專利名稱：：從電子器件襯底表面剝離并移除有機涂層材料的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及從平板顯示器或太陽能電池陣列或其他大尺寸襯底(通常大于約0.5米乘0.5米的襯底)表面上移除含有有機物的材料(諸如光刻膠、高溫有機物層和有機電介質材料)的方法。
背景技術：
：本申請的
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部分中提供了信息以使得本申請的讀者可以更好地理解接下來描述的發(fā)明。本申請的
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部分中存在的信息并不承認所展示的信息或者所展示的信息的組合是本發(fā)明的
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。大量的不同材料使得電子器件的制作變得復雜，這些材料用于提供功能性器件的元件或者用作制作器件的過程中的臨時工藝結構。因為大部分器件包括形成相互聯(lián)系的、復雜的、圖案化的結構，所以在使得存在于大面積(通常為0.25m2以上)表面上的下層材料形成圖案的過程中，通常使用光刻膠和高溫有機掩模材料。圖案化的光刻膠是臨時工藝結構中的一種，并且在通過光刻膠中的開口完成了下層結構上的加工時就需要被移除。因此，存在對于從大襯底表面移除、剝離或清除有機光刻膠以及其他有機層殘余的有效和不昂貴的方法的需要。例如由于光刻膠下方的襯底的成分的多樣化，用于移除光刻膠的方法不與光刻膠下方的表面反應(腐蝕)是非常重要的。一個問題是金屬材料的存在和這些材料趨向于氧化并且使該氧化層分解。為了用在大表面面積的處理中，使材料是非腐蝕性液體是非常有益的。該液體應當最低限度地受到周圍存在的大氣環(huán)境的影響。當移除過程可以在室溫下或者至少低于約80°C下進行時也是有益的。最終，總是期望用于移除有機材料的液體是環(huán)境友好的。為了移除諸如光刻膠的有機材料，特別地為了從大襯底表面剝離光刻膠，已經(jīng)使用了許多技術。下文中將要描述用于移除光刻膠的典型的技術以及它們的優(yōu)點和缺點。Piranha溶液(含有通常體積比為41的硫酸(H2SO4)和雙氧水(H2O2))對于光刻膠移除有良好效果，但是因為它會腐蝕金屬，所以不能用在包括暴露的金屬的襯底表面上。而且，因為它非常有粘滯性，所以在光刻膠移除過程之后，難以將Piranha溶液從襯底表面沖洗掉。此外，因為H2SO4M2O2溶液迅速地分解，所以它不能回收或者重新使用多次。最后，需要在至少70°C的相對高溫下(通常為120°C)使用該溶液。用于移除有機光刻膠的幾種其他的技術是基于使用以有機溶劑為基礎的剝離劑，諸如，單乙醇胺(MEA)、二甲基亞砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯和甲乙酮(MEK)。與Piranha溶液不同，這些有機溶劑剝離劑可以在存在金屬時使用。但是，這些有機溶劑剝離劑在溶解的光刻膠飽和之后不能容易地回收，因為光刻膠難以從有機溶劑中分離出來。因此，飽和的有機溶劑剝離劑必須被丟棄而產(chǎn)生環(huán)境問題，或者使用笨重并昂貴的蒸餾技術來回收以重新使用。與Piranha溶液相似，通常在使用之前加熱這些溶劑，但是加熱到比Piranha溶劑略低的溫度，通常約為50_65°C。1986年1月10日公開的Tarmo等人的日本專利公報No.59125760描述了將臭氧溶解在有機酸(諸如甲酸或者乙酸)中并且使用臭氧化的有機酸來從半導體襯底上移除雜質。據(jù)說晶片上的任何重金屬都能形成甲酸鹽或乙酸鹽并且通過臭氧來使任何有機雜質分解，以將襯底表面上的污染除掉。在題為“NativeOxideGrowthandOrganic14ImpurityRemovalonSiSurfacewithOzone-InjectedUltrapureWater，，(J.Electrochem.Soc.，Vol.140，No.3，March1993)的文章中，Τ.Ohmi等人描述了在其他晶片清潔過程之前使用注入了臭氧的超純水來從晶片表面移除所吸收的有機雜質。水中的臭氧濃度為l_2ppm。由Ohmi等人描述的過程據(jù)說能夠在室溫下在短時間內有效地從晶片表面上除去有機雜質。過程的處理廢物據(jù)說很簡單并且注入臭氧的超純水的化學成分據(jù)說很容易控制。1995年11月7日授予Matthews等人并題為"ProcessandApparatusfortheTreatmentofSemiconductorWafersinaFluid”的美國專利No.5，464，480描述了使用冷藏的去離子水(1°C到15°C)來從半導體晶片上除去有機材料的過程。溶解在水中的臭氧的量是由溫度決定的。降低水的溫度據(jù)說能夠增加水中的臭氧濃度并且增加使用臭氧/冷卻的水溶液的光刻膠剝離速率。1997年5月27日授予Ohno等人并題為“FilmRemovingMethodandFilmRemovingAgent”的美國專利No.5，632，847描述了一種通過將臭氧注入無機酸水溶液(例如，稀釋的HF和稀釋的HCl的混合溶液)并使得由臭氧的注入而形成的氣泡直接與膜(例如，有機或金屬雜質膜)接觸而從襯底表面除去膜的方法。每個氣泡據(jù)說都由內側的臭氧氣泡和外側的酸水溶液氣泡組成。Ohno等人的參考文獻推薦5%質量分數(shù)以下、保持在室溫下、臭氧濃度在從40000ppm到90000ppm的范圍內的酸的水溶液。例如在美國專利No.4，917，123和5，082，518中所述，臭氧也溶解在用于清潔半導體表面的硫酸中。