專利名稱：：化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體及半導(dǎo)體裝置的化學(xué)機(jī)械研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在制造半導(dǎo)體裝置之際優(yōu)選使用的化學(xué)機(jī)械研磨用水
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨著半導(dǎo)體裝置的高密度化，形成于半導(dǎo)體裝置內(nèi)的配線的微細(xì)化不斷推進(jìn)。作為可以實(shí)現(xiàn)該配線的進(jìn)一步微細(xì)化的技術(shù)，已知有被稱作鑲嵌法的技術(shù)。該方法在向形成于絕緣層中的槽等中嵌入了配線材料后，通過使用化學(xué)機(jī)械研磨，將堆積在槽以外的多余的配線材料除去，從而形成所需的配線。這里，在作為配線材料使用銅或銅合金的情況下，為了避免銅原子向絕緣層中的遷移，通常在銅或銅合金與絕緣體的界面上形成以鉭、氮化鉭、氮化鈦等為材料的高強(qiáng)度的高介電常數(shù)絕緣層(屏蔽層)。在將銅或銅合金作為配線材料使用的半導(dǎo)體裝置的制造中，在釆用鑲嵌法的情況下，雖然其化學(xué)機(jī)械研磨的方法有各種方法，然而進(jìn)行的是由主要進(jìn)行銅或銅合金除去的第一研磨工序、和主要除去屏蔽層的第二研磨工序構(gòu)成的兩階段的化學(xué)機(jī)械研磨。伴隨著形成于半導(dǎo)體裝置內(nèi)的配線的微細(xì)化，第一研磨工序例如被要求以800nm/分鐘研磨銅，基本上不切削屏蔽層，將銅凹陷(dishing)控制為20nm以下。在作為絕緣層使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)的情況下，由于研磨摩擦大會產(chǎn)生層剝離或?qū)幼陨淼钠茡p，因此如果是以往的研磨摩擦大的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，則會變得難以應(yīng)用。另外，所述第二研磨工序最好與所述第一研磨工序相同地以低摩擦進(jìn)行研磨，從而提高被處理面與砂布的親水性，減少銅上擦痕或銅腐蝕(corrosion)、絕緣層上的擦痕，并且改善銅凹陷、絕緣層磨蝕(erosion)。為了滿足如上所述的第一研磨工序及第二研磨工序的要求，提出過各種使用了聚乙烯基吡咯烷酮等水溶性高分子的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。例如，日本特開2003-282494號公報中，提出過由多氧酸或其鹽、水溶性高分子、水構(gòu)成的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。根據(jù)記載，該化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體可以抑制擦痕、凹陷等研磨面缺陷的產(chǎn)生。曰本特開2002-270549號7>才艮中記載，作為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的磨料的分散劑，可以添加聚乙烯基吡咯烷酮。日本特表2002-517593號公報中，提出過由水、磨料、氧化劑及有機(jī)聚合物構(gòu)成的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。另外還記栽，該有機(jī)聚合物可以是聚乙烯基吡咯烷酮。根據(jù)記栽，該化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體可以抑制磨料的研磨速度。即，上述的專利文獻(xiàn)所記載的發(fā)明中，在化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中添加有聚乙烯基吡咯烷酮等水溶性高分子，其目的在于，使水溶性高分子吸附在磨料或被研磨面上，提高磨料的分散性，或降低被研磨面的研磨速度。但是，當(dāng)使用該水溶性高分子時，雖然由于可以提高磨料的分散性，并且可以降低被研磨面的研磨速度，從而可以抑制銅凹陷、絕緣層磨蝕等，然而另一方面，由于在應(yīng)當(dāng)研磨的區(qū)域也吸附有水溶性高分子，因此研磨速度就會極度降低，從而有產(chǎn)生銅殘留等的問題。另外，作為本發(fā)明所要解決的新課題，可以舉出對"尖牙"(fang)的抑制。本說明書中所用的所謂"尖牙"，是指特別是在金屬層由銅或銅合金構(gòu)成的情況下明顯產(chǎn)生的現(xiàn)象，是在含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域與不含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域(襯底部分)的界面中，因化學(xué)機(jī)械研磨而成為作為半導(dǎo)體裝置的缺陷的槽狀傷痕。對于尖牙產(chǎn)生的要因，可以認(rèn)為如下情況是一個原因，即，在含有(襯底部分)的界面中，化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的成分不均一地局部存在，界面附近被過度地研磨。例如，當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的磨料成分高濃度地存在于上述界面附近時，則該界面的研磨速度就會局部地增大而被過度研磨。如果像這樣被過度研磨，則會作為尖銳釘狀的平坦性不良而顯現(xiàn)。即，它是被稱作"尖牙"的研磨缺陷。尖牙隨配線圖案不同而有多種產(chǎn)生形態(tài)。對于尖牙產(chǎn)生的要因，以圖1A至圖1C所示的被處理體100作為一個例子來具體地說明。被處理體100如圖1A所示構(gòu)成，在基體10上，依次層疊形成了槽等配線用凹部20的絕緣層12、以覆蓋絕緣層12的表面以及配線用凹部20的底部及內(nèi)壁面的方式設(shè)置的屏蔽層14、填充配線用凹部20且形成于屏蔽層14之上的由銅或銅合金構(gòu)成的層16。另外，被處理體100包含含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域22、不含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域24。而且，在含有微細(xì)配線的區(qū)域22中，容易形成銅或銅合金的凸部。圖1B表示將由銅或銅合金構(gòu)成的層16進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的中途階段。