專利名稱：銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法及鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收 層的制備方法及鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的銅銦鎵硒硫(CiiInGaSeS)或銅銦鎵硒(CiiInGaSe)或銅銦鎵硫 (CuIiiGaS)薄膜太陽能電池的制備方法被分為兩大類第一類被稱為多元共蒸 法，第二類被稱為硒化和/或硫化法。多元共蒸法的特點(diǎn)為銅、銦、鎵、硒(或 硫)四種成分同時(shí)蒸發(fā)，或先鍍銦、鎵、硒，再鍍銅、硒，最后再鍍銦、鎵、 硒的3段法。共蒸發(fā)法特點(diǎn)是薄膜的晶體大，容易實(shí)現(xiàn)元素的梯度分布，電池 轉(zhuǎn)換效率髙，世界紀(jì)錄小面積電池效率19.9%和大面積120x60cm2組件效率 超過13%都是由蒸發(fā)法制備的。但是該方法對(duì)設(shè)備要求嚴(yán)格，蒸發(fā)過程不容 易控制，大面積均勻性與連續(xù)化生產(chǎn)難度很大。
第二類的硒化和/或硫化法則較適用與大面積的量產(chǎn)。先鍍上銅、銦、鎵 的金屬前驅(qū)膜，然后再放入髙溫加熱的容器內(nèi)，充入媒介氬氣或其它等與銅、 銦、鎵不反應(yīng)的保護(hù)氣體，同時(shí)充入少量硒化氫或硫化氫進(jìn)行硒化和/或硫化， 使該層由銅、銦、鎵反應(yīng)成銅銦鎵硒或銅銦鎵硫的晶體膜，這種方法的優(yōu)點(diǎn)是 把鍍銅、銦、鎵與硒及硫分別鍍，能夠較準(zhǔn)確地控制銅、銦、鎵的成分比例。 該方法制備的大面積銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜均勻性好，設(shè)備和 工藝比較容易實(shí)現(xiàn)。但是，由于在硒化和/或硫化時(shí)要用到劇毒的硒化氫及硫 化氫，該氣體易燃易爆，安全性不好，價(jià)格昂貴，運(yùn)輸儲(chǔ)存困難，不符合安全、 環(huán)保、廉價(jià)的發(fā)展方向。因此管理及安全措施極其重要，且需要復(fù)雜的廢氣回 收設(shè)備，投資較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法及鍍膜設(shè)備，利用本發(fā)明的制備方法和設(shè)備來進(jìn)行銅銦 鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的鍍膜，不但可以保持原 有方法的較高轉(zhuǎn)換效率，也避免使用硒化氫或硫化氫等劇毒氣體，提高鍍膜加 工安全，還提高了硒源和/或硫源的使用效率。
本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方 法，包括以下步驟
1) 制備底層導(dǎo)電膜在襯底上，利用掩膜蒸發(fā)或?yàn)R射制成底層導(dǎo)電膜；
2) 制備薄膜電池的金屬前驅(qū)膜在底層導(dǎo)電膜上用磁控濺射或真空蒸發(fā) 的方法鍍上銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜；
3) 硒化和/或硫化反應(yīng)將待加工模塊置于反應(yīng)容器中，然后將反應(yīng)容器 抽成真空狀態(tài)，將不與銅、銦、鎵反應(yīng)的保護(hù)氣體以及硒化和/或硫化反應(yīng)源 送入反應(yīng)容器中，在反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行加熱和等離子放電，使得部分硒分子和/ 或硫分子在等離子體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)在金屬前驅(qū)膜上進(jìn)行硒化和/ 或硫化反應(yīng)。
一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的鍍膜設(shè) 備，包括反應(yīng)容器、設(shè)于反應(yīng)容器外并與之連通的真空泵、設(shè)于反應(yīng)容器內(nèi)的 加熱裝置和給反應(yīng)容器內(nèi)提供等離子體的等離子體發(fā)生裝置，所述反應(yīng)容器下 方設(shè)有上端伸入反應(yīng)容器內(nèi)部的轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述反應(yīng)容器還連通設(shè)有保護(hù)氣體輸 入裝置和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置。
本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案是
一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方 法，包括以下步驟
1) 制備底層導(dǎo)電膜在襯底上，利用掩膜蒸發(fā)或?yàn)R射制成底層導(dǎo)電膜；
2) 制備薄膜電池的金屬前驅(qū)膜在底層導(dǎo)電膜上用磁控濺射或真空蒸發(fā) 的方法鍍上銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜；
