專(zhuān)利名稱(chēng)：拋光襯墊、制造拋光襯墊的方法以及拋光系統(tǒng)和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中使用的拋光襯墊以及用來(lái)監(jiān)控 拋光過(guò)程的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
集成電路典型地是通過(guò)將導(dǎo)電層、半導(dǎo)電層或絕緣層按順序沉積 到硅晶片上，而被加工形成于襯底之上的。其中一個(gè)生產(chǎn)步驟包括將 填料層沉積到非平面(non-planar)表面上，并磨平填料層直到露出非 平面表面為止。例如，可將導(dǎo)電填料層沉積到一圖案化的絕緣層上以 填充該絕緣層上的溝槽和開(kāi)口。然后將填料層拋光，直到露出絕緣層 上凸起的圖案為止。在磨平(planarization)之后，遺留在絕緣層上的 凸起圖案之間的導(dǎo)電層部分便形成了通開(kāi)口 (vias)、插頭(plugs)、線(xiàn) 路，提供在襯底上的薄膜回路之間的導(dǎo)電路徑。此外，平面化需要將 襯底表面磨平以利于對(duì)其使用光刻法。
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種可采用的磨平方法。此種磨平方法 的特色是需要將襯底固定在托架或拋光頭上。襯底所露出的表面緊貼 在旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀拋光襯墊或帶形拋光襯墊上。拋光襯墊可以是"標(biāo)準(zhǔn)" 襯墊或固定研磨墊(fixed abrasive pad)。標(biāo)準(zhǔn)襯墊有耐磨粗糙表面，而 固定研磨墊則是將研磨微粒固定在一種容納介質(zhì)(containment media) 中。托架頭向襯底施加一定可控載荷，從而使其緊貼在拋光襯墊上。 拋光液被提供到拋光襯墊的表面，如果使用標(biāo)準(zhǔn)襯墊，則拋光研磨漿 至少含有一種化學(xué)反應(yīng)劑和研磨微粒?；瘜W(xué)機(jī)械拋光的一個(gè)問(wèn)題是，如何確定拋光過(guò)程是否完成，即襯 背襯層是否已被磨至所需的平面度或厚度，或是確定在何時(shí)已除去了 所要求的一定材料量。導(dǎo)電層或膜的拋光過(guò)度(去除過(guò)多)可導(dǎo)致電 路電阻增加。另一方面，導(dǎo)電層或膜的拋光不足(去除過(guò)少)可導(dǎo)致 短路。襯背襯層的初始厚度不同、拋光液的成份不同、拋光襯墊的條 件不同、拋光襯墊和襯底之間的相對(duì)速度不同、及襯底上的載荷不同 均可導(dǎo)致材料去除速率的不同。這些差異導(dǎo)致了達(dá)到拋光終點(diǎn)
(polishing endpoint)所需時(shí)間也不同。因此，拋光終點(diǎn)不能僅根據(jù)拋 光時(shí)間來(lái)確定。
一種確定拋光終點(diǎn)的方法是在加工現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控襯底的拋光，例如借 助于光學(xué)或電子傳感器。 一種監(jiān)控技術(shù)是用磁場(chǎng)在金屬層中感應(yīng)出渦 流，并探測(cè)當(dāng)金屬層被去除時(shí)磁通量產(chǎn)生的變化。簡(jiǎn)單地說(shuō)，渦流產(chǎn) 生的磁通量與勵(lì)磁磁通線(xiàn)方向相反。該磁通量與渦流成比例，而渦流 與金屬層的電阻成比例，金屬層的電阻又與金屬層的厚度成比例。因 此，金屬層厚度的變化可導(dǎo)致渦流所產(chǎn)生的磁通量的變化。磁通量的 這一變化導(dǎo)致主線(xiàn)圈中電流的變化，而電流的變化可作為阻抗的變化 來(lái)測(cè)量。因此，線(xiàn)圈阻抗的變化反映了金屬層厚度的變化。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明涉及一種拋光襯墊。該拋光襯墊包括一拋光層， 該拋光層具有用來(lái)拋光的前表面及底面。在拋光層的前表面上形成有 第一組(first plurality)溝槽，而在其底面上則形成有一個(gè)凹槽。拋光 面上對(duì)應(yīng)于底面上凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第 二組(secondplurality)溝槽。
