專利名稱：：化學機械拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明基本上涉及化學機MM光領(lǐng)域。特別地，本發(fā)明涉及一種磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)##底(substrate)的化學機MM光方法。
背景技術(shù)：
：在集成電路以及其他電子設(shè)備制造中，多層導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣材料被沉積至U半導(dǎo)體晶片的表面以及從半導(dǎo)體晶片的表面去除。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣材料薄層可以使用多種沉積技術(shù)實現(xiàn)沉積?，F(xiàn)代晶片處理過程中常用的沉積技術(shù)包括物理氣相沉積(PVD)，也被稱為觀謝法，化學氣相沉積(CVD)，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)以及電化學電鍍等。常用的去除技術(shù)包括濕式和干式的各向同性及各向異性腐蝕縛等。由于材料層按序沉積與去除，因此晶片最上面的表面變得不平坦。由于隨后的半導(dǎo)體處理過程(例如金屬化)要求晶片具有平坦表面，因此晶片需要進行平整。平整可以有效地去除不想要的表面形態(tài)以及表面缺陷，例如粗糙表面、團聚的材料、晶格損壞、劃痕以及污染的層或材料?；瘜W機械平整，或者化學機械拋光(CMP)，是一種常用技術(shù)用于平整或拋光工件，如半導(dǎo)體晶片。在傳統(tǒng)的CMP中，晶片載具或拋光頭安裝在載具組件上。拋光頭保持晶片以及將晶片定位成與拋光墊的拋光層相接觸，所述拋光墊安裝在CMP裝置內(nèi)部的工作臺(table)或臺板(platen)上。載具組件在晶片和拋光墊之間提供可控制的壓力。同時，拋光介質(zhì)被分配到拋光墊上并且被引入到晶片與拋光層之間的間隙中。為了完成拋光，拋光墊和晶片通常彼此相對轉(zhuǎn)動。由于拋光墊在晶片下面轉(zhuǎn)動，因此晶片掃出通常環(huán)形的拋光軌跡或拋光區(qū)域，其中晶片表面直接面對著拋光層。晶片表面通過拋光層以及表面上的拋光介質(zhì)的化學和機械作用而被拋光禾呼整。CMP加工過程中襯底材料的去除率由被處理的旋轉(zhuǎn)襯底和具有流動拋光介質(zhì)的拋光墊之間的接觸的流體力學狀態(tài)所確定。這種接觸的流體力學狀態(tài)由拋光介質(zhì)流體力學與拋光墊和襯底間接觸機理(mechanics)之間的平衡所確定，該平衡由逆索末菲數(shù)(inverseSommerfeldnumber)所表征。逆索末菲數(shù)的較低值表示襯底經(jīng)過滑動拋光墊表面的打滑以及較低的襯底材料去除率。逆索末菲數(shù)的較高值表示拋光墊和襯底之間更緊密的接觸以及提高的襯底材料去除率。逆索末菲數(shù)由拋光期間拋光墊與襯底之間間隙內(nèi)部單位面積上可使用的拋光介質(zhì)的總體積所確定。拋光墊通常擁有具有一個或多個槽的拋光表面。在給定的拋光^#設(shè)置下，槽的數(shù)量(volume)以及拋光墊微觀紋理中的體積(volume)(均為單位面積)決定著逆索末菲數(shù)以及拋光墊與待處理襯底之間的接觸的流體力學狀態(tài)。將槽結(jié)合在化學機l)t旭光墊的拋光表面中有多個原因，包括(A)用于提供必要的被旭光襯底與拋光墊之間撤蟲的流體力學狀態(tài)--(如果拋光墊是無槽或無孔的，那么連續(xù)的拋光介質(zhì)層會存在于襯底與弓胞打滑的拋光墊之間，由此JMihXM光墊與襯底之間均勻緊密的接觸以及顯著地減小了襯底材料的去除^率)；(B)用于確保拋光介質(zhì)在拋光墊的拋光表面上均勻地分布，以及有足夠的拋光介質(zhì)到達襯底的中心--(當拋光活t4^屬例如銅時尤其重要，其中拋光的化學組成和機械組成同等重要，需要在襯底上進行均勻的拋光介質(zhì)分布，從而使襯底中央和邊纟紘到相同的拋光率；然而，拋光介質(zhì)的厚度不應(yīng)過大，以Sii:拋光墊和襯底的直f幾觸)；(C)用于控制拋光墊的及局部剛度-(控制了襯底表面上的拋光均勻性以及控制了拋光墊平整(level)不同高度的襯底特征以提供高度平坦表面的能力)；以及(D)作為用以^ife光碎片從拋光表面去除的通道--(碎片的堆積會增加襯底劃痕和其他缺陷的可能性)。對于有槽拋光墊，決定拋光墊壽命的一個因素是槽的深度。也就是說，只有在拋光墊磨損到達一點之前才具有滿足要求的拋光性能，在該點，槽不具有足夠的剩余深度用來有效地分配拋光介質(zhì)、去除拋光碎片和避免打滑(hydroplaning)。因此很明顯，較深的槽與較長的拋光墊絲相關(guān)聯(lián)。盡管如此，對于槽能夠多深還具有實際的限制。在拋光層中開槽明顯地減小了拋光層的剛度。換句話說，在拋光期間，由拋光表面與襯底之間動態(tài)接觸所施加的壓力會導(dǎo)致槽的脊部(land)發(fā)生一定程度的移動。某些時刻，在拋光期間，當拋光墊動態(tài)地接觸襯底時，槽深度的增加會弓l起不能接受的脊部剪切或槽側(cè)壁倒塌的量。對于給定的拋光應(yīng)用，這些現(xiàn)象顯著地限制了初始槽深度。另外，深的槽帶來拋光墊清潔難題。拋光介質(zhì)中的磨料以及拋光碎片會聚,槽中。當槽變得越深時，就會面臨更大的、從槽中去除拋光碎片的挑戰(zhàn)，而這會導(dǎo)致增多的拋光缺陷。為了保持一致的拋光表面從而獲得穩(wěn)定的拋光性能，拋光墊表面的"調(diào)理"或"修整"是重要的。拋光墊的拋光表面會隨時間而磨損、拋光表面的微觀紋理變平滑一這一現(xiàn)象稱作"釉化'。釉化的起因是由于拋光墊和工件之間接觸點的摩擦熱以及剪切力而導(dǎo)致的聚合材料的塑性流動。另外，CMP加工過程中的拋光碎片會阻塞表面空隙和微通道，拋光介質(zhì)通過該貧道流過拋光表面。當此發(fā)生時，CMP加工過程的拋光率(polishingrate)會斷氏，以及會導(dǎo)致不均勻的拋光。調(diào)理(condition)在拋光表面上構(gòu)造新的紋理，有利于在CMP加工過程中保持理想的拋光率和均勻性。在傳統(tǒng)的CMP中，拋光磨損和表面調(diào)理會導(dǎo)致槽深隨著時間連續(xù)地退化。伸用僉剛石盤的一般件表而調(diào)理會異致拋光墊材料10_50微力小時的厚度夫除率。由于槽深(即單位面積上槽的數(shù)量)會隨著時間減小，因此拋光墊與待拋光襯底之間的流體力學接觸狀M降低。因此CMP加工過程的性能由去除率以及伴隨著槽^^續(xù)退化而連續(xù)變化的均勻性所表征。由Chandrasekaran等人發(fā)明的美國專利申請公開號No.2007/0238297公開了一種改進CMP加工過程中均勻性的方法。Chandrasekaran等人公開了一種在微電子裝置制造中用于機械和/或化學一機械平整或拋光襯底的處理墊以及一種制造處理墊的方法、以及禾傭并結(jié)合這些處理墊的方法、設(shè)備和系統(tǒng)。特別地，處理墊在研磨表面包括槽或其他開口，所述槽或其他開口含有實心的或部分實心的填充材料，這些填充材料可以根據(jù)需要選擇性地去除，從而保持與墊的研磨表面大約恒定或規(guī)定的距離進行填充，以及保持大約恒定的墊開口深度，用于墊旨壽命中的多種加工和調(diào)理應(yīng)用。盡管如此，還需要不斷^SCMP拋光墊以及CMP拋光方法，以促進更均勻和一致的襯底加工過程。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種拋光襯底的方法，其中在多次拋光周期后都能保持一致的拋光墊厚度和/莉曹深。M在多次拋光周期后維持一致的拋光墊厚度和/謝曹深，在傳統(tǒng)拋光墊的絲期間通?？吹降膾伖鈮|厚度和/謝敷魏化的變化能夠減輕。例如，對于在拋光表面上具有槽的傳統(tǒng)的化學機械拋光墊，槽的數(shù)量和深度都是隨著拋光墊的磨損而減少。據(jù)此，在拋光期間拋光操作者必須改變其他的加工斜牛以維持理想的流體力學狀態(tài)。本發(fā)明提供了一種方法，該方法能夠在拋光墊有用壽命的拋光期間，降低槽的數(shù)量和深度的減小程度。例如，本發(fā)明中具有由溫度敏感形狀記憶材料制成的熱處理(預(yù)壓縮)拋光層的形狀記憶化學機械拋光墊可被加工形成，從而通過優(yōu)先加熱接近拋光表面的區(qū)域而抵消由于拋光和調(diào)理而造成的槽的數(shù)量和深度的損失，以維持一致的槽的數(shù)量和深度。拋光墊的選擇性表面加熱使得加熱區(qū)域的墊材料從壓縮(densified)狀態(tài)向回復(fù)(recovered)狀態(tài)轉(zhuǎn)變，從而增加了槽的數(shù)量和深度。因此在類似條件下，通過使用具有皿回復(fù)功能的形狀記憶化學機MI旭光墊可以使得在拋光操作期間槽數(shù)量和深度的M^速率降到最低或者消除。