3) 硒化和/或硫化反應(yīng)將待加工模塊置于反應(yīng)容器中，然后將反應(yīng)容器 抽成真空狀態(tài)，將不與銅、銦、鎵反應(yīng)的保護(hù)氣體以及硒化和/或硫化反應(yīng)源 送入反應(yīng)容器中，在反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行加熱和等離子放電，使得部分硒分子和/ 或硫分子在等離子體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)在金屬前驅(qū)膜上進(jìn)行硒化和/ 或硫化反應(yīng)。
步驟3)中所述硒化和/或硫化反應(yīng)源為低溫下能夠氣化的有機(jī)金屬硒和/ 或有機(jī)金屬硫，所述氣化的有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫在髙溫及等離子氣氛 下分解成氧化碳以及硒分子和/或硫分子，所述氧化碳被抽出反應(yīng)容器外。
步驟3)中所述硒化和/或硫化反應(yīng)源為帶有硒和/或硫的蒸發(fā)源。 步驟3)中將保護(hù)氣體以及硒化和/或硫化反應(yīng)源送入反應(yīng)容器中至真空度 為10-3Pa數(shù)量級(jí)到大氣壓(1.013X105Pa)范圍，進(jìn)行加熱和等離子放電。 所述等離子體為感應(yīng)耦合等離子體、RF等離子體或DC等離子體。 所述保護(hù)氣體為氮?dú)?、氫氣或惰性氣體。
一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的鍍膜設(shè) 備，包括反應(yīng)容器、設(shè)于反應(yīng)容器外并與之連通的真空泵、設(shè)于反應(yīng)容器內(nèi)的 加熱裝置和給反應(yīng)容器內(nèi)提供等離子體的等離子體發(fā)生裝置，所述反應(yīng)容器下 方設(shè)有上端伸入反應(yīng)容器內(nèi)部的轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述反應(yīng)容器還連通設(shè)有保護(hù)氣體輸 入裝置和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置。
所述硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置為氣化有機(jī)金屬硒和/或氣化有機(jī)金屬硫輸 入裝置、或者為硒和/或硫蒸發(fā)源裝置。
所述真空泵設(shè)于反應(yīng)容器側(cè)壁的一側(cè)，所述保護(hù)氣體輸入裝置和硒化和/ 或硫化反應(yīng)源裝置與真空泵相對(duì)的設(shè)于反應(yīng)容器側(cè)壁另一側(cè)。
所述待加工模塊設(shè)于轉(zhuǎn)動(dòng)軸上端，所述等離子體發(fā)生裝置設(shè)于待加工模塊 上方，所述加熱裝置為分別設(shè)于待加工模塊下方和等離子體發(fā)生裝置上方的加 熱基板。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)是
1. 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比不但可以保持原有方法的較髙轉(zhuǎn)換效率，也避 免使用硒化氫或硫化氫等劇毒氣體，提髙鍍膜加工安全。
2. 本發(fā)明還提髙了銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸 收層鍍膜加工中硒源和/或硫源的使用效率。
3. 本發(fā)明由于在硒化時(shí)使用了等離子體，可以降低硒化和/或硫化溫度， 因此可以把銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫鍍?cè)谕该魉芰媳∧ど希黾恿算~ 銦鎵硒或銅銦鎵硫產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。


圖1為本發(fā)明等離子源設(shè)置在反應(yīng)容器內(nèi)的鍍膜設(shè)備具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu) 示意圖2為本發(fā)明等離子源設(shè)置在反應(yīng)容器內(nèi)的鍍膜設(shè)備又一具體實(shí)施例的 結(jié)構(gòu)示意圖。
其中l(wèi)襯底；2底層導(dǎo)電膜；3金屬前驅(qū)膜；4反應(yīng)容器；5轉(zhuǎn)動(dòng)軸；6 真空泵；7等離子體發(fā)生裝置；8加熱裝置；9保護(hù)氣體輸入裝置；10硒化和/ 或硫化反應(yīng)源裝置；11氣化有機(jī)金屬硒和/或硫輸入裝置；12硒和/或硫蒸發(fā)源 裝置。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述
實(shí)施例
具體實(shí)施例一
一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括以下步驟
1) 制備底層導(dǎo)電膜在襯底l上，利用掩膜蒸發(fā)或?yàn)R射制成底層的金屬 導(dǎo)電膜2;