當(dāng)對由銅或銅合金構(gòu)成的層16進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨時，在含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域22與不含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域24的界面上，有時會產(chǎn)生微細(xì)傷痕30。圖1C表示進(jìn)一步研削由銅或銅合金構(gòu)成的層16而將化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行到在表面顯現(xiàn)出屏蔽層14后的狀態(tài)。該階段中，微細(xì)傷痕30成為槽狀的傷痕尖牙32。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，該尖牙產(chǎn)生的理由可以認(rèn)為如下。可以認(rèn)為，在圖1B的階段中，由于屏蔽層14帶正電，研磨磨料28帶負(fù)電，因此研磨磨料28就會因靜電相互作用而在微細(xì)傷痕30中局部存在。如果在研磨磨料28在微細(xì)傷痕30中局部存在的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，則微細(xì)傷痕30就會被過度地研磨，產(chǎn)生尖牙32。該尖牙有時會成為半導(dǎo)體裝置的缺陷，降低半導(dǎo)體裝置制造的成品率，基于此種觀點(diǎn)來說是不夠理想的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其不僅可以抑制銅凹陷、銅腐蝕以及絕緣層磨蝕，而且還可以抑制上述尖牙的產(chǎn)生，并且可以沒有銅殘留地以低摩擦均一并且穩(wěn)定地研磨由銅或銅合金構(gòu)成的層。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的特征在于，含有(A)重均分子量為500，000~2,000，000且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子、(B)重均分子量為1，000~10，000且具有選自羧基及磺基中的一種的第二水溶性高分子或其鹽、(C)氧化劑、(D)磨料，pH為7~12。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，所述(A)第一水溶性高分子與所述(B)第二水溶性高分子的質(zhì)量比(A)/(B)可以為0.02~50。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，所述(A)第一水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度可以為50~150mPas。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，所述(B)第二水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度可以為l~5mPas。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，所述(A)第一水溶性高分子可以是具有至少一個如下的結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自乙烯基吡啶、乙烯基吡咯烷酮及乙烯基咪唑中的化合物。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，所述(B)第二水溶性高分子可以是具有至少一個如下的結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自丙烯酸、曱基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、乙烯基磺酸及它們的鹽中的化合物。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體可以還含有(E)配位化合物形成劑及(F)表面活性劑。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的化學(xué)機(jī)械研磨方法，是使用所述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體來研磨半導(dǎo)體基板上由銅或銅合金構(gòu)成的層的方法。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的特征在于，含有(A)重均分子量為500，000~2,000，OOO且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子、以及(B)重均分子量為1，000~10，OOO且具有選自羧基及磺基的一種的第二水溶性高分子或其鹽。上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，如果添加上述第一水溶性高分子，則不僅可以抑制銅凹陷、銅腐蝕以及絕緣層磨蝕，而且還可以抑制尖牙的產(chǎn)生。另一方面，由于被研磨面的研磨速度變慢，因此為了獲得所需的被研磨面就需要更多的研磨時間。另外，由于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的研磨力降低，因此容易產(chǎn)生銅殘留。所以，上述化學(xué)研磨機(jī)械研磨用水系分散體通過再添加第二水溶性高分子或其鹽，就可以在抑制銅凹陷、銅腐蝕、絕緣層磨蝕及尖牙的產(chǎn)生的同時，恢復(fù)因第一水溶性高分子的添加而降低了的研磨速度。另夕卜，利用第二水溶性高分子的添加，可以除去因化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的研磨力的降低而產(chǎn)生的銅殘留。本申請發(fā)明人等確認(rèn)，在(a)成為被研磨面的金屬層是由銅或銅合金構(gòu)成的層，(b)化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的氧化劑為過氧化氫的情況下，更容易產(chǎn)生尖牙。圖1A是表示在半導(dǎo)體裝置的制造中進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨之際產(chǎn)生的尖牙的機(jī)理的剖面圖。圖1B是表示在半導(dǎo)體裝置的制造中進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨之際產(chǎn)生的尖牙的機(jī)理的剖面圖。