專利名稱：用于在容器內(nèi)表面上沉積涂層的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在由熱塑性材料制成的容器內(nèi)表面沉積涂層的裝置， 在這類裝置中沉積是由低壓等離子體來完成的，該等離子體由微波類電磁 波激發(fā)前體氣體在容器中產(chǎn)生，在這類裝置中容器被置于由導電材料制作 的腔體中，微波被引入該腔體，該裝置包括a)電磁波發(fā)生器；b)電磁 波導，用來將發(fā)生器連接到腔體的側(cè)壁上的窗口上，使得在該腔體中形成 至少一個中心區(qū)；c)用來注射前體氣體的設(shè)備；d)用來抽吸腔體和容器
內(nèi)部容積的設(shè)備；以及e)內(nèi)部殼體，與腔體同軸并基本上透過電磁波， 該內(nèi)部殼體例如是由石英制作，并且限定一個圓柱形腔室，在前體氣體激 發(fā)期間容器被置于該圓柱形腔室中。
背景技術(shù)：
圖1說明了一種根據(jù)FR2792854設(shè)計的裝置，用來逐一地處理容器， 該裝置是處理站1的形式，該處理站適合于在由熱塑性塑料制作的容器的 內(nèi)表面上低壓等離子體沉積涂層，如優(yōu)選地但非限定性地，容器是由聚對 苯二酸乙二酯制作的一種瓶，所形成的涂層可由烴基或硅基材料構(gòu)成。
簡單地說，該處理站l包括一個由導電材料，特別是一種金屬制作的 外部腔體2，該外部腔體2是具有軸A的圓柱形并具有可促進微波類電磁 場的特殊耦合模式的尺寸。一種設(shè)置于腔體2外的發(fā)生器3能夠在微波范 圍產(chǎn)生電磁場，其頻率可以是2.45GHz或915MHz，該發(fā)生器3是超高頻 (Ultra-High Frequency, UHF)電磁波發(fā)生器類。由該發(fā)生器3產(chǎn)生的電 磁輻射通過徑向延伸的隧道形波導4被引入腔體2，波導4通過在腔體2 中形成的矩形窗口 5而出現(xiàn)在所述腔體的約中間高度處。波導4的形狀和 尺寸本身也適應(yīng)于來使腔體2中的微波場有較好的耦合。
置于腔體2中的殼體6與腔體2同軸而且可基本上透過微波，該殼體 在腔體2中限定一個與腔體2同軸的圓柱形腔室7。在實踐中，該殼體6 例如由石英制作。該腔室7在底部由腔體2的橫向底壁以及在頂部由用于 形成密封保護的蓋9隔離，以這種方式在腔室7中產(chǎn)生真空。待處理的容
器10被放置成與腔體2和腔室7基本同軸。
在被討論的具體實施方式
中，蓋9是可移開的以將待處理的容器10 引入到腔室7中。然而還可以配置一種固定的蓋及形成在腔體2的橫向底 壁中的可移開的底部來從下面引入或移出容器。設(shè)置在蓋9上的是通過頸 部12來支撐容器10的設(shè)備11、在腔室7中產(chǎn)生各種級別真空的設(shè)備以 及用于將反應(yīng)流體注射到容器10中的設(shè)備，該流體包含需要沉積到容器 的內(nèi)壁上的材料的至少一種前體，所述注射設(shè)備包括部分延伸到容器中的 —注射管13。
該裝置還包括軸A的單獨的上部和下部環(huán)形板14、 15，這些環(huán)形板在 腔體2中圍繞殼體6布置。該兩個環(huán)形板14、 15相對于彼此軸向地偏移 以便在軸向上被布置在窗口 5的兩側(cè)，波導4通過該窗口出現(xiàn)在腔體2 中。然而，他們各自的軸向位置可以根據(jù)待處理的容器IO形狀的不同而 變化。由導電材料制成的環(huán)形板14、 15用來為形成于腔體2中的電磁場 形成短路，致使該電磁場被軸向限制來獲得在有效處理區(qū)域的最大強度。
但是，在如上所述的裝置中的等離子體涂覆方法，盡管正確地進行操 作，也有可能遭受會導致涂層的沉積不均勻的某些危險。