本發(fā)明的實(shí)施方案可包括一個(gè)或多個(gè)如下特征拋光面上對(duì)應(yīng)于 凹槽的區(qū)域可以大體上是平的，例如其可以沒(méi)有溝槽?；蛘撸瑨伖饷?上對(duì)應(yīng)于凹槽的區(qū)域可以有第二組溝槽。此外，此區(qū)域可以是不透明 的或透明的。拋光層也可以是單元式結(jié)構(gòu)。在拋光層的第二部分上可 形成空腔，該第二部分與第一部分實(shí)體上分離并可固定于第一部分上。 第一和第二部分可以由大體上相同的材料構(gòu)成，且第二部分的頂面可
與拋光面大體上齊平。可在第一部分上形成一開(kāi)口，并將第二部分固定于該開(kāi)口中。第二部分可以具有頂部和底部，頂部具有第一橫截面 尺寸，底部具有不同的第二橫截面尺寸。例如，第一橫截面尺寸可以 小于第二橫截面尺寸。第二組溝槽可以延伸到凹槽的內(nèi)表面之外。
襯墊可有一個(gè)位于拋光層的底面上的背襯層。背襯層可以比拋光 層柔軟。背襯層可有一個(gè)穿通的開(kāi)口，而且該開(kāi)口可與拋光層底面上 的凹槽對(duì)準(zhǔn)。背襯層可以是較薄的不可壓縮層。第一組溝槽可以形成 于拋光層的第一部分，而空腔可以形成于拋光層的第二部分，其中第 二部分可與第一部分實(shí)體上分離。在拋光層上可形成第二開(kāi)口，且第 二部分可固定于第二開(kāi)口之中。第一開(kāi)口可以具有第一橫截面尺寸， 且第二開(kāi)口可以具有不同(如更大或更小)的第二、橫截面尺寸。
另一方面，本發(fā)明涉及一種拋光系統(tǒng)。該拋光系統(tǒng)包括用來(lái)固定 襯底的托架、被支撐于機(jī)床工作臺(tái)上的拋光襯墊、及渦流監(jiān)控系統(tǒng)。 拋光襯墊包括拋光層(此拋光層具有用來(lái)拋光的前表面及底面)、在拋 光層前表面中形成的第一組溝槽、在拋光層底面中形成的凹槽。拋光 面上對(duì)應(yīng)于底面中凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第 二組溝槽。渦流監(jiān)控系統(tǒng)至少具有線(xiàn)圈和磁芯的其中之一，上述線(xiàn)圈 和磁芯的其中之一至少部分地延伸到拋光層的底面中的空腔之內(nèi)，以 監(jiān)控被托架所固定的襯底上的金屬層。
另一方面，本發(fā)明涉及一種制造拋光襯墊的方法。該方法包括在 拋光襯墊的拋光層形成第一組溝槽、在拋光層的底面形成凹槽、及在 拋光面上形成一個(gè)對(duì)應(yīng)于底面凹槽的區(qū)域，此區(qū)域沒(méi)有溝槽，或是有 比第一組溝槽淺的第二組溝槽。
本發(fā)明的實(shí)施方案可包括一個(gè)或多個(gè)下列特征可將拋光層固定 到背襯層上。形成空腔包括機(jī)械加工這個(gè)空腔或是模制該空腔。在底 面上形成凹槽，可包括將實(shí)體上分立的拋光襯墊的第一部分固定于拋 光襯墊的第二部分中的開(kāi)口內(nèi)，其中拋光襯墊的第一部分具有凹槽， 拋光襯墊的第二部分具有溝槽。
另一方面，本發(fā)明涉及一種拋光方法。在該方法中，使襯底與拋 光襯墊的拋光層的前表面相接觸，拋光層具有形成于拋光層的前表面 的第一部分中的第一組溝槽和形成于拋光層的底面上的凹槽。在拋光 面對(duì)應(yīng)于底面上的凹槽的區(qū)域內(nèi)沒(méi)有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。將拋光液供給到拋光層的前表面，且使得襯底和前表面 之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。
本發(fā)明的實(shí)施方案可包括一個(gè)或多個(gè)下列特征可通過(guò)渦流監(jiān)控 系統(tǒng)來(lái)監(jiān)控襯底上的金屬層，該渦流監(jiān)控系統(tǒng)至少具有線(xiàn)圈和磁芯的 其中之一，上述線(xiàn)圈和磁芯的其中之一至少部分地延伸到拋光層的底 面中的空腔內(nèi)。
另一方面，本發(fā)明涉及一種具有拋光層的拋光襯墊，該拋光層具 有前表面和底面。前表面包括具有第一組溝槽的第一部分以及大體上 平坦的第二部分，而底面則具有與前表面的第二部分對(duì)準(zhǔn)的空腔。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)將在下面通過(guò)附圖和描述來(lái)闡 明。本發(fā)明的其他特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)描述和附圖以及權(quán)利要求 體現(xiàn)出來(lái)。