1997^11B25Hg^Doscher"MethodforRemovingPhotoresistwithSolventandUltrasonicAgitation”的美國專利No.5，690，747，描述了使用包括至少一種極性化合物和至少一種脂環(huán)族碳酸鹽(例如乙二醇碳酸酯)的液體有機溶劑來除去光刻膠的方法，其中極性化合物具有至少一個強負電性的氧(例如乙二醇二乙酸酯(ethylenediacetate))。1998年9月30日公告并且題為“MethodforRemovingOrganicContaminantsfromaSubstrate”的StefanDeGendt等人的歐洲專利公報No.0867924描述了使用藥劑移除有機雜質，其中藥劑包括水蒸汽、臭氧和起到凈化劑作用的添加劑。也討論了使用包括水、臭氧和起到凈化劑作用的添加劑的液體藥劑。添加劑推薦是OH基凈化劑，諸如羧酸或磷酸或者它們的鹽。優(yōu)選的示例是乙酸和乙酸鹽以及碳酸鹽和磷酸鹽。雖然作為一個整體而提到了羧酸，但是對于除了乙酸之外的任何羧酸沒有提供數(shù)據(jù)。作者描述了臭氧水溶液的臭氧水平是如何隨著將醋酸添加到基于水的溶液中而增加的。他們也公開了光刻膠剝離速率隨著將乙酸增加到臭氧水溶液中而增加。通過引用將這個出版物的全部內容結合在這里。2000年6月27日授予Carter等人并且題為“OrganicRemovalProcess”的美國專利No.6，080,531描述了一種除去光刻膠的方法，其中臭氧和重碳酸鹽(或者其他合適基團的凈化劑)的處理溶液被用于處理在電子器件中使用的襯底。在處理溶液中重碳酸鹽離子或者碳酸鹽離子的濃度據(jù)說約等于或大于臭氧濃度。該方法據(jù)說適合于在諸如鋁、銅及其氧化物存在于襯底表面上的情況下除去光刻膠(以及其他有機材料)。2002年1月25日公布并且轉讓給SeikoEpsonCorp.和SumitomoPrecisionProd.Co.的日本專利公報No.2002/025971教導了一種使用含醋酸的臭氧化的水和紫外輻射來移除光刻膠的方法。將包含醋酸的臭氧化的水持續(xù)地提供到旋轉襯底的中心部分。將從UV燈發(fā)出的紫外線照射到襯底上來移除附著在襯底表面上的光刻膠。該過程據(jù)說可以在不需要高溫熱處理的情況下移除有機物(例如附著在襯底上的光刻膠)。2002Verhaverbeke^ΛWIS^J"ApparatusforProvidingOzonatedProcessFluidandMethodsforUsingSame”的美國專禾Ij申請公報No.2002/0066717A1描述了使用臭氧化的加工流體來對電子元件進行濕法加工的設備和方法。Verhaverbeke等人教導了期望臭氧濃度盡可能高而達到快速清潔電子組件的目的。Verhaverbeke等人通過使用具有在壓力下提供的循環(huán)臭氧化流體的封閉容器而在水中實現(xiàn)了高達300g/m3的臭氧濃度。Verhaverbeke等人描述了幾種可以與臭氧結合使用的化學反應加工流體的使用，包括無機酸、無機堿、氟化物和乙酸。Verhaverbeke等人的文獻也提供了關于使用臭氧化的去離子水來從電子元件表面移除光刻膠的文獻的綜述。通過引用將這個公開的專利申請的全部內容結合在這里。2002年11月21日公開的Yates等人的題為‘‘RemovalofOrganicMaterialinIntegratedCircuitFabricationUsingOzonatedOrganicAcidSolutions，，的美國專利公報No.2002/0173156A1，描述了使用有機酸成分來增加臭氧在水溶液中的溶解度的方法，其中這些水溶液用來在制作過程中從集成電路器件的表面上移除有機材料(例如聚合物光刻膠或蝕刻后的殘余物)。據(jù)說優(yōu)選地為了其金屬鈍化效果而選擇每種有機酸成分。在與使用常見無機酸來增強臭氧溶解性的臭氧化的水溶液相比較時，因為有機酸成分的表面鈍化作用，這些溶液據(jù)說具有低得多的腐蝕率。2003年4月22日授予DeGendt等人的題為‘‘MethodofRemovingOrganicContaminantsfromaSemiconductorSurface，，的美國專利No.6，551，409描述了一禾中用于從半導體表面移除有機成分的方法，其中半導體被保存在填充有包括水蒸汽和臭氧的氣體混合物的罐中。DeGendt等人教導了使用襯底表面與臭氧/水蒸汽混合物相接觸的氣相加工使得在晶片表面附近的臭氧濃度增加了。2004年1月6日授予Boyers等人的題為"MethodandApparatusforHeatingaGas-SolventSolution”的美國專利No.6，674，054，描述了一種將氣體-溶劑溶液從低溫T1迅速加熱到相對高的溫度T2,以使得在T2下溶解的氣體濃度遠高于如果最初在T2下將氣體溶解到溶劑中的濃度的方法。氣體溶劑溶液的示例是在水溶液中的臭氧氣體。目的是在將溶液施加到襯底表面之前，使用內嵌的加熱器對冷的臭氧_水溶液進行加熱，以增加在襯底表面處的反應速率。在第33欄中的表A示出了由溫度和壓力而決定的臭氧氣體在水中的溶解性。通過引用將該’054專利全部結合在這里。2004年2月4日授予Muraoka等人的題為"MethodandApparatusforRemovingOrganicFilms”的美國專利No.6，696，228描述了一種使用可回收和可再利用的處理液來從襯底表面移除有機薄膜(例如光刻膠膜)的方法和設備。處理液通常由液態(tài)碳酸乙二酯、液態(tài)碳酸丙烯酯、或以上兩者的混合物所組成，并且通常含有溶解的臭氧。因為碳酸乙二酯在室溫下是固體，所以這種光刻膠移除方法需要使用在約50-120°C的范圍內的升高的溫度。2004^3^2Hg^Muraoka白勺H%"MethodofRemovingContaminationAdheredtoSurfacesandApparatusUsedTherefor，，的美國專利No.6，699，330，描述了一種從電子器件的襯底上移除表面沉積污染物的方法。