圖1C是表示在半導(dǎo)體裝置的制造中進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨之際產(chǎn)生的尖牙的機(jī)理的剖面圖。圖2是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法的化學(xué)機(jī)械研磨前的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖3是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法的化學(xué)機(jī)械研磨后的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖4是表示化學(xué)機(jī)械研磨裝置的一部分的概略圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。1.化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的特征在于，含有(A)重均分子量為500,000~2，000，OOO且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子、(B)重均分子量為1，000~10,OOO且具有選自羧基及磺基中的一種的第二水溶性高分子或其鹽、(C)氧化劑、以及(D)磨料，pH為7~12。上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體可以在不妨礙本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，根據(jù)需要含有(E)配位化合物形成劑、(F)表面活性劑、其他的成分。下面，對本發(fā)明的一個實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的各成分進(jìn)行詳述。1.1(A)第一水溶性高分子本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，通過含有重均分子量為500，000~2，000，000、且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子，從而可以抑制銅凹陷、銅腐蝕。第一水溶性高分子由于在其分子內(nèi)具有雜環(huán)，因此與銅的親和性比較良好，通過吸附在銅表面，可以減少研磨摩擦，在研磨中有效地保護(hù)銅配線部分。另外，第一水溶性高分子還具有適度地升高化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度的效果，還可以抑制在微細(xì)配線部端屢屢產(chǎn)生的被稱作尖牙的不均一形狀傷痕的產(chǎn)生。作為可以期待如上所述的效果的第一水溶性高分子，可以舉出具有至少一個如下結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自乙烯基吡啶、乙烯基吡咯烷酮及乙烯基咪唑中的化合物。上述第一水溶性高分子，利用凝膠滲透色鐠(溶劑為水)測定的聚苯乙烯磺酸鈉換算的重均分子量可以優(yōu)選為50萬~200萬，更優(yōu)選為50萬~150萬，特別優(yōu)選為70萬~150萬。如果重均分子量在上述范圍中，則可以減少研磨摩擦，可以抑制銅凹陷、銅腐蝕。另外，可以穩(wěn)定地研磨由銅或銅合金構(gòu)成的層。如果重均分子量小于50萬，則有時會產(chǎn)生尖牙。另一方面，如果重均分子量過大，則有時會無法獲得實(shí)用的研磨速度，從而容易產(chǎn)生銅殘留。另外，有可能在料漿供給裝置內(nèi)引起磨料的凝聚，因凝聚的磨料而使得銅上的擦痕增加。上述第一水溶性高分子的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.005質(zhì)量o/q~1質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％,特別優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~0.2質(zhì)量％。在第一水溶性高分子的添加量小于0.005質(zhì)量％的情況下，有時無法減少研磨摩擦，砂布的溫度有可能上升。其結(jié)果是，還容易因料漿的成分而引起研磨停止這樣的現(xiàn)象(CMP停止)。另外，有時銅過度鍍敷部的銅除去力也會降低。另一方面，如果第一水溶性高分子的添加量超過1質(zhì)量％，則有時由銅或銅合金構(gòu)成的層的研磨速度降低。另外，有時會因化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度變得過高而無法向砂布上穩(wěn)定地供給料漿。其結(jié)果是，產(chǎn)生砂布的溫度上升、研磨不均(面內(nèi)均一性的劣化)等，從而有時產(chǎn)生研磨速度、凹陷的不均。為了避免上述問題，化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度優(yōu)選小于2mPas。另外，本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，可以適用于對銅或銅合金等配線金屬進(jìn)行研磨直至屏蔽層露出的化學(xué)機(jī)械研磨(以下也稱作第一研磨。)中。如果第一水溶性高分子的添加量處于上述范圍，則由于在由銅或銅合金構(gòu)成的層的化學(xué)機(jī)械研磨中，可以實(shí)現(xiàn)低摩擦、高研磨速度，另一方面，可以將屏蔽層的研磨速度抑制為低，因此可以殘留屏蔽層。另外，可以抑制銅凹陷及絕緣層磨蝕，還可以減少銅腐蝕及銅上的擦痕等缺陷。另外，對銅過度鍍敷部的銅研磨力提高，可以提高研磨的穩(wěn)定性、研磨速度的均一性。上述第一水溶性高分子可以利用5質(zhì)量％水溶液的粘度來規(guī)定。使用BM型旋轉(zhuǎn)式粘度計(jì)、在25t:測定的第一水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度優(yōu)選為50~150mPas，更優(yōu)選為50~120mPas，特別優(yōu)選為60~100mPas。如果第一水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度處于上述范圍，則可以減小研磨時的摩擦力，可以抑制尖牙的產(chǎn)生。