專利名稱：一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大規(guī)模集成電路制造設(shè)備，尤其涉及一種晶圓制造工藝過程中淀
積鋁金屬薄膜的標(biāo)準(zhǔn)型襯墊夾鉗。
背景技術(shù)：
隨著集成電路技術(shù)的日新月異，集成度在不斷提高，芯片面積不斷縮小，為越來越廣泛而優(yōu)越的應(yīng)用提供了可能。尤為突出的是，隨著研究的進(jìn)一步深入，越來越多的工藝設(shè)備被開發(fā)、設(shè)計(jì)出來，使得集成電路的制造工藝已經(jīng)取得了納米級的飛躍。 一套半導(dǎo)體制造裝置，通常需進(jìn)行數(shù)百次作用于晶圓(wafer)之上的處理操作，操作過程中需要借助一些必要的設(shè)備對晶圓夾持以提高作業(yè)的穩(wěn)定性。 一般情況下，O. 25ym以下制程均采用先氧化、后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(WCMP)的工藝步驟。 其中，在半導(dǎo)體集成電路的鋁金屬薄膜制程中，為了達(dá)到晶圓片在淀積薄膜的過程中，金屬鋁不會淀積到底部加熱器上以及防止晶圓片被吹起的目的，通常都會使用到襯墊夾鉗來參與該制程。然而目前所使用的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗在對應(yīng)于晶圓片的缺口處沒有任何遮擋設(shè)計(jì)，在實(shí)際的工藝操作中，一旦晶圓相對于底部加熱器的傳送位置稍有偏移，則鋁金屬薄膜將很容易地藉由該缺口沉淀到加熱器上；高溫條件下，沉淀到加熱器上的鋁金屬薄膜易導(dǎo)致晶圓片與加熱器相粘連，從而使得晶圓片在淀積鋁金屬薄膜完成后的機(jī)械傳送過程中易被撞碎或?qū)е抡麄€(gè)沉淀腔體的異常發(fā)生。參照圖2，形象地展示了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗工作時(shí)的缺失問題。由圖2不難看出該制程的工作狀態(tài)為晶圓片3平置于加熱器1上表面，該晶圓片3具有一缺口 (notch端)3a，在晶圓片3的上部罩設(shè)一圓環(huán)形狀的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗2，并且藉由襯墊夾鉗2所設(shè)的6個(gè)頂壓晶圓片的探針22(圖2中未示出，詳見圖1)，使得該標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗懸浮于晶圓片3之上。在進(jìn)行鋁金屬薄膜4淀積的過程中，鋁膠A除均勻地淀積在晶圓片3表面外，極有可能通過晶圓片缺口 (notch端)3a下滲至晶圓片3底部的加熱器1上，從而將晶圓片3與加熱器1相粘連，造成晶圓片移除作業(yè)的困難，制程良率大大降低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗在實(shí)際作業(yè)中現(xiàn)實(shí)存在的缺失，本發(fā)明提供一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，旨在解決淀積鋁金屬薄膜導(dǎo)電層時(shí)，由晶圓片相對傳送位置偏移造成的鋁膠通過晶圓片缺口滲透至加熱器，引起晶圓片與加熱器在高溫情況下相粘連的不良現(xiàn)象。 本發(fā)明的改善方法的目的，將通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn) —種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，適用于在晶圓片上淀積鋁金屬薄膜的制程中，針對夾持晶圓片的襯墊夾鉗進(jìn)行改進(jìn)，其特征在于所述改善方法指的是在圓環(huán)狀的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)有一遮擋部，且遮擋部的外形、大小與晶圓片缺口相對應(yīng)。
進(jìn)一步地，所述遮擋部為由標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗環(huán)形內(nèi)壁朝內(nèi)一體化延伸成型，或者為 分離式設(shè)計(jì)，由各自所設(shè)對應(yīng)的連接結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)遮擋部在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗上的固結(jié)或拆分。
更進(jìn)一步地，所述連結(jié)結(jié)構(gòu)包括螺釘、點(diǎn)焊或銷釘。 進(jìn)一步地，所述遮擋部與晶圓片缺口的外形、大小完全一致，又或者外形一致，但 遮擋部的遮擋面積大于晶圓片缺口的大小。 更進(jìn)一步地，所述遮擋部相對于襯墊夾鉗環(huán)形內(nèi)壁向內(nèi)突出3±0. 5mm。 本發(fā)明的改善方法從減少晶圓制備過程中淀積工藝對整個(gè)晶圓制程造成的不良