該方法包括將含臭氧的處理溶液與其上已經(jīng)沉積了污染物的處理目標(例如半導體襯底)的表面相接觸。含臭氧的處理溶液包括與臭氧的分配系數(shù)為0.6以上的有機溶劑，其中分配系數(shù)指的是在標準溫度和壓力下的液相有機溶劑與和有機溶劑相接觸的氣相惰性氣體之間，氣態(tài)臭氧的分配或分數(shù)。在該發(fā)明中據(jù)說可以使用任何有機溶劑，只要它們提供了所期望的分配系數(shù)。優(yōu)選地，有機溶劑是包括乙酸、丙酸和丁酸在內的脂肪酸。為乙酸提供了能夠實現(xiàn)的實施例。臭氧化的乙酸被用在系統(tǒng)上方具有恒定的臭氧分壓的封閉系統(tǒng)中來在乙酸中保持高的臭氧濃度并使得乙酸的蒸發(fā)最少化。盡管可以在乙酸中獲得高濃度(彡200ppm)的臭氧并且臭氧化的乙酸可以提供快速的光刻膠剝離速率(>lym/min)，但是使用臭氧乙酸來進行光刻膠的移除具有一些主要缺陷。主要的考慮因素之一是腐蝕性。已經(jīng)觀察到乙酸的存在會導致金屬(特別是銅和鉬)的腐蝕。這些金屬通常用在平板顯示器產(chǎn)業(yè)中。此外，乙酸在溫度低于約16.7°C時是固態(tài)，這可能在某些期望的處理條件下導致一些問題。考慮到以上內容，特別是存在金屬時，需要改進的從電子器件表面剝離并清理有機材料的方法。具體地，需要一種對于襯底的表面成分具有通用適用性的剝離和清理方法。由于金屬普遍地存在于半導體器件的襯底、平板顯示器襯底和太陽能電池陣列中，所以在金屬存在時有害的剝離和清理有機材料的方法就不那么具有吸引力了。此外，對于大型面板襯底(例如那些用于AMIXD或AMOLED面板中的襯底以及某些情況下用在太陽能面板中的襯底)的制造商來說，需要可以在排氣的環(huán)境中施加到靜止物體上或者在傳送帶上移動的物體上的剝離和清潔溶液。另外，很期望剝離和清潔溶液可以在多個加工循環(huán)之后被重新使用而不需要頻繁地補充或過濾溶液。如果這種改進的用于移除有機材料的方法可以在室溫下執(zhí)行的話也將是很有好處的。
發(fā)明內容這里描述了一種從大襯底(至少0.25m2)的暴露的表面移除含有有機物的材料的方法。該襯底的暴露的表面可以包括電子器件。通過在溶劑中含有臭氧(O3)的剝離溶液來對暴露的表面進行處理，其中所述溶劑包括乙酸酐。該方法具有許多優(yōu)點，包括但不限于以下這個通?？梢垣@得至少0.5μm/min(通常大于約2μm/min)的快速有機材料移除速率。也觀察到了對于金屬(諸如銅、鉬和鎢)的低腐蝕率，其中已經(jīng)觀察到對于銅lnm/min的腐蝕速率，對于鉬0.6nm/min的腐蝕速率，對于鎢Onm/min的腐蝕速率。用于移除含有有機物的材料的反應溶液(“剝離溶液”)設計為避免與金屬反應或使其最小化到在剝離操作之后不影響金屬的整體電子性能的程度。如果期望的話，可以在室溫下(約25°C)下執(zhí)行剝離過程。此外，如果期望的話，考慮到剝離溶液的揮發(fā)性，可以在氣壓排氣系統(tǒng)中執(zhí)行剝離過程。剝離溶液可以重復使用多個處理循環(huán)，以使得僅需要約每24小時或更長時間進行更新。此外，也容易通過水沖洗來從襯底表面清除剝離溶液。剝離溶液包括溶解在溶劑中的臭氧(O3)，其中該溶劑包括乙酸酐。用于形成剝離溶液的這種剝離溶劑可以包括乙酸酐與共溶劑的混合物，其中從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇的該共溶劑。在一些情況下，剝離溶液可以僅含有乙酸酐和臭氧，其中臭氧濃度通常約為300ppm以上。當使用共溶劑時，剝離溶液包括乙酸酐、臭氧以及共溶劑，其中共溶劑可以以范圍從剝離溶液的約20%體積到約80%體積內的濃度而存在。當共溶劑為碳酸鹽與乙二醇二乙酸酯的混合物時，碳酸鹽與乙二醇二乙酸酯的體積比在從約11到約31的范圍內。本發(fā)明的方法可以被用來從襯底的表面剝除有機材料，而不用擔心將會以很大地影響依賴于金屬的性能的器件性能的方式而傷害暴露的金屬。剝離溶液中臭氧的濃度通常在從約50ppm到約600ppm的范圍內；更典型地在從IOOppm到500ppm的范圍內；并且常常在從300ppm到500ppm的范圍內。如果剝離溶液含有太少的臭氧，那么有機材料的移除速率將會不可接受得低。通過最小限度的實驗，本領域的技術人員將會能夠根據(jù)襯底表面的成分來確定合適的臭氧濃度。因為臭氧在含有乙酸酐的剝離溶液中的溶解度隨著乙酸酐的濃度的增加而增加，所以根據(jù)將要被移除的有機材料下方的襯底的成分，在剝離溶液中的乙酸酐的濃度通常盡可能地最大。當剝離溶液包括與乙酸酐的共溶劑時，共溶劑必須不能夠與乙酸酐或者有機材料下方的襯底反應。包括碳酸乙烯酯和乙二醇二乙酸酯的共溶劑工作效果特別好。當剝離溶液包括具有至少一種上述共溶劑的乙酸酐時，剝離溶液中的臭氧濃度通常在從約50ppm到約300ppm的范圍內。純凈的乙酸酐在20°C下表現(xiàn)出約500Pa的蒸汽壓。含有乙酸酐的剝離溶劑通常表現(xiàn)出在從約IOOPa到約600Pa的范圍內的蒸汽壓；更具體地，在從約IOOPa到約500Pa的范圍內的蒸汽壓。在20°C下，乙酸酐表現(xiàn)出的蒸汽壓約為乙酸蒸汽壓的三分之一。因此，與將乙酸用作剝離溶劑時相比，在將乙酸酐用作剝離溶劑時存在更多的淡的氣味?？梢栽跉鈮号艢猸h(huán)境中使用含有酸酐的剝離溶劑。因為乙酸酐的熔點約為_73°C，所以乙酸酐在標準溫度(25°C)和壓力下是液體。因此，在將乙酸用作剝離溶劑時可能發(fā)生的問題(乙酸在標準壓力下具有約16.7°C的熔點)在將乙酸酐用作剝離溶劑是不會發(fā)生。因為臭氧在乙酸酐中的溶解度基本與其在乙酸中的溶解度相同，所以將乙酸酐用作剝離溶劑中的主要成分一定存在優(yōu)點。在室溫下使用含有乙酸酐的剝離溶劑具有優(yōu)點。