在第一水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度小于50mPas的情況下，無法充分地減少研磨時的摩擦，從而有時產(chǎn)生尖牙。另一方面，如果第一水溶性高分子的5質(zhì)量o/。水溶液的粘度超過150mPa*s，則由于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度變得過高，因此機(jī)械研磨力降低，容易產(chǎn)生銅殘留。另外，如上所述，本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度最好小于2mPa.s。本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度由于基本上由第一水溶性高分子的重均分子量及添加量決定，因此可以在考慮它們的平衡的同時在所述范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整?？梢詥为?dú)地使用一種上述第一水溶性高分子，然而只要上述第一水溶性高分子的重均分子量或5質(zhì)量o/。水溶液的粘度處于上述范圍，則也可以將重均分子量不同的2種以上的第一水溶性高分子組合使用。1.2(B)笫二水溶性高分子本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，因第一水溶性高分子的添加，有時會產(chǎn)生研磨速度降低、或產(chǎn)生銅殘留的不佳狀況。此種不佳狀況起因于第一水溶性高分子過度地保護(hù)被研磨面。這樣，通過添加第二水溶性高分子，就可以消除此種不佳狀況。本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，通過除了含有笫一水溶性高分子以外，還含有重均分子量為1,000~10，000、且具有選自羧基及磺基中的一種的第二水溶性高分子或其鹽，就可以在抑制銅凹陷、銅腐蝕、絕緣層磨蝕及尖牙的產(chǎn)生的同時，消除由上述第一水溶性高分子的添加造成的不佳狀況。即，第一水溶性高分子微量地帶有正的電荷，而第二水溶性高分子帶有負(fù)的電荷。通過添加該帶有負(fù)的電荷的第二水溶性高分子，就可以抑制第一水溶性高分子向銅表面的過度吸附，防止研磨速度的降低、銅殘留的惡化等。另外，由于第一水溶性高分子與第二水溶性高分子所帶有的電荷不同，因此可以在水系分散體中形成水溶性高分子的網(wǎng)絡(luò)，從而可以有效地對水系分散體賦予適度的粘度，并且緩沖磨料與銅表面的接觸。作為可以期待如上所述的效果的第二水溶性高分子，可以舉出具有至少一個如下結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、乙烯基磺酸及它們的鹽中的化合物。上述第二水溶性高分子，利用凝膠滲透色譜(溶劑為水)測定的聚苯乙烯磺酸鈉換算的重均分子量可以是l，000~10,000。如果重均分子量處于上述范圍，則可以恢復(fù)因第一水溶性高分子的添加而降低的由銅或銅合金構(gòu)成的層的研磨速度。在重均分子量大于10,000的情況下，因與磨料的相互作用會在銅表面上產(chǎn)生很多擦痕。另一方面，在重均分子量小于1，000的情況下，有時無法充分地恢復(fù)因第一水溶性高分子的添加而降低的由銅或銅合金構(gòu)成的層的研磨速度，容易產(chǎn)生銅殘留。上述笫二水溶性高分子的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.005質(zhì)量％~1質(zhì)量％,更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~0.2質(zhì)量％。在第二水溶性高分子的添加量小于0.005質(zhì)量％的情況下，有時無法充分地恢復(fù)因第一水溶性高分子的添加而降低的由銅或銅合金構(gòu)成的層的研磨速度，容易產(chǎn)生銅殘留。另一方面，如果第二水溶性高分子的添加量超過1質(zhì)量％，則第二水溶性高分子的作用變得過大，由銅的蝕刻造成的凹陷、磨蝕變大。另外，在將本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體用于上述第一研磨中的情況下，如果第二水溶性高分子的添加量處于上迷范圍，則在由銅或銅合金構(gòu)成的層的化學(xué)機(jī)械研磨中，可以實(shí)現(xiàn)低摩擦、高研磨速度，另一方面，由于可以將屏蔽層的研磨速度抑制得低，因此可以殘留屏蔽層。另外，銅凹陷及絕緣膜磨蝕得到抑制，還可以減少銅腐蝕及銅擦痕等缺陷。另外，對銅過度鍍敷部的銅研磨力提高，可以提高研磨的穩(wěn)定性、研磨速度的均一性。上述第二水溶性高分子可以利用5質(zhì)量％水溶液的粘度來規(guī)定。使用BM型旋轉(zhuǎn)式粘度計(jì)測定的第二水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度優(yōu)選為1~5mPa's，更優(yōu)選為1~3mPa*s，特別優(yōu)選為1~2mPa-s。如果笫二水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度處于上述范圍，則對銅配線的蝕刻就會有效地作用，可以消除銅殘留。如果第二水溶性高分子的l質(zhì)量M水溶液的粘度超過5mPa's，則容易因第二水溶性高分子與磨料的相互作用而引起磨料的凝聚，成為導(dǎo)致銅配線的擦痕的原因。另外，本實(shí)施方式中，可以規(guī)定化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所含的所述(A)第一水溶性高分子、(B)第二水溶性高分子的質(zhì)量比(A)/(B)。該質(zhì)量比(A)/(B)優(yōu)選為0.02~50，更優(yōu)選為0.05~20，特別優(yōu)選為0.1~10的范圍內(nèi)。如果質(zhì)量比小于0.02，則無法充分地減少研磨時的摩擦，有時會產(chǎn)生尖牙。另外，有時銅凹陷、絕緣層磨蝕變大。另一方面，如果質(zhì)量比大于50,則由于相對于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的粘度上升來說研磨力的恢復(fù)不夠充分，因此容易產(chǎn)生銅殘留?？梢詥为?dú)地使用一種上述第二水溶性高分子，然而只要上述第二水溶性高分子的重均分子量或5質(zhì)量％水溶液的粘度處于上述范圍，則也可以將重均分子量不同的2種以上的第二水溶性高分子組合使用。1.3(C)氧化劑作為本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所用的氧化劑，例如可以舉出過硫酸銨、過硫酸鉀、過氧化氫、硝酸鐵、硝酸鈰銨、硫酸鐵、臭氧及高碘酸鉀等。