專利名稱：一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設(shè)備，屬于腐蝕晶片 技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中用于晶片腐蝕的工藝方法包括如下工藝步驟
1) 腐蝕液的配置；
2) 來料進(jìn)行抽測(cè)幾片，并記錄下晶片的頻率，進(jìn)行計(jì)算出要腐蝕的大致 時(shí)間；
3) 用手拿著放好晶片的腐蝕籃放到腐蝕液中進(jìn)行晃動(dòng)腐蝕；
4) 腐蝕到計(jì)算時(shí)間的一半時(shí)進(jìn)行計(jì)算出要腐蝕的速率以及計(jì)算腐蝕時(shí)間；
5) 將腐蝕好的晶片用熱水沖洗干凈，倒入放有鹽酸稀釋液的容器中，用 超聲波超聲30分鐘；
6) 晶片清洗熱水清洗三次一溫水洗三次一電磁爐純凈水煮沸5分鐘一 酒精脫水一烘干。
上述工藝缺陷人工進(jìn)行腐蝕，腐蝕的效率低， 一人只能操作一臺(tái)，一 臺(tái)僅能腐蝕1籃/次；腐蝕頻率管控需操作人進(jìn)行人工計(jì)算腐蝕速率；腐蝕完 后晶片清洗用手工進(jìn)行清洗，增加人力。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設(shè)備，旨在克服現(xiàn)有技術(shù) 所存在的上述缺陷，實(shí)現(xiàn)加工自動(dòng)化，減少了因人為因素所造成的產(chǎn)品質(zhì)量 不穩(wěn)定，從而有效地提高了生產(chǎn)效率，保證了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案 一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是該方 法包括如下工藝步驟
一、 腐蝕液的配置
F>30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式NH4HF2,分子量57.04, 含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)， 溫度65±2°C;
16MHz《F〈30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式NH4HF2,分子 量57.04,含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50土2'C;
F<8MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2。C;
16MHz〈F《30MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 ±2°C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHz 1000 2000片/籃，F(xiàn) 〉17MHz 1500 2000/ 籃；式中的F是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受電機(jī)控制的腐蝕槽振動(dòng)架，在電機(jī)的控制下作上下運(yùn)動(dòng)1 1.5 次/秒(晶片型號(hào)HC-49U/S);四、從將腐蝕的晶片中隨機(jī)抽測(cè)晶片20片,并將該20片的頻率記錄在計(jì) 算機(jī)檔案里，取其中頻率最大的5片進(jìn)行第一次腐蝕，在進(jìn)行第一次腐蝕前 應(yīng)將所設(shè)定的時(shí)間和頻率記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，將第一次腐蝕的目標(biāo)值為上 述20片中的平均頻率值加上述20片中的最大的頻率值除以2，該批次晶片的 腐蝕時(shí)間由計(jì)算機(jī)自動(dòng)計(jì)算；
五、啟動(dòng)腐蝕機(jī)，待晶片腐蝕到規(guī)定時(shí)間，將4籃晶片拎出，放入水溫在 80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時(shí)間10 15分鐘，經(jīng)三道槽清 洗后放在純凈水中超聲清洗10 15分鐘，然后放入電子級(jí)酒精超聲脫水8 IO分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡，
所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4的容積；
所述的純凈水、電子級(jí)酒精占所在超聲波2/4的容積；
用于晶片頻率腐蝕的設(shè)備,結(jié)構(gòu)是在腐蝕框內(nèi)設(shè)有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三 道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三 道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動(dòng)桿，傳動(dòng)桿上有 腐蝕槽振動(dòng)架，盛放晶片籃放在該振動(dòng)架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)由自動(dòng)腐蝕晶片代替人工腐蝕晶片， 一臺(tái)機(jī)能腐蝕4/次， 且每人操作2臺(tái)設(shè)備，是原加工產(chǎn)量的8倍左右；腐蝕用計(jì)算機(jī)檔案代替人 工進(jìn)行頻率管控；便于自動(dòng)化，減少人為因素；腐蝕完晶片清洗用自動(dòng)化裝 置代替人工進(jìn)行清洗，腐蝕和清洗能同時(shí)進(jìn)行操作代替原來不能同時(shí)進(jìn)行的 工作從而減少人力也提高了效率。


附圖1是用于晶片頻率腐蝕的設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中的1是腐蝕槽、2是三道清洗槽、3是A隔板、4是B隔板、5是傳 動(dòng)桿、6是腐蝕槽振動(dòng)架、7是放水隔層、8是抽風(fēng)裝置。
具體實(shí)施例方式
對(duì)照附圖，其結(jié)構(gòu)是在腐蝕框內(nèi)設(shè)有腐蝕槽1，腐蝕槽1緊鄰三道清洗槽 2，三道清洗槽2和腐蝕槽1間用A隔板隔開，三道清洗槽2內(nèi)有四塊B隔板，， 三道清洗槽2的底部相通；三道清洗槽2和腐蝕槽1內(nèi)各有一根傳動(dòng)桿5， 傳動(dòng)桿5上有個(gè)腐蝕槽振動(dòng)架6,盛放晶片籃放在該腐蝕槽振動(dòng)架6上；所述的腐 蝕槽1外圍有一放水隔層7，
所述的三道清洗槽2中的二個(gè)A隔板的高度H是不同的。 腐蝕槽1和三道清洗槽2的上方有一個(gè)共同的抽風(fēng)裝置8。 實(shí)施例1
晶片頻率腐蝕方法的工藝步驟-一、腐蝕液的配置F>30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式-NH4HF2，分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L氟化氫 銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65士2。C;