圖1為一個(gè)具有渦流監(jiān)控系統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光工作臺(tái)的示意性側(cè) 視(半剖)圖。
圖2為示意性俯視圖，展示了圖l中的拋光襯墊。
圖3為示意性側(cè)面剖視圖，沿圖2中線(xiàn)3-3方向展示拋光襯墊。 圖4為示意性側(cè)面剖視圖，展示一種在覆蓋層的底面上有多個(gè)凹 槽的拋光襯墊。
圖5為示意性側(cè)面剖視圖，展示一種拋光襯墊，其中一個(gè)無(wú)溝槽 嵌入塊被嵌入到一個(gè)有溝槽拋光襯墊上。
圖6為拋光襯墊的另一實(shí)施方案的示意性側(cè)剖視圖，其中背襯層 是一個(gè)薄層區(qū)域。
圖7A和7B為拋光襯墊的又一實(shí)施方案的示意性側(cè)剖視圖，其中 一個(gè)嵌入塊被嵌入到覆蓋層的底面。
圖8為示意性側(cè)剖視圖，展示了一個(gè)在空腔上方有淺溝槽的拋光 襯墊。
在各附圖中，相同的參考符號(hào)代表相同的部件。
具體實(shí)施例方式
參考圖l，可在一臺(tái)化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的拋光工作臺(tái)IO上對(duì)一個(gè)或多個(gè)襯底14進(jìn)行拋光。 一種相應(yīng)拋光設(shè)備的描述可在美國(guó)第 5738574號(hào)專(zhuān)利中找到。
拋光工作站10包括安裝有拋光襯墊18的可旋轉(zhuǎn)機(jī)床工作臺(tái)16。 拋光襯墊18可以是雙層拋光襯墊，具有柔軟的背襯層20和結(jié)構(gòu)大致 均勻的堅(jiān)硬耐用的外層22。耐用外層22提供了拋光面24。至少有一 部分拋光面24上可以有溝槽28，用來(lái)輸送拋光液。拋光工作臺(tái)還可包 括用來(lái)保持拋光襯墊工況的襯墊調(diào)節(jié)裝置，以使之有效地對(duì)襯底進(jìn)行 拋光。
在拋光步驟中，包含液體和pH調(diào)節(jié)劑的拋光液30可通過(guò)拋光液 供給噴口或組合拋光液/沖洗臂32而被送到拋光襯墊18的表面。拋光 液30還可包含研磨劑微粒。
襯底12由托架頭34固定貼靠到拋光襯墊18上。托架頭34懸掛 在支撐結(jié)構(gòu)如圓盤(pán)傳送帶(camusd )上，并通過(guò)托架驅(qū)動(dòng)軸36連接 到托架頭旋轉(zhuǎn)馬達(dá)上，因此托架頭便可繞軸線(xiàn)38旋轉(zhuǎn)。
空腔40形成于機(jī)床工作臺(tái)16中，在空腔40中安裝了現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控模 塊42?，F(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控模塊42可包括一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)渦流監(jiān)控系統(tǒng)，其中磁芯44 被置于空腔26中隨機(jī)床工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)和檢測(cè)線(xiàn)圈46是在磁芯44 上繞制的，并且連接到控制器50。在操作中， 一振蕩器激勵(lì)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)圈 而產(chǎn)生振蕩磁場(chǎng)48，此磁場(chǎng)貫穿磁芯44的主體。至少一部分磁場(chǎng)48 朝向襯底12穿過(guò)拋光襯墊18。如果襯底10上有金屬層，那么振動(dòng)磁 場(chǎng)48將產(chǎn)生渦流。渦流將在與感應(yīng)磁場(chǎng)相反的方向上產(chǎn)生一定磁通量， 并且這一磁通量在初級(jí)或檢測(cè)線(xiàn)圈中感應(yīng)出與驅(qū)動(dòng)電流方向相反的反 向電流。電流中所產(chǎn)生的變化可被當(dāng)作磁芯阻抗中的變化來(lái)測(cè)量。當(dāng) 金屬層的厚度變化時(shí)，金屬層的電阻也變化。因此，渦流以及渦流所 感應(yīng)出的磁通量的強(qiáng)度也變化，從而導(dǎo)致初級(jí)線(xiàn)圈阻抗的變化。通過(guò) 監(jiān)控這些變化，例如根據(jù)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)圈電流的相位來(lái)測(cè)量線(xiàn)圈電流的幅值 或線(xiàn)圈電流的相位，渦流傳感監(jiān)控器就可以探測(cè)到金屬層的厚度的變 化。