這些氧化劑可以單獨(dú)使用一種，也可以組合使用兩種以上。另外，這些氧化劑當(dāng)中，如果考慮氧化力、與保護(hù)膜的相合性及處理容易度等，則特別優(yōu)選過硫酸銨、過硫酸鉀及過氧化氫。上述氧化劑的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.03質(zhì)量％~5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05質(zhì)量％~3質(zhì)量％。在氧化劑的添加量小于0.03質(zhì)量％的情況下，由于無法充分地氧化由銅或銅合金構(gòu)成的層，因此有時研磨速度降低。另一方面，如果超過5質(zhì)量％，則由銅或銅合金構(gòu)成的層的腐蝕、銅凹陷有可能變大。1.4(D)磨料作為本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所用的磨料，優(yōu)選無機(jī)粒子或有機(jī)無機(jī)復(fù)合粒子。作為無機(jī)粒子，可以舉出利用熱解法使氯化硅、氯化鋁或氯化鈦等與氧及氫在氣相中反應(yīng)而合成的熱解法二氧化硅、熱解法氧化鋁、熱解法二氧化鈦；利用溶膠凝膠法將金屬醇鹽水解縮合而合成的二氧化硅；利用無機(jī)膠體法等合成并利用提純除去了雜質(zhì)的高純度膠態(tài)二氧化硅等。作為上述有機(jī)無機(jī)復(fù)合粒子，只要有機(jī)粒子與無機(jī)粒子被以在研磨時不會容易地分離的程度一體化形成，對于其種類、構(gòu)成等就沒有特別限定。例如可以舉出如下的復(fù)合粒子，即，在聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸曱酯等聚合物粒子的存在下，使烷氧基硅烷、鋁醇鹽、鈦醇鹽等縮聚，在聚合物粒子的至少表面形成有聚硅氧烷、聚鋁氧烷、聚鈦氧烷等縮聚物的復(fù)合粒子。所形成的縮聚物既可以與聚合物粒子的官能團(tuán)直接結(jié)合，也可以借助硅烷偶聯(lián)劑等與之結(jié)合。另外，有機(jī)無機(jī)復(fù)合粒子也可以使用上述聚合物粒子和二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈦粒子等來形成。該情況下，所述復(fù)合粒子既可以將聚硅氧烷、聚鋁氧烷、聚鈦氧烷等縮聚物作為粘合劑，以在聚合物粒子的表面存在二氧化硅粒子等的方式形成，也可以將二氧化硅粒子等所具有的羥基等官能團(tuán)與聚合物粒子的官能團(tuán)化學(xué)結(jié)合而形成。另外，作為有機(jī)無機(jī)復(fù)合粒子，也可以使用Zeta電位的符號相互不同的有機(jī)粒子與無機(jī)粒子在含有這些粒子的水分散體中利用靜電力結(jié)合而成的復(fù)合粒子。有機(jī)粒子的Zeta電位在整個pH范圍中、或者在除去低pH范圍的廣泛pH范圍中多為負(fù)。有機(jī)粒子如果含有羧基、磺酸基等，則經(jīng)常更為可靠地具有負(fù)的Zeta電位。如果有機(jī)粒子具有氨基等，則有時也會在特定的pH范圍中具有正的Zeta電位。另一方面，無機(jī)粒子的Zeta電位的pH依賴性高，具有Zeta電位達(dá)到0的等電點(diǎn)，受pH影響在其前后Zeta電位的符號逆轉(zhuǎn)。所以，通過將特定的有機(jī)粒子與無機(jī)粒子在它們的Zeta電位成為相反符號的pH范圍混合，就可以利用靜電力將有機(jī)粒子與無機(jī)粒子結(jié)合，從而一體化而形成復(fù)合粒子。另外，即使在混合時的pH下Zeta電位是相同符號，也可以通過在其后使pH變化，將一方的粒子、特別是將無機(jī)粒子的Zeta電位變?yōu)橄喾捶?，而將有機(jī)粒子與無機(jī)粒子一體化。像這樣利用靜電力而一體化了的復(fù)合粒子，也可以通過在該復(fù)合粒子的存在下，使烷氧基硅烷、鋁醇鹽、鈦醇鹽等縮聚，從而在其至少表面上進(jìn)一步形成聚硅氧烷、聚鋁氧烷、聚鈦氧烷等縮聚物。上述磨料的平均粒徑優(yōu)選為5~1000nm。該平均粒徑可以利用激光散射衍射型測定機(jī)、或者利用透射型電子顯微鏡的觀察來測定。如果平均粒徑小于5nm，則有時無法獲得研磨速度足夠大的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。如果超過1000nm，則有時對凹陷及磨蝕的抑制不夠充分，另外，有時因磨料的沉降、分離而無法容易地獲得穩(wěn)定的水系分散體。磨料的平均粒徑只要為上述范圍即可，然而更優(yōu)選10700nm，特別優(yōu)選15500nm。如果平均粒徑處于該范圍，則研磨速度大，凹陷及磨蝕充分地受到抑制，并且難以產(chǎn)生粒子的沉降或分離，可以獲得穩(wěn)定的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。但是，如果鐵、鎳、鋅等金屬離子殘留于進(jìn)行了化學(xué)機(jī)械研磨處理的半導(dǎo)體裝置中，則經(jīng)常會引起成品率降低，因此本發(fā)明中，即使在磨料中含有這些金屬離子的情況下，最好是其量通常為10ppm以下，優(yōu)選為5ppm以下，更優(yōu)選為3ppm以下，特別優(yōu)選為lppm以下的磨料。當(dāng)然最好在磨料中不含有這些金屬離子。上述磨料優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.01~5質(zhì)量%,更優(yōu)選為0.02~4質(zhì)量％。如果磨料量小于0.01質(zhì)量％，則有時無法獲得足夠的研磨速度，如果超過5質(zhì)量％，則有時成本變高并且無法獲得穩(wěn)定的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。1.5(E)配位化合物形成劑作為本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中所用的配位化合物形成劑，可以舉出形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑、形成水溶性配位化合物的配位化合物形成劑。而且，這里所說的水不溶性，是指基本上不溶于水，如果在與氧化劑共存的狀態(tài)下的濕式蝕刻速度小于3nm/分鐘，則也包括水難溶性。另一方面，所謂水溶性包括濕式蝕刻速度為3nm/分鐘以上。上述配位化合物形成劑，在形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑或形成水溶性配位化合物的配位化合物形成劑當(dāng)中，既可以分別單獨(dú)地使用，也可以組合使用兩種以上。