2) 制備薄膜電池的金屬前驅(qū)膜3:在底層導(dǎo)電膜2上用磁控濺射或真空 蒸發(fā)的方法鍍上銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜3;
3) 硒化反應(yīng)將待加工模塊置于反應(yīng)容器4中，然后將反應(yīng)容器4抽成 真空狀態(tài)，將不與銅、銦、鎵反應(yīng)的保護(hù)氣體充進(jìn)反應(yīng)容器4中，達(dá)到一定的 真空度后，例如lX10"Pa的真空度后，在反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行加熱和等離子放 電，加熱可在200 600X:之間任選一個(gè)值(比如說基材是塑料薄膜時(shí)，可選較 低的加熱溫度，基材是玻璃或金屬薄膜時(shí)，可選較高的加熱溫度)，并恒溫一 定時(shí)間后激發(fā)等離子體并充入低溫下能夠氣化的有機(jī)金屬硒，使得有機(jī)金屬硒 在髙溫及等離子體氣氛下分解成硒分子及氧化碳，然后將氧化碳抽走，部分硒 分子在等離子體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)在金屬前驅(qū)膜上進(jìn)行硒化反應(yīng)。這 樣會(huì)改善硒化效率及CIGS的晶體的質(zhì)量。由于在硒化時(shí)，使用了等離子體， 可以降低硒化溫度，因此可以把CIGS鍍?cè)谕该魉芰媳∧ど?，增加了產(chǎn)品的應(yīng) 用范圍。另外，有機(jī)金屬硒為非劇毒材料，加工安全更有保障。
所述等離子體為感應(yīng)耦合等離子體(Induced Couple Plasma)、 RF等離 子體或DC等離子體。
所述保護(hù)氣體為氮?dú)?、氫氣或惰性氣體。
步驟2)中銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜中鎵的成分可以為零，即金屬前驅(qū)膜 僅為銅銦金屬前驅(qū)膜。
具體實(shí)施例二
一種銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法使用有機(jī)金屬硫替代實(shí) 施例一中的有機(jī)金屬硒，其它與實(shí)施例一相同，得到銅銦鎵硫薄膜太陽能電池 吸收層。
具體實(shí)施例三
一種銅銦鎵硒硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法使用有機(jī)金屬硫和有 機(jī)金屬硒一起替代實(shí)施例一中的有機(jī)金屬硒，其它與實(shí)施例一相同，得到銅銦 鎵硒硫薄膜太陽能電池吸收層。
具體實(shí)施例四
一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括以下步驟
1) 制備底層導(dǎo)電膜在襯底1上，利用掩膜蒸發(fā)或?yàn)R射制成底層的金屬 導(dǎo)電膜2;
2) 制備薄膜電池的金屬前驅(qū)膜3:在底層導(dǎo)電膜2上用磁控濺射的方法 鍍上銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜3;
3) 硒化和/或硫化反應(yīng)將待加工模塊置于反應(yīng)容器4中，然后將反應(yīng)容 器4抽成真空狀態(tài)，將不與銅、銦、鎵反應(yīng)的保護(hù)氣體充進(jìn)反應(yīng)容器4中，達(dá) 到一定的真空度后，例如1X10-的真空度后，在反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行加熱和 等離子放電，加熱可在200 600'C之間任選一個(gè)值(比如說基材是塑料薄膜時(shí)， 可選較低的加熱溫度，基材是玻璃或金屬薄膜時(shí)，可選較髙的加熱溫度)，并 恒溫一定時(shí)間后激發(fā)等離子體并充入蒸發(fā)硒，使得蒸發(fā)的部分硒分子在等離子 體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)在金屬前驅(qū)膜上進(jìn)行硒化反應(yīng)。這樣會(huì)改善硒化 效率及CIGS的晶體的質(zhì)量。由于在硒化時(shí)，使用了等離子體，可以降低硒化 溫度，因此可以把CIGS鍍?cè)谕该魉芰媳∧ど?，增加了產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。另外， 有機(jī)金屬硒為非劇毒材料，提髙了加工安全性。
所述等離子體為感應(yīng)耦合等離子體、RF等離子體或DC等離子體。 所述保護(hù)氣體為氮?dú)?、氫氣或惰性氣體。
步驟2)中銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜中鎵的成分可以為零，即金屬前驅(qū)膜 僅為銅銦金屬前驅(qū)膜。
具體實(shí)施例五
一種銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法使用帶有硫的蒸發(fā)源替 代實(shí)施例三中的帶有硒的蒸發(fā)源，其他與實(shí)施例三相同，得到銅銦鎵硫薄膜太 陽能電池吸收層。
具體實(shí)施例六
一種銅銦鎵硒硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法使用同時(shí)帶有硫和硒 的蒸發(fā)源替代實(shí)施例四中的帶有硒的蒸發(fā)源，其他與實(shí)施例四相同，得到銅銦 鎵硒硫薄膜太陽能電池吸收層。