當純凈的乙酸酐被用做剝離溶劑的溶劑部分時，所推薦的用于從襯底移除有機材料的溫度范圍在從約15°C到約80°C的范圍內。更具體地，剝離溫度將會在從約20°C到約40°C的范圍內。所推薦的溫度范圍是以各種因素的組合為依據(jù)的，所述因素包括剝離并清除(移除)有機材料所需要的時間以及被剝離到剝離溶液中的有機材料的分解速率、剝離溶液的揮發(fā)性以及剝離溶液的成分的熔點。當剝離溶液包括結合了約20%體積到約80%體積的、含有2到4個碳的碳酸鹽(諸如碳酸乙烯酯)、乙二醇二乙酸酯或其組合之一的乙酸酐時，用于從襯底移除有機材料的溫度范圍通常是約15°C到約80°C。在一個典型的實施例中，剝離溶劑包括約20%體積的乙酸酐、約40%體積的甲酸酐以及約40%體積的乙二醇二乙酸酯。根據(jù)本公開，本領域技術人員將能夠在最少的實驗之后對于具體的應用優(yōu)化剝離溫度范圍。因為有機化合物實際上在臭氧化的酸酐剝離溶液中分解(而不僅是溶解)，所以剝離溶液可以重新使用多個制作循環(huán)。剝離溶液可以重新使用的循環(huán)次數(shù)將由在剝離和清潔溶液中所能忍受的有機材料殘余物的最大濃度所決定。通常用于從襯底剝離有機材料的生產(chǎn)線可以國國內說至少一天，而不需要更新剝離溶液。將碳酸鹽或者乙二醇二乙酸酯或者其組合的這些共溶劑增加到乙酸酐/臭氧剝離溶液中既能夠減小剝離溶液的氣味，又能夠減小由含有酸酐的剝離溶液所表現(xiàn)出的較小的腐蝕性。然而，通過共溶劑減小了在剝離溶液中的臭氧的溶解度。以下的附圖可以結合詳細的描述來使用，以幫助理解本發(fā)明。如果可能的話，已經(jīng)使用的相同的附圖標記表示附圖共有的相同的元件。圖1是示出了在水面與氧氣中濃度為240mg/L臭氧氣體接觸時，所溶解的抽樣的濃度(單位是mg/L，即ppm)與去離子水溫度(單位是。C)的關系的曲線圖。圖2A示出了可以被用來在相對開放、通風的系統(tǒng)中處理大襯底的這種類型的有機材料剝離系統(tǒng)的實施例的示意圖。隨著襯底沿著傳送帶移動，剝離溶液噴灑到襯底表面上。圖2B是示出了圖2A的封閉的剝離區(qū)域204內部的示意圖，其中諸如包括玻璃的襯底210的大平板顯示器襯底在其上方的剝離溶液供應導管213的下方通過。通過噴嘴214施加剝離溶液215。圖3是示例性剝離溶液制備系統(tǒng)300的示意圖，其中含有酸酐的溶劑被臭氧化，以提供含有臭氧化的酸酐的剝離溶液。圖4A是可以被用來產(chǎn)生蒸汽狀的含有臭氧化的酸酐的剝離溶液的起泡器設備400的簡化示意圖，其中含有臭氧化的酸酐的剝離溶液是由圖3中示出的制備系統(tǒng)300所生產(chǎn)的那種。圖4B是示出了噴嘴412在襯底406(其為旋轉的晶片)的表面405上進行掃描的示意圖。這是將剝離溶液施加到襯底表面上的示例方法，其中含有酸酐的剝離溶液407在其離開噴嘴412時處于蒸汽形式。圖4C是示出了與起泡器424結合使用的蒸汽分布板430的示意圖，其中起泡器424產(chǎn)生含有酸酐的剝離溶液的蒸汽形式。蒸汽分配板430將剝離蒸汽432均勻地分配到襯底434的表面433上。圖5A是用于將液體剝離溶液或者用于移除剝離溶液殘余的液體清洗劑施加到襯底504的表面502上的替換實施例系統(tǒng)500的示意性前視圖。隨著襯底504移動經(jīng)過散布敷料器506，液體508散布到表面502上。圖5B是圖5A的替換實施例系統(tǒng)的示意性側視圖。襯底504與水平面定位成θ角，使得通過使用重力來幫助移除液體剝離溶液或液體清洗劑，將來自散布敷料器506的噴霧508朝向襯底504的底部拉動。具體實施例方式作為下面所展示的詳細描述的序言，應該注意如說明書和權利要求中所使用的，除非上下文清楚地規(guī)定了例外情況，單數(shù)形式的名詞和“所述”包含了復數(shù)的對象。在這里所用的詞“約”，指的是包含所說的數(shù)值或范圍向上或向下浮動10%的數(shù)值或范圍。圖1是示出了在去離子(DI)水表面與在氧氣中濃度為240mg/L的臭氧氣體相接觸時，軸102上的溶解在去離子(DI)水中的臭氧的濃度(以mg/L，即ppm，為單位)與軸104上的去離子水溫度的函數(shù)關系的曲線圖100。很容易明白在室溫(大致為25°C)下臭氧在去離子水中的溶解度僅為約40mg/L。當使用在DI水中溶解有臭氧的剝離溶液時，僅僅是為了在剝離溶液中得到更加有用的臭氧濃度，就需要使用冷卻的(低于室溫的)溫度。在表1中給出了在去離子水、乙酸和乙酸酐溶劑中的臭氧濃度，其中溶劑溫度為19°C，并且溶劑表面在與氧氣中的濃度19°C下約為240mg/L的臭氧相接觸。表1在19°C下臭氧在各種溶劑中的濃度<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>正如在上面的“
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”中所引用的幾個出版物中所描述的，可以通過將乙酸加入溶液中來增加水溶液中的臭氧濃度。臭氧也可以溶解在純乙酸中。溶解在乙酸或甲酸中的臭氧可以被用來從電子器件襯底上移除有機污染物和剝離光刻膠。然而，如之前所討論的，乙酸和甲酸對于用在平板顯示器電子元件中的金屬(例如銅和鉬等)具有腐蝕性。當期望從襯底表面移除有機材料時，銅和鉬常常存在于襯底表面上。使用乙酸酐溶劑而不使用乙酸溶劑使得有可能將銅和鉬的腐蝕降低驚人的量。下面的表2示出了與在乙酸酐中有臭氧的剝離溶液相比，當暴露在在乙酸中有臭氧的剝離溶液下時，銅、鉬和鎢的金屬腐蝕速率的比較。存在于每種溶液中的臭氧的濃度是300mg/L，并且暴露溫度是20°C，暴露時間段為一分鐘。表2臭氧溶液中的金屬腐蝕率，單位nm/min<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>很明顯，在由臭氧化的乙酸酐剝離溶劑代替臭氧化的乙酸剝離溶劑時，腐蝕率有驚人的下降。