本發(fā)明的一方面，掛共了一種拋光襯底的方法，包括劍共選自磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)懶寸底中至少一種的襯底;提供具有墊厚FT的，記憶化學機械拋光墊；其中拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定(programmed)形沃的形狀記憶基^t才料；其中當形狀記[乙基4材才料處于初始開娥時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當微記憶割材才料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出壓縮狀態(tài)下的壓縮厚度DT;其中DT^OT的80%;在拋光層的拋光表面和襯底之間形成動皿觸從而拋光襯底的表面；監(jiān)視至少一個拋光墊屬性，該屬性選自拋光墊的厚度和至少一個槽深；以及，使M拋光表面的拋光層的至少一部分曝露于激活刺激下；其中靠近拋光表面、曝露于激活刺激下的拋光層的一部分從壓縮狀態(tài)向回復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。本發(fā)明的另一方面，提供了一種拋光襯底的方法，包括提供選自磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)懶寸底中至少一禾中的襯底；掛共具有墊厚PT的微記憶化學機械拋光墊；其中拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定形狀的形狀記憶基^t才料；其中當形狀記憶基體材料處于初始形狀時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當形狀"1己憶^才料設(shè)置成處于設(shè)定艦犬時，拋光層呈現(xiàn)出壓縮狀態(tài)下的壓縮厚度DT;其中DT^OT的80y。；掛射空制器；提供能夠監(jiān)視至少一個拋光墊屬性的測量設(shè)備，該屬性選自拋光墊的厚度和至少一個槽深；提供能夠生成激活刺激的來源；在拋光層的拋光表面與襯底之間生成動態(tài)接觸從而拋光襯底的表面；監(jiān)視至少一個拋光墊屬性；以及，使靠近拋光表面的拋光層的至少一部分曝露于激活刺激下；其中至少拋光墊的一部分的至少一個拋光墊屬性隨著與襯底的動態(tài)接觸而減少；其中測量設(shè)備以及所述來源與控審U器相連接；其中測量設(shè)備向控制器輸入關(guān)于至少一個拋光墊屬性的信息；以及其中控制器根據(jù)來自測量設(shè)備的信息輸入控制來源，便于使拋光墊的至少一部分選擇性地曝露于激活刺激下，以使得至少一個拋光墊屬性能夠增加。圖1是處于初始狀態(tài)和壓縮狀態(tài)的化學機繊旭光墊的拋光層的正視圖的比較圖示。圖2是處于初始狀態(tài)、壓縮狀態(tài)以及部分回復(fù)狀態(tài)的化學機鵬光墊的拋光層的正視圖的比較圖示。圖3是皿記憶化學機械拋光墊的正視圖。圖4是糊犬記憶化學機嫩旭光墊的側(cè)面透視圖。圖5是表示拋光表面中槽圖案的形狀記憶化學機|光墊的頂視平面圖。圖6是表示拋光表面中槽圖案的皿記憶化學機繊旭光墊的頂視平面圖。圖7是^拋光表面中槽圖案的形狀記憶化學機l^光墊的頂視平面圖。圖8是表示拋光表面中孔與槽圖案的結(jié)合的艦犬記憶化學機5光墊的頂視平面圖。圖9是本發(fā)明一個實施例中拋光表面具有槽圖案的形狀記r乙化學機術(shù)旭光墊的頂視平面圖。圖10是本發(fā)明一個實施例中拋光表面具有槽圖案的形狀記憶化學機纟鵬光墊的頂視平面圖，其中拋光墊具有24英寸的墊外部半徑Ro和10英寸的基^N5RB;以及8個彎曲(cureved)槽。圖11是本發(fā)明一個實施例中拋光表面具有槽圖案的形狀記憶化學機繊旭光墊的頂視平面圖，其中拋光墊具有24英寸的墊外部半徑Ro和6英寸的基半徑RB;以及8個彎曲(cureved)槽。圖12是本發(fā)明一個實施例中拋光表面具有槽圖案的微記憶化學機櫥旭光墊的頂視平面圖，其中拋光墊具有24英寸的墊外部半徑Ro和2英寸的基本半徑Rb。圖13是圖9中槽404的槽段的鄉(xiāng)巨離視圖。圖14是禾,形狀記r乙化學機械拋光墊來拋光半導(dǎo)體晶片的拋光機的示意圖。圖15是利用形狀記憶化學機鵬光墊以及拋光f棘拋光半導(dǎo)體晶片的拋光機的示意圖。圖16是提供了商用IC1000，拋光墊中所使用的組合物中儲能模量對應(yīng)于^Jt的曲線圖。圖17是提供了兩種形狀記憶基i材才料中儲能模量對應(yīng)于溫度的曲線圖。圖18是提供了另一種形狀記憶基4材才料中儲能模量X寸應(yīng)于鵬的曲線圖。圖19是顯示了由IC1000M拋光墊中制備的三個不同測試樣品的初始厚度(OT)、壓縮厚度(DT)以及總回復(fù)厚度(TRT)的柱形圖，所述拋光墊可從羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司獲得。圖20是顯示了由IC1000，拋光墊中制備的三個不同測i式樣品的初始槽深(OGD)、壓縮槽深(DGD)以及總回復(fù)槽深(TRGD)的柱形圖，0M拋光墊可從羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司獲得。圖21是本發(fā)明的一個可認識到的優(yōu)點(即隨著時間更一致的拋光墊槽深)的示意性的、圖示的。具體實施例方式這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的名詞"纖維(fibrillar)狀形態(tài)"指的是一種相形態(tài)，其中相區(qū)域具有三維形狀，其中一維尺寸^大于其余兩維尺寸。這里所使用的以及所附權(quán)禾腰求中的、關(guān)于化學機嫩旭光墊的名詞"初始厚度"指的是拋光墊與待拋光的第一襯底之間的第一次動態(tài)相互作用之前拋光墊的平均實際厚度。這里所4頓的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于化學機MM光墊的名詞"初始槽深"指的是拋光墊與待拋光的第一襯底之間的第一次動態(tài)相互作用之前拋光墊的平均實際槽深。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于CMP加工的名詞"外部操作(EXSITU)"指的是當拋光暫停時在CMP加工間歇中斷期間執(zhí)行的行為(例如監(jiān)視、這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于CMP加工的名詞"內(nèi)部操作(INSITU)"指的是當拋光進行時在CMP加工進行期間執(zhí)行的行為(例如監(jiān)視、測這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的名詞"拋光介質(zhì)"包括包含粒子的拋光液和不包含粒子的拋光液，例如不含磨料的拋光液以及活性液體拋光液。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的名詞"充分松弛"指的是拋光層中的形狀記憶基^t才料中的充分松弛，從而導(dǎo)致使用花崗巖底座比較儀(comparator)(例如，芝加哥數(shù)字式指示器編號抓066-10(ChicagoDialIndicatorCat#6066-10))所測量的拋光層平均厚度增力^2%。這里所^頓的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于拋光表面的名詞"基本圓形橫截面"指的是從中心軸線到拋光表面的外部圓周的橫截面^Sr對于橫截面的變化關(guān)于本發(fā)明的形狀記憶基體材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度('Tg")由差示量熱掃描法(DSC)測量，該差示量熱掃描法(DSC)將與溫度轉(zhuǎn)變相對應(yīng)的熱流量中的中點作為Tg值。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于本發(fā)明中形狀記憶化學機械拋光墊的拋光層的名詞"初始狀態(tài)"指的是拋光墊經(jīng)受外力而"鎖定"將可逆形狀變形，從而設(shè)置在壓縮狀態(tài)之前的現(xiàn)有(asmade)狀態(tài)。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于拋光表面的名詞"mH紋理'指的是制造后拋光表面的固有貨整體(bulk)紋理。一些影響拋光表面的靜態(tài)形態(tài)或微觀整體紋理的因素是自然因素以及紋理，所述紋理包括波形、孔形、皺痕形、脊形、狹縫形、凹陷形、凸起形和縫隙形，以及單個功能元件或^o:制品的尺寸、形狀和分布，頻率或間距。微觀紋理一般具有很大的隨機性，并且是拋光層制造過程中固有因素的結(jié)果。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的、關(guān)于拋光表面的名詞"宏觀紋理'指的是大尺寸紋理的AI制品，該人工制品M31拋光表面的壓花、磨片(skiving)、打孑L和/或機械加工而實現(xiàn)。這里所j頓的以及所附權(quán)利要求中的名詞"開槽的圓周百分率'或"CF"由以下公式定義CF^依給定半徑R上經(jīng)過任意槽的圓周部分/在給定判5R上的齡圓周}需要注意的是:如果CF作為給定皿記憶化學機*光墊的拋光表面判5的函數(shù)并且是常數(shù)，則在給定半徑上開槽(或不開槽)拋光表面的分段部分也將作為半徑的函數(shù)并且是常數(shù)。這里所使用的以及所附權(quán)利要求中的名詞"形狀記憶基體材料"指的是具有形狀記憶能力的材料。