具體實(shí)施例七
如圖1所示， 一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收 層的鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)容器4、設(shè)于反應(yīng)容器4外并與之連通的真空泵6、 設(shè)于反應(yīng)容器4內(nèi)的加熱裝置8和給反應(yīng)容器4內(nèi)提供等離子體的等離子體發(fā) 生裝置7，所述反應(yīng)容器4下方設(shè)有上端伸入反應(yīng)容器4內(nèi)部的轉(zhuǎn)動(dòng)軸5，所 述反應(yīng)容器4還連通設(shè)有保護(hù)氣體輸入裝置9和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置10。 其中等立體體發(fā)生裝置7可以設(shè)置在反應(yīng)容器4內(nèi)，也可以設(shè)置在反應(yīng)容器4 外(未有圖示)并向反應(yīng)容器4內(nèi)輸送等離子體。
所述硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置10為氣化有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫輸 入裝置11。
所述真空泵6設(shè)于反應(yīng)容器4側(cè)壁的一側(cè)，所述保護(hù)氣體輸入裝置9和硒 化和/或硫化反應(yīng)源裝置10與真空泵6相對(duì)的設(shè)于反應(yīng)容器4側(cè)壁另一側(cè)。
所述待加工模塊設(shè)于轉(zhuǎn)動(dòng)軸5上端，所述等離子體發(fā)生裝置7設(shè)于待加工 模塊上方，所述加熱裝置8為分別設(shè)于待加工模塊下方和等離子體發(fā)生裝置7 上方的加熱基板。
具體實(shí)施例八
如圖2所示，將具體實(shí)施例六中的氣化有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫輸入 裝置11用硒和/或硫蒸發(fā)源裝置12代替，其它與具體實(shí)施例七相同。
鍍膜加工時(shí)，把反應(yīng)容器4內(nèi)抽成真空，然后通過保護(hù)氣體輸入裝置9和 硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置10分別把保護(hù)氣體及硒化和/或硫化反應(yīng)源輸入到 反應(yīng)容器4中，至真空度為10-3Pa數(shù)量級(jí)到大氣壓(1.013X105Pa)范圍內(nèi) 的任一壓力，進(jìn)行加熱和等離子放電加熱基板開始加熱并用等離子體發(fā)生裝置 7輸入的等離子體在真空室內(nèi)進(jìn)行等離子放電。
如果硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置10為氣化有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫輸 入裝置11 (圖1所示)，則輸入的是有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫，其在髙溫及 等離子體氣氛下分解成硒分子和/或硫分子及氧化碳，氧化碳被抽走， 一部分 硒分子和/或硫分子在等離子體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)，參加硒化和/或硫 化反應(yīng)。
如果硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置10為硒和/或硫蒸發(fā)源裝置12(圖2所示)， 則輸入的是蒸發(fā)出來的硒和/或硫， 一部分硒和/或硫分子在等離子體下被激發(fā) 成游離態(tài)和離化態(tài)，參加硒化和/或硫化反應(yīng)。
本發(fā)明可以保持原有方法的較髙轉(zhuǎn)換效率，也避免使用硒化氫或硫化氫等 劇毒氣體，提髙鍍膜加工安全，還提髙了硒源和/或硫源的使用效率。
權(quán)利要求
1. 一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)制備底層導(dǎo)電膜在襯底(1)上，利用掩膜蒸發(fā)或?yàn)R射制成底層導(dǎo)電膜(2)；2)制備薄膜電池的金屬前驅(qū)膜(3)在底層導(dǎo)電膜(2)上用磁控濺射或真空蒸發(fā)的方法鍍上銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜(3)；3)硒化和/或硫化反應(yīng)將待加工模塊置于反應(yīng)容器(4)中，然后將反應(yīng)容器(4)抽成真空狀態(tài)，將不與銅、銦、鎵反應(yīng)的保護(hù)氣體以及硒化和/或硫化反應(yīng)源送入反應(yīng)容器(4)中，在反應(yīng)容器(4)內(nèi)進(jìn)行加熱和等離子放電，使得部分硒分子和/或硫分子在等離子體下被激發(fā)成游離態(tài)和離化態(tài)在金屬前驅(qū)膜(3)上進(jìn)行硒化和/或硫化反應(yīng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法，其特征在于步驟3)中所述硒化和/或硫化反應(yīng)源為 低溫下能夠氣化的有機(jī)金屬硒和/或有機(jī)金屬硫，所述氣化的有機(jī)金屬硒和/或 有機(jī)金屬硫在髙溫及等離子氣氛下分解成氧化碳以及硒分子和/或硫分子，所 述氧化碳被抽出反應(yīng)容器(4)夕卜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能, 電池吸收層的制備方法，其特征在于步驟3)中所述硒化和/或硫化反應(yīng)源為 帶有硒和/或硫的蒸發(fā)源。