專利名稱：化學氣相沉積反應器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及化學氣相沉積(“CVD”)反應器，包括金屬有機化學氣相沉積 (“ MOCVD，，)反應器。
背景技術：
化學氣相沉積(“CVD”)反應器，尤其是金屬有機化學氣相沉積(“M0CVD”)反應 器，用于將固體材料沉積在晶片上。這種材料一般包括周期表中第III族欄和第V族欄的 元素(被稱為III-V材料，但也包括“II-VI材料”)的化合物。使用這些反應器還將諸如 硅(Si)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等的材料沉積在晶片或其它表面上。在商業(yè)上，這些 反應器用于制造固態(tài)(半導體)微電子裝置、光學裝置和光電(太陽能)裝置以及其它電 子/光電子材料和裝置。在操作中，通常通過(通常)位于晶片承載片(wafer carrier)的下表面下方的 加熱器組件將扁平圓柱形晶片承載片加熱至所需的溫度(450°C -1400°C )，晶片承載片帶 有裝載在晶片承載片上表面上的淺凹口中的一個或多個晶片。連續(xù)供應的氣體混合物被弓I導以在被加熱的晶片承載片和晶片的表面上流動。氣 體混合物主要(約75% -95% )是載氣，其是用于在反應器中限定一般的流動模式并適當 地稀釋反應氣體的適當惰性氣體(一般為氫或氮)。氣體混合物的剩余包括第V族反應氣 體(約4% -23% )、第III族反應性蒸氣(約-2% )和摻雜氣體或蒸氣(痕量)。第V族氣體緊鄰被加熱的晶片承載片和晶片的表面上方和表面上分解，允許中央 的第V族元素的原子合并到被沉積的材料層(位于晶片上和位于晶片承載片上)中。同樣 地，第III族氣體分解以提供第III族的元素。同樣地，摻雜氣體分解以提供用于改變半導 體材料導電特性的原子。在晶片承載片和晶片的表面上徑向向外流動后，氣體混合物(現(xiàn)在還包含反應副 產(chǎn)物)經(jīng)過一個或多個排出口離開反應器。通常使用真空泵以抽吸氣體混合物通過反應 器，尤其是因為大多數(shù)材料最優(yōu)地在比大氣壓力低的壓力下沉積。氣體混合物在被加熱的 晶片承載片上方經(jīng)過后，開始快速地冷卻，這導致副產(chǎn)物快速凝固為固體狀態(tài)。它們易于包 覆反應器腔室(在晶片承載片下方)和排出管路的內表面。晶片承載片通常以從100RPM到超過1000RPM的轉速旋轉，以有助于均勻地分布流 動的氣體混合物，并減小傳質(mass-transport)邊界層的厚度，這提高了反應物使用以及 副產(chǎn)物去除的效率。使用該方法使材料分批沉積。在分批運行過程中并不連續(xù)地供應反應物。如下進 行通常的分批運行。在運行的初始階段期間，僅以低的流速供應載氣。接著同時地，將晶片承載片的旋轉逐漸增大到期望值，將晶片承載片的溫度增加到期望值，并將載氣流速增加 到期望值。通常，首先將第V族反應氣體(以特定的溫度水平)切換到反應器中，以穩(wěn)定襯 底晶片的表面(防止第V族原子的脫附)，接著將第III族和摻雜氣體切換進來，以影響材 料層的“生長”(僅當至少一種第V族和至少一種第III族源被切換到反應器時才發(fā)生材料 生長)?？赡艹霈F(xiàn)無第III族或摻雜氣體供應到反應器的短暫停頓，但是通常在整個生長階 段期間(當溫度高于約350°C -400°C時)供應至少一種第V族氣體。一旦所有的材料層進行了生長，則將溫度逐漸下降。一旦溫度低于約350°C，則切 斷第V族反應氣體，并且將旋轉、溫度和載氣流速降低到開始的水平。接著通過打開反應器 腔室頂部或通過利用機械裝置將整個晶片承載片從反應器腔室移出而將晶片從晶片承載 片上移除。取決于被沉積的材料，可以將同一晶片承載片用于多批次運行，或僅用于一次運 行，然后必須將沉積在暴露的上表面上的多余材料清除。目前在市場中使用多種已知的M0CVD反應器系統(tǒng)。這些已知的M0CVD反應器中每 一種均具有缺陷和缺點。一種設計使用具有氣流噴射頂蓋的高圓筒形容器，其試圖將氣流均勻地分布在整 個蓋區(qū)域上。豎直的分離在有限的程度上防止副產(chǎn)物材料在蓋的內表面上的沉積，而氣流 穿過蓋的內表面進入。然而，這種蓋的設計所具有的缺點包括蓋中多個氣體分布“區(qū)域” 的無效隔離，這導致預先反應和副產(chǎn)物材料的沉積；氣流在來自供氣管路的大區(qū)域面積上 的無效分布，這導致非最優(yōu)的材料特性以及在蓋的內表面上的額外材料沉積；以及需要高 氣體流速以產(chǎn)生從蓋經(jīng)過大的腔室容積的相對均勻的流出流。第二種設計使用具有與(被加熱的)沉積表面緊密間隔的氣流噴射頂蓋的短圓筒 形容器。緊密的間隙有效地使反應器容積最小化并提供氣體與沉積表面的有效接觸，并且 氣體腔室隔離是有效的。然而，緊密的間隙導致副產(chǎn)物材料在蓋的內表面上沉積并幾乎在 每次工藝運行后均需要清潔，這樣需要更多的維護時間和成本以及更少的生產(chǎn)時間。除了 高的維護成本，由于蓋的復雜性和大的面積，制造頂蓋的成本也是非常高的。使用這兩種設計均是昂貴的。第一種設計具有非常高的操作成本并產(chǎn)生質量及性 能較低的產(chǎn)品。第二種設計具有相對較低的操作成本，但是具有較高的系統(tǒng)維護要求。期望具有較低的生產(chǎn)代價和操作成本的CVD反應器系統(tǒng)。期望具有改善的被沉積 的材料的特性、高正常工作時間和高質量的CVD反應器系統(tǒng)。

發(fā)明內容