就是說，任何展現(xiàn)出下列特性的材料或材料組合(1)當曝露于外力時能夠在至少一個空間范圍內(nèi)發(fā)生變形，(2)當夕卜力去除后能夠在至少一個空間范圍內(nèi)鎖定和維持變形度，以及(3)當經(jīng)受^^活剌激時能夠在至少一個空間范圍內(nèi)顯示出回復(fù)。形狀記憶基體材料是一類智能材料，該智能材料設(shè)計和制造成可以根據(jù)它們環(huán)境的改變而以預(yù)定的方式反應(yīng)。形狀記憶基體材料可從初始形狀開始變形以及固定于臨時(設(shè)定)形狀以及在曝露于激活刺激之后發(fā)生反應(yīng)從而回復(fù)至嗾近于初始形狀的回復(fù)糊犬。形狀記憶效果包括形狀記憶基體材料中"設(shè)定形狀"的設(shè)計以及隨后當形狀記t乙基體材料曝露于激活剌激之后形狀記憶基體材料回復(fù)成"回復(fù)形狀"(接近初始開3犬)。開沐記^^##料可由常規(guī)方法加工成初始艦犬。隨后通過曝露于外力而發(fā)生變形以及保持在理想的設(shè)定形狀。后面的過程在這里稱作程序加工(programming)。用于本發(fā)明中形狀記憶基體材料的"儲能模量"指的是形狀記憶基體材料中存儲的彈性能量的量度。儲能模量表示同相應(yīng)力(具有應(yīng)變)相對于施加的應(yīng)變的比率，并且通逝頓TAQ800動態(tài)機械分析儀測量，該分析儀4頓單懸臂夾具機構(gòu)和儀器的"多頻應(yīng)變'測試模式。在本發(fā)明的一些實施例中，提供了一種拋光襯底的方法，包括提供選自磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)術(shù)t底的至少一種襯底；提供具有墊厚PT的形狀記憶化學機械拋光墊；其中拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定形狀的形狀記憶基體材料；其中當形狀記憶基體材料處于初始形狀時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當皿記憶基^^料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出處于壓縮狀態(tài)的壓縮厚度DT;其中DTSOT的80y。；在拋光層的拋光表面和襯底之間生成動皿觸以拋光襯底的表面；監(jiān)視至少一個拋光墊屬性，該屬性選自拋光墊的厚度和至少一個槽深；以及，使靠近拋光表面的拋光層的至少一部分曝露于激活剌激下；其中離拋光表面最近的、曝露于激活刺激的拋光層部分從壓縮狀態(tài)向回復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。在這些實施例的一些方面，至少一個拋光墊屬性的監(jiān)視選自連續(xù)監(jiān)視、周期監(jiān)視和間歇性監(jiān)視。在這些實施例的一些方面，監(jiān)視是連續(xù)監(jiān)視。在這些實施例的一些方面，監(jiān)視是周期監(jiān)視。在這些實施例的一些方面，監(jiān)視是間歇性監(jiān)視。在這些實施例的一些方面，監(jiān)冬鵬過內(nèi)部操作完成。在這些實施例的一些方面，監(jiān)年鵬過外部操作完成。在本發(fā)明的一些實施例中，至少一個拋光墊屬性的監(jiān)視包括測量至少一個拋光墊屬性。在這些實施例的一些方面，至少一個拋光墊屬性在拋光墊的多個位置上進行觀糧。在這些實施例的一些方面，在多個位置上的拋光墊屬性的測量用于確定拋光表面的一致性。在本發(fā)明的一些實施例中，至少一個拋光墊屬性的監(jiān)視通過fOT超聲探測組件完成。在這些實施例的一些方面，超聲探測組件包繊聲源和超聲探測器。超聲探領(lǐng)齟件將超聲信號發(fā)射到拋光墊的拋光表面。部分劍寸的超聲信號從拋光表面反射并且由超聲探測器探測。在這些實施例的一些方面，反射的超聲信號進行實時分析以提供實時的拋光墊內(nèi)部操作監(jiān)視。例如，拋光墊輪廓圖和剖面圖可通過使反射超聲信號與拋光墊位置i娥(即進行觀懂的位置)相關(guān)聯(lián)而提供。另外，實時內(nèi)部拋光墊屬性(例如，墊厚度和/或槽深度)可由反射超聲信號確定。在本發(fā)明的一些實施例中，拋光襯底的方法還包括調(diào)理拋光層的拋光表面。在這些實施例的一些方面，調(diào)理是研磨調(diào)理。在這些實施例的一些方面，調(diào)理選自金剛石盤調(diào)理和高壓水噴射調(diào)理。在這些實施例的一些方面，調(diào)理有助于在拋光墊的可用壽命中的拋光期間使得墊厚度和/或槽深度的變化減為最小。在這些實施例的一些方面，拋光墊的厚度(和/鵬深度)隨著拋光和調(diào)理過程下降。在本發(fā)明的方法中，拋光和調(diào)理過程中損失的厚度(和/^lf深度)通過拋光層的一部分從壓縮狀態(tài)向回復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)變而得以抵消。在這些實施例的一些方面，拋光表面的調(diào)理發(fā)生在(a)拋光層的至少一部分曝露在激活刺激期間；(b)拋光層的至少一部分曝露在激活刺激之后；(C)與拋光層的至少一部分曝激活刺激同時發(fā)生；或，(d)(a)-(c)中至少兩個的組合。在這些實施例的一些方面，拋光表面的調(diào)理發(fā)生在拋光層的至少一部分曝露于激活刺激之后。在這些實施例的一些方面，拋光墊厚度(和/^f深度)的減少大于拋光層曝露于激活刺激之后的恢復(fù)；拋光墊隨后經(jīng)受研磨調(diào)理，以使得拋光墊增加的厚度(和/^f深度)被磨除，以使得在拋光墊的1OT壽命中(例如在拋光〉1000晶片之后)拋光墊的厚度(和/^f深度)在曝露于激活刺激以及隨后的研磨調(diào)理后等于初始厚度(和/或槽深度)的±5%，土2%，士1%。在本發(fā)明的一些實施例中，拋光襯底的方法還包括提供能夠產(chǎn)生激活刺激的源。在這些實施例的一些方面，拋光墊在內(nèi)部操作、外部操作或兩者結(jié)合的時候曝露于激活剌激。在這些實施例的一些方面，激活刺激選自曝露于熱、光、磁場、電場、7_R、pH以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，活tt^U激曝露于熱。有多種已知的傳統(tǒng)設(shè)備能夠作為熱源而工作，所述熱源作為活化刺激(例如由微熱源加熱器公司(McropyreticsHeatersInc，OH)提供的電控紅外線加熱裝置，型號弁GPIR)。在這些實施例的一些方面，^C活刺激曝露于熱以及熱源加熱拋光介質(zhì)，該拋光介質(zhì)隨后加熱靠近拋光表面的拋光層，從而引起拋光層的一部分轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)。在這些實施例的一些方面，激活刺激曝露于執(zhí)中以及熱源官接加熱靠沂拋光表而的拋光層，從而引起拋光層的至少一部分轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)。在本發(fā)明的一些實施例中，拋光襯底的方法還包括提供控制器；提供能夠監(jiān)視至少一個拋光墊屬性的測量設(shè)備；提供能夠生成激活束l微的源；其中在CMP處理(例如，與襯底的研磨接觸，研磨調(diào)理)期間，對于拋光墊至少一部分的至少一個拋光墊屬性經(jīng)受修正力；其中測量設(shè)備以及源與控制器相通；其中領(lǐng)糧設(shè)備向控制器輸入關(guān)于至少一個拋光墊屬性的信息；以及其中控制器根據(jù)來自于測量設(shè)備的信息輸入來控制源，從而便于使拋光墊的至少一部分選擇性地曝露于激活刺激下，從而使得至少一個拋光墊屬性增加或保持不變。在這些實施例的一些方面，控制器是控制系統(tǒng)。在這些實施例的一些方面，控制系統(tǒng)包含第一閉環(huán)反1ta程，用于監(jiān)視拋光墊厚度(和/謝曹深度)的相對變化以及通過調(diào)整源使該變化反轉(zhuǎn)，戶腿源使得最接近拋光表面的拋光層的至少一部分轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)。在這些實施例的一些方面，第一閉環(huán)反,程包括i)將控制信號施加至啦制器；以及ii)處5棘自于控制器的輸出信號以調(diào)整源。在這些實施例的一些方面，、源被調(diào)整從而產(chǎn)生激活刺激以及使最接近拋光表面的拋光層的至少一部分選擇性地曝露于激活刺激。在這些實施例的一些方面，源被調(diào)整從而控制激活刺激值的大小和拋光層在時間、體積和面積等方面向激活刺激曝露的程度。在本發(fā)明的一些實施例中，提供了一種拋光襯底的方法，包括提供選自磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)術(shù)寸底的至少一禾中辦寸底；提供具有墊厚PT的形狀記憶化學機械拋光墊；其中拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定形狀的形狀記憶基體材料；其中當形狀記憶基體材料處于初始開別犬時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當皿記憶基^^才料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出處于壓縮狀態(tài)的壓縮厚度DT;其中DT^OT的80c/。