影響出發(fā)，利用在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)一遮擋部，避免
了鋁金屬薄膜淀積過程中晶圓片與底部加熱器可能發(fā)生的粘連現(xiàn)象，保障了后續(xù)晶圓片移
除操作的易執(zhí)行性，提高了晶圓級淀積制程的良品率。


圖1是本發(fā)明改善后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗底面外翻后的正視圖；
圖2是使用現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗進(jìn)行鋁金屬薄膜淀積的作業(yè)狀態(tài)示意圖；
圖3是使用本發(fā)明改善后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗進(jìn)行鋁金屬薄膜淀積的作業(yè)狀態(tài)示意 圖，其中改善后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗為圖1的A-A線段的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖更全面地描述本發(fā)明改善方法，其中優(yōu)選示出了本發(fā)明的典型實(shí) 施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同方式來實(shí)施，而不應(yīng)該被認(rèn)為僅僅局限于這里所提及的 實(shí)施例。相反，提供該實(shí)施例可以更充分地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的保護(hù)范圍。
如圖1所示，是本發(fā)明的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗在先前缺陷基礎(chǔ)上得以改良后的底面外翻 示意圖。從圖l可見，該標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗2的外形大體呈圓環(huán)形狀，且在其環(huán)形內(nèi)壁上等分設(shè) 有六個(gè)柱狀探針22，以及對應(yīng)該探針22數(shù)量、位置的遮蔽帽21，該些探針22的柱高一般略 高于晶圓片的厚度。當(dāng)襯墊夾鉗2套設(shè)在晶圓片上進(jìn)行工作時(shí)，該些探針22即分別頂壓晶 圓片的周邊， 一方面保持晶圓片與襯墊夾鉗的定位關(guān)系，另一方面保持襯墊夾鉗2相對于 晶圓片的懸空狀態(tài)。再配合遮蔽帽21的遮擋作用，有效避免了晶圓片在進(jìn)行鋁薄膜淀積的 制程中發(fā)生晶圓片與襯墊夾鉗相粘連的現(xiàn)象發(fā)生。另外，從圖中不難看到針對襯墊夾鉗2 的改進(jìn)措施表現(xiàn)在在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗2的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)有一遮擋 部23，且遮擋部23的外形、大小與晶圓片缺口相對應(yīng)。 如圖3所示，是使用本發(fā)明改善后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗進(jìn)行鋁金屬薄膜淀積的作業(yè)狀 態(tài)示意圖，其中改善后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗為圖1的A-A線段的剖視圖。針對上節(jié)所述的改善 方法表現(xiàn)，從圖3中的反映來看開始作業(yè)時(shí)，將一待淀積鋁金屬薄膜的晶圓片3平置于加 熱器1的表面上，其中該晶圓片3本身具有一缺口 (notch端)3a。而由該襯墊夾鉗2的剖 面可見，在對應(yīng)于晶圓片缺口 (notch端)3a的位置，襯墊夾鉗2由環(huán)形內(nèi)壁朝內(nèi)一體化延 伸形成一遮擋部23，其外形與晶圓片缺口 (notch端)3a的外形相一致，且遮擋部23覆蓋晶 圓片的遮擋面積大于晶圓片缺口 (notch端)3a的大小。 一般情況下，該遮擋部23相對于 襯墊夾鉗環(huán)形內(nèi)壁向內(nèi)突出的長度為3±0. 5mm。經(jīng)改進(jìn)后的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗于制程使用時(shí) 鋁膠A被均勻地淀積在晶圓片3表面上，而晶圓片3底部的加熱器1加熱后，在鋁膠A在晶圓片3上形成一金屬鋁薄膜4。由于遮擋部23的遮蔽作用，鋁膠A將無法再經(jīng)由晶圓片缺口 (notch端)3a下滲至加熱器1上，避免了晶圓片3與加熱器1的粘連。