提供了 CVD反應器，例如進行外延層的金屬有機化學氣相沉積的M0CVD反應器。 CVD或M0CVD反應器一般包括一個或多個流量法蘭組件、可調整的比例流噴射器組件、腔室 組件和多節(jié)段中心旋轉軸。CVD反應器向用于減少氣體使用并同時改善沉積的性能的特定元件提供了新穎的 幾何形狀。一方面，描述了多個具有新穎幾何形狀的CVD反應器元件。另一方面，描述了解 決常規(guī)CVD反應器的問題的新元件。例如，腔室頂壁和側壁具有與常規(guī)元件明顯不同的幾 何形狀。頂壁和側壁形成了外展的或彎曲的錐形表面。反應器的離開區(qū)域也具有改進的幾 何形狀，包括漸縮的或傾斜的表面。本發(fā)明的一實施方案中包括新穎的氣體噴射器以進一 步改善性能和經(jīng)濟性。
創(chuàng)造性的設計提供了多個優(yōu)點。CVD反應器減小了反應器的容積，提供了引導進入 的氣體流與沉積表面緊密接觸的導流表面，提供了額外的導流表面以防止廢反應氣體反向 進入主反應容積，提供了主要內部反應器表面的高度均勻的流體冷卻或溫度控制，并提供 了減小沉積表面熱損失的裝置。反應器的設計解決現(xiàn)有設計的多個問題，這些問題包括但不限于以下(1)高的/ 低效的氣體和化學品使用，(2)進入的氣體流的非均勻分布，(3)設備的高制造成本，以及 (4)難以解決的副產(chǎn)物材料在內部反應器表面上的沉積。其結果是較低的操作成本、被沉積 的材料層的改善的特征和較低的機器維護要求等優(yōu)點。與其它設計的豎直圓柱形壁相反，流量法蘭組件包括三維漸縮或外展的錐形上表 面和緊接該表面后側的薄的流體間隙。該設計減小了反應器容積和氣體使用，有效地將氣 體向沉積表面導引以實現(xiàn)更有效的化學品使用，并提供了大致均勻的徑向速度以實現(xiàn)改進 的沉積均勻性?？烧{整的比例流噴射器具有若干特點，包括小于沉積表面的面積、隔離的流區(qū) 域、不具有分隔屏障的單一可調整的流區(qū)域以及均勻的冷卻流體流型。通過提供較低 的氣體流速、較低的制造成本、無區(qū)域交叉泄露(zone cross leak)及所產(chǎn)生的預反應 (pre-reaction)和副產(chǎn)物材料沉積以及被沉積的材料的改善的均勻性，這些特點解決現(xiàn)有 技術的噴射器中的若干問題。在一實施方案中，可調整的比例流噴射器組件包括用于分隔地保持一個或多個反 應氣體流的一個或多個氣體腔室和用于在將氣體噴射到反應器腔室中之前調節(jié)氣體溫度 的流體空腔?？烧{整的比例流噴射器組件從供應管接收一個或多個氣體流入流并散布/擴 散這些流以實現(xiàn)均勻的流出流速度，并同時使氣流在其離開前保持分離，還調節(jié)氣體在離 開可調整的比例流噴射器組件時的溫度。在一實施方案中，腔室組件一般包括錐形或傾斜的下部流動導引件。下部流動導 引件防止氣體再循環(huán)回到反應區(qū)域中，改善從晶片承載片的外緣流動到排氣口中的平順性 以實現(xiàn)更穩(wěn)定的整體反應器流型，減少晶片承載片的外緣處的熱損失以實現(xiàn)更好的溫度均 勻性和改善的材料特征。晶片承載片的一實施方案具有由耐高溫材料制成的圓柱形板，其將襯底晶片保持 在反應器容積內，并在本發(fā)明的實施方案中將從加熱器組件接收的熱傳遞至晶片。中心旋 轉軸一般與晶片承載片相通并引起晶片承載片的旋轉運動。在一實施方案中，中心旋轉軸 通常結合旋轉真空饋孔(如鐵磁流體密封類型(ferrofluid sealed type))穿透基板中軸 線，并且在反應器內支撐晶片承載片和使晶片承載片旋轉。在一具體實施方案中，反應器包括具有頂部和底部的兩件式晶片承載片，頂部具 有最適于保持襯底晶片的性質，底部具有最適于熱吸收的性質。 在一實施方案中提供了多節(jié)段中心旋轉軸。多節(jié)段軸具有可任選地用于反應器中 的兩個或更多節(jié)段。多節(jié)段軸的至少一個節(jié)段由具有低熱傳導率的材料制成。多節(jié)段軸可 具有被設計為具有高的熱傳遞抵抗性的節(jié)段分界面，以減少晶片承載片的熱損失。多節(jié)段 軸可在晶片承載片的中心附近產(chǎn)生額外的熱并向晶片承載片和/或軸的熱損失提供熱障。


以下是對一同遞交的附圖的一般性描述。圖1是整個反應器腔室組件的一實施方案的立體圖。圖2是整個反應器腔室組件的一實施方案的側視圖。圖3-5示出整個反應器腔室組件的一實施方案的橫截面圖。圖6示出流量法蘭組件的一實施方案的立體圖。圖7示出流量法蘭組件的一實施方案的分解側視圖。圖8示出流量法蘭組件的一實施方案的分解下側視圖。圖9a_c示出上部流動導引件的一實施方案的3個橫截面?zhèn)纫晥D。圖10示出上部流動導引件的一實施方案的放大橫截面圖。圖11示出可調整的比例流噴射器組件的一實施方案的側視圖。圖12示出可調整的比例流噴射器組件的一實施方案的分解側視圖。圖13-15示出可調整的比例流噴射器組件的一實施方案的3個橫截面圖。圖16示出可調整的比例流噴射器氣體腔室機械加工件的一實施方案的俯視內部 視圖。圖17示出可調整的比例流噴射器組件的以實施方案的仰視圖。圖18示出可調整的比例流噴射器組件的、密封至流量法蘭組件的雙0形圈密封的 放大橫截面圖。圖19示出腔室組件的一實施方案的立體圖。圖20示出腔室組件的一實施方案的俯視圖。圖21a和21b示出了中心旋轉軸組件一實施方案的兩個分解圖。圖22示出中心旋轉軸組件一實施方案的側視圖。圖23示出中心旋轉軸組件一實施方案的橫截面圖。圖24示出中心旋轉軸組件一實施方案的放大橫截面圖。圖25a_c示出了可調整的比例流噴射器組件的氣體腔室的子組件的另一實施方案。發(fā)明的詳細描述使用優(yōu)選實施方案對本發(fā)明進行詳細的描述。然而，本發(fā)明不限于這些實施方案。 