16MHz《F〈30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式NH4HF2，分子 量57.04,含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50±2°〇；
F<8MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1,配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2-C;16MHz〈F《30MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 ±2°C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHz 1000片/籃，F(xiàn)〉17MHzl500/籃；式中的F 是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受調(diào)速電機(jī)控制的腐蝕槽振動(dòng)架作上下運(yùn)動(dòng)1次/秒(晶片型號(hào)
HC-49U/S);
四、 從將腐蝕的晶片中隨機(jī)抽測(cè)晶片20片,并將該20片的頻率(19537， 19577， 19539， 19565, 19576， 19533， 19536， 19580， 19586, 19570， 19560， 19568， 19565， 19539， 19575， 19578， 19567， 19569， 19539， 19567)(單
位KHZ)記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，取其中頻率最大的5片進(jìn)行第一次腐蝕，在 進(jìn)行第一次腐蝕后的腐蝕時(shí)間(1000S)和頻率記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，頻率為 20M的工藝參數(shù)為19910 20030 20150 (單位KHZ)。將第一次腐蝕的目 標(biāo)值為工藝參數(shù)的中心值(20030)加上工藝參數(shù)的最大值(20150)除以2， 計(jì)算出腐蝕的目標(biāo)值輸入到計(jì)算機(jī)檔案里，該批次晶片的腐蝕時(shí)間由計(jì)算機(jī) 自動(dòng)計(jì)算(1033S)。
五、 啟動(dòng)腐蝕機(jī)，待晶片腐蝕到規(guī)定的腐蝕時(shí)間，將4籃晶片拎出，放 入水溫在80度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時(shí)間IO分鐘，經(jīng)三道槽 清洗后放在純凈水中超聲清洗10分鐘，然后放入電子級(jí)酒精超聲脫水8分鐘， 最后烘干，除去晶片表面水跡，所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4 的容積；所述的純凈水、電子級(jí)酒精占所在超聲波2/4的容積；實(shí)施例2
晶片頻率腐蝕方法的工藝步驟包括如下工藝步驟
一、 腐蝕液的配置F>30MHZ時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式
NH4HF2，分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L氟化氫 銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65土2'C;
16MHz《F<30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式NH4HF2，分子 量57.04，含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50士2。C;
F<8MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2。C;
16MHz〈F《30MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 士2。C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHzl000片/籃，F(xiàn)〉17MHzl500/籃；式中的F 是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受調(diào)速電機(jī)控制的腐蝕槽振動(dòng)架作上下運(yùn)動(dòng)1次/秒(晶片型號(hào) HC-49U/S);
四、 從將腐蝕的晶片中隨機(jī)抽測(cè)晶片20片,并將該20片的頻率(19008， 19031， 19064， 19099， 19046， 19004， 19078， 19078, 19044， 19002, 19058， 19072, 19055， 19047， 19082, 19001， 19005, 19089， 19021， 19068)(單
位KHZ)記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，取其中頻率最大的5片進(jìn)行第一次腐蝕，在進(jìn)行第一次腐蝕后的腐蝕時(shí)間(800S)和頻率記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，頻率為 19.2M的工藝參數(shù)為19215 19350 19485 (單位KHZ)。將第一次腐蝕的目 標(biāo)值為工藝參數(shù)的中心值(19350)加上工藝參數(shù)的最大值(19485)除以2， 計(jì)算出腐蝕的目標(biāo)值輸入到計(jì)算機(jī)檔案里，該批次晶片的腐蝕時(shí)間由計(jì)算機(jī) 自動(dòng)計(jì)算(887S)。；
五、啟動(dòng)腐蝕機(jī)，待晶片腐蝕到規(guī)定的腐蝕時(shí)間，將4籃晶片拎出，放入 水溫在80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時(shí)間15分鐘，經(jīng)三道 槽清洗后放在純凈水中超聲清洗15分鐘，然后放入電子級(jí)酒精超聲脫水10 分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡，所述的電子級(jí)酒精的所投超聲脫水
所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4的容積；所述的純凈水、電 子級(jí)酒精占所在超聲波2/4的容積；