用于渦流監(jiān)控系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)將不進(jìn)行詳細(xì)描述，因 為適當(dāng)系統(tǒng)的描述可在歐洲公布第EP1294534號(hào)和PCT公布第 WO20/087825號(hào)中找到。渦流監(jiān)控系統(tǒng)的多個(gè)電子元件可被設(shè)置在控制器50中的印制電路 板上?？刂破骺砂暾娐?circuity),例如一個(gè)通用微處理機(jī)或一 個(gè)專(zhuān)用集成電路，以將渦流檢測(cè)系統(tǒng)的信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
如前所述，監(jiān)控系統(tǒng)42包括位于空腔26內(nèi)的磁芯44。
參考圖2和圖3，拋光襯墊18的覆蓋層22包括一個(gè)或多個(gè)在覆蓋 層的底面上形成的空腔或稱(chēng)凹槽52。這些凹槽在拋光襯墊的覆蓋層中 產(chǎn)生出一個(gè)或多個(gè)薄層區(qū)域54。磁芯44和/或線(xiàn)圈46可伸入到凹槽52 之內(nèi)，因此它們部分地穿入拋光襯墊。通過(guò)將磁芯和線(xiàn)圈放置在襯底 附近，可提高渦流監(jiān)控系統(tǒng)的空間分辨率。這些空腔52可至少延伸穿 過(guò)覆蓋層22厚度的50%，例如穿過(guò)75~80%。舉例來(lái)說(shuō)， 一個(gè)拋光襯 墊所具有的覆蓋層22的厚度為100密耳，則凹槽52可具有的深度Dl 約為80密耳，從而剩下的薄層區(qū)域54的厚度約為20密耳。
如前所述，覆蓋層22也可包括在該層中形成的多條溝槽28。這些 溝槽可以是任意圖案，如同心圓形、直線(xiàn)形、螺旋形等。然而，溝槽 不延伸到覆蓋層22中的薄層區(qū)域54上。因此，拋光襯墊的拋光面24 既包括有溝槽部分又包括沒(méi)有溝槽的部分，且凹槽位于上述部分中一 個(gè)沒(méi)有溝槽的部分。溝槽28可以至少為IO密耳深，例如約為20密耳 深。溝槽28可延伸至覆蓋層22厚度的大約20~25%處。例如，在具有 80密耳厚的覆蓋層22的拋光襯墊中，溝槽28的深度D2可約為20密 耳。溝槽的深度可以深至足以延伸到或超過(guò)由空腔的內(nèi)表面58所限定 的平面。
此外，如存在背襯層20，則背襯層20包括一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口 56， 以此為磁芯44和/或線(xiàn)圈46提供到達(dá)凹槽52的入口。因此，磁芯44 和/或線(xiàn)圈46也可延伸穿過(guò)背襯層20。如圖2所示，單一一個(gè)開(kāi)口 52 可以延展超過(guò)所有這些凹槽52。然而，如圖4所示，在另一實(shí)施方案 中， 一個(gè)開(kāi)口 56與每個(gè)凹槽52對(duì)準(zhǔn)。然而，對(duì)于某些拋光操作，只
使用單層拋光襯墊，而且沒(méi)有背襯層。
參考圖1和圖4，當(dāng)拋光襯墊18被固定到機(jī)床工作臺(tái)上時(shí)，薄層 區(qū)域54覆蓋空腔26以及磁芯和/或線(xiàn)圈的高于機(jī)床工作臺(tái)16頂面的部 分。通過(guò)將磁芯42設(shè)置得靠近襯底，便使磁場(chǎng)擴(kuò)散得較少?gòu)亩筛纳?空間分辨率。如果拋光襯墊不與光學(xué)終點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)一同使用，則整個(gè)拋光層包括覆蓋空腔的部分可以是不透明的。
在一個(gè)實(shí)施方案中(示于圖3)，覆蓋層22可例如使用模制工藝來(lái) 制造，在覆蓋層的上表面和下表面中分別形成溝槽和空腔。因此，覆 蓋層22，包括溝槽部分和薄層區(qū)域，可以是一個(gè)單元體。覆蓋層22 可通過(guò)模制工藝，例如通過(guò)噴射鑄造法或壓力鑄造法來(lái)制造，使得襯 墊材料在模具中固化或稱(chēng)硬化，而令形成溝槽的空腔凹下?；蛘撸?蓋層22可通過(guò)更加傳統(tǒng)的技術(shù)，例如通過(guò)從材料塊上切下襯墊薄塊來(lái) 制造。溝槽和空腔可隨后通過(guò)分別對(duì)覆蓋層的頂面和底面進(jìn)行機(jī)械加 工或銑削加工來(lái)形成。 一旦覆蓋層22加工完成，就可將其通過(guò)例如粘 接等方法來(lái)固定到背襯層20上，且覆蓋層22上的空腔52與背襯層20 上的開(kāi)口 56相對(duì)齊。