另外，一實施方案中的要求可自由地應用于其它實施方案，并且除非附帶特殊條件，否則要 求可以相互代替。具體地，以下對CVD反應器或M0CVD反應器以及反應器的元件和部件進 行更詳細的描述。CVD反應器或M0CVD反應器可包括本文未具體提及的其它元件和部件。 此外，應該理解，本發(fā)明的范圍涉及可包括本文所討論的元件和部件中的一些或可包括本 文所討論的元件和部件的全部的CVD反應器或M0CVD反應器。圖1圖示了整個反應器組件1的一實施方案的前側立體圖。整個反應器組件1包 括3個子組件，其共同形成整個反應器組件1。這3個子組件是流量法蘭組件3、可調整的 比例流噴射器組件5和腔室組件10。圖2圖示了反應器1的側視圖以及從反應器1的外部 可見的單獨元件中的一些元件。以下對這些元件進行更詳細的討論。圖3-5圖示了示出3個子組件的相互連接的整個反應器組件1的橫截面圖，和組 成這3個子組件的單獨元件的橫截面圖。在圖1和2中圖示了流量法蘭組件2、可調整的比 例流噴射器組件5和腔室組件7。還顯示了 3個子組件3、5和7的單獨元件，并在以下對這些單獨元件進行更詳細的討論。圖6-10和18示出了流量法蘭組件3的一實施方案的若干視圖。流量法蘭組件3 包括主法蘭本體30并具有上部開口 31，上部開口 31限定了用于位于頂部的流噴射器組件 5的裝配口并裝配至位于底端的腔室組件10(在圖3-5的橫截面圖中最佳地示出)。流量 法蘭組件3具有裝配在主法蘭本體30內的上部流動導引件32，其與流噴射器和晶片承載片 一起限定反應器容積33和反應器容積內的氣體流型。上部流動導引件32優(yōu)選地具有三維漸縮錐形的且面向外的表面34(與現(xiàn)有技術 設計的豎直圓柱形壁不同)。上部流動導引件32被定位且裝配在主法蘭本體30中(在圖 7和8中最佳地示出)。主法蘭本體30的下側35具有接收上部流動導引件32的面向內的 表面36的相應形狀，使得緊鄰上部流動導引件32后方且在上部流動導引件32與主法蘭本 體30之間形成薄的流體間隙或空腔37 (在圖8-10中最佳地圖示)。在如圖9a-c中所示的 實施方案中，流體空腔采集通道41、42(這里是兩個點)通過流動孔40與薄的流體空腔37 連接。上部流動導引件32的幾何形狀使反應器腔室容積最小化，抑制了反應器腔室容 積33內的再循環(huán)渦旋并提供反應氣體與晶片承載片表面77的有效接觸。
在一實施方案中，如圖3-5中最佳地示出，上部流動導引件32具有第一(上部) 直徑Dl和第二(下部)直徑D2，第一(上部)直徑Dl與可調整的比例流噴射器(AFPI)7 的直徑基本上相等，第二(下部)直徑D2與晶片承載片76的直徑d3基本上相等。如圖所 示，第一直徑Dl小于第二直徑D2。第一直徑Dl優(yōu)選地為第二直徑D2的約0.2到0.5。上 部流動導引件32并非嚴格的錐形，而是彎曲的，因為導引件向下延伸并在接近D2時外展。 上部流動導引件32產(chǎn)生一種氣體流型，其中均勻分布的、向下流動的氣流被引向晶片承載 片76，但是氣流還橫向轉向并延伸，從而能夠使用較小直徑的流噴射器5以在基本上較大 的晶片承載片76上均勻地分布流，而在反應器腔室容積33內不會發(fā)生氣體再循環(huán)。上部流動導引件32的彎曲或外展輪廓提供大致相等的徑向氣體速度?？商鎿Q地， 具有這種幾何形狀的上部流動導引件32被稱為膨脹錐形上部流動導引件32。盡管不受理 論約束，對于徑向向外移動的氣流而言，氣體必須穿過連續(xù)增加的橫截面積(其隨著對于 圓柱形幾何形狀的半徑而增加)，因此，流速必須降低。為了保持基本上恒定的速度，包含的 幾何形狀的高度Hl可以逐漸減小，使得橫截面積(周長與高度的乘積)保持基本上恒定， 這樣抵消了周長隨半徑的增加。流量法蘭組件3優(yōu)選地具有緊鄰上部流動導引件32后側定位(位于上部流動導 引件32與主法蘭本體30之間)的流體間隙37。在本發(fā)明的實施方案中，流體間隙37相對 較薄(約0. 1英寸或更小)，這樣對于大致每分鐘1加侖的流體流速以及密度和粘度值處于 水的幅值范圍內的流體而言，會產(chǎn)生小于3200的Reynold數(shù)，這表示在流體間隙內的層流 和流體的有效使用。這種構造產(chǎn)生降低的流體使用和/或減小流體再循環(huán)器的容量(如果 采用貯液槽/再循環(huán)器熱交換器系統(tǒng))。流量法蘭組件3還可以包括用于空氣移除和逆流(counter-flow)熱交換的、經(jīng)過 流體間隙37的底部/外部至頂部/內部的流。即，流體沿與氣體在反應器容積中流動的方 向相反的方向流過流體間隙。在一實施方案中，由可任選地穿過一個或多個供應管道(未 示出)的供應通道41獲得這種穿過流體間隙的流體路徑。每一供應通道41在接近每一供應通道41的端部的位置具有一個或多個限流孔40。限流孔40充分地約束流動，使得相等 流速的流體穿過每一供應通道，然后立即進入流體間隙37，在流體間隙37的外周周圍產(chǎn)生 均勻的流動傳輸。流體徑向向內流過流體間隙37，并接著穿過第二組限流孔40，從第二組 限流孔40內部將流體傳輸?shù)椒祷赝ǖ?2 (可任選地經(jīng)由一個或多個回流管道(未示出))。 流體經(jīng)由供應通道流入管45供應并經(jīng)過流體流出管46返回。流體在流體間隙37內的流 動特征產(chǎn)生反應器腔室容積33內提高的溫度均勻性，這樣提高了氣體流型的均勻性和沉積均勻性。流體間隙37中的底部/外側到頂部/內側的流動模式導致逆流熱交換和空氣 從間隙37的有效移除。