上述配位化合物形成劑的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.0005質(zhì)量％~4.0質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05質(zhì)量％~2.0質(zhì)量％。在添加量小于0.0005質(zhì)量o/。的情況下，^f艮難將銅凹陷抑制為20nm以下。另一方面，如果配位化合物形成劑的添加量超過4.0質(zhì)量％，則研磨速度有可能降低。1.5.1形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑作為與銅等金屬形成對于水是不溶性或難溶性的配位化合物的配位化合物形成劑，例如可以舉出由含有至少一個氮原子的六元雜環(huán)、五元雜環(huán)構(gòu)成的雜環(huán)化合物。更具體來說，可以舉出喹哪啶酸、喹啉酸、苯并三唑、苯并咪唑、7-羥基-5-曱基-1，3，4-三氮吲哚利喚、煙酸及皮考啉酸等。另外，在陰離子系表面活性劑當(dāng)中，有可以作為形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑使用的陰離子系表面活性劑。特別優(yōu)選烷基苯磺酸鹽，例如可以舉出十二烷基苯磺酸鉀及十二烷基苯磺酸銨等。形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.0005質(zhì)量％~2.0質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.0075質(zhì)量％~1.5質(zhì)量％。在形成水不溶性配位化合物的配位化合物形成劑的添加量小于0.0005質(zhì)量％的情況下，銅凹陷有可能變大。另一方面，如果超過2.0質(zhì)量％,則有時無法獲得足夠大的銅研磨速度。1.5.2形成水溶性配位化合物的配位化合物形成劑用，例如可以舉出作為氨基酸的甘氨酸、丙氨酸及色氨酸等。另外，具有相同的作用的有機(jī)酸也是有效的。例如可以舉出曱酸、乳酸、乙酸、酒石酸、富馬酸、乙醇酸、酞酸、馬來酸、草酸、檸檬酸、蘋果酸、丙二酸及戊二酸等。另外，也可以使用氨、乙二胺及TMAH(四甲基氫氧化銨)等堿性鹽。形成水溶性配位化合物的配位化合物形成劑的添加量隨金屬種類而不同，然而優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.0005質(zhì)量%~2.0質(zhì)量o/。，更優(yōu)選為0.0075質(zhì)量％~1.5質(zhì)量％。在添加量小于0.0005質(zhì)量％的情況下，無法以足夠大的速度研磨銅。另一方面，如果超過2.0質(zhì)量％，則有可能產(chǎn)生很大的銅凹陷、銅腐蝕。1.6(F)表面活性劑在本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體中，根據(jù)需要，可以添加非離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑或陽離子性表面活性劑。作為上述非離子性表面活性劑，例如可以舉出具有三鍵的非離子性表面活性劑。具體來說，可以舉出炔二醇、其環(huán)氧乙烷加成物及炔醇等。另外，也可以使用硅酮系表面活性劑、聚乙烯基醇、環(huán)糊精、聚乙烯基甲基醚及羥乙基纖維素等。作為上述陰離子性表面活性劑，例如可以舉出脂肪族肥皂、硫酸酯鹽及磷酸酯鹽等。作為上述陽離子性表面活性劑，例如可以舉出脂肪族胺鹽及脂肪族銨鹽等。這些表面活性劑可以單獨(dú)使用一種或組合使用兩種以上。另外，所述表面活性劑當(dāng)中，優(yōu)選重均分子量小于第一水溶性高分子的非離子性表面活性劑。在配合了第一水溶性高分子以外的高分子量化合物的情況下，有可能產(chǎn)生研磨速度大幅度降低、凹陷大幅度劣化等不佳狀況。上述表面活性劑的添加量優(yōu)選為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量的0.001質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.05質(zhì)量％~0.3質(zhì)量％。如果表面活性劑的添加量處于上述范圍，則可以充分地抑制銅凹陷。1.7其他成分此外，本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體根據(jù)需要還可以含有pH調(diào)整劑、防腐蝕劑等。1.7.1pH調(diào)整劑作為pH調(diào)整劑，可以舉出有機(jī)堿、無機(jī)堿或無機(jī)酸。作為有機(jī)堿，可以舉出四曱基氫氧化銨、三乙胺等。作為無機(jī)堿，可以舉出氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、氫氧化鎂等。作為無機(jī)酸，可以舉出硝酸、硫酸、鹽酸、乙酸等。本實(shí)施方式的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的pH沒有特別限定，可以使用上述pH調(diào)整劑進(jìn)行調(diào)整。而且，根據(jù)發(fā)明人等的研究，確認(rèn)在堿性范圍中更容易產(chǎn)生尖牙，然而由于上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體可以抑制尖牙的產(chǎn)生，因此即使在堿性范圍(pH7~12)中也可以較好地使用。上述pH調(diào)整劑的添加量相對于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量優(yōu)選為0.005質(zhì)量％~5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~3.5質(zhì)量％。1.7.2防腐蝕劑作為防腐蝕劑，可以舉出苯并三唑及其衍生物。這里，所謂苯并三唑衍生物，是指將苯并三唑所具有的1個或2個以上的氫原子例如用羧基、甲基、氨基、羥基等取代而成的化合物。作為苯并三唑衍生物，可以舉出4-羧基苯并三唑及其鹽、7-羧基苯并三唑及其鹽、苯并三唑丁基酯、l-羥基甲基苯并三唑或l-羥基苯并三唑等。上述防腐蝕劑的添加量相對于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的質(zhì)量優(yōu)選為0.005質(zhì)量％~0.1質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％~0.05質(zhì)量％。2.