腐蝕率的這種差異使得在保持暴露在襯底的表面上的包括金屬的器件結構的性能效力的同時，可以更徹底地移除覆蓋的有機材料，其中有機材料從該襯底的表面移除。下面的表3示出了乙酸與乙酸酐之間的其他重要的物理性質差異，其表明在與乙酸相比時，乙酸酐是優(yōu)選的剝離溶劑。表3乙酸和乙酸酐物理性質的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表3顯示乙酸酐具有更低的蒸汽壓。這有助于降低車間中由于剝離溶劑的存在而產(chǎn)生的氣味。當乙酸酐/臭氧被用作剝離溶劑時，乙酸酐更高的燃點降低了著火的危險。乙酸酐更低的熔點確保剝離溶劑在其被使用的條件下仍然保持液態(tài)。在約20°C下被用作液體剝離劑時，臭氧濃度大約為300mg/L的臭氧化的乙酸酐可以在60秒的時間段內，從(用來生產(chǎn)平板顯示器的那種)半導體襯底的表面移除Iym的光刻膠。因為包括光刻膠的有機化合物通常分解(而不僅僅是溶解)在包含乙酸酐的臭氧化的溶液中，所以相當大量的分解產(chǎn)物被揮發(fā)并且容易被移除。結果，可以將剝離溶液循環(huán)以重新使用多個制作循環(huán)。剝離溶液可以被重新使用的循環(huán)的數(shù)目取決于在剝離和清潔溶液中可容忍的有機材料殘余物的最大濃度。蒸餾水或去離子水常常被用來從襯底表面沖掉剩余的剝離溶液。根據(jù)在特定應用中操作的難易度，其他溶劑也可以被用來沖掉剩余的剝離溶液，并且不意味著去離子水是唯一能夠使用的沖洗溶液。然而，因為乙酸酐在暴露在水中時會轉化為乙酸，所以使用水來從半導體襯底上移除剩余的含有臭氧酸酐的剝離溶液較為簡單。使用噴霧清洗溶液所需的沖洗時間在大約30秒的范圍內；并且，可以容易地對沖洗劑進行處理，以移除溶解的有機材料并且(如果期望的話)從沖洗劑中回收乙酸。通過將酸酐與另一種具有更小腐蝕性有機溶劑混合來進一步地減小乙酸酐的腐蝕性和揮發(fā)性。另一種非腐蝕性有機溶劑應當與臭氧不反應，并且應當表現(xiàn)出通常比高于乙酸酐揮發(fā)性約30%的揮發(fā)性更小的揮發(fā)性。對金屬沒有腐蝕性、與臭氧很少反應或者不反應、表現(xiàn)出與酸酐很有限的反應性、溶于乙酸酐并且在與酸酐混合時在室溫下是液態(tài)的溶劑是最理想的。滿足這些標準的溶劑包括(例如并且不是限制性的)碳酸乙二酯、碳酸丙烯酯以及乙二醇二乙酸酯。碳酸乙二酯是無色、無味的固體，燃點是143.7°C，凝固點是36.4°C。在純凈的狀態(tài)下，碳酸乙二酯在室溫下是固態(tài)的。碳酸乙二酯與臭氧不反應、對金屬沒有腐蝕性并且可以與乙酸酐互溶。與碳酸乙二酯類似，醋酸丙烯酯是無色無味的。醋酸丙烯酯在室溫下是液態(tài)的。醋酸丙烯酯的缺點是比碳酸乙二酯更不溶于水，并且因此更難將殘余的醋酸丙烯酯從經(jīng)過剝離的襯底表面沖洗掉。與碳酸乙二酯和醋酸丙烯酯類似，乙二醇二乙酸酯無色且氣味很淡。乙二醇二乙酸酯在室溫下是液態(tài)。臭氧在碳酸乙二酯或醋酸丙烯酯中的溶解性相比于臭氧在乙酸酐中的溶解性要小得多(在20°C下，相對于臭氧在乙酸酐中的約500ppm，臭氧在碳酸乙二酯中約為40ppm)。因為臭氧溶解性的降低，所以僅在襯底(有機材料從其上剝離)對剝離溶液的腐蝕特別敏感時才采用在剝離溶液中加入碳酸鹽。為了提供可以接受的有機材料移除速率并且使腐蝕保護最大化，必須在乙酸酐的濃度與用在剝離溶液中的共溶劑的濃度之間達到平衡。典型地，加入了一定數(shù)量的含有2到4個碳的碳酸鹽共溶劑，該數(shù)量使得剝離溶劑包含約10到約90體積分數(shù)之間的此種共溶劑；更典型地，剝離溶劑包含約20到約70體積分數(shù)之間的碳酸鹽；并且剝離溶劑經(jīng)常包含約30到約40體積分數(shù)的此種溶劑。因為單獨包含酸酐或包括與上述類型的共溶劑結合的酸酐的溶劑在約40°C以下的溫度下不是特別有揮發(fā)性或具有令人不愉快的氣味，所以移除含有有機物的材料的本方法可以在簡單的氣壓排氣環(huán)境中進行。如上所述，因為乙酸酐和這里提到的共溶劑的相對低的揮發(fā)性，所以臭氧化的剝離溶液可以在沒有過多地蒸發(fā)的情況下進行噴灑，并且在大部分情況下可以在室溫(通常遠低于乙酸酐的燃點的溫度)下應用。理論上，臭氧會使有機材料分解或完全氧化為CO2或羧酸，CO2或羧酸之后不是通過排氣系統(tǒng)排出就是保留在溶劑里。然而，在有機材料的移除過程之后，可能剩余少量的不可氧化的有機材料成分。這些不可氧化的成分將會最終開始累積在包括乙酸酐和臭氧的剝離溶液中。在重復利用時，剩余在剝離溶液中的固態(tài)污染物可以被過濾到溶液之外。偶爾(根據(jù)溶劑系統(tǒng)，可能每天僅一次或者在大部分情況下甚至更長的時間)，可能需要更新剝離溶液，以沖走任何正在堆積的剩余物?？梢酝ㄟ^使用在本領域中公知類型的“溢飼(bleed-and-feed)”過程來移除掉有機剩余物。如上所述，因為乙酸酐被轉化成能夠完全溶解于水中的乙酸，所以通過使用去離子水進行沖洗，可以容易地從襯底移除含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液。在含有有機物的材料移除過程之后，可以將使用去離子水或臭氧化的去離子水的最終處理用來沖洗掉殘余的剝離溶液。僅在襯底表面上不存在腐蝕問題時才使用臭氧化的去離子水。臭氧化的去離子水有助于移除襯底表面上剩余的任何包含碳-碳單鍵的有機材料。在本方法的一個實施例中，首先以液態(tài)的含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液來對襯底表面進行噴灑，以從襯底表面上移除有機材料，接著以液態(tài)臭氧化的去離子水進行第二次噴洗，以移除任何剩余的有機物，并且沖洗掉臭氧化的剝離溶液?？蛇x擇地，可以使用其中去離子水被用來移除第一次沖洗中的剩余物的最終步驟。