上部流動導引件的最外徑D2處(即，鄰近晶片承載片76的上部流動導引件的端 部處)的上部流動導引件32與晶片承載片76的最外徑d3處的晶片承載片上表面77之間 的間隙43 —般地抑制或防止噴射的氣體在晶片承載片76上方的再循環(huán)。具體如圖3-5所 示，晶片承載片76被置于中心旋轉軸75的頂部。在上部流動導引件32最接近晶片承載片 76之處，上部流動導引件32的外徑D2約等于晶片承載片的外徑d3。此時，這兩個部件之 間的間隔H2處于最小值，并且間隙43便于抑制或防止噴射的氣體在反應器腔室容積33內 的再循環(huán)。例如，間隙的尺寸H2可以是約1. 00英寸或更小，例如約0. 25英寸或更小。從 可調整的比例流噴射器組件5向下流動的氣體在反應器腔室容積33內橫向轉向并徑向向 外流動。氣體當?shù)竭_間隙43時獲得最大流速，并且氣體一旦經(jīng)過間隙43則開始在鄰近間 隙43的排氣收集區(qū)44中膨脹并減速，從而防止廢氣混合物(即，已經(jīng)離開位于晶片承載片 76處和位于晶片承載片76上方的反應區(qū)域的氣體)的向后再循環(huán)。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中，具有膨脹錐形上部流動導引件32的反應器1還包含 下部流動導引件72 (以下將更具體地討論)。下部流動導引件72防止氣體再循環(huán)回到反 應區(qū)中，改善從晶片承載片的外緣流動到排氣口中的平順性以實現(xiàn)更穩(wěn)定的整體反應器流 型，并減小晶片承載片76外緣處的熱損失以實現(xiàn)更好的溫度均勻性和改善的材料特征。在圖11-18和25中具體示出了本發(fā)明一實施方案中的可調整的比例流噴射器組 件5?？烧{整的比例流噴射是這樣的流噴射器，其從供應管接收多個氣體流入流并散布或 擴散這些氣體流入流以實現(xiàn)均勻的流出流速，同時使氣流離開前保持分離?？扇芜x地，APFI 5還調節(jié)氣體離開可調整的比例流噴射器組件時的溫度。APFI 5通常為圓筒形(圓形面和 豎直高度)并裝配在流量法蘭組件3內。盡管圖中示出了圓筒形APFI，但是能夠將APFI制 成為任何形狀，并且精確的形狀一般由AFPI裝配于其中的上部開口 31的形狀決定。例如， 如果上部開口 31具有正方形或矩形形狀，則APFI具有相應的正方形或矩形形狀使得其可 以被裝配。可調整的比例流噴射器組件5 —般包括支撐法蘭51，其為與支撐法蘭51和穿透支 撐法蘭51的氣體腔室流入管或口 54相裝配的元件提供結構完整性。支撐法蘭51還用于 將整個可調整的比例流噴射器組件5裝配到主法蘭本體30。APFI 5包括一個或多個氣體腔室52。在一實施方案中，氣體腔室50中的一個或 多個可被機械加工成氣體腔室機械加工件52并由多個氣體腔室頂壁或頂面57和氣體腔室底壁或底面58形成。氣體腔室頂壁57能夠被機械加工以形成如俯視16和17所示的 不同區(qū)域。氣體腔室50通過氣體腔室豎直壁59與其它氣體腔室50分隔，氣體腔室豎直壁 59從氣體腔室頂壁57延伸到氣體腔室底壁58，從而形成氣體腔室50?？砂跉怏w腔室頂壁57中的一個或多個氣體入口 54將氣體沿例如豎直方向(即，與氣體腔室頂壁57和氣 體腔室底壁58大致垂直)運送到可調整的比例流噴射器組件5的一個或多個氣體腔室50。每一氣體腔室50可以接收不同的氣流，這些氣體腔室中的一個或多個可以使氣 體擴散或分散并使第一氣流與其它氣流保持分離或使每一氣流與其它氣流保持分離，且在 特定流出表面區(qū)域上產(chǎn)生均勻的流速。另外，每一氣體腔室50可被構造為具有與其它氣體 腔室50相同或不同的形狀。例如，如圖16所示(將支撐法蘭51從圖中移除)，存在外部氣體腔室50a和4個 中間氣體腔室50b和50c以及內部氣體腔室50d。在一實施方案中，氣體腔室50b接收第 III族反應物，并且中間氣體腔室50c接收第V族反應物。腔室50a-d由豎直壁59、氣體腔 室頂壁57 (未示出)和氣體腔室底壁58分隔。APFI 5還可包括位于一個或多個氣體腔室50下方的流體空腔60。流體空腔60 可通過將流體空腔機械加工件53裝配到氣體腔室機械加工件52而形成。圖17示出了可 調整的比例流噴射器組件5的仰視圖，其中示出了流體空腔機械加工件53的底面。氣體腔 室出口 61可從氣體腔室的底壁58經(jīng)過流體空腔60、如經(jīng)過管道管63延伸或穿透到反應器 腔室容積33中。管道管63可具有相同或不同的內徑以及相同或不同的外徑。管道管63 穿過流體空腔60，允許在將氣體引入反應器腔室容積33中之前通過適當控制流過流體腔 室60的流體溫度而對氣體溫度進行調節(jié)。流體空腔60具有流體空腔出口 66，其定位在與 流體空腔流出管67連接的流體空腔60的大致中心處。另外，將流體空腔入口 68設置為經(jīng) 過流體空腔流入管69朝向流體空腔60的外周。在包含流體腔室擴散器65 (在以下更詳細討論)的實施方案中，流體空腔出口 68 被定位在擴散器65周邊的內側，而流體空腔入口 68定位在擴散器65周邊的外側?？烧{整的比例流噴射器組件5可任選地具有一個或多個以下特征。在一實施方 案中，氣體出口孔61優(yōu)選地具有比氣體入口 54小的尺寸(例如，可以存在從約100到約 10，000個氣體出口孔)。氣體出口孔61的數(shù)量和延伸通過流體空腔60的管道管63的內 徑和長度取決于特定的氣體組成、流速、溫度和壓力，且還受到氣體腔室的底壁58的總表 面積以及制造能力和成本的限制，難度和成本隨著管道管63的外徑和內徑的減小以及相 鄰氣體出口孔61的間距的減小而增加。然而，一般對于給定的氣體腔室，所有管道管63的 總橫截面積優(yōu)選地比氣體入口 54的橫截面積大2至6倍。