化學(xué)機(jī)械研磨方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法使用附圖對本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法詳細(xì)說明如下。2.1第一具體例2.1.1被處理體圖2表示第一具體例的化學(xué)機(jī)械研磨方法的被處理體100。圖2雖然與圖1A所示的^^處理體相同，然而在這里包含各層的材質(zhì)等而進(jìn)行說明。被處理體100在形成有半導(dǎo)體元件(未圖示)的基體10上設(shè)有由氧化硅構(gòu)成的絕緣層12,蝕刻絕緣層12而形成配線用凹部20。絕緣層12例如可以由PETEOS層、電容率為3.5以下的絕緣層等構(gòu)成，優(yōu)選電容率為3.5以下的絕緣層，更優(yōu)選為3.0以下的絕緣層。然后，被處理體100以將絕緣層12的表面以及配線用凹部20的底部及內(nèi)壁面覆蓋的方式設(shè)有屏蔽層14。這里，屏蔽層14例如可以利用鉭、氮化鉭等來形成。繼而，被處理體100將銅或銅合金填充到配線用凹部20中，在屏蔽層14上層疊而形成。另外，被處理體100包含含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域22、以及不含有銅或銅合金的微細(xì)配線的區(qū)域24。而且，在含有微細(xì)配線的區(qū)域22中，容易形成銅或銅合金的凸部。2.1.2第一研磨圖3表示第一研磨后的被處理體100的剖面圖。第一研磨中，使用上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，對由銅或銅合金構(gòu)成的層16中的埋沒在配線用凹部20中的部分以外進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，直至屏蔽層14的表面露出。第一研磨中，可以使用如圖4所示的化學(xué)機(jī)械研磨裝置。圖4表示化學(xué)機(jī)械研磨裝置的概略圖。如圖4所示，被處理體100的化學(xué)機(jī)械研磨是通過如下過程進(jìn)行的，即，在從料漿供給噴嘴42供給化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體(料漿44)，并且一邊使貼附有砂布46的轉(zhuǎn)臺48旋轉(zhuǎn)，一邊使保持半導(dǎo)體基板50的頂環(huán)(topring)52抵接。而且，圖4中還一并示出水供給噴嘴54及整形器56。頂環(huán)52的研磨載荷可以在10~1，000gf/cm2(0.98~98kPa)的范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選為30~500gf/cm2(2.94~49kPa)。另外，轉(zhuǎn)臺48及頂環(huán)52的轉(zhuǎn)速可以在10~400rpm的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選為30~150rpm。從料漿供給噴嘴42供給的料漿44的流量可以在10~1,000cm"分鐘的范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選為50400cm"分鐘。利用上述的第一研磨，可以獲得如圖3所示的半導(dǎo)體裝置，其不僅可以抑制銅凹陷、銅腐蝕及絕緣層磨蝕，而且可以抑制尖牙的產(chǎn)生，同時沒有銅殘留，平坦性優(yōu)良。3.實(shí)施例以下利用實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行說明，然而本發(fā)明并不受該實(shí)施例的任何限定。3.1化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的配制向聚合容器中分別添加離子交換水、0.2質(zhì)量o/。的作為磨料的膠態(tài)二氧化硅(扶桑化學(xué)公司制、一次粒徑30nm)、分別為0.2質(zhì)量％和0.3質(zhì)量o/。的作為配位化合物形成劑的喹哪啶酸和甘氨酸、0.1質(zhì)量％的作為表面活性劑的十二烷基苯磺酸鉀、相當(dāng)于0.1質(zhì)量％的量的作為氧化劑的過氧化氫及相當(dāng)于表1所示的實(shí)施例1~9的量的第一、第二水溶性高分子。另外為了將pH調(diào)整為9.3附近，適量地添加氨并攪拌15分鐘，通過用孔徑5jim的過濾器過濾，得到目標(biāo)化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。另外，在剛要進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨之前添加總量的0.1質(zhì)量％的、作為氧化劑的過氧化氫，充分地攪拌后使用。而且，對于pH、粘度等物性，為表l所示的結(jié)果。3.2研磨性能評價在化學(xué)機(jī)械研磨裝置(AppliedMaterials公司制、型號"Mirra")上貼附多孔聚氨酯制研磨墊(RohmandHassElectricMaterials^>司制、商品編號"IC1010"),供給"3.1化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的配制"中配制的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。3.2.1研磨條件對于進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨之際的各種條件，如下所示?！鲅心ヮ^轉(zhuǎn)速120rpm研磨頭載荷1.5psi(10.3kPa)轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)速120rpm化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體供給速度200cmV分鐘3.2.2銅研磨速度的計(jì)算使用在8英寸的帶有熱氧化膜的珪基板上設(shè)置有膜厚1500nm的銅膜的材料，在"3.2.1研磨條件"的條件下進(jìn)行1分鐘化學(xué)機(jī)械研磨處理，使用導(dǎo)電式膜厚測定儀(KLATENCOR公司制、型號"OmnimMapRS75"測定處理前后的膜厚，根據(jù)處理前后的膜厚及研磨處理時間算出研磨速度。將它們的結(jié)果表示于表2中。3.2.3帶圖案基板的研磨試驗(yàn)將帶圖案晶片(SEMATECHINTERNATIONAL公司制、型號"SEMATECH854")作為被研磨物使用。將從研磨開始到利用從轉(zhuǎn)臺上產(chǎn)生的紅外線檢測到的終點(diǎn)為止的時間設(shè)為終點(diǎn)時間，將研磨時間設(shè)為終點(diǎn)時間的1.2倍。