；提供控制器；提供能夠監(jiān)視至少一個拋光墊屬性的測量設(shè)備，該屬性選自拋光墊的厚度和至少一個槽深；提供能夠產(chǎn)生激活刺激的源；在拋光層的拋光表面與襯底之間生成動態(tài)接觸，用于拋光襯底的表面；監(jiān)視至少一個拋光墊屬性；使最接近拋光表面的拋光層的一部分曝露于激活刺激；以及，拋光面的研磨調(diào)理；其中用于拋光墊至少一部分的至少一個拋光墊屬性由于拋光和研磨調(diào)理過程而減少；其中湖糧設(shè)備以及源與控制器相通；其中領(lǐng)懂設(shè)備向控制器輸入關(guān)于至少一個拋光墊屬性的信息；以及其中控制器根據(jù)來自于測量設(shè)備的信息輸入來控制源，從而可以便于使拋光墊的至少一部分選擇她性曝露于激活刺激，從而使得至少一個拋光墊屬性增加。在這些實施例的一些方面，研磨調(diào)理緊接著拋光層的至少一部分曝露于激活刺激。在這些實施例的一些方面，研磨調(diào)理先于拋光層的至少一部分曝露于激活刺激。在這些實施例的一些方面，拋光層同時經(jīng)受研磨調(diào)理和曝露于激活刺激。在這些實施例的一些方面，研磨調(diào)理選自金剛石盤調(diào)理和高壓水噴射調(diào)理。在這些實施例的一些方面，控制器是控制系統(tǒng)。在這些實施例的一些方面，控制系統(tǒng)包含如上所描述的第一閉環(huán)反饋過程。在這些實施例的一些方面，控制系統(tǒng)還包含第二閉環(huán)反t貴過程，用于監(jiān)視拋光墊厚度(和M1f深度)的相對變化和用于調(diào)整研磨墊調(diào)理。在這些實施例的一些方面，第二閉環(huán)反t微程包括i)將控制信號施加至啦制器；以及ii)處理來自控制器的輸出信號以調(diào)整研磨墊調(diào)理。在這些實施例的一些方面，控制系統(tǒng)在第一閉環(huán)反tM程與第二閉環(huán)反1til程之間交替。在這些實施例的一些方面，控帝係統(tǒng)伴與第一閉環(huán)反卞fil程和第二閉環(huán)反t微程同日彌作。在本發(fā)明的一些實施例中，方法還包括使形狀記憶化學機械拋光墊和拋光機器的壓板(platen)相連接。在這些實施例的一些方面，方法還包括使用壓敏膠粘劑和真空中至少一種使形狀記憶化學機械拋光墊和拋光機器的壓板相連接。在這些實施例的一些方面，拋光墊厚度和/或槽深度由以下方式監(jiān)視和控制a)提供非接觸測量系統(tǒng)，該系統(tǒng)適于確定傳感器和目標之間的相對距離；b)將傳感器配置成靠近拋光墊的拋光表面，并且傳感器與壓板相距設(shè)定距離，所述拋光墊連接到該壓板；C)測量從傳繊到拋光表面之間的距離，以確定至少一個拋光墊屬性的初始值，該拋光墊屬性選自墊厚度(即初始墊厚度)和至少一個槽深度(即初始槽深度)；d)用拋光表面拋光至少一個襯底；e)重新測量從傳繊至鵬光表面的距離以確定至少一個拋光墊屬性的改變；f)(1)基于測量結(jié)果(確定拋光墊條件)的比較來確定拋光墊條件，控制激活刺激的源，從而使最接近拋光表面的拋光層的至少一部分選擇性地曝露于激活刺激，所述比較值M過比較步驟(c)中的測量結(jié)果與步驟(e)中的重新測量結(jié)果而獲得的；以及g)重復(fù)(d)步驟至(f)步驟，用于多次拋光操作。在這些實施例的一些方面，f)還包括(2)控制研磨調(diào)理設(shè)備以選擇性地調(diào)理拋光表面。在這些實施例的一些方面，閉環(huán)反饋過程便于在至少一個拋光操作期間內(nèi)連續(xù)地監(jiān)視和控制至少一個拋光墊屬性。在這些實施例的一些方面，測量系統(tǒng)包括提供輻射來源的輻針源。在這些實施例的一些方面，輻射來源生成超聲能量和電磁能量中的至少一種。在這些實施例的一些方面，電磁能量選自可見光、紫外光和紅外光。圖21劍共了本發(fā)明中一些實施例的一個可認識到優(yōu)點的示意性的、圖示的表達(即，更加一致的隨時間的拋光墊槽深度，這有助于在拋光墊的使用壽命中獲得更加一致的CMP加工性能)。特別地，圖21中所示的曲線顯示了對于不同的CMP加工過程，拋光墊的槽深度是如何隨著時間而發(fā)生衰減。圖21中的曲線A表示了在本發(fā)明利用了拋光面的形狀記憶回復(fù)但沒有進行研磨調(diào)理的CMP加工過程中，皿記憶化學機光墊的槽深度是如何隨著時間而發(fā)生衰減，其中槽深度由于拋光隨著時間而發(fā)生衰減，以及通過將拋光層曝露于激活刺激而周期性地回復(fù)。圖21中的曲線B^了在本發(fā)明禾,拋光面的幵娥記憶回復(fù)并結(jié)^S行研磨調(diào)理(例如，金剛石盤調(diào)理)的CMP加工過程中，艦尺記憶化學機械拋光墊的槽深度是如何隨著時間而發(fā)生衰減，其中槽深度由于拋光隨著時間而發(fā)生衰減，通過將拋光層曝露于激活刺激而周期性回復(fù)，以及通過研磨調(diào)理而周期性itt減。圖21中的曲線C表示在使用研磨調(diào)理(例如，金剛石盤調(diào)理)的常用的CMP加工過程中，具有充滿微球的拋光層的常用拋光墊的槽深度如何隨著時間而發(fā)生衰減，其中槽深度由于拋光會隨著時間而發(fā)生衰減，以及經(jīng)過研磨調(diào)理會周斯性i條減。在這種常用的CMP加工過程中，通過研磨掉在厚度上與微球平均直徑(例如，約50微米)可比的一層拋光墊材料，是一種常見的、用于周期性地使拋光表面再生的技術(shù)。在本發(fā)明的一些實施例中，拋光襯底的方法還包括在拋光表面和襯底表面之間的交界面上提^M光介質(zhì)。在這些實施例的一些方面，拋光介質(zhì)是包含粒子的拋光液和不包含粒子的拋光液(例如不包含磨料的拋光液以及活性液體的拋光液)中的至少一種。在這些實施例的一些方面，拋光介質(zhì)是包含粒子的水性漿料。在這些實施例的一些方面，拋光介質(zhì)是包含少于3.0^%磨料的活性液體拋光液。在這些實施例的一些方面，拋光介質(zhì)是包含少于0.1wt。/。磨料的活性液體拋光液。在這些實施例的一些方面，拋光介質(zhì)不含磨料。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括形狀記憶基體材料，該基體材料包括至少一種聚合物。在這些實施例的一些方面，形狀記憶基#^才料包括至少一種聚合物，該聚合物選自包括至少一種嵌段共聚物，爿;M嵌段共聚物包括至少一個硬嵌段和至少一種軟嵌段。在這些實施例的一些方面，形狀記憶基體材料包括至少一種聚合物，該聚合物選自聚酯基熱塑性聚氨酯；聚醚基聚氨酯；聚環(huán)氧乙烷；聚(醚酯)嵌段共聚物；聚翻安；聚(酰氨酯)；聚(醚酰氨)共聚物；聚乙烯醇；聚乙烯基卩比咯烷酮；聚乙烯吡啶；聚丙烯酸；聚甲基丙烯酸；聚天門冬氨酸；馬來酐甲基乙烯基醚共聚物；聚丙烯酸和聚丙烯酸酯的聚乙烯基甲基醚共聚物；苯乙烯聚合物；環(huán)氧基聚合物；聚,酸酯；以及它們的組合物(例如，共聚物和混合物)。在這些實施例的一些方面，形狀記憶基^^料包括嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包括至少一種硬嵌段和至少一種軟嵌段，其中軟嵌段或硬嵌段，或者兩者都包含稱作"刺激響應(yīng)"的官能團或受體部位，即，當曝露于激活刺激時能夠獲得理想的形狀回復(fù)量。在這些實施例的一些方面，激活刺激選自曝露于熱、光、磁場、電場、水、pH以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，激活刺激曝露于熱。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括開鄰記憶基糊料，該細才料包括嵌段共聚物(segmentedblockcopolymer)。在這些實施例的一些方面，嵌段共聚物選自聚氨酯彈性體，聚醚彈性體，聚(醚酰氨)彈性體，聚醚聚酯彈性體，聚0劃安基彈性體，熱塑性聚氨酯，聚(醚醐安)嵌段共聚物，熱塑性橡膠(例如，未交聯(lián)聚烯烴)，苯乙烯-丁二烯共聚物，硅橡膠，合膠(例如，月青1tl交和丁ai象膠)，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，苯乙烷-異戊二烯共聚物，苯乙稀-乙烯-丁烯共聚物以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，形狀記憶基體材料還包括非彈性聚合物。在這些實施例的一些方面，非彈性聚合物選自聚環(huán)氧乙烷，聚乳酸共聚物以及它們的組合。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括形狀記憶基體材料，該基體材料包括聚氨酯。在這些實施例的一些方面，聚氨酯選自聚酯基芳族聚氨酯；聚酯基脂族聚氨酯；聚醚基芳族和脂族聚氨酯；以及它們的組合。在本發(fā)明的一些實施例中，形狀記憶基^t才料包括混合物的反應(yīng)產(chǎn)物，該混合物包括聚醚基，甲苯二異氰酸酯封端的液體聚氨酯預(yù)聚物；以及4，4'-亞甲基(methylene)-二(2-氯苯胺)。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括形狀記憶基體材料，該基#^料包括混合物的反應(yīng)產(chǎn)物，該混合物包括甘油丙氧基化物；聚碳化二亞胺改性的二苯基甲烷二異氰酸酯；以及聚四氫呋喃和聚已酸內(nèi)酯中的至少一種。