這種布置導致了與氣體入口 54 相比直徑較小的管道管63的更大的壁表面積以及相應的更大的流體剪切力和壓力下降， 使得在給定氣體腔室的成組管道管上的壓力下降(即，從氣體腔室到反應器腔室容積33的 壓力下降)優(yōu)選地從幾托(Torr)到幾十托。氣體腔室上壁57和氣體腔室底壁可優(yōu)選地為基本平行。所有氣體腔室的上壁/ 上表面57可以為基本共面，或者處于不同的平面上。類似地，所有氣體腔室50的氣體腔室 底壁58可以為共面或者處于不同的平面上?？烧{整的比例流噴射器組件5可任選地包括位于氣體腔室上壁57與氣體腔室底 壁58之間并與氣體腔室上壁57和氣體腔室底壁58基本平行的一個或多個中間擴散隔板 55。當使用中間擴散隔板55時，在包括中間擴散隔板55的氣體腔室50中形成上部氣體腔 室部分50a和下部氣體腔室部分50b。例如，上部氣體腔室部分50a —般可由氣體腔室上壁 57、中間擴散隔板55的上表面和任何側壁59限定，并且下部氣體腔室部分50b —般可由氣體腔室底壁58、中間擴散隔板55的下表面和任何側壁59限定。每一氣體腔室50的氣體出口孔61連接到穿透流體空腔60的出口管道(優(yōu)選為 小直徑管)63，出口管道63可附接或以其它方式連接到流體空腔機械加工件53，從而形成 下部流體空腔壁，接近于其最下側是反應器腔室容積33的邊界面。出口管道63優(yōu)選地具 有與組合的成組氣體腔室出口孔61匹配的孔模式?？烧{整的比例流噴射器組件5的另一實施方案涉及具有均勻的徑向流型的流體 溫度控制區(qū)。溫度調節(jié)流體，如冷卻流體，流入外部分布通道62中。在本發(fā)明的一實施方 案中，流體空腔60具有流體空腔擴散器65。流體空腔擴散器65優(yōu)選為高度略微大于流體 空腔60的高度的、薄的、圓筒形金屬片環(huán)，且優(yōu)選地盡可能的薄。在優(yōu)選實施方案中，圓筒 形金屬片環(huán)插入位于氣體腔室機械加工件53的底面和流體空腔機械加工件52的上表面中 的相對的圓形溝槽中，這兩個溝槽深度的和優(yōu)選等于流動擴散屏障超過流體空腔高度的額 外高度，使得在位于流體空腔最外周的多個入口 68處輸送到流體空腔60的流體在流過位 于流動擴散屏障65中的多個優(yōu)選等間距的小孔64之前必須立即切向移動，從而產(chǎn)生從流 體空腔60的最外周徑向向內朝向位于流體空腔60的中心出口 66處的單一出口 66的均勻 流動分布。小孔64起到限流孔的作用，其充分地約束流動以產(chǎn)生經(jīng)過每一孔64的等同流 動。
圖25(a_c)圖示了制造APFI的另一方法。并未示出前述的所有APFI元件。為了 提高APFI制造和測試的便利性和效率，能夠由可互換的模塊或子組件組裝APFI的元件。例 如，氣體出口孔子組件150可由上部板151、下部板152和多個管道63構造而成。上部板 151構成上述氣體腔室50的底壁58。下部板152構成前述的流體空腔機械加工件53的底 壁58的一部分。在該實施方案中，氣體腔室機械加工件52被構造為接收多個氣體出口孔子組件 150，使得上部板151的上表面153齊平地裝配到前述的氣體腔室壁59的一個或多個下表 面155。相鄰氣體出口孔子組件150的上部板151之間的接縫沿氣體腔室壁59的給定下表 面155的中心線行進，使得可以形成密封，防止因此形成的流體空腔63與任何氣體腔室50 之間的任何泄漏。在圖25(a_c)所示的實施方案中，相鄰氣體出口孔子組件150的下部板152之間 以及給定氣體出口孔子組件150的下部板152和與氣體腔室機械加工件52 —體的下部流 體空腔壁157之間的接縫可以被密封，以防止流體空腔63與反應器腔室容積33之間的任 何泄漏。在一實施方案中，盡管并不要求，但可以以這樣的方式進行密封使每一氣體出口 孔子組件150的下表面154與所有其它氣體出口孔子組件150的下表面154和氣體腔室機 械加工件的下表面156齊平。因此，流體經(jīng)過多個流體空腔入口 68被運送到流體空腔63 中并經(jīng)過一個或多個流體空腔出口 66離開，其中將流體空腔擴散器65 (未示出)以與前述 類似的方式定位。本發(fā)明的另一實施方案涉及用于以一個或多個徑向模式形成基本等間距的氣體 出口的模式。根據(jù)這些方法，布置圓形孔的一個或多個模式，使得孔彼此等距，例如以正方 形或六邊形模式布置。對于包括可調整的比例流噴射器組件氣體腔室的徑向區(qū)域，方法包 括對孔進行分布，使得其彼此基本等距且與區(qū)域邊界等距。該方法一般包括以下步驟(1) 將第一組孔以沿徑向方向彼此之間等間距的方式布置在與第一徑向區(qū)域邊界鄰近且平行的第一線上；(2)以機械加工件的中軸線處為頂點，確定位于離開中軸線第一徑向距離的第一線上的第一點和與第一徑向區(qū)域邊界鄰近且平行的第二線上的相應第二點之間的角 度；(3)以氣體腔室機械加工件的中心處為原點，確定位于鄰近第一徑向區(qū)域邊界的給定 半徑處的第一孔與位于鄰近第二相應徑向區(qū)域邊界的同一半徑處的相應第二孔之間的弧 的長度；(4)將該弧長除以期望的中心到中心孔間距；以及(5)將所得到的數(shù)字四舍五入至 最近的整數(shù)。對組成步驟(1)中所述孔組的每一孔重復步驟(2)_(5)。該方法產(chǎn)生這樣的 孔模式徑向孔組之間具有相等間隔以及每一徑向孔組中的孔具有近似相等的間距。該方 法尤其可用于在小區(qū)域上以圓形或半圓形模式產(chǎn)生基本等距的孔組，與大區(qū)域上的模式相 比，小區(qū)域中孔間距的不規(guī)則性更為顯著。