這是因為通常難以精確控制等離子體的點火和其穩(wěn)定性，不穩(wěn)定的等 離子體會引起在容器的內(nèi)表面上形成不均勻涂層的危險。
目前，為了檢測等離子體是否穩(wěn)定，利用光度傳感器(luminosity sensor)測量容器中的光強度。如果檢測到光強度不穩(wěn)定，就因此而認為 該等離子體不穩(wěn)定而且由此任意地認為涂層不能正確沉積，那么容器就作 為廢品從生產(chǎn)線上撤下。
因此，如果通過用于每小時在內(nèi)部涂覆幾千個容器的裝置進行涂層的 沉積，就有必要盡可能地減少被不正確涂覆的容器所占的百分比，其代表 了廢品而且數(shù)量可能達到每天幾百個。目前由于潛在地沒有被正確地涂覆 而廢棄的容器的百分比約為0.5%。降低這個百分比以便減少由這類裝置 產(chǎn)生的廢料并因此減少原材料的相應(yīng)摜失將是特別有益的。
另外，當電磁波傳輸進入腔體中時，被注射管反射并趨向于沿注射管 后部向處理裝置的中心上升，引起該裝置故障以及使可用在處理腔體中的-電磁能量損失的危險，因此就具有等離子體不穩(wěn)定的危險。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種涂覆容器的內(nèi)壁的裝置，使得在容器中的前體 氣體優(yōu)化分布來形成均勻的涂層以及防止電磁波沿注射管上升。
本發(fā)明涉及一種用于在容器內(nèi)壁上沉積涂層的裝置，使得在微波傳輸 期間可以激發(fā)并促進等離子體的形成，本發(fā)明還涉及防止用在腔體處理中 的電磁能量的損失，從而形成更加穩(wěn)定的等離子體以及形成用來在內(nèi)部涂
覆容器的生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線的容器廢品率基本上低于0.5%而且有益地趨 向于零。
為了實現(xiàn)該目的，本發(fā)明提供一種用來在由熱塑性塑料制作的容器的 內(nèi)表面沉積涂層的裝置，在該類裝置中，沉積是通過低壓等離子體來進行， 等離子體是通過由超高頻(UHF)微波類電磁波激發(fā)前體氣體而在容器中 產(chǎn)生的，在該類裝置中，容器被置于由導電材料制作的腔體中，微波被引 入該腔體中，所述裝置包括 一種超高頻(UHF)電磁波發(fā)生器； 一種用 來將該發(fā)生器連接到腔體側(cè)壁中的窗口的電磁波導，使得在腔體中產(chǎn)生至
少一個中心場；用來注射前體氣體的設(shè)備，包括部分地延伸進入容舉中的
注射管；用來抽吸腔體和容器內(nèi)部容積的裝置；以及內(nèi)部殼體，其與腔體 同軸并基本上透過電磁波，殼體例如由石英制作，并限定一圓柱形腔室， 在前體氣體激發(fā)期間容器被置于該圓柱形腔室中，其特征在于，注射管浸 入容器中，浸入長度在容器的上部和底部之間計算的容器總高度的四分之 一到二分之一之間，注射管的長度構(gòu)成能夠接收到由所述發(fā)生器產(chǎn)生的超 高頻(UHF)電磁波的縱向天線，其中，在注射管上以這樣一種方式設(shè)置 盤形微波短路，使得面向腔體的一側(cè)上的所述盤的表面限定了沿注射管傳 播的電磁波的零振幅點，在短路和注射管的自由端之間的長度相應(yīng)于四分 之一波長的一奇數(shù)值以便獲得在注射管自由端的一個最大振幅(也就是電 磁波的被腹)。