在這些實施例的一些方面，形狀記憶基體材料包括混合物的反應(yīng)產(chǎn)物，該混合物包括甘油丙氧基化物；聚碳化二亞胺改性的二苯基甲烷二異氰酸酯；以及聚四氫呋喃。在這些實施例的一些方面，該基體材料包括混合物的反應(yīng)產(chǎn)物，所述混合物包括甘油丙氧基化物；聚碳化二亞胺改性的二苯基甲垸二異氰酸酯；以及聚已酸內(nèi)酯。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括如上描述的形狀記憶基體材料，以及多個微型元件(microelement)。在這些實施例的一些方面，多個微型元件均勻地散布在拋光層內(nèi)。在這些實施例的一些方面，上述多個微型元件選自殘存的氣泡、空心聚合材料、充滿液體的空心聚合材料，水溶性材料和不溶相材料(例如，礦物油)。在這些實施例的一些方面，上述多個微型元件包括均勻地散布在拋光層中的空心聚合材料。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層；其中上述拋光層包括能夠在初始形狀(即，制成時的形狀)和設(shè)定形狀之間進行轉(zhuǎn)變的形狀記憶基體材料；其中當形狀記憶基體材料處于初始形狀時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當形狀記憶基體材料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出處于壓縮狀態(tài)的壓縮厚度DT;其中DT^3T的80。/。；以及，其中拋光層具有適用于拋光襯底的拋光表面。在這些實施例的一些方面，壓縮厚度DT^初始厚度OT的70%。在這些實施例的一些方面，壓縮厚度DT在初始厚度0丁的70%和40%之間。在這些實施例的一些方面，襯底為半導(dǎo)#1寸底。在這些實施例的一些方面，襯底為半導(dǎo)體晶片。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記[乙化學機械拋光墊包括拋光層，該拋光層包括形狀記憶基體材料，該形狀記憶基體材料選擇成可展現(xiàn)出Tg^45。C1^8(TC;其中激活刺激曝露于熱。在這些實施例的一些方面，靴記憶基體材料選擇成可展示出Tg245。CJ^75。C;Tg^50。C且^75。C;TgS55。C且S75。C;Tg^55。C如0。C;或者Tg255。Cj^65。C。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層；其中拋光層包括能夠在初始形狀(例如，制成時的形狀)和設(shè)定形狀之間進行轉(zhuǎn)變的形狀記憶基體材料；其中當形狀記憶基體材料處于初始形狀時，拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當，記憶基j材才料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出處于壓縮狀態(tài)的壓縮厚度DT;其中DTOT的80y。；其中當形狀記憶割材才料的鵬從(Tg—20)。C上升到(Tg+20)。C時，形狀記憶基體材料展示出其儲能模量的減7」^70%;其中激活刺激曝露于熱，以及，其中拋光層具有適應(yīng)于拋光襯底的拋光表面。在這些實施例的一些方面，當形狀記憶基體材料的溫度從(Tg—20)。C上升到(Tg+20)。C;從(Tg—10)。C上升到(Tg+10)。C;或者從(Tg—5)。C上升到(Tg+5)。C時，鵬犬記憶基^t才料展示出其儲能模量的減刁它75%，^80%，35%，或者30%。在這些實施例的一些方面，儲能模量的減少具有^800Mpa;^900Mpa;^1000Mpa;^800Mpa且，OOMpa;，MpaJ^5000Mpa;魁00MpaJ^2500Mpa的數(shù)量值。在這些實施例的一些方面，上當形狀記tZ^1^才料的溫度從(Tg—lO)。C上升到(Tg+10)。C時，形狀記憶基#^料展示出其儲能模量的^1^90%，其中存儲模量的M^、具輪800Mpa的數(shù)量值。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊具有中心軸線并且適于繞中心軸線旋轉(zhuǎn)。(參見圖4)。在這些實施例的一些方面，鵬犬記f乙化學機嫩旭光墊的拋光層210在基本上垂直于中心軸線212的平面內(nèi)。在這些實施例的一些方面，拋光層210適于在與中心軸線212形成角度y為80°到100°的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。在這些實施例的一些方面，拋光層210適于在與中心軸線212形成角度y為85°到95。的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。在這些實施例的一些方面，拋光層210適于在與中心軸線212形成角度y為89°到91。的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。在這些實施例的一些方面，拋光層具有拋光表面214，該拋光表面214具有垂直于中心軸線212的大致圓形橫截面。在這些實施例的一些方面，垂直于中心軸線212的拋光表面214的橫截面判5r相對于橫截面的變^^20。/。。在這些實施例的一些方面，垂直于中心軸線212的拋光表面214的橫截面半徑1"相對于橫截面的變4^10%。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記卜乙化學機械拋光墊具有顯示出宏觀紋理的拋光表面。在這些實施例的一些方面，宏觀紋理設(shè)計成用于減輕至少一種打滑；影響拋光介質(zhì)流動；改變拋光層的剛度；減少邊際效應(yīng)；以及，便于使拋光碎片從拋光表面與襯底之間區(qū)域移除。在這些實施例的一些方面，上述宏觀紋理包括至少一個槽。在這些實施例的一些方面，上述至少一個槽具有220密耳的初始槽深。在這些實施例的一些方面，上述至少一個槽具有20到100密耳的初始槽深。在這些實施例的一些方面，上述至少一個槽具有20到60密耳的初始槽深。在這些實施例的一些方面，上述至少一個槽具有20到50密耳的初始槽深。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括具有宏觀紋理的拋光表面，，宏觀紋理包括槽圖案。在這些實施例的一些方面，上述槽圖案包括至少一個槽。在這些實施例的一些方面，上述槽圖案包括多個槽。在這些實施例的一些方面，上述至少一個槽選自弧形(curved)槽、直槽以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，上述槽圖案選自包括例如共心槽(可能為圓形或螺旋形)、弧形槽、交叉槽(例如，經(jīng)過墊表面的X-Y柵格)，其他常規(guī)設(shè)計(例如，六角形，三角形)，輪胎胎面形圖案，非常規(guī)設(shè)計(例如，不規(guī)則圖案)，以及它們的組合的槽結(jié)構(gòu)。在這些實施例的一些方面，槽圖織自隨機的、共心、螺旋、交叉、X-Y柵格、六角形、三角形、不規(guī)則形以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，槽輪廓選自具有直側(cè)壁的矩形或者可為'V'形、"u，形、三角形、鋸齒形以及它們組合的槽橫截面。在這些實施例的一些方面，槽圖案是沿拋光表面發(fā)生改變的槽結(jié)構(gòu)。在這些實施例的一些方面，根據(jù)特定應(yīng)用設(shè)計制造槽結(jié)構(gòu)。在這些實施例的一些方面，特定結(jié)構(gòu)中的槽的尺寸在沿拋光墊表面會發(fā)生改變，從而產(chǎn)生不同的槽密度區(qū)域。在本發(fā)明的一些實施例中，形狀記憶化學機械拋光墊具有包括槽圖案的宏觀紋理，上述槽圖案包括具有至少一個槽，其中CF保持在其平均值的25%以內(nèi)，優(yōu)選為10%以內(nèi)，更{，的為5%以內(nèi)，CF是一區(qū)域內(nèi)的拋光墊舉徑R的函數(shù)，該區(qū)域從拋光表面外部半徑Ro延伸大多,巨離(majoritydistance)到拋光表面中心處的原點O。在這些實施例的一些方面，CF保持在其平均值的25%以內(nèi)，4尤選為10%以內(nèi)，更優(yōu)選的為5%以內(nèi)，CF是一區(qū)域內(nèi)的拋光墊半徑R的函數(shù)，該區(qū)J^人基半徑RB延伸到外部^^Ro。(參見圖9)。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊具有通過墊的孔、導(dǎo)電連接(lined)槽的引入或者導(dǎo)體例如導(dǎo)電纖維、導(dǎo)電網(wǎng)格、金屬柵格或金屬線的結(jié)合，這些可以將形狀記憶化學機WM光墊轉(zhuǎn)變?yōu)閑CMP("電化學機械平整，)拋光墊。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括與基層相互連接的拋光層。在這些實施例的一些方面，拋光層通過膠粘劑連結(jié)到基層。在這些實施例的一些方面，膠粘劑選自壓敏膠粘劑、熱熔性膠粘劑、接觸膠粘劑(contactadhesive)以及它們的組合。在這些實施例的一些方面，膠粘劑是熱熔性膠粘劑。