反應器還可包括不具有區(qū)域分隔屏障的、具有可調整性的氣體分布區(qū)域(如圖17所示)。在該實施方案中，反應器包括兩個或更多個氣體入口管54以及在幾何上用于產(chǎn)生 經(jīng)過多個孔61的可調整的出口流動模式的多個出口孔61。盡管不受理論約束，通過在不具 有任何入口管54之間的任何分離的豎直分隔壁59的情況下增加或減小流到一個或多個入 口管54的量，消除了通常由可以不具有任何出口流動孔的分隔壁下方的區(qū)域所產(chǎn)生的停 滯區(qū)?？烧{整的比例流噴射器組件5還可包括一個或多個密封的腔室頂部，例如一個或多個通過0形圈密封的腔室頂部，以進行清潔和/或隔板更換。在一優(yōu)選實施方案中，氣體 腔室機械加工件52包括機械加工在分隔氣體腔室的豎直壁59的頂面中的0形圈溝槽，其 消除了氣體腔室區(qū)上壁57。這是因為位于沿豎直壁的上表面的0形圈可直接密封到支撐法 蘭51的下表面或其它單一中間密封表面(而不是多個焊接表面)。這種構造允許氣體腔室 被打開和清潔或檢查，并減少了所需元件的數(shù)量。在另一實施方案中，如圖18最佳示出的，可調整的比例流噴射器組件7包括具有真空屏障區(qū)的雙0形圈密封。通過氣體腔室機械加工件52和流體空腔機械加工件53中的 0形圈溝槽92中的0形圈91產(chǎn)生雙0形圈密封。一個0形圈91a被定位在氣體腔室機械 加工件52與主法蘭本體31之間。第二個91b被定位在流體空腔機械加工件53與主法蘭 本體30之間。在APFI、主法蘭本體31以及0形圈91之間形成真空空腔93。在主法蘭本 體31中包括差動(differential)密封真空口管94以產(chǎn)生和釋放真空密封。該構造允許 容易地移除可調整的比例流噴射器組件5，同時由于在兩個0形圈密封之間的容積中產(chǎn)生 的真空水平明顯低于每一密封任一側的真空水平，從而消除了 0形圈彈性體材料的氣體分 子滲透。圖19-20和圖3-5中示出了腔室組件7的一實施方案。腔室組件7具有反應器基板主體70。反應器基板主體經(jīng)由反應器罐壁101連接至反應器罐頂部法蘭100。反應器罐 頂部法蘭100與流量法蘭組件3的主法蘭本體30裝配?；逯黧w70包含用于諸如中心旋 轉軸75 (以下將更詳細地討論)的可用于CVD反應器中的多個元件的開口，基板排氣管79 ； (目前并未包括在設計和其它圖中，因此可能會產(chǎn)生困惑，但是本人并不介意我們是否丟棄 它，因為我們可能在以后的設計中使用與之類似的對象)；高流饋孔(feedthrOUgh)90;以 及旋轉真空饋孔殼體88。腔室組件7具有通常用于CVD反應器中的元件，例如包括熱源和熱反射罩以加熱晶片承載片76的加熱器組件。在所示實施方案中，一個或多個加熱元件83被定位在晶片承載片76的下方，并且一個或多個熱罩84被定位在加熱元件83下方。例如，熱源可以是 優(yōu)選地布置為同心圓模式以與晶片承載片的圓形區(qū)域匹配的用于輻射加熱的燈絲或用于 感應加熱的銅管?？梢允褂闷渌愋偷募訜崞鹘M件以加熱晶片承載片76。腔室組件7具有下部流動導引件72。下部流動導引件72具有截頭圓錐形的形狀。 錐形的下部流動導引件74具有內徑dl和外徑d2。優(yōu)選地，內徑dl略微大于晶片承載片 76的外徑d3，盡管內徑dl能夠大致等于、小于或大于晶片承載片76的外徑d3。下部流動 導引件72與晶片承載片76的頂面77大致對準。下部流動導引件72的外徑d2大于內徑 dl，產(chǎn)生了向下方向的斜面。在優(yōu)選實施方案中，內徑dl略微大于晶片承載片76的外徑d3。下部流動導引件 72的內徑dl與晶片承載片76的外徑之間的間距迫使從晶片承載片76與上部流動導引件 32之間的間隙43噴射的氣體逐漸膨脹，并抑制或防止噴射的氣體在晶片承載片76的外緣 下方再循環(huán)。優(yōu)選地，下部流動導引件的內徑dl與晶片承載片76的外徑極為接近，以在二 者之間提供窄的下部流動導引間隙，因為下部流動導引間隙越窄，則氣體的噴射越有效，并 且在反應器腔室容積33內對氣體再循環(huán)的抑制或防止越強。在優(yōu)選實施方案中，下部流動 導引件72由石墨制成。腔室組件7可包含下部流動導引件反射器74。下部流動導引件反射器74被定位 在下部流動導引件72內并從晶片承載片76的外周延伸且沿向下方向成一角度。反射器74 由金屬薄片、優(yōu)選為鉬的薄片構造而成。反射器74用作將熱向內反射并有助于使熱在下部 流動導引件72的表面上保持恒定。在一實施方案中，下部流動導引件72可由一部分或一片式或多部分或多片式構 造而成，例如由兩片式下部流動導引件72構造而成。由于下部流動導引件72與晶片承載 片76之間的緊密間隔并且由于晶片承載片76在加工過程中所達到的高溫，在另一實施方 案中，下部流動導引件76具有緊鄰晶片承載片76的第一片，其由具有極高耐熱性和與晶片 承載片76材料的熱膨脹系數(shù)大約相等或相似的熱膨脹系數(shù)的材料(通常為石墨、藍寶石或 難熔金屬)制成；以及具有第二片，其由并不具有如此的耐熱性或熱膨脹系數(shù)的材料制成， 如由與構成第一片的材料相比比較不昂貴且更容易形成的材料制成。在優(yōu)選實施方案中， 第一片由石墨制成以提供適當?shù)哪蜔嵝院团c晶片承載片材料匹配的熱膨脹系數(shù)。下部流動導引件72可以部分或全部地為從保持晶片的晶片承載片76的表面的直 徑d3延伸的、晶片承載片76的延伸部，即，保持晶片的晶片承載片表面77的外緣輪廓。在 該實施方案中，下部流動導引件76的全部或一部分為從優(yōu)選地晶片承載片頂面77或者下 表面78的外周延伸、或沿在晶片承載片頂面77與下表面78之間的外周的某點處延伸的晶 片承載片的延伸部。