或者，如圖5所示，拋光襯墊可分成兩部分制造。例如，襯墊的 主體60可被制造成具有溝槽28 (通過(guò)模制或機(jī)械加工)。在其底面上 具有空腔52的無(wú)溝槽嵌入塊62可單獨(dú)制造。主體60和嵌入塊62可 用同一種材料制作。在覆蓋層22的主體60中開(kāi)出開(kāi)口 64，并且例如 通過(guò)將嵌入塊64粘接在背襯層20的上表面的粘接劑，來(lái)使嵌入塊64 固定在開(kāi)口 64中。嵌入塊62的厚度D4可以等于覆蓋層22的厚度D3， 從而使嵌入塊62的頂面相對(duì)于拋光面24齊平，或者可令嵌入塊62的 厚度D4略小于覆蓋層22的厚度D3，而使得嵌入塊62的頂面相對(duì)于拋 光面24稍低。
在另一實(shí)施方案中，如圖6所示，背襯層20為一種不可壓縮且抗 剪切的材料如聚脂薄膜(此實(shí)施方案可被認(rèn)為起到單層拋光襯墊的作 用)的薄片。聚脂薄膜片可貼在覆蓋層22的背面，然后嵌入塊62可 被放置于覆蓋層22的開(kāi)口 64中并被粘接固定到聚脂薄膜片20的頂面。 然后除去一部分聚脂薄膜片以露出空腔52。
在另一實(shí)施方案中，如圖7A所示，嵌入塊62固定于覆蓋層22的 下部。在這一實(shí)施方案中，嵌入塊62包括適合穿入覆蓋層22上的開(kāi) 口 72內(nèi)的狹窄頂部70，以及適合穿入背襯層20上的開(kāi)口 76內(nèi)的寬大 底部74。寬大底部74的頂面78可被粘接固定到一部分覆蓋層22的底 面79上，其中該部分覆蓋層22突出于背襯層20之外。頂部70可具 有與覆蓋層22相同的厚度，因此使嵌入塊的頂面與拋光面24齊平，而底部74可以比背襯層20稍薄，以便在機(jī)床工作臺(tái)和嵌入塊之間留 出縫隙。
參考圖7B，也可將一個(gè)雙體式嵌入塊固定于一個(gè)單層拋光襯墊上。 在這一實(shí)施方案中，在覆蓋層22上形成有一個(gè)雙體式的開(kāi)口 80，該開(kāi) 口 80具有橫截面尺寸不同的上部82和下部84。如果覆蓋層和嵌入塊 具有相同硬度，則底部74可以具有與開(kāi)口的下部84相同的厚度。
參考圖8，在另一實(shí)施方案中，拋光面24的對(duì)應(yīng)于空腔52的部分， 亦即薄層區(qū)域54，可以有非常淺的溝槽28a，而拋光面的其他部分則 可以有深溝槽28b。深溝槽28b的深度可以至少為IO密耳，例如約20 密耳深。相反，淺溝槽28a的深度必須小于薄層區(qū)域54的厚度(例如 小于25%)。例如，如果薄層區(qū)域52所具有的厚度約為20密耳，則淺 溝槽28a可以具有的深度約為5密耳。
所述渦流監(jiān)控系統(tǒng)可被用在多種拋光系統(tǒng)中。拋光襯墊，或托架 頭，或是這兩者均能夠移動(dòng)而在拋光面和襯底之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。拋 光襯墊可以是固定在機(jī)床工作臺(tái)上的圓形(或某種其他形狀)的襯墊、 在伸展于饋送裝置和拉緊裝置之間的拋光帶(tape)、或連續(xù)式拋光皮 帶(bdt)。拋光襯墊可以固定在機(jī)床工作臺(tái)上、在拋光操作之間遞增 式地前進(jìn)通過(guò)機(jī)床工作臺(tái)，或者是在拋光過(guò)程中被持續(xù)地驅(qū)動(dòng)通過(guò)機(jī) 床工作臺(tái)。襯墊可在拋光過(guò)程中固定于機(jī)床工作臺(tái)之上，或者是在拋 光過(guò)程中，在機(jī)床工作臺(tái)與拋光襯墊之間可設(shè)有液壓軸承。拋光襯墊 可以是標(biāo)準(zhǔn)的(例如有或沒(méi)有填充物的聚亞安酯)粗糙襯墊、軟襯墊 或固定研磨墊。
此外，雖然使用了垂直定位的術(shù)語(yǔ)，但應(yīng)理解的是拋光面和襯底 可以是在垂直方向或某一其他方向上顛倒放置的。
所述渦流監(jiān)控系統(tǒng)可以包括獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)和檢測(cè)線(xiàn)圈，或單一的組 合式驅(qū)動(dòng)兼檢測(cè)線(xiàn)圈。在單一線(xiàn)圈系統(tǒng)中，振蕩器和檢測(cè)電容器(及 其他傳感器電路)被連接到同一線(xiàn)圈。