在"3.2.1研磨條件"的條件下進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨處理，如下所示評價銅殘留、凹陷、磨蝕、尖牙及擦痕。3.2.3a銅殘留的評價對于研磨后的晶片，利用光學(xué)顯微鏡(奧林巴斯^J^司制、"MX-50")觀察了微細(xì)配線部分(行/間隙-0.18lim/0.18um)及非配線部分(襯底部分)。將未觀察到銅殘留的記作O,將觀察到銅殘留的記作x。將它們的結(jié)果表示于表2中。3.2.3b凹陷的評價對于寬100nm的銅配線部與寬100um的絕緣部交互連續(xù)而成的圖案在與長度方向垂直的方向上連續(xù)了3.0mm的部分，使用精密高度差計(jì)(KALTENCOR^iS司制、型號"HRP-240")，測定配線寬100Hm部分的銅配線的凹入量(凹陷)。將它們的結(jié)果表示于表2中。一般來說，如果凹陷為50nm以下，則可以判斷為良好。3.2.3c磨蝕的評價對寬9nm的銅配線部與寬1nm的絕緣部交互連續(xù)而成的圖案在長度方向上連續(xù)了1.25mm的部分，使用精密高度差計(jì)(KLATENCOR公司制、型號"HRP-240")，測定配線組的中央部相對于兩端部的凹入量(磨蝕)。將它們的值設(shè)為Re,將結(jié)^示于表2中。一般來說，如果磨蝕為50nm以下，則可以判斷為良好。3.2.3d尖牙的評價對寬9]um的銅配線部與寬lnm的絕緣部交互連續(xù)而成的圖案在長度方向上連續(xù)了1.25mm的部分，使用精密高度差計(jì)(KLATENCOR公司制、型號"HRP-240")，測定配線組的兩端外側(cè)的銅的凹入量。將它們的值設(shè)為Rf，將Rf的值在Re的值以下的情況設(shè)為O，將在其以上的情況設(shè)為x。將它們的結(jié)果表示于表2中。3.2.3e擦痕的評價使用光學(xué)顯微鏡，在暗視野中隨機(jī)地算出200處銅配線部分的范圍120nmx120nm的單位區(qū)域，將產(chǎn)生擦痕的單位區(qū)域的個數(shù)作為擦痕數(shù)進(jìn)行測定。將它們的結(jié)果表示于表2中。3.3比較例1~16比較例1~7是含有作為第一水溶性高分子的聚乙烯基吡咯烷酮、作為第二水溶性高分子的聚丙烯酸的例子。比較例1及2是第一水溶性高分子的重均分子量過小的例子。比較例3及4是第一水溶性高分子的重均分子量過大的例子。比較例5是第一7jc溶性高分子的重均分子量過小的例子。比較例6是第二7JC溶性高分子的重均分子量過小的例子。比較例7及8是第二水溶性高分子的重均分子量過大的例子。比較例9是作為第一水溶性高分子使用了不具有雜環(huán)的聚乙烯基醇的例子。比較例10是作為第一水溶性高分子使用了不具有雜環(huán)的丙烯酰胺-二甲基氨基乙基丙烯酰胺共聚物的例子。比較例11是不含有第二水溶性高分子的例子。比較例12是不含有第一水溶性高分子的例子。比較例13是含有作為第一水溶性高分子的羥乙基纖維素、作為第二水溶性高分子的聚甲基丙烯酸并且第二水溶性高分子的重均分子量過大的例子。比較例14是作為第二水溶性高分子含有多聚磷酸且不含有第一水溶性高分子的例子。比較例15是不含有任何水溶性高分子的例子。比較例16是化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的pH為5.2的例子。[表II<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>權(quán)利要求1.一種化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其特征在于，含有(A)重均分子量為500,000～2,000,000、且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子；(B)重均分子量為1,000～10,000、且具有選自羧基及磺基中的一種的第二水溶性高分子或其鹽；(C)氧化劑；以及(D)磨料，且pH為7～12。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，所述(A)第一水溶性高分子與所述(B)第二水溶性高分子的質(zhì)量比(A)/(B)為0.02~50。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，所述(A)第一水溶性高分子的5質(zhì)量％水溶液的粘度為50~150mPas。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，所述(B)第二水溶性高分子的5質(zhì)量n/。水溶液的粘度為1~5mPas。5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，所述(A)第一水溶性高分子是具有至少一個如下結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自乙烯基吡啶、乙烯基吡咯烷酮及乙烯基咪唑中的化合物。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，所述(B)第二水溶性高分子是具有至少一個如下結(jié)構(gòu)單元的共聚物，所述結(jié)構(gòu)單元來源于選自丙烯酸、曱基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、乙烯基磺酸及它們的鹽中的化合物。7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其中，還含有(E)配位化合物形成劑及(F)表面活性劑。8.—種半導(dǎo)體裝置的化學(xué)機(jī)械研磨方法，使用權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，研磨半導(dǎo)體基板上由銅或銅合金構(gòu)成的層。全文摘要本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其特征在于，含有(A)重均分子量為500,000～2,000,000且在分子內(nèi)具有雜環(huán)的第一水溶性高分子、(B)重均分子量為1,000～10,000且具有選自羧基及磺基中的一種的第二水溶性高分子或其鹽、(C)氧化劑、以及(D)磨料，pH為7～12。文檔編號B24B37/00GK101490814SQ200780026430公開日2009年7月22日申請日期2007年9月27日優(yōu)先權(quán)日2006年10月6日發(fā)明者仕田裕貴,元成正之,浪江祐司,竹村彰浩,金野智久申請人:Jsr株式會社