在本方法的另外一個實施例中，將剝離溶劑作為蒸汽(而不是作為液體)施加到襯底表面上。在采用蒸汽的情況下，使用純的乙酸酐/臭氧剝離溶液(而不是使用共溶劑)來簡化剝離溶液的再循環(huán)過程。本領域技術人員將會認識到使用復合組分通常會導致蒸汽濃度與液體濃度不同。通常，溶劑的揮發(fā)溫度在約20°C到約150°C的范圍之內。溶劑蒸汽與襯底相接觸，該襯底將要被剝離掉含有有機物的材料。溶劑蒸汽之后可以冷凝在襯底表面上，在襯底表面上留下一層冷凝的剝離溶劑，接著使得冷凝層與臭氧氣體相接觸。臭氧溶解在剝離溶劑中以形成將會移除含有有機物的材料的含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液的冷凝層。在另一個實施例中，臭氧氣體可以用作載氣，來將氣化的含有乙酸酐的溶劑運送到工件表面。在這種情況下，剝離溶劑更可能是組分的結合，只要這些組分可以被臭氧載氣帶走以在襯底表面處提供臭氧化的剝離溶液。I.用于實施本發(fā)明的設備圖2A示出了一種設備實施例，其可以用于從用于平板顯示器產(chǎn)品那種類型的大型平板表面剝離含有有機物的材料。設備200使用了將剝離溶劑噴涂到襯底表面上，其中含有有機物的材料將要從襯底表面移除。圖2A中示出的設備對處理寬和長都長達數(shù)米的襯底是很有用的。處理環(huán)境在入口傳送帶位置202處開口并且在施加剝離溶劑的區(qū)域(例如在封閉剝離空間204中)對其進行排氣。圖2A示出了剝離設備200，其中襯底(未示出)被裝載到開口入口傳送帶202上，并且通過在封閉剝離區(qū)域的前端208處的開口206進入封閉剝離區(qū)域204。襯底進入了封閉的(并且被排氣的(未示出))剝離區(qū)域204，在該區(qū)域內由供應源201通過管道203施加剝離溶劑(未示出)。圖2B示出了封閉的剝離區(qū)域204內部的特寫圖，其中在剝離溶液215通過噴嘴214噴灑到襯底210的表面216上的同時，平板襯底210移動經(jīng)過傳送滾筒212。噴嘴214被布置為使得襯底210的整個表面216將會均勻地涂有剝離溶液。在施加剝離溶液215之后，襯底傳遞到封閉區(qū)域205內，該區(qū)域內沖洗劑(未示出)被用于從襯底上洗掉剩余的剝離溶劑?？梢砸耘c圖2B中對于剝離溶劑示出的方法類似的方法來施加沖洗劑。在將沖洗劑施加到襯底表面之后，襯底被傳遞進入干燥區(qū)域207，在該區(qū)域內以本領域公知的方式對襯底進行干燥，例如，通過越過襯底表面施加氣流、使用加熱燈或者其他公知技術。在對襯底進行干燥之后，襯底傳遞到出口傳送帶209以進行進一步的處理。圖3是用于制備含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液的示例性設備300的示意圖。作為示例而不是作為限制，可以將含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液提供給(諸如圖2B中示出的)噴霧分配器。用來使得含有乙酸酐的剝離溶液臭氧化的臭氧通常在由氧氣源302(可以提供O2和空氣)進行供給的臭氧發(fā)生器304中產(chǎn)生。通過對氧氣或空氣施加無聲放電(在兩個電極之間的不能自持的放電)來產(chǎn)生臭氧，以產(chǎn)生含有臭氧的氣體。通過線路310將含有臭氧的氣體提供給溶液制備罐314，其中線路310對噴霧器/混合器316進行饋送，其中噴霧器/混合器316將臭氧分布到存在于溶液制備罐314中的液態(tài)的含有乙酸的溶劑(未示出)中。此外，(例如，并且不是為了進行限制)乙酸酐供應系統(tǒng)也包含在含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液制備器件300中，乙酸酐供應系統(tǒng)可以提供乙酸酐和其他共溶劑(未示出)。在一個實施例中，為了舉例并且不是為了進行限制，管線306提供了液態(tài)的乙酸酐和前述種類的溶劑分別通過管線306和管線308饋送到公共管線312中，該公共管線312饋送到剝離溶液供應罐314。當剝離溶液供應罐314沒有滿時，來自管線306的乙酸酐可以饋送到公用管線312中，并且從那里饋送到公用管線322并饋送進入管線324，在使用沒有被臭氧化的乙酸酐剝離溶劑的過程中，管線324可以用于對剝離設備(未示出)進行饋送。公用管線322也可以用于通過排出管路326來從溶液制備罐314排出剩余的含有臭氧化的乙酸酐的溶液。此系統(tǒng)可以可選擇地包括用于與酸酐溶劑結合使用的可選擇的共溶劑的額外的溶劑供應設備(未示出)(如前所述，為了距離并且不是為了進行限制，這些可選的溶劑可以是含有2-4個碳的碳酸鹽或者乙二醇二乙酸酯)。正如上面所討論的，可以選擇以蒸汽形式將含有乙酸酐的剝離溶液施加到襯底表面上。圖4A是可以被用來制備蒸汽狀的含有乙酸酐的剝離溶液并將其施加到襯底406的表面405上的起泡器設備400的簡化示意圖。例如(但是不是為了進行限制)，使用加熱器404來對罐402中的含有乙酸酐(并且可能含有其他可選的與乙酸酐相摻合的溶劑)的溶液403進行加熱。臭氧氣體通過臭氧入口408提供給罐402。蒸汽狀的含有臭氧化的乙酸酐的剝離溶液407經(jīng)由管線410和噴嘴412提供給襯底406的表面405。將蒸汽狀的臭氧飽和的含有乙酸酐的剝離溶液407的溫度保持高于晶片406的表面405的溫度。臭氧飽和的含有乙酸酐的剝離溶液蒸汽407冷凝在襯底406的冷卻器表面405上。為了增加傳輸?shù)揭r底表面405的臭氧量，純凈的臭氧被連續(xù)地引入到罐402中的含有乙酸酐的溶液403中。襯底表面405上的剝離溶液層(未示出)很薄，使得臭氧可以迅速地擴散穿過該層。圖4B是施加蒸汽狀剝離溶液407的圖示，其中施加噴嘴412(例如并且不是為了進行限制，可以使用數(shù)個噴嘴)在襯底406的表面405上方進行掃描。