雖然已描述了許多本發(fā)明的實(shí)施例。但是應(yīng)理解，在未超出本發(fā) 明的構(gòu)思和范圍的前提下，尚可對(duì)其進(jìn)行各種改動(dòng)。因此，其他實(shí)施 例也在如下權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種拋光襯墊，包括 --拋光層，其具有拋光面和底面；第一組溝槽，其形成于所述拋光層的前表面；及一凹槽，其形成于所述拋光層的底面上，且其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所 述底面中凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽，或是只有比所述第一組溝槽淺的第二組溝槽。
2. 如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所述底面中 凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽。
3. 如權(quán)利要求2所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所述底面中 凹槽的區(qū)域大體上是平的。
4. 一種拋光系統(tǒng)，包括 一托架，用于固定襯底；一拋光襯墊，其被支撐于機(jī)床工作臺(tái)上，該拋光襯墊包括一拋光層，該拋 光層具有一用于拋光的前表面和一底面、形成于所述拋光層的前表面上的第一 組溝槽、及形成于所述拋光層的底面上的凹槽，且其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于 所述底面中凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽，或是只有比第一組溝槽淺的第二組溝槽；及一渦流監(jiān)控系統(tǒng)，其至少具有線(xiàn)圈和磁芯的其中之一，且所述線(xiàn)圈和磁芯 的其中之一至少部分地延伸到所述拋光層的底面中的空腔內(nèi)，以監(jiān)控由所述托 架固定的所述襯底上的金屬層。
5. 如權(quán)利要求4所述的拋光系統(tǒng)，其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所述底面中 凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽。
6. —種拋光方法，包括使襯底與一拋光襯墊的拋光層的前表面相接觸，所述拋光層具有形成于該 拋光層的前表面的第一組溝槽、及形成于該拋光層的底面中的一凹槽，而且其 中所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒(méi)有溝槽，或只有比第一組溝槽 淺的第二組溝槽；將拋光液提供到所述拋光層的前表面；及使得所述襯底和所述前表面之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述拋光面的所述區(qū)域沒(méi)有溝槽。
全文摘要
本發(fā)明提供用于化學(xué)機(jī)械拋光的拋光襯墊、其制造方法以及拋光系統(tǒng)和拋光方法，所述拋光襯墊包括具有拋光面和底面的拋光層；形成于所述拋光面中的第一組溝槽；及形成于所述底面中的凹槽，其中在所述拋光面上對(duì)應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域有比所述第一組溝槽淺的第二組溝槽。所述拋光系統(tǒng)包括用于固定襯底的托架；支撐于機(jī)床工作臺(tái)上的拋光襯墊，該拋光襯墊包括拋光層，該拋光層具有用于拋光的前表面和底面、形成于所述前表面上的第一組溝槽及形成于所述底面中的凹槽，且其中在所述拋光面上的一區(qū)域有比所述第一組溝槽淺的第二組溝槽；及一渦流監(jiān)控系統(tǒng)，其至少具有線(xiàn)圈和磁芯的其中之一，以監(jiān)控由所述托架固定的所述襯底上的金屬層。
文檔編號(hào)B24D13/14GK101310929SQ20081012923
公開(kāi)日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2003年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月24日
發(fā)明者B·A·斯威德克, M·比蘭恩 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料有限公司