能夠被有選擇地供給NH3氣體，在所述形成第一絕緣薄層的工序和所述形成第二絕緣薄層的工序 中，分別使所述NH3氣體與所述硅源氣體發(fā)生化學反應，在所述形成第一金屬薄層的工序中，使所述NH3氣體與所述金屬 源氣體發(fā)生化學反應。
19、 一種半導體處理用的成膜裝置，包括 具有收納被處理襯底的處理區(qū)域的處理容器； 在所述處理區(qū)域內支承所述被處理襯底的支承部件； 對所述處理區(qū)域內的所述被處理襯底進行加熱的加熱器； 對所述處理區(qū)域內進行排氣的排氣系統(tǒng)； 向所述處理區(qū)域供給硅源氣體的供給系統(tǒng)； 向所述處理區(qū)域供給金屬源氣體的供給系統(tǒng)；和 對所述裝置的動作進行控制的控制部，所述控制部進行預先設定，使得在所述處理區(qū)域內進行在所述被 處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜處理，所述成膜處理 包括阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應 來形成第一絕緣薄層的工序；接著，阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金屬源氣體發(fā)生化學反應來形成第一金屬薄層的工序；接著，阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化 學反應來形成第二絕緣薄層的工序，將所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、和所述第二絕緣薄層 按所述第一絕緣薄層、所述第一金屬薄層、所述第二絕緣薄的順序層 疊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體處理用的成膜方法，其在能夠被有選擇地供給硅源氣體和金屬源氣體的處理容器的處理區(qū)域內，進行在被處理襯底上形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜處理。成膜處理包括阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第一絕緣薄層的工序；接著，阻斷所述硅源氣體的供給、并且使所述金屬源氣體發(fā)生化學反應來形成第一金屬薄層的工序；接著，阻斷所述金屬源氣體的供給、并且使所述硅源氣體發(fā)生化學反應來形成第二絕緣薄層的工序。
文檔編號C23C16/06GK101562133SQ20091013009
公開日2009年10月21日 申請日期2009年4月17日 優(yōu)先權日2008年4月18日
發(fā)明者周保華, 戶根川大和, 柴田哲彌, 長谷部一秀, 門永健太郎 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社