以這種方式，由于注射管的該自由端相應(yīng)于沿注射管傳播的電磁波的 波腹，以及由于該自由端長度設(shè)置在容器總高度的二分之一和四分之一之 間，因此穩(wěn)定的等離子體的點火就變得容易了，這是因為注射管的該自由 端相應(yīng)于對給定波長具有最大鬼磁波強度而且在容器中具有均勻分布的 前體氣體的這樣一個點。 為了使電磁波具有零振幅和至少部分阻止沿注射管的傳播，該短路是 圓形徑向盤，注射管穿過該圓形徑向盤中心。因此沿注射管的表面電流在 指向腔體的一側(cè)的那個圓形盤表面上是零。
為了提高阻擋效應(yīng)，以此阻擋沿注射管的電磁波的傳播， 一種與注射 管同軸并指向腔體的環(huán)形裙部支撐在圓形徑向盤上。
有利地，根據(jù)本發(fā)明的短路的第一具體實施方式
，環(huán)形裙部支撐在圓 形盤的外部邊緣上。
為了使注射管與裝置的其他部分電絕緣，該圓形盤和注射管不能與腔 體的其他部分接觸而且可以被嵌入一種電介質(zhì)塞子中，注射管軸向穿過該 塞子。
有利地，根據(jù)本發(fā)明的短路的第二個具體實施方式
，圓形盤具有一個 直徑大于注射管直徑的中心孔，而且環(huán)形裙部支撐在該圓形盤的內(nèi)部邊緣上。
為了防止電磁場沿圓形盤的注射管下游向上傳播，環(huán)形裙部的內(nèi)表面 的高度約等于由發(fā)生器發(fā)射的并在電介質(zhì)中流通的電磁波波長的四分之 一，圓形盤和環(huán)形裙部位于該電介質(zhì)中。另外，環(huán)形裙部的自由端因此相 應(yīng)于該電磁波的波腹，因此相應(yīng)于最大電壓和最小電流，因此降低了焦耳 熱損失。由于在環(huán)形裙部自由端具有最小的焦耳熱損失，該自由端的未控 制的加熱就被防止了。
為了控制沿注射管的電磁場，在被稱為襯套的圓柱形部件和注射管之 間的環(huán)形間隔中設(shè)置短路。
為了抽吸容器的內(nèi)部容積，圓柱形部件的該端以密封形式支撐在容器 的頂部。
為了在電磁場產(chǎn)生過程中和在容器的內(nèi)壁沉積涂層過程中穩(wěn)定等離 子體，以及減少涂層不均勻地沉積到容器的內(nèi)壁上，根據(jù)本發(fā)明的裝置包 括高電壓信號發(fā)生器裝置，該高電壓信號發(fā)生器裝置被耦合到注射管而且 能夠向注射管發(fā)送高電壓正弦信號。
根據(jù)為了最大化穩(wěn)定容器中產(chǎn)生的等離子體的較佳實施方式，高電壓
正弦信號具有500 3000V之間的電壓。
有利地，高電壓正弦信號由衰減的正弦信號的多個信號構(gòu)成。
有利地，所述信號的載波頻率在1 50kHz之間。
根據(jù)一個有利的實施方式，所述信號的包絡(luò)頻率(envelope frequency) 在綱 10000Hz之間。
有利地，所述包絡(luò)頻率在500 2000Hz之間。
有利地，在所述周波之一的末端高電壓信號的峰值衰減為該周波的第 一波峰峰值的0 60%。
有利地，在所述周波之一的末端高電壓信號的峰值衰減為該周波的第 一波峰峰值的20 40%。
為了更好地阻擋電磁波沿注射管傳播，圓形盤的直徑至少大于注射管 直徑的兩倍。
為了降低未被本發(fā)明所設(shè)置的短路的圓形盤阻擋的電磁波能量，一第 二圓形盤被徑向固定到圓形盤的注射管上游。
有利地，在圓形盤和所述第二圓形盤之間的距離相應(yīng)于由所述發(fā)生器 產(chǎn)生的電磁波的多個半波長。


通過對以下某些較佳實施方式的詳細說明，可以更清楚地理解本發(fā) 明，該實施方式完全是以非限定的實施例的方式給出。結(jié)合附圖進行說明，
其中