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法，其特征在于步驟3)中將保護(hù)氣體以及硒化和/或硫 化反應(yīng)源送入反應(yīng)容器(4)中至真空度為10-3Pa數(shù)量級(jí)到大氣壓范圍，進(jìn)行 加熱和等離子放電。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法，其特征在于所述等離子體為感應(yīng)耦合等離子體、 RF等離子體或DC等離子體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法，其特征在于所述保護(hù)氣體為氮?dú)狻錃饣蚨栊詺怏w。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的制備方法，其特征在于步驟2)中銅、銦、鎵的金屬前驅(qū)膜(3) 中鎵的成分為零。
8. —種如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽 能電池吸收層的鍍膜設(shè)備，其特征在于包括反應(yīng)容器(4)、設(shè)于反應(yīng)容器(4) 外并與之連通的真空泵(6)、設(shè)于反應(yīng)容器(4)內(nèi)的加熱裝置(8)和給反應(yīng) 容器(4)內(nèi)提供等離子體的等離子體發(fā)生裝置(7)，所述反應(yīng)容器(4)下方 設(shè)有上端伸入反應(yīng)容器(4)內(nèi)部的轉(zhuǎn)動(dòng)軸(5)，所述反應(yīng)容器(4)還連通設(shè) 有保護(hù)氣體輸入裝置(9)和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置(10)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的鍍膜設(shè)備，其特征在于所述硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置(10) 為氣化有機(jī)金屬硒和/或氣化有機(jī)金屬硫輸入裝置(11)、或者為硒和/或硫蒸發(fā) 源裝置(12)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能 電池吸收層的鍍膜設(shè)備，其特征在于所述真空泵(6)設(shè)于反應(yīng)容器(4)側(cè) 壁的一側(cè)，所述保護(hù)氣體輸入裝置(9)和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置(10)與 真空泵(6)相對(duì)的設(shè)于反應(yīng)容器(4)側(cè)壁另一側(cè)；所述待加工模塊設(shè)于轉(zhuǎn)動(dòng) 軸(5)上端，所述等離子體發(fā)生裝置(7)設(shè)于待加工模塊上方，所述加熱裝 置(8)為分別設(shè)于待加工模塊下方和等離子體發(fā)生裝置(7)上方的加熱基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種銅銦鎵硒硫或銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，在先后制備了底層導(dǎo)電膜和金屬前驅(qū)膜后，將硒化和/或硫化反應(yīng)源在真空中因高溫和等離子放電激發(fā)成游離態(tài)或離化態(tài)的硒分子和/或硫分子，然后在金屬前驅(qū)膜上進(jìn)行硒化和/或硫化反應(yīng)。其及鍍膜設(shè)備包括反應(yīng)容器和設(shè)于反應(yīng)容器外并與之連通的真空泵，所述反應(yīng)容器下方設(shè)有上端伸入反應(yīng)容器內(nèi)部的轉(zhuǎn)動(dòng)軸，所述反應(yīng)容器內(nèi)還設(shè)有等離子體發(fā)生裝置和加熱裝置，所述反應(yīng)容器還連通設(shè)有保護(hù)氣體輸入裝置和硒化和/或硫化反應(yīng)源裝置。本發(fā)明可以保持原有方法的較高轉(zhuǎn)換效率，也避免使用硒化氫或硫化氫等劇毒氣體，提高鍍膜加工安全，還提高了硒源和/或硫源的使用效率。
文檔編號(hào)C23C14/24GK101383389SQ20081015549
公開日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2008年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者劉穆清, 健 唐, 竇曉明, 濱 范 申請(qǐng)人:蘇州富能技術(shù)有限公司