襯底通常按照如圖4A中的箭頭414所示來被旋轉，以幫助在襯底表面上方將恒定供應的冷凝的含有臭氧化的酸酐的剝離溶劑(未示出)分配到襯底表面405。圖4C示出了另一個蒸汽狀剝離溶劑施加設備420的簡化示意圖，其中臭氧經(jīng)由臭氧入口管線422進入到容納有至少一種酸酐溶劑(以及潛在地含有其他共溶劑)423的起泡器罐424中。使用加熱器426加熱起泡器罐424中存在的臭氧化的溶劑，以產(chǎn)生蒸汽，該蒸汽經(jīng)由管線428饋送到分配板430中，剝離蒸汽432從分配板430分配到在傳送帶(未示出)上的、在分配板430下方以圖示方式運動的平板襯底434上。蒸汽冷凝在襯底434的表面433上來在襯底434的表面433上產(chǎn)生冷凝的剝離溶劑435。本領域技術人員將會認識到在分配板430移動經(jīng)過襯底430的情況下，襯底430可以是靜止的。II.示例將厚度約IOOOOA(IOOOnm)的對248nm輻射敏感的深紫外(DUV)光刻膠(UV6，可以從美國馬薩諸塞州莫爾伯勒的Shipley公司買到)施加到單晶硅晶片的表面上。通過旋裝工藝而施加光刻膠，之后在95°C下烘烤30分鐘。在室溫(25°C)下，使用諸如圖2B中示出的分配系統(tǒng)將含有約300ppm(mg/L)臭氧的臭氧化的乙酸酐(100%乙酸酐)剝離溶液噴灑到涂有光刻膠的襯底的表面上。允許臭氧化的乙酸酐與光刻膠反應30、60或120秒的時間段，之后通過噴灑10到20秒的去離子水來沖洗襯底的表面。測試了一系列六個襯底示例，其中每個襯底上存在Iym的光刻膠并且暴露到剝離溶液的時間從30秒到約120秒。在光刻膠剝離步驟之后，檢查和測量每個樣品的剩余光刻膠。發(fā)現(xiàn)在30秒(或更少)之后，就從所有襯底上移除了1μm的光刻膠。示例二臭氧化的乙酸酐對于鋁的腐蝕性使用本領域中公知類型的物理氣相沉積(PVD)工藝將厚度約10000人的鋁層到單晶硅晶片表面上。為了測試臭氧化的乙酸酐剝離溶液對于鋁的腐蝕性，使用諸如圖2B中示出的分散系統(tǒng)將含有約300ppm(或mg/L)臭氧的臭氧化的乙酸酐(100%乙酸酐)剝離溶液在室溫(25°C)下噴灑到涂有鋁的襯底的表面上。允許臭氧化的乙酸酐剝離溶液與鋁接觸30,60或120秒，之后通過噴灑去離子水10到20秒來沖洗襯底表面。在我們測量能力的精度內，鋁沒有被臭氧化的乙酸酐剝離溶液移除。鋁層的厚度好像存在略微的增加，但是增加的量與時間不一致。鋁層厚度的增加可能是由于因為暴露在O3下而導致在鋁層表面形成ai2O3。然而，由于暴露在剝離溶液中所引起的鋁厚度的變化量是那么的小(小于百分之0.3)，以至于可以包括在測量方法的實驗誤差之內。這表明了實際上在暴露在剝離溶液的120秒時間之后，鋁沒有發(fā)生腐蝕。結果，可以確定形成了少量的氧化鋁，本領域內技術人員可以使用本領域中公知的技術來處理襯底表面從而將氧化物移除到允許器件最終在使用應用中能夠發(fā)揮功能所必需的程度。示例三臭氧乙酸酐對銅表面的腐飩將厚度為8000人(SOOnm)到19000人(1900nm)的銅層沉積在單晶硅晶片的表面上。使用物理氣相沉積(PVD)工藝來沉積銅，之后進行電化學電鍍。為了測試臭氧化的乙酸酐剝離溶液對于銅的腐蝕性，使用諸如圖2B中示出的分散系統(tǒng)將至少含有300ppm(或mg/L)臭氧的臭氧化的乙酸酐(100%乙酸酐)剝離溶液在室溫(25°C)下噴灑到涂有銅的襯底的表面上。允許臭氧化的乙酸酐剝離溶液與銅接觸30、60或120秒，之后通過噴灑去離子水10到20秒來沖洗襯底表面。下面的表四，顯示了在室溫(25°C)下以含有300ppm(或mg/L)臭氧的臭氧化的乙酸酐剝離溶液對銅層進行處理之間和之后的厚度表四臭氧丙酸清潔溶液在銅上的腐蝕<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在我們測量能力的精度范圍內，表4中的數(shù)據(jù)表明在暴露到臭氧化的乙酸酐剝離溶液中之后，銅層的厚度僅略微地減小。雖然已經(jīng)參照附圖詳細地描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明的范圍和精神內的各種修改對于本領域技術人員來說是很明顯的。因此，本發(fā)明的范圍應當由權利要求來決定。權利要求一種從大面積襯底的表面移除含有有機物的材料的方法，所述大面積襯底的有效直徑或邊的尺寸的長度超過0.5米，其中，所述方法包括將所述襯底的表面暴露到在溶劑中含有臭氧(O3)的剝離溶液中，其中臭氧在溶液中的濃度約為50ppm或以上，并且其中所述溶劑包括乙酸酐。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述臭氧濃度在從約50ppm到約600ppm的范圍內。3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述溶劑包括與至少一種共溶劑相結合的乙酸酐，所述至少一種共溶劑易于與乙酸酐混合并且不與乙酸酐反應。4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，除了乙酸酐之外，所述剝離溶液包括從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇的共溶劑。5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，從由碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯及其組合所組成的組中選擇所述碳酸鹽。6.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述共溶劑包括所述剝離溶液中的所述溶劑的約20%體積到約80%體積。