在一具體實施方案中，下部流動導引件72具有第一部分，其是晶片承 載片76的延伸部，例如處于距離晶片承載片外徑76與上部流動導引件72之間的窄間隙40 的最初幾厘米范圍內；以及第二片，其與晶片承載片76完全分離并被形成為鄰近第一片的 單獨片。用于反應器1的晶片承載片76可以是常規(guī)的一片式結構；然而，具有其它結構的 實施方案也在本發(fā)明的范圍內。例如，在本發(fā)明的一實施方案中，反應器可包括兩片式晶片 承載片76，其包括可移除的頂部(即保持晶片的盤(platter)或表面)和底部?？梢瞥?部可由優(yōu)選為藍寶石的多種材料制成，并且底部可由石墨構成并且還可包括用于加熱的裝置，如RF加熱(用于底部的感應加熱以及用于可移除頂部和位于可移除頂部的表面上的任 何晶片的傳導加熱)。兩片式晶片承載片可在需要時更換可移除頂部，而底部可以重復使 用。例如，在一實施方案中，兩片式晶片承載片具有用于保持晶片的藍寶石可移除頂 部和支撐藍寶石可移除頂部的石墨底部。藍寶石頂部是無孔的并不會退化，常規(guī)使用的表 面如SiC密封劑上會出現(xiàn)退化。藍寶石可移除頂部還能夠進行更嚴格地清潔(如不易于在 石墨晶片承載片上進行的快速濕法化學刻蝕)。石墨底部片是熱吸收體以將傳導熱傳遞到 藍寶石可移除頂部和位于可移除頂部的表面上的晶片中，所述晶片例如位于可以在可移除 頂部的上表面中機械加工出的晶片凹口中。在另一實施方案中，晶片承載片76與中心旋轉軸75的一部分成一體(即，直接在 其中機械加工)，該軸75從晶片承載片76的底面78的中心向下延伸。中心軸75 (或者，中 心旋轉軸75)向下延伸通過加熱線圈并由適于加熱的材料構成，例如由適于感應加熱的材 料構成。能夠像加熱晶片承載片76的主要部分那樣加熱該中心旋轉軸75，并且提供該中心 旋轉軸75針對傳導熱損失的熱障，該傳導熱損失可以在常規(guī)支撐心軸上發(fā)生。用于晶片承載片76的中心旋轉軸75可以是常規(guī)的一片式結構；然而，可以采用具 有其它結構的實施方案。例如，在如圖21-24所示的一實施方案中，采用了用于使晶片承載 片旋轉的多節(jié)段軸75，即包括一個或多個由相同材料或不同材料制成的節(jié)段的軸。在多節(jié) 段實施方案中，至少一個節(jié)段的熱傳導率大大低于所用的其余軸節(jié)段的熱傳導率。多節(jié)段 心軸尤其可與輻射加熱器結合使用，但是本發(fā)明不必受限于此。在圖21-24所示的實施方案中，存在三個節(jié)段。軸上部節(jié)段81與晶片承載片76直 接接觸。軸上部節(jié)段81在晶片承載片76的底面78所放置的遠端具有基座或法蘭82。當 采用輻射加熱器時，上部節(jié)段優(yōu)選由具有比多節(jié)段軸75的一個或多個其余節(jié)段低的熱傳 導率的材料(如礬土或藍寶石)制成。材料的這種選擇產(chǎn)生最高可能的熱傳遞抵抗性。多 節(jié)段中心軸75與晶片承載片76之間的節(jié)段分界面能夠被設計為具有最小的表面以進一步 增強熱傳遞抵抗性。這些特征改善了晶片承載片的中心區(qū)域附近的溫度均勻性，并減小了 反應器操作中的能量損失。或者，當在反應器中采用感應加熱器時，與晶片承載片接觸的節(jié)段(軸上部節(jié)段 81)向下延伸通過感應加熱線圈。在該情況下，上部節(jié)段81由適于感應加熱的材料制成。 例如，當在反應器中采用感應加熱器時，多節(jié)段中心軸75的上部節(jié)段81優(yōu)選由石墨構造而 成。在一實施方案中，多節(jié)段軸75具有軸下部節(jié)段85，其由不易于以感應方式加熱的 材料(如藍寶石)構造而成。軸上部節(jié)段81和軸下部節(jié)段85經(jīng)由間隔件86連接，間隔件 86優(yōu)選由礬土構造而成。三個(或更多個)節(jié)段之間的分界面優(yōu)選具有最小的表面接觸面 積，以產(chǎn)生最高可能的熱傳遞抵抗性?？梢酝ㄟ^在位于分界面位置的節(jié)段中包括經(jīng)機械加 工的凹陷87 (如圖24所示)以圍繞節(jié)段端部的周邊產(chǎn)生薄導軌96來減小表面面積。節(jié)段 之間的接觸僅發(fā)生在薄導軌96處而非節(jié)段端部的整個區(qū)域。節(jié)段優(yōu)選通過開口式圓柱頭 螺釘(vented headcap screw) 97 緊固。對于本領域技術人員而言，顯然存在所公開發(fā)明的各種修改、調整和應用，并且本 申請旨在覆蓋這些實施方案。因此，盡管已經(jīng)在某些優(yōu)選實施方案的上下文中對本發(fā)明進行了描述，但是意圖通過參照以下權利要求的范圍衡量這些實施方案的全部范圍。
權利要求
化學氣相沉積反應器，包括流量法蘭組件，其中，所述流量法蘭組件包括主法蘭本體和連接至所述主法蘭本體的膨脹錐形上部流動導引件。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積反應器，還包括定位在上部流動導引件與所述主 法蘭本體之間的流體間隙。
3.如權利要求2所述的化學氣相沉積反應器，還包括第一通道和第二通道，所述第一 通道在間隙的底部/外部部分與所述流體間隙流體聯(lián)通，所述第二通道在間隙的頂部/內 部部分與所述流體間隙流體聯(lián)通，其中流體從一個通道流動到另一通道，從而影響上部流 動導引件的外表面的溫度控制。
4.如權利要求3所述的化學氣相沉積反應器，其中所述流體沿與氣體在流體導引空腔 中流動的方向相反的方向流過所述流體間隙。