在這些實施例的一些方面，膠粘劑是接觸膠粘劑。在這些實施例的一些方面，膠粘劑是壓i(IK粘劑。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊包括拋光層、基層和至少一個介于拋光層和基層之間的附加層。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊適于與拋光機器的壓板相互連接。在這些實施例的一些方面，形狀記憶化學機械拋光墊適于固定至U上述壓板。在這些實施例的一些方面，形狀記憶化學機械拋光墊適于使用壓敏膠粘齊訴卩真空中的至少一種從而固定到，壓板。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的皿記憶化學機械拋光墊可通過以下加工過程制成，包括提供能夠在初始形狀和設(shè)定形狀之間進行轉(zhuǎn)變的形狀記憶基體材料；制備處于初始狀態(tài)、并包括處于初始形狀的形狀記憶基體材料的拋光層，戶，初始狀態(tài)呈現(xiàn)出初始厚度OT;將至少一部分拋光層加熱至U^fe(Tg+10)°C;使拋光層經(jīng)受外力，其中外力是軸向地壓縮拋光層的軸向力；將形狀記憶基體材料設(shè)置成設(shè)定形狀以提供處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層呈現(xiàn)出壓縮厚度DT;))娜光層H^瞎lj小于(Tg—10)"C的溫度同時保持軸向力從而將旭光層設(shè)置在壓縮狀態(tài)；以及移除外力；其中Tg是形狀記憶基^^才料的玻璃化轉(zhuǎn)變鵬；其中DT^OT的80%;以及，拋光層具有適于拋光襯底的拋光表面，該襯底選自磁性襯底、光學襯底以及半導(dǎo)體襯底中的至少一種。在這些實施例的一些方面，拋光層被加熱至U^fe(Tg+10)。C,但是在形狀記憶基體材料的分軒顯度之下。在這些實施例的一些方面，加熱拋光層并在厚度方向上壓縮從而便于對形狀記[乙基體材料進行程序加工以及將拋光層從初始狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閴嚎s狀態(tài)。在這些實施例的一些方面，襯底是半導(dǎo)體襯底。在這些實施例的一些方面，襯底是半導(dǎo)體晶片。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊可通過以下加工過程制成，包括提供能夠在初始形狀和設(shè)定形狀之間進行轉(zhuǎn)變的形狀記憶基體材料；制備處于初始狀態(tài)、并包括處于初始形狀的形狀記憶基體材料的拋光層，戶脫初始狀態(tài)呈現(xiàn)出初始厚度OT;使拋光層經(jīng)鈔卜力；將糊犬記憶基體材料設(shè)置成設(shè)定形狀以提供處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中拋光層呈現(xiàn)出壓縮厚度DT;移除外力；其中DT^OT的80%;其中當皿記憶基^t才料的，從(Tg—20)"上升到(Tg+20)°C，形狀記憶基#^才料展示出其儲能模量減/^70%。；以及，其中上述拋光層具有適于拋光襯底的拋光表面，該襯底選自磁性襯底、光學襯底和半導(dǎo)4料寸底中的至少一種。在這些實施例的一些方面，壓縮厚度DT^初始厚度OT的70%。在這些實施例的一些方面，壓縮厚度DT在初始厚度OT的70%禾口40%之間。在這些實施例的一些方面，當形狀記憶基i材才料的^t從(Tg—20)。C上升到(Tg+20)。C;從(Tg—10)。C上升到(Tg+10)。C;或者從(Tg—5)。C上升到(Tg+5)'C時，形狀記憶基體材料展示出其儲能模量的280%，285°/。，290%。在這些實施例的一些方面，儲能模量的減少具fe800Mpa;^900Mpa;^1000Mpa;^800Mpa化10000Mpa;2800Mpa而且5000Mpa;^800MpaJ52500Mpa的數(shù)量值。在這些實施例的一些方面，當形狀記憶基體材料的溫度從(Tg—10)。C上升到(Tg+10)。C時，形狀記憶基體材料展示出其儲能模量的Mil^90c/c，其中存儲模量的減少具輪800Mpa的數(shù)量值。在這些實施例的一些方面，襯底是半導(dǎo)##底。在這些實施例的一些方面，襯底是半導(dǎo)體晶片。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊可通過包含將外力應(yīng)用到拋光層上從而將形狀記憶基體材料設(shè)置于設(shè)定形狀的加工過程而制成。在這些實施例的一些方面，外力是標稱的軸向力，該軸向力向拋光層施加了^150psi的標稱壓力。在這些實施例的一些方面，施加在拋光層上的^^爾壓力S300psi。在這些實施例的一些方面，施加在拋光層上的標稱壓力是150到10000psi之間。在這些實施例的一些方面，施加在拋光層上的標稱壓力是300到5000psi之間。在這些實施例的一些方面，施加在拋光層上的標稱壓力是300到2500psi之間。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊使用通過任意已知方式而由處于初始形狀的形狀記憶基體材料而得以制備，所述形狀記憶材料可提供處于展示出初始厚度OT的初始狀態(tài)的拋光層。在這些實施例的一些方面，拋光層通過選自流延(casting)、注塑(包括反應(yīng)注塑)、擠出、織物凃敷(web-coating)、光聚合、燒結(jié)、印刷(包括噴墨印刷和絲網(wǎng)印刷)、旋涂、織造、切片以及它們的組合的加工過程而制造出來。在這些實施例的一些方面，上述拋光層艦流延和切片的組合而制備。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的形狀記憶化學機械拋光墊通過以下方法生產(chǎn)出來，該方跑含在微記fc^^才料的鵬化轉(zhuǎn)變鵬Tg附臓該溫度^±，向拋光層施加力以壓縮拋光層，從而使拋光層從具有初始厚度OT的初始狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袎嚎s厚度DT的壓縮狀態(tài)；纟柳光層^^冷卻到Tg以下以鎖定在壓縮厚度DT;以及將施加在拋光層上用于壓縮拋光層的力移除。在本發(fā)明的一些實施例中，所用的糊犬記〖乙化學機械拋光墊具有結(jié)合至,光層的宏觀紋理。在這些實施例的一些方面，當拋光層處于初始狀態(tài)時，宏觀紋理結(jié)合到，拋光層。在這些實施例的一些方面，當拋光層處于壓縮狀態(tài)時，宏觀紋理結(jié)合到上述拋光層。在這些實施例的一些方面，一些宏觀紋理當拋光層處于初始狀態(tài)時結(jié)合到上述拋光層而一些宏觀紋理當拋光層處于壓縮狀態(tài)時結(jié)合到，拋光層。在這些實施例的一些方面，宏觀紋理使用切削頭(cuttingbit)結(jié)合到上述拋光層。在這些實施例的一些方面，最好在宏觀紋理結(jié)合過程中冷卻切削頭或拋光層、或者冷卻兩者，從而使任何形狀記憶基^^才料從設(shè)定形狀向回復(fù)形狀轉(zhuǎn)化的量減為最小。在這些實施例的一些方面，將宏觀紋理結(jié)合到拋光層的過程包括冷卻切削頭、冷卻拋光層上最接近切削頭的區(qū)域或是它們的組合。在這些實施例的一些方面，冷卻可通過多種技術(shù)達到，例如，在切削頭上吹動壓縮空氣以便于對流，在切削頭上吹動冷空氣，將水噴到切削頭上或者將冷卻氣體吹到切削頭上。在這些實施例的一些方面，冷卻可通過將冷卻的、液化的或低溫的氣體(例如氬、二氧化碳、氮)直接地吹到切削頭、拋光層上最接近切削頭的區(qū)域或是它們的組合而得以實現(xiàn)。在這些實施例的一些方面，冷卻的、液化的或低溫的氣體通過特殊的噴嘴或者多個特殊噴嘴噴射，其中氣體能快速地膨脹、冷卻、以及形成固態(tài)結(jié)晶或液體以便于熱傳遞。在這些實施例的一些方面，這種冷卻技術(shù)的使用涉及材料(例如，氣體、液體或晶體)流動的產(chǎn)生和導(dǎo)向上述流動用以沖擊切削頭、拋光層上最接近切削頭的區(qū)域或者沖擊兩者。在這些實施例的一些方面，在拋光墊上最靠近切削頭區(qū)域上引導(dǎo)的材料流動具有協(xié)助碎片移除的附加功能，所述碎片在宏觀紋理結(jié)合過程中形成。移除這些碎片的好處在于減少碎片通過熔融、烙解鵬接而再次粘結(jié)到拋光層上的潛在可能性。如果在宏觀紋理結(jié)合過程期間移除碎片以減少再次粘結(jié)到拋光層上的碎片的數(shù)量，那么能夠避免在隨后^ffl拋光層的拋光操作中產(chǎn)生缺陷。在這些實施例的一些方面，整個拋光層是低溫冷卻的。在這些實施例的一些方面，齡拋光層以及用于向切削頭掛共動力的機械固定驢是低溫冷去啲。在這里參考附圖進行描述的特定實施例中，激活刺激是曝露于熱。盡管如此，根據(jù)這里提供的教示，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠知道如何采用其它激活刺激例如，曝露于光、磁場、電場和/或水。圖1提供了形狀記憶化學機Mt旭光墊的拋光層的正視圖的比較顯示。特別地，圖1樹共了處于初始狀態(tài)10、具有初始厚度OT的,旭光層與處于壓縮狀態(tài)20、具有壓縮厚度DT的同一拋光層的比較。圖2提供了形狀記憶化學機械拋光墊的拋光層的正視圖的比較顯示。