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于逐一處理容器的裝置的橫截面?zhèn)纫晥D。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的用于逐一處理容器的裝置的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的裝置的注射管上設(shè)置的短路的橫截面圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的注射管上設(shè)置的短路的變換實施方式。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的裝置的變換實施方式的橫截面主視圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明的裝置的另一實施方式的橫截面屈。
具體實施例方式
正如已經(jīng)描述的，圖1是用于熱塑性塑料容器10的內(nèi)表面上沉積涂 層的裝置的示意圖，在該類裝置中，沉積是通過低壓等離子體進行的，該 等離子體是通過由微波類超高頻(UHF)電磁波激發(fā)前體氣體而在容器中 產(chǎn)生，在該類裝置中，容器10被置于由導電材料制作的腔體2中，微波 被引入該腔體，所述裝置包括 一種超高頻(UHF)電磁波發(fā)生器3; —
種電磁波導4，用于將所述發(fā)生器3連接到腔體2的側(cè)壁中的窗口 5上； 用來注射前體氣體的設(shè)備；用來抽吸腔體2和容器10的內(nèi)部容積的設(shè)備； 以及內(nèi)部殼體6，其與腔體2同軸并具有產(chǎn)生在腔體2中的至少一個中心 場，所述殼體可基本上透過電磁波，殼體例如是由石英制作，并且限定一 個圓柱形腔室7，在激發(fā)前體氣體期間容器IO被置于該腔室中。
圖2是用于逐一處理容器10以在容器10的內(nèi)表面上沉積涂層的裝置 1的一個具體實施方式
的示意性剖視圖。
根據(jù)該實施方式，用來將前體氣體注射到容器10的內(nèi)部容積的設(shè)備 是采用注射管13的形式，該注射管構(gòu)成能夠接收到由發(fā)生器3產(chǎn)生的超 高頻電磁波的一縱向天線16，基本上沿著由容器IO、腔體2和殼體6所 限定的中心軸A設(shè)置。該天線16的第二功能是傳播由高電壓信號發(fā)生器 裝置28傳送的高電壓信號，后面將對此進行說明。
在本說明書的其他部分，注射管13的概念也表示天線16，這兩個部 件是同一的。
有利地，容器IO采用具有頸部12、底部17和頂部18的瓶形式，本 發(fā)明的原理可應(yīng)用于具有底部和頂部的任何形式的容器，也就是說具有一 封閉端和一開口端。
為了使注射氣體良好地流入容器10的內(nèi)部容積中以及確保這些氣體 均勻地分布于該內(nèi)部容積中，注射管13的自由端13a被浸入到容器10 中直到容器10總高度的四分之一和二分之一之間的長度，也就是被浸入 的長度在容器10的頂部18和底部17的距離的四分之一和二分之一之間。 因此，由于被注射到容器10的內(nèi)部容積中的氣體具有較好的分布，在電 磁激發(fā)期間就可以獲得更穩(wěn)定的等離子體。
有利地，在容器IO外的較后部的部分中的注射管13上以電接觸的方 式設(shè)置一種超高頻短路19，以便使沿注射管13的電磁波的傳播短路。
根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施方式
，如圖3所示，短路19采用塞子20 的形式，優(yōu)選是由電介質(zhì)制成，如聚醚醚酮(polyetheretherketone),注 射管13軸向穿過該塞子并且盤21被嵌入在該塞子中，有利地，該盤是圓 形的、輻射狀的、導電的而且優(yōu)選是金屬的，注射管13穿過該盤中心， 圓形盤21的直徑小于塞子20的直徑。