5.如權利要求1所述的化學氣相沉積反應器，還包括連接至所述流量法蘭組件頂部的 流噴射器和連接至所述流量法蘭組件底部的晶片承載片，并且其中所述膨脹錐形上部流動 導引件具有與所述流噴射器的直徑基本上相等的上部直徑和與所述晶片承載片的直徑基 本上相等的下部直徑，其中所述上部直徑小于所述下部直徑。
6.如權利要求5所述的化學氣相沉積反應器，其中所述流噴射器為可調整的比例流噴 射器并連接至位于所述流量法蘭組件上的裝配口，其中所述可調整的比例流噴射器包括一 個或多個供應管、從所述供應管接收流入流的一個或多個氣體腔室、位于所述氣體腔室下 方的流體空腔以及離開所述氣體腔室并穿透所述流體空腔的一個或多個流出管道。
7.如權利要求5所述的化學氣相沉積反應器，其中所述流噴射器具有用于使一個或多 個氣流在離開前保持分離的裝置，其中組件具有用于調節(jié)氣體離開組件時的溫度的裝置。
8.如權利要求1所述的化學氣相沉積反應器，還包括連接至所述流量法蘭組件的腔室 組件，其中所述腔室組件包括錐形下部流動導引件。
9.化學氣相沉積反應器，包括可調整的比例流噴射器組件；以及連接至所述可調整的比例流噴射器組件的主流量法蘭，其中所述可調整的比例流噴射 器包括用于提供氣流的一個或多個供應管、連接至所述供應管的多個氣體腔室、位于所述 多個氣體腔室下方的流體空腔以及離開所述氣體腔室并延伸通過所述流體腔室的多個流 出管道。
10.如權利要求9所述的化學氣相沉積反應器，其中所述可調整的比例流噴射器組件 還包括將所述可調整的比例流噴射器組件裝配至所述主流量法蘭的支撐法蘭；其中所述多個 氣體腔室的每一個接收單獨的氣流，其中所述氣體腔室具有將所接收的氣流與其它氣流分 離的一個或多個豎直壁。
11.如權利要求9所述的化學氣相沉積反應器，其中所述多個氣體腔室還包括連接至 流出管道的一個或多個氣體出口孔，其中所述出口孔的直徑小于氣體入口的直徑。
12.如權利要求9所述的化學氣相沉積反應器，其中所述多個氣體腔室包括共面的上 部壁和下部壁，其中所述上部壁和所述下部壁豎直地分離并基本上平行。
13.如權利要求12所述的化學氣相沉積反應器，其中一個或多個所述氣體腔室還在所述上部壁與所述下部壁之間包括中間擴散器隔板。
14.如權利要求9所述的化學氣相沉積反應器，其中所述流體空腔包括流體空腔出口 和流體空腔入口，所述流體空腔出口被定位在所述流體空腔的大致中心處并連接至流體空 腔流出管，所述流體空腔入口連接至流體空腔流入管。
15.化學氣相沉積反應器，包括流量法蘭組件；流噴射器，連接至所述流量法蘭組件；腔室組件，附接至所述流量法蘭組件，其中所述腔室組件包括圍繞晶片承載片的錐形的下部流動導引件，并且所述下部流動 導引件的內徑大致等于或大于所述晶片承載片的外徑。
16.如權利要求15所述的化學氣相沉積反應器，其中所述下部流動導引件部分地或全 部地為從保持晶片的所述晶片承載片的表面的直徑處延伸的、所述晶片承載片的延伸部。
17.如權利要求16所述的化學氣相沉積反應器，其中所述流量法蘭組件包括上部流動 導引件，并且所述晶片承載片的外徑與所述上部流動導引件的下部直徑大致相等。
18.如權利要求17所述的化學氣相沉積反應器，其中所述晶片承載片與所述上部流動 導引件之間的間隙約為1英寸或更小。
19.如權利要求15所述的化學氣相沉積反應器，其中所述腔室組件在所述晶片承載片 與所述下部流動導引件之間包括錐形的反射器。
20.化學氣相沉積反應器，包括晶片承載片，以及多節(jié)段中心旋轉軸，包括上部軸節(jié)段和下部軸節(jié)段，其中所述上部軸節(jié)段連接至所述 晶片承載片，并且一個節(jié)段的熱傳導率大大低于其余軸節(jié)段的熱傳導率。
21.如權利要求20所述的化學氣相沉積反應器，還包括輻射熱源，并且其中所述上部 節(jié)段由低熱傳導率的材料制成，并且所述多節(jié)段軸的一個或多個其余節(jié)段由具有比所述上 部節(jié)段高的熱傳導率的材料制成。
22.如權利要求19所述的化學氣相沉積反應器，其中節(jié)段之間的分界面具有經(jīng)機械加 工的凹陷以減小節(jié)段之間的表面區(qū)域接觸。
23.如權利要求20所述的化學氣相沉積反應器，其中所述上部節(jié)段由高熱傳導率的材 料制成，并且所述多節(jié)段軸的一個或多個其余節(jié)段由具有比所述上部節(jié)段低的熱傳導率的 材料制成。
24.如權利要求22所述的化學氣相沉積反應器，其中所述上部節(jié)段由石墨構成。
25.用于化學氣相沉積反應器的流噴射器，包括用于提供氣流的一個或多個供應管、連接至所述供應管的多個氣體腔室和離開所述氣 體腔室的多個流出管道，其中對于給定的氣體腔室，所有流出管道的總橫截面積比所述供 應管道的橫截面積大2至6倍。
26.如權利要求25所述的流噴射器，其中，所述氣體腔室包括氣體腔室機械加工件，所 述氣體腔室機械加工件被構造為接收多個氣體出口孔子組件。
27.如權利要求25所述的流噴射器，還在所述多個氣體腔室下方包括流體空腔。
全文摘要
提供了CVD反應器，如進行外延層的金屬有機化學氣相沉積的MOCVD反應器。CVD或MOCVD反應器一般包括流量法蘭組件、可調整的比例流噴射器組件、腔室組件和多節(jié)段中心旋轉軸。反應器向用于減少氣體使用并同時改善沉積的性能的特定元件提供新穎的幾何形狀。
文檔編號C23C16/00GK101802254SQ200880106034
公開日2010年8月11日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權日2007年10月11日
發(fā)明者弗蘭克·J·卡姆帕納勒, 邁克爾·J·貝卡尼 申請人:瓦倫斯處理設備公司