特別地，圖2提供了處于初始狀態(tài)30、具有初始厚度OT的拋光層，與處于壓縮狀態(tài)40、具有壓縮厚度DT的同一拋光層，以及與處于部分回復(fù)狀態(tài)50的同一拋光層的比較，所述處于部分回復(fù)狀態(tài)50的拋光層具有總回復(fù)厚度TRT以及具有M拋光表面32并且具有回復(fù)厚度TR的回復(fù)部分。圖2所示的拋光層包括多個散布在,記fc^體材料36內(nèi)的微型元件34。圖3衛(wèi)共了開娥記憶化學機M光墊的正視圖。特別地，圖3中的形狀記憶化學機MI旭光墊60包括具有拋光表面72的拋光層70，其中JlM拋光層包括多個均勻地散布在開娥記憶基##料74中的微型元件76。圖3中的皿記憶化學機械拋光墊60還包括與上逝旭光層70相互連接的基層90。特別地，，基層90M膠粘劑層80粘附在JJi拋光層70上。圖4提供了形狀記憶化學機l^旭光墊的側(cè)面透視圖。特別地，圖4顯示了處于壓縮狀態(tài)、具有壓縮厚度DT的單層形狀記憶化學機械拋光墊210。形狀記憶化學機械拋光墊210具有拋光表面214和中心軸線212。拋光表面214具有在與中心軸線212成角度y的平面內(nèi)、從中心軸線212到拋光表面215外圓周的半徑r的圓形橫截面。圖5提供了形狀記憶化學機Mf地光墊的頂視圖。特別地，圖5顯示了具有拋光表面302的形狀記憶化學機光墊300，該拋光表面302具有多個弧形槽305的槽圖案。圖6提供了皿記憶化學機光墊的頂視圖。特別地，圖6顯示了具有拋光表面312的形狀記憶化學機liM光墊310，該拋光表面312具有多個同心圓形槽315的槽圖案。圖7提供了形狀記憶化學機|光墊的頂視圖。特別地，圖7顯示了具有拋光表面322的形狀記憶化學機嫩旭光墊320，該拋光表面322具有多個X-Y柵格圖案的線形槽325的槽圖案。圖8提供了皿記憶化學機嫩旭光墊的頂視圖。特別地，圖8顯示了具有拋光表面332的，記憶化學機術(shù)旭光墊330，該拋光表面332具有多個孔338和多個同心圓形槽335的組合。圖9衛(wèi)共了本發(fā)明一些實施例的微記憶化學機W6光墊400的頂視圖，其中拋光墊400具有包括槽圖案的宏觀紋理，該槽圖案包括至少一個槽404。拋光墊400具有外部半徑&和拋光表面402，至少一個槽404形成于J^S光表面402。圖9中雖然只顯示了單個槽404，但是槽圖案可以包括兩個或多個槽404(參見圖10-12)。拋光墊^N5R從拋光表面402中心的原點O開始測量。圖9中還顯示出在具有周長2兀R的R處畫出的圓圈CR(虛線)。拋光墊400的外部半徑為Ro。槽404從基半徑RB向確定了拋光表面402的外部圓周406的外部半徑Ro延伸。在這些實施例的一些方面，槽404從基半徑RB向外部圓周406延伸(如圖9-12所示)。在這些實施例的一些方面，槽404從原點O與基半徑Rb之間的點向外部圓周406延伸。在這些實施例的一些方面，槽404從原點O延伸到外部圓周406。圖13顯示了圖9中槽404的一段槽的鄉(xiāng)巨離視圖，顯示了槽404的微小差別的段(segment)410。在給定的半徑R下，槽404具有給定的寬度W和中心軸線A，該中線軸線A與徑向直線L形成角度e("槽角度')，該徑向直線L使原點O連接到給定半徑R。在這些實施例的一些方面，形狀記憶化學機械拋光墊具有包括槽圖案的宏觀紋理，其中CF保持在其平均值的25%以內(nèi)，優(yōu)選為10%以內(nèi)，更的為5%以內(nèi)，該CF是一區(qū)域內(nèi)拋光墊半徑R的函數(shù)，該區(qū)域從拋光表面的外部判5&延伸大多辦巨離至順、點0。在這些實施例的一些方面，形狀記憶化學機械拋光墊具有包括槽圖案的宏觀紋理，其中CF保持其平均值的25。/。以內(nèi)，怖先為10%以內(nèi)，更怖忠的為5%以內(nèi)，該CF是一區(qū)域內(nèi)拋光墊判5R的函數(shù)，該判5區(qū)域從基半徑RB延伸到外部判5Ro。圖14提供了利用形狀記憶化學機MI旭光^I旭光半導(dǎo)體晶片的拋光機器的表示。特別地，圖14顯示了具有微記t乙化學機f鵬光墊110的拋光裝置100，該拋光墊110具有中心線軸112、具有拋光表面118的拋光層116和基層114。圖14還顯示了拋光壓板120，基層114固定到該壓板120。拋光壓板120具有與拋光墊110的中心車由線112相一致的中心軸線125。拋光^3100還包括具有中心軸線135的晶片載體130。晶片載體130承載半導(dǎo)體晶片150。晶片載體130固定于移動臂140用于使晶片載體相對于拋光墊110橫向移動。晶片載體130和壓板120(固定有拋光墊110)設(shè)計成繞著它們各自的中心軸線以旋轉(zhuǎn)方式移動以及便于使拋光表面118與半導(dǎo)體晶片150之間的動觸。監(jiān)視器155相對于拋光表面定位(任意地以可移動方式定位)以便于至少一個拋光墊屬性的測量，戶微拋光墊屬性選自拋光墊厚度和槽的深度。源160以可移動的方式定位在拋光表面118時逝以便于使拋光層選擇性地曝露于激舌刺激，這樣拋光層的曝露部分從壓縮狀態(tài)向回復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)化。具有中心軸線167的調(diào)理裝置165為拋光表面118劍共了研磨調(diào)理。控制器170與監(jiān)視器155、源160和調(diào)理裝置165活性(active)互通；并且被設(shè)計成保持一致的拋光墊厚度禾口/淑曹深度。圖15提供了利用皿記憶化學機光墊以及拋光介質(zhì)的拋，置的示意圖。特別地，圖15顯示了包括單層微記憶化學機繊旭光墊210的裝置200，該拋光墊210具有拋光表面214和外部圓周215。拋光墊210與壓板220相互連接。拋光墊210具有與壓板220的中心軸線225相一致的中心軸線212。裝置200還包括具有中心軸線235的晶片載體230。晶片載體230承載半導(dǎo)體晶片250。裝置200還包括拋光介質(zhì)260和^l射旭光介質(zhì)分配到拋光表面214上的漿料分配器270。在半導(dǎo)體晶片250拋光期間，壓板220和拋光墊210繞著它們各自的中心軸線旋轉(zhuǎn)而晶片載體繞著它的中心軸線旋轉(zhuǎn)。拋光期間，拋光墊與晶片被設(shè)置成彼此動態(tài)接觸，并且拋光介質(zhì)被導(dǎo)入到系統(tǒng)中，以使得拋光介質(zhì)可以在半導(dǎo)體晶片和拋光墊的拋光表面之間Mil。監(jiān)視器280相對于拋光表面定位(任意地以可移動方式定位)，以便于至少一個拋光墊屬性的測量，所述拋光墊屬性選自拋光墊厚度和槽的深度。源285可移動地定位在拋光面214附近，以便于使拋光層選擇性地曝露于激活刺激，這樣拋光層的曝露部分從壓縮狀態(tài)向回復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)化。具有中心軸線295的調(diào)理裝置290為拋光表面214提供了研磨調(diào)理?？刂破?98與監(jiān)視器280、源285和調(diào)理體290活〖紐通；并且被設(shè)計成保持一致的拋光墊厚度和/謝曹深度。本發(fā)明的一些實施方式將在以下實施例中具體描述。實施例l:形狀記憶拋光墊測試才羊品選自商業(yè)可供充滿聚氨酯的拋光墊(可由羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司提供的IC100(T)。該測試樣品包括具有大約12.7mm直徑的圓盤，該圓盤M3iiciooo，墊沖壓而成。實施例2:形狀記憶拋光墊材料的制備微記憶基^^料在大約50。C和大氣壓力下混合制備227克甘油丙織化物(平均Mn266);279克聚四氫呋卩南(平均M。650);以及，494克聚碳化二亞胺改性的二苯基甲烷二異氰酸酯(購自陶氏化學公司如Isonate143L)。4OT非接觸行星式高剪切混合器以2000ipm將18克中空彈性聚合物微球(阿克蘇諾貝爾公司(AkzoNobel)的Expance膨551DE)混合到，混合物中，從而使微球均勻地分配到上述形狀記憶基體材料中。最終混合物隨后灌注在兩個相距2.54mm的平玻璃面之間并且形成的254mm直徑灌注板在大約10辦中后成為膠狀。2.54mm厚的灌注板連同玻璃表面隨后被放置進固化爐并且在約105°C溫度固化16-18小時。固化的板隨后在室溫下冷卻大約8小時直到板溫度為大約25。C。實施例3:形狀記憶拋光墊材料制備形狀記憶基##料在大約50。C和大氣壓力下混合制備216克甘油丙M化物(平均Mn266);315克聚(己內(nèi)酯)二醇(平均Mn775);以及，469克聚碳化二亞胺改性的二苯基甲垸二異氰酸酯(購自陶氏化學公司如Isonate143L)。使用非接觸行星式高剪切混合器以2000rpm將18克中空彈性聚合體微球(購自阿克蘇諾貝爾公司(AkzoNobel)的Expancd⑧551DE)混合到上述混合物中，從而使微球均勻地分配到上述形狀記憶基體材料中。最終混合物隨后灌注在兩個相距2.54mm的平玻璃面之間并且形成的254mm直徑灌注板在大約10射中后成微膠狀。板以實施例2中的方式進行固化。實施例4:儲能模量VS溫度測量通過i頓動態(tài)t應(yīng)分析儀(DMA,TA儀器公司(TAInstrments)的Q800型)繪制出使用在商用IC脂(^拋光墊中的照犬記fc基^t才料的儲能模量(Mpa)與溫芰(°C)的曲線圖，所W6光墊來自于羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司(沒有添加Expance膨材料)。