除上述優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，還可以有其他多形式的實(shí)施方式。例如，該遮擋部23與標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗2為分離式設(shè)計(jì)，即可通過設(shè)在兩者上的連結(jié)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)遮擋部在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗2上的裝配固結(jié)或拆分。其中該連結(jié)結(jié)構(gòu)包括相對應(yīng)的螺釘裝配、點(diǎn)焊裝備或銷釘裝配。另外，該遮擋部與晶圓片缺口的外形不限于上述實(shí)施例的形狀一致，遮擋面積略大于晶圓片缺口的唯一形式，其還可以為外形、大小完全一致或者外形不同，只需能完全遮蔽該晶圓片缺口的形式，亦為可行。 通過以上描述，本發(fā)明改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法從減少晶圓制備過程中淀積工藝對整個(gè)晶圓制程造成的不良影響出發(fā)，利用在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)一遮擋部，避免了鋁金屬薄膜淀積過程中晶圓片與底部加熱器可能發(fā)生的粘連現(xiàn)象，保障了后續(xù)晶圓片移除操作的易執(zhí)行性，提高了晶圓級淀積制程的良品率。
權(quán)利要求
一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，適用于在晶圓片上淀積鋁金屬薄膜的制程中，針對夾持晶圓片的襯墊夾鉗進(jìn)行改進(jìn)，其特征在于所述改善方法指的是在圓環(huán)狀的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)有一遮擋部，且遮擋部的外形、大小與晶圓片缺口相對應(yīng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于 所述遮擋部為由標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗環(huán)形內(nèi)壁朝內(nèi)一體化延伸成型。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于 所述遮擋部與標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗為分離式設(shè)計(jì)，由各自所設(shè)對應(yīng)的連接結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)遮擋部在標(biāo)準(zhǔn) 襯墊夾鉗上的固結(jié)或拆分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于 所述連結(jié)結(jié)構(gòu)包括螺釘、點(diǎn)焊或銷釘。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于 所述遮擋部與晶圓片缺口的外形、大小完全一致。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于 所述遮擋部與晶圓片缺口的外形一致，且遮擋部的遮擋面積大于晶圓片缺口的大小。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1、5或6所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于所述遮擋部相對于襯墊夾鉗環(huán)形內(nèi)壁向內(nèi)突出3±0. 5mm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，其特征在于所述標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗還設(shè)有頂壓晶圓片的六個(gè)探針及其遮蔽帽。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善鋁金屬薄膜淀積過程中粘片的方法，適用于在晶圓片上淀積鋁金屬薄膜的制程中，針對夾持晶圓片的襯墊夾鉗進(jìn)行改進(jìn)，其特征在于所述改善方法指的是在圓環(huán)狀的標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)有一遮擋部，且遮擋部的外形、大小與晶圓片缺口相對應(yīng)。本發(fā)明的改善方法從減少晶圓制備過程中淀積工藝對整個(gè)晶圓制程造成的不良影響出發(fā)，利用在標(biāo)準(zhǔn)襯墊夾鉗的環(huán)形內(nèi)壁上對應(yīng)于晶圓片缺口的位置設(shè)一遮擋部，避免了鋁金屬薄膜淀積過程中晶圓片與底部加熱器可能發(fā)生的粘連現(xiàn)象，保障了后續(xù)晶圓片移除操作的易執(zhí)行性，提高了晶圓級淀積制程的良品率。
文檔編號C23C14/18GK101736290SQ20081023598
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日
發(fā)明者周烽, 李文濤 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司