可選擇的是，短路19僅由圓形盤21構(gòu)成。
在這兩種情況下，沿注射管13傳播的電磁波在指向腔體2的圓形盤 21的那一側(cè)上具有零振幅。
與注射管13同軸的環(huán)形裙部22支撐在圓形盤21上并指向腔體2。 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，圓形盤22支撐在圓形盤21的外部邊緣上。
根據(jù)本發(fā)明的短路19的另一個實施方式如圖4所示，設(shè)置了一種電 介質(zhì)塞子20，注射管13穿過所述塞子的中心， 一種輻射狀圓形盤23被 嵌入塞子20中，圓形盤23具有直徑大于注射管直徑的中心孔23a， 一環(huán) 形裙部24支撐在圓形盤23的內(nèi)部邊緣，該環(huán)形裙部24指向腔體2并與 注射管13同軸。圓形盤23具有與塞子20的圓柱形外周界相符合的外部 周圍邊緣。
有利地，環(huán)形裙部22、 24的內(nèi)表面高度約等于由發(fā)生器3所傳輸?shù)?電磁波波長的四分之一，該電磁波沿天線16傳播，該波長取決于電介質(zhì) 材料，圓形盤21、 23和環(huán)形裙部22、 24位于該電介質(zhì)中。
換言之，為了防止電磁波向圓形盤21、 23的下游上升，環(huán)形裙部22、 24的內(nèi)表面高度約等于由發(fā)生器所傳輸?shù)牟⑶以陔娊橘|(zhì)中流通的電磁波 波長的四分之一，圓形盤21、 23和裙部22、 24位于該電介質(zhì)中。另外， 環(huán)形裙部22、 24的自由端就相應(yīng)于電磁波的波腹，由此相應(yīng)于最大電壓 和最小電流，因而就降低了焦耳熱損失。因此由于在環(huán)形裙部22、 24的 自由端的最小的焦耳熱損失，該自由端的未控制的過熱就被防止了。
因此，如果圓形盤21、 23嵌入電介質(zhì)塞子20中，環(huán)形裙部的高度就 等于在這類電介質(zhì)中流通的電磁波的波長的四分之一。
可選擇的是，如果圓形盤21不被嵌入到電介質(zhì)塞子20中而是僅僅被 徑向固定于真空中的天線16上，則環(huán)形裙部22的內(nèi)表面高度就等于在真 空中流通的電磁波波長的四分之一。
更為通常地，環(huán)形裙部內(nèi)表面的高度等于在介質(zhì)中流通的電磁波波長 的四分之一，在該介質(zhì)例如真空或電介質(zhì)中插入有圓形盤和裙部，那么短 路就形成四分之一波長陷波。
為了限制電磁波沿天線16上升，如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的第三個
具體實施方式
，還可以沿注射管13固定一對圓形盤25、 26。
這是由于當僅僅存在一個圓形盤時，電磁波能量沿注射管13沒有被
完全阻擋和短路，優(yōu)選在第一圓形盤25上面增加一個第二圓形盤26以便
實際阻擋所有電磁波能量沿注射管13上升。因此根據(jù)以上所述的條件設(shè)
置了位于容器10的頂部18上的下游第一圓形盤25和位于下游的圓形盤
25上的上游第二圓形盤26。
優(yōu)選的是，下游圓形盤25和上游的第二圓形盤26之間的距離相應(yīng)于
由電磁波發(fā)生器3所傳輸?shù)碾姶挪ǖ亩鄠€半波長。
有利地，在所有的上述具體實施方式
中，圓形盤21、 23、 25、 26的
直徑至少大于注射管13的直徑的兩倍，而且優(yōu)選至少大于注射管13的直
徑的四倍。
圓形盤21、 23上增設(shè)環(huán)形裙部22、 24可以提高被防止沿注射管13 上升的電磁波能的總量。 .