腐蝕時(shí)打開電源開關(guān)使腐蝕機(jī)接通電源，然后打開帶動(dòng)腐蝕槽傳動(dòng)桿的 調(diào)速電機(jī)使傳動(dòng)桿進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，把準(zhǔn)備腐蝕的晶片放在晶片籃內(nèi)，放好后 晶片籃放到傳動(dòng)桿上的固定架上，使晶片在腐蝕槽內(nèi)的腐蝕液中進(jìn)行上下震 蕩進(jìn)行腐蝕，直到腐到晶片的目標(biāo)頻率為止。腐蝕完晶片清洗時(shí)打開帶動(dòng)清 洗槽傳動(dòng)桿的調(diào)速電機(jī)，使傳動(dòng)桿進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，把腐蝕到目標(biāo)頻率的晶片 籃放到清洗槽傳動(dòng)桿的固定架上使晶片分別在三道清洗槽流動(dòng)的熱水中進(jìn)行 上下震蕩進(jìn)行清洗，直到晶片的表面清潔為止。
權(quán)利要求
1、一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是該方法包括如下工藝步驟一、腐蝕液的配置F>30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))，分子式NH4HF2，分子量57.04，含量33％±1％，密度為1.09～1.10g/ml；17L氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65±2℃；二、腐蝕數(shù)量F≤17MHz1000～2000片/籃，F(xiàn)>17MHz1500～2000/籃；式中的F是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；三、受電機(jī)控制的腐蝕槽振動(dòng)架，在電機(jī)的控制下作上下運(yùn)動(dòng)1～1.5次/秒(晶片型號(hào)HC-49U/S)；四、從將腐蝕的晶片中隨機(jī)抽測(cè)晶片20片，并將該20片的頻率記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，取其中頻率最大的5片進(jìn)行第一次腐蝕，在進(jìn)行第一次腐蝕前應(yīng)將所設(shè)定的時(shí)間和頻率記錄在計(jì)算機(jī)檔案里，將第一次腐蝕的目標(biāo)值為上述20片中的平均頻率值加上述20片中的最大的頻率值除以2，該批次晶片的腐蝕時(shí)間由計(jì)算機(jī)自動(dòng)計(jì)算；五、啟動(dòng)腐蝕機(jī)，待晶片腐蝕到規(guī)定時(shí)間，將4籃晶片拎出，放入水溫在80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時(shí)間10～15分鐘，經(jīng)三道槽清洗后放在純凈水中超聲清洗10～15分鐘，然后放入電子級(jí)酒精超聲脫水8～10分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述的腐蝕液的配置工藝步驟一，16MHz《F<30MHz時(shí)氟化氫銨水溶液(電子級(jí))， 分子式NH4HF2,分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L 氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度50士2。C。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟一，F(xiàn)<8MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分 子量57.04，氟化氫銨水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐 蝕槽內(nèi)，溫度78士2。C。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟一，16MHz<F《30MHz時(shí)氟化氫銨固體分子式 NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨水(重量比)=:1:1.5,配好后的混合液 17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60土2'C。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟五，所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4 的容積；所述的純凈水、電子級(jí)酒精占所在超聲波2/4的容積。
6、 用于晶片頻率腐蝕的設(shè)備，其特征是在框內(nèi)設(shè)有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三 道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三 道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動(dòng)桿，傳動(dòng)桿上有 腐蝕槽振動(dòng)架，盛放晶片籃放在該振動(dòng)架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶片頻率腐蝕的設(shè)備，其特征是所述的三道清洗槽中的二個(gè)隔板間的高度是不同的。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶片頻率腐蝕的設(shè)備，其特征是所述的腐蝕 槽和清洗槽的上方有一個(gè)共同的抽風(fēng)裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及的是一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設(shè)備，腐蝕的方法包括如下工藝步驟一、腐蝕液的配置二、腐蝕數(shù)量三、腐蝕槽振動(dòng)架上下運(yùn)動(dòng)四、來料隨機(jī)抽測(cè)晶片并由計(jì)算機(jī)自動(dòng)計(jì)算該批次晶片的腐蝕時(shí)間；五、按照腐蝕時(shí)間啟動(dòng)腐蝕機(jī)。設(shè)備，其結(jié)構(gòu)是在框內(nèi)設(shè)有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動(dòng)桿，傳動(dòng)桿上有個(gè)固定架，盛放晶片籃放在該固定架；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。優(yōu)點(diǎn)由自動(dòng)腐蝕晶片是原加工產(chǎn)量的8倍；腐蝕用計(jì)算機(jī)檔案進(jìn)行頻率管控，減少人為因素；腐蝕和清洗能同時(shí)進(jìn)行，從而減少人力也提高了效率。
文檔編號(hào)C23F1/24GK101532180SQ200910025830
公開日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者王玉香, 肖玉森 申請(qǐng)人:南京德研電子有限公司