7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述共溶劑含有碳酸鹽和乙二醇二乙酸酯，并且其中碳酸鹽與乙二醇二乙酸酯的體積比在從約11到約31的范圍內。8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，所述剝離溶劑包括約20%體積的乙酸酐、約40%體積的甲酸酐以及約40%體積的乙二醇二乙酸酯。9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在范圍從約15°C到約80°C的溫度下，將所述含有有機物的材料從所述襯底移除。10.一種從大面積襯底的表面移除含有有機物的材料的方法，所述大面積襯底的有效直徑或邊的尺寸的長度超過0.5米，其中，所述表面包括暴露的金屬，其中所述方法包括將包括暴露的金屬的所述表面暴露到在溶劑中含有臭氧(O3)的剝離溶液中，其中臭氧的濃度約在從約50ppm到約600ppm的范圍內，并且其中所述溶劑包括乙酸酐。11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述溶劑包括與至少一種共溶劑相結合的乙酸酐，所述至少一種共溶劑易于與乙酸酐混合并且不與乙酸酐反應。12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，除了乙酸酐之外，所述剝離溶液包括從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇的共溶劑。13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，從由碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯及其組合所組成的組中選擇所述碳酸鹽。14.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述共溶劑包括所述剝離溶液中的所述溶劑的約20%體積到約80%體積。15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，所述共溶劑含有碳酸鹽和乙二醇二乙酸酯，并且其中碳酸鹽與乙二醇二乙酸酯的體積比在從約11到約31的范圍內。16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述溶劑包括與至少一種碳酸鹽相結合的乙酸酐。17.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，所述剝離溶劑包括約20%體積的乙酸酐、約40%體積的甲酸酐以及約40%體積的乙二醇二乙酸酯。18.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，在范圍從約15°C到約80°C的溫度下，將所述含有有機物的材料從所述襯底移除。19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，在約20°C到約70°C的范圍內的溫度下執(zhí)行所述方法。20.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述暴露的金屬包括鋁、銅和鉬。21.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述乙酸酐包括所述剝離溶劑的約10%體積到約95%體積。22.一種從大面積襯底的表面移除含有有機物的材料的方法，所述大面積襯底的有效直徑或邊的尺寸的長度超過0.5米，其中，所述方法包括將所述襯底的表面暴露到包括與蒸汽狀溶劑相結合的臭氧(O3)的剝離蒸汽中，其中臭氧在溶液中的濃度約為50ppm或以上，并且其中所述溶劑包括乙酸酐。23.根據(jù)權利要求22所述的方法，其中，所述臭氧濃度在從約50ppm到約SOOppm的范圍內。24.根據(jù)權利要求22所述的方法，其中，所述蒸汽狀溶劑包括與易混合的蒸汽狀共溶劑相結合的乙酸酐，所述易混合的蒸汽狀共溶劑不與乙酸酐反應。25.根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇的共溶劑。26.一種從大面積襯底的表面移除含有有機物的材料的方法，所述大面積襯底的有效直徑或邊的尺寸的長度超過0.5米，其中，所述表面包括暴露的金屬，其中所述方法包括將包括暴露的金屬的所述電子器件表面暴露到包括在蒸汽狀溶劑中含有臭氧(O3)的剝離溶液中，其中臭氧的濃度約在從約50ppm到約600ppm的范圍內，并且其中所述溶劑包括乙酸酐。27.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中，所述蒸汽狀溶劑包括與至少另一種蒸汽狀易混合共溶劑相結合的蒸汽狀酸酐，所述至少另一種蒸汽狀易混合共溶劑不與至少一種蒸汽狀酸酐反應。28.根據(jù)權利要求27所述的方法，其中，從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇所述共溶劑。全文摘要這里描述了一種從大襯底(至少0.25m2)的暴露的表面移除含有有機物的材料的方法。該襯底可以包括電子器件。通過在溶劑中含有臭氧(O3)的剝離溶液來對暴露的表面進行處理，其中所述溶劑包括乙酸酐。用于形成剝離溶液的這種剝離溶劑可以包括乙酸酐與共溶劑的混合物，其中從由含有2到4個碳的碳酸鹽、乙二醇二乙酸酯及其組合所組成的組中選擇的該共溶劑。在一些情況下，剝離溶液可以僅含有乙酸酐和臭氧，其中臭氧濃度通常約為300ppm以上。文檔編號C23G5/00GK101815586SQ200780100923公開日2010年8月25日申請日期2007年8月1日優(yōu)先權日2007年8月1日發(fā)明者史蒂文·維爾哈弗爾貝克申請人:應用材料公司