繪制的曲線圖在圖16中JIJ共。實施例5:儲能模量VS溫度測量通過4OT動態(tài)機械分析儀(DMA,TA儀器公司(TAInstrments)的Q800型)會飾咄在實施例2和3中(沒有添加Expance膨材料)帝恪的形狀記l"乙基體材料的儲能模量(Mpa)與溫度(°C)的曲線圖。繪制的曲線圖在圖17中提供。實施例6:開刻犬記tZ^^^料制備形狀記憶基^t才料Mii混合以下材料制備(在大約5(TC和大氣壓力下)175克甘油丙氧基化物(平均Mn266);349克聚己酸內(nèi)酯(平均Mn530-b-530);以及，476克聚碳化二亞胺改性的二苯基甲烷二異氰酸酉旨(選自陶氏化學公司如Isona感43L)。實施例7:儲能模量VS溫度測量通過j柳動態(tài)機械分析儀(DMA,TA儀器公司(TAInstrments)的Q800型)會魏咄在實施例6中制備的開沐記憶基4材才料的儲能模量(Mpa)與鵬CC)的曲線圖。纟魏啲曲線圖在圖18中劍共。實施例8:致密狀態(tài)下拋光墊的制備將根據(jù)實施例i制備的形狀記憶化學機1il旭光墊樣品放置于英斯特朗測定器(INSTRONTESTER)的2"直^i:下壓板之間?！筋D內(nèi)部纟驢可以控制的保溫腔將壓板和樣品墊之間的空間封閉。將樣品墊加熱至12(TC達20射中以及使用壓板將軸向力施加到樣品墊。上述軸向力在樣品墊上施加標稱壓力，其足夠?qū)悠穳|壓縮妾碟ij它們初始厚度的大約50%。上述施加在樣品墊上的標稱壓力大約為1000-5000psi。當維持壓力時，樣品墊冷卻至室溫，樣品墊中的形狀記憶基體材料設(shè)置成設(shè)定形狀并且提供了壓縮狀態(tài)的樣品墊。實施例9:壓縮狀態(tài)的拋光墊的制備12.5MM直徑樣品墊由根據(jù)實施例2和3生成的板沖壓制成。樣品墊隨后放置于英其飛寺朗測定器的2"直^J:下壓板之間。i頓內(nèi)部纟鵬可以控審啲保溫腔將壓板和樣本墊之間的空間封閉。將樣本墊加熱至9(TC達20^H中且使用壓板將軸向力施加至孵品墊。上述軸向力在樣品墊上施加標稱壓力，其足夠?qū)悠穳|壓縮到它們初始厚度的大約50%。上述施加在樣品墊上的標稱壓力大約為1000-5000psi。在維持壓力時，樣品墊冷卻至室溫，樣品墊中的形狀記憶基體材料設(shè)置成設(shè)定形狀并且提供了壓縮狀態(tài)的樣品墊。實施例10:拋光墊到恢復(fù)狀態(tài)的恢復(fù)根據(jù)實施例8制備的、處于壓縮狀態(tài)的拋光墊樣品在120°C的爐中加熱10-205H中。然后測量每個拋光墊樣品的厚度。每個拋光墊樣品被觀測到已經(jīng)轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)，拋光墊樣品的最大總回復(fù)厚度大于拋光墊樣品)初始厚度的99%。實施例ll:拋光墊到恢復(fù)狀態(tài)的恢復(fù)根據(jù)實施例9帝U備的、處于壓縮狀態(tài)的拋光墊樣品在9(TC的爐中加熱10-20分鐘。然后測量每個拋光墊樣品的厚度。針拋光墊樣品被觀領(lǐng)倒已經(jīng)轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)，拋光墊樣品的最大總回復(fù)厚度大于拋光墊樣品初始厚度的99%。實施例13:墊厚度和槽深度盼咴復(fù)三個測試樣品Mil市售充滿聚氨酯的拋光墊(羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司的IC1000)而制備。測試樣品包括具有大約12.7mm直徑的圓盤，該圓盤用IC1000，墊沖壓而成。每個具有12.7mm直徑的樣品具有來自于初始墊的圓形槽部分。這些樣品根據(jù)實施例8中描述的方法壓縮以及按照實施例10中描述的方法回復(fù)。在下面的各個狀態(tài)下對單個樣品進行樣品厚皿槽深度的測量壓縮之前各自的初始厚度(OT)和初始槽深度(OGD);壓縮之后各自的壓縮厚度(DT)和壓縮槽深度(DGD);以及，回復(fù)之后各自的總回復(fù)厚度(TRT)和總回復(fù)槽深度(TRGD)。厚度和槽深度都是用光學顯微鏡測量。數(shù)據(jù)顯示在圖19和20的圖表中。應(yīng)當注意的是圖19和20中所示的樣本厚度和槽深度已經(jīng)通過使用壓縮前各自的初始數(shù)值進行標準化。數(shù)據(jù)顯示出不同禾，的壓縮，TRT^OT的95。/。，TRGC^OGD的91。/。。權(quán)利要求1、一種拋光襯底的方法，包括提供選自磁性襯底、光學襯底以及半導(dǎo)體襯底中至少一種的襯底；提供具有墊厚PT的形狀記憶化學機械拋光墊；其中所述拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中所述拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定形狀的形狀記憶基體材料；其中當所述形狀記憶基體材料處于其初始形狀時，所述拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT；當所述形狀記憶基體材料設(shè)置成處于設(shè)定形狀時，拋光層呈現(xiàn)出壓縮狀態(tài)下的壓縮厚度DT；其中DT≤OT的80％；在所述拋光層的拋光表面與所述襯底之間產(chǎn)生動態(tài)接觸以拋光所述襯底的表面；監(jiān)視至少一個選自拋光墊厚度以及至少一個槽深度的拋光墊屬性；使最接近所述拋光表面的所述拋光層的至少一部分曝露于激活刺激；其中最接近所述拋光表面并且曝露于激活刺激的拋光層部分從壓縮狀態(tài)轉(zhuǎn)變到回復(fù)狀態(tài)。2、如權(quán)利要求l所述的方法，還包括調(diào)理戶;Mi旭光層的拋光表面，其中所述調(diào)理是研磨調(diào)理；3、如權(quán)利要求l所述的方法，還包括提微制器；提供能夠監(jiān)視至少一個拋光墊屬性的測量設(shè)備；提供能生成激活刺激的源；其中拋光墊至少一部分的至少一個拋光墊屬性隨著與所述襯底的動態(tài)接觸而減少；其中所述測量設(shè)備以及所述源與所述控制器相通；其中所述測量設(shè)備向所述控制器輸入關(guān)于所述至少一個拋光墊屬性的信息；以及其中所述控制器根據(jù)來自臓測量設(shè)備的信息輸入來控制所述源，從而便于艦述拋光墊的至少一部，^i也性曝露于戶，激活刺激，從而使得至少一個拋光墊屬性增加。4、如權(quán)利要求i戶艦的方法，其中戶;^激活刺、艦自曝露于熱、光、磁場、電場、7jC、pH以及它們的組合。5、一種拋光襯底的方法，包括提供選自磁性襯底、光學襯底以及半導(dǎo)m寸底中至少一種的襯底；提供具有墊厚PT的幵娥記憶化學機鵬光墊;其中戶誠拋光墊包括處于壓縮狀態(tài)的拋光層，其中所述拋光層包括具有初始形狀和設(shè)定職的形狀記憶基體材料；其中當所述形狀記憶基體材料處于其初始形狀時，所述拋光層呈現(xiàn)出初始厚度OT;當戶腿微記憶割材才料設(shè)置成處于設(shè)定靴時，拋光層呈現(xiàn)出壓縮狀態(tài)下的壓縮厚度DT;其中DT^OT的80%;提鵬制器；提供能監(jiān)視選自拋光墊厚度以及至少一個槽深度的至少一個拋光墊屬性的測量設(shè)備；提供能生成激活刺激的源；在所述拋光層的拋光表面與所述襯底之間產(chǎn)生動態(tài)接觸用于拋光所述襯底的表面；監(jiān)視戶;M至少一個拋光墊屬性；以及，使最接近戶，拋光表面的所皿光層的至少一部分曝露于激活刺激；其中所述拋光墊至少一部分的所述至少一個拋光墊屬性隨著與所述襯底的動態(tài)接觸而減少；其中所述觀糧設(shè)備以及戶腿源與戶脫控制器相通；其中所述測量設(shè)備向所述控制器輸入關(guān)于所述至少一個拋光墊屬性的信息；以及其中所述控制器根據(jù)來自于所述測量設(shè)備的信息輸入來控制所述源，便于使所述拋光墊的至少一部分選擇地性曝露于所述激活刺激下，從而使得至少一個拋光墊屬性增加。6、如權(quán)利要求5所述的方法，還包括調(diào)理戶;^光層的拋光表面，其中所述調(diào)理是研磨調(diào)理。7、如權(quán)利要求i所述的方法，其中戶;M^旭光墊屬性在經(jīng)過多次拋光操作后維持在其初始值的±5%內(nèi)。8、如權(quán)禾腰求l戶誠的方法，還包括在所述拋光表面與戶;M襯底表面之間的交界面上設(shè)置拋光介質(zhì)。9、如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括一系列有圖案的半導(dǎo)體晶片。10、如權(quán)利要求1戶腿的方法，其中曝露于激活朿微的拋光層部分顯示^^^^^，記憶基##料的TgUt。全文摘要提供一種形狀記憶化學機械拋光方法，該方法使用具有處于致密狀態(tài)的拋光層的形狀記憶化學機械拋光墊，其中拋光墊厚度和/或槽深被監(jiān)視以及拋光層選擇性地曝露于活化刺激中從而導(dǎo)致從致密狀態(tài)向恢復(fù)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。文檔編號B24B29/00GK101422873SQ20081018422公開日2009年5月6日申請日期2008年8月15日優(yōu)先權(quán)日2007年8月15日發(fā)明者G·P·馬爾多尼,R·V·帕拉帕思申請人:羅門哈斯電子材料Cmp控股股份有限公司