因此，如圖6所示，僅僅一個具有環(huán)形裙部22的圓形盤21的存在， 如與圖3有關(guān)的上述內(nèi)容所述，就可以實際防止所有電磁波能沿天線16 上升。
有利地，穿過襯套27的注射管13的端部被用來與容器10的頂部18 形成密封連接，圓形盤21或環(huán)形裙部22的直徑非常接近于但稍微小于襯 套27的內(nèi)孔的直徑。
為了控制沿注射管13的電磁波能量，在屬于蓋9的圓柱形部件和注 射管13之間的環(huán)形間隔中設(shè)置了短路19，所述圓柱形部件被稱作襯套27。
短路19，更特別地是面向腔體的圓形盤21、 23、 25的表面，限定了 沿注射管13傳播的電磁波的一個零振幅點。短路19和端部13a之間的長 度相應(yīng)于四分之一波長的奇數(shù)值以便獲得在注射管13的自由端23a處的 最大振幅，也就是波腹。
另外，利用高電壓信號發(fā)生器裝置28將高電壓正弦信號發(fā)送到注射 管13，該高電壓信號發(fā)生器裝置28本身是己知的并通過高電壓電纜29 在短路19的上游或上游的第二圓形盤26處被耦合到注射管13上。
優(yōu)選，高電壓信號的頻率在1 50kHz之間而且優(yōu)選接近于7200Hz。 在衰減的高電壓信號的情況下，那么這就是載波頻率。
信號在等離子體生產(chǎn)周期內(nèi)所有時間或部分時間或有條件地(例如如 果在內(nèi)部殼體6中僅僅探測到某一亮度閾值)被發(fā)送，該等離子體生產(chǎn)周 期也就是在電磁放電階段以及在將涂層沉積到容器10的內(nèi)壁的階段。
有利地，高電壓信號是衰減的并且因此由可參數(shù)化的衰減的正弦信號 的多個周波階段所構(gòu)成，其包絡(luò)頻率，也就是衰減的正弦信號周波的頻率
在100 10000Hz，優(yōu)選在500~6000 Hz，更優(yōu)選在500~2000 Hz，進一歩 優(yōu)選為1000 Hz。
該高電壓正弦信號具有在500 3000V之間的電壓，優(yōu)選為IOOOV。 優(yōu)選地，在所述周波之一的末端，該高電壓信號的峰值是衰減到該同
一周波第一波峰峰值的0~60%，優(yōu)選衰減到該周波第一波峰峰值的
20~40%，更優(yōu)選的是到至多30%。
有利地，在載波頻率和包絡(luò)頻率之間的頻率比必須大于2，更優(yōu)選的
是必須大于7。
另人驚奇的是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生和/或保持這樣的高電壓正弦信號可以 提高生產(chǎn)線上等離子體的穩(wěn)定性并且因而條低了由光度傳感器探測到的 發(fā)光不穩(wěn)定性值，因此降低了由于潛在地具有不均勻涂層而被報廢的容器 數(shù)量。
為了注射管13與裝置的其他部分電絕緣，圓形盤21、 23、 25和注射 管13 —定不能接觸殼體的其他部分一它們可以被嵌入到電介質(zhì)塞子中， 其中注射管13軸向地穿過該塞子。以這種方式，通過在注射管13上的特 別設(shè)計，例如通過在注射管13的自由端13a上增加徑向末端，注射管13 就被電絕緣，來避免除了注射管13的自由端13a或其他設(shè)計過程中的預 定點以外的注射管某處的任何電弧或漏電流。這是因為需要在給定點獲得 電子的最大濃度以使等離子體容易點火并因此避免任何漏電，因此需要電 絕緣注射管13或者在注射管的自由端增加徑向末端。
權(quán)利要求
1.一種用來在由熱塑性塑料制作的容器(10)的內(nèi)表面沉積涂層的裝置，在該裝置中沉積是通過低壓等離子體來進行的，等離子體是通過由超高頻微波類電磁波激發(fā)前體氣體而在容器(10)內(nèi)產(chǎn)生的，在該裝置中，容器(10)被置于由導電材料制作的腔體中，微波被引入到該腔體中，所述裝置包括一種超高頻電磁波發(fā)生器(3)；一種電磁波導(4)，用來將所述電磁波發(fā)生器(3)連接到腔體(2)的側(cè)壁上的窗口(5)上，使得在所述腔體(2)中產(chǎn)生至少一個中心場；用來注射前體氣體的設(shè)備，包括部分地延伸進入到所述容器(10)中的注射管(13)；用來抽吸腔體(2)和容器(10)的內(nèi)部容積的設(shè)備；以及內(nèi)部殼體(6)，與腔體(2)同軸并基本上透過所述電磁波，該殼體是例如由石英制作而且限定了一個腔室(7)，在激發(fā)前體氣體期間容器(10)被置于該腔室中，其中，注射管(13)浸入容器(10)中，浸入長度為容器(10)的頂部(18)和底部(17)之間計算的容器(10)的總高度的四分之一和二分之一之間，注射管(13)的所述長度構(gòu)成能夠接收到由所述發(fā)生器(3)產(chǎn)生的所述超高頻電磁波的縱向天線(16)，其中，以盤(21、23、25)形式的超高頻短路(19)以這樣一種方式被設(shè)置在注射管(13)上，使得面向腔體的一側(cè)上的所述盤(21、23、25)的表面限定了沿所述注射管(13)傳播的電磁波的零振幅點，在所述短路(19)和所述注射管(13)的自由端(13a)之間的長度相應(yīng)于四分之一波長的一奇數(shù)值以便在注射管(13)的自由端(13a)處獲得最大振幅，也就是波腹。
2. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述短路(19)是圓形徑向盤(21、 23、 25、 26)，注射管(13)穿過該圓形徑向盤中心。
3. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，與注射管(13)同軸并指向腔體 (2)的環(huán)形裙部(22、 24)支撐在所述圓形徑向盤上。
4. 如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述環(huán)形裙部(22、 24)支撐在 所述圓形徑向盤(21、 23)的外部邊緣上。
5. 如權(quán)利要求2 4中任一項所述的裝置，其中，所述圓形盤(21、 23) 被嵌入在電介質(zhì)塞子(20)中，注射管(13)軸向穿過該電介質(zhì)塞子。
6. 如權(quán)利要求1 3和5中任一項所述的裝置，其中，所述圓形盤(23) 有一個直徑大于注射管(13)的直徑的中心孔(23a)，并且所述環(huán)形裙 部(22、 24)支撐在所述盤(23)的內(nèi)部邊緣上。
7. 如權(quán)利要求5和6中任一項所述的裝置，其中，所述環(huán)形裙部(22、 24)的內(nèi)表面高度約等于由發(fā)生器(3)發(fā)射的并在電介質(zhì)中流通的電磁 波波長的四分之一，所述圓形盤(21、 23)和裙部位于該電介質(zhì)中。
8. 如權(quán)利要求1 7中任一項所述的裝置，其中，所述短路(19)被設(shè) 置在圓柱形部件(27)和注射管(13)之間的一個環(huán)形間隔中。
9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述圓柱形部件(27)的端部以 密封方式支撐在容器(10)的頂部(18)上。
10. 如權(quán)利要求1 9中任一項所述的裝置，包括高電壓信號發(fā)生器裝 置(28)，其被耦合到注射管(13)并能夠向注射管(13)發(fā)送高電壓 正弦信號。
11. 如權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述高電壓正弦信號有 500 3000V之間的電壓。
12. 如權(quán)利要求10和11中的任一項所述的裝置，其中，所述高電壓正弦信號由衰減的正弦信號的多個周波構(gòu)成。
13. 如權(quán)利要求10 12中任一項所述的裝置，其中，所述信號的載波 頻率在l 50kHz之間。
14. 如權(quán)利要求12和13中任一項所述的裝置，其中，所述信號的包絡(luò) 頻率在100 10000Hz之間。
15. 如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述包絡(luò)頻率在500 2000Hz 之間。
16. 如權(quán)利要求12 15中任一項所述的裝置，其中，在所述周波的末 端的高電壓信號的峰值衰減到該周波的第一波峰的峰值的0 60%。
17. 如權(quán)利要求16所述的裝置，其中，在所述周波之一的末端的高電 壓信號的峰值衰減到該周波的第一波峰的峰值的20~40%。
18. 如權(quán)利要求1 17中任一項所述的裝置，其中，所述圓形盤(21、 23、 25、 26)的直徑至少大于注射管(13)直徑的兩倍。
19. 如權(quán)利要求1 18中任一項所述的裝置，其中，第二圓形盤(26) 被徑向固定到所述圓形盤(25)的上游注射管(13)上。
20. 如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，在所述圓形盤(25)和所述第 二圓形盤之間的距離相應(yīng)于由所述發(fā)生器(3).產(chǎn)生的電磁波的多個半波 長。
全文摘要
在容器(10)的內(nèi)表面沉積涂層的裝置，在這類裝置中，沉積是通過低壓等離子體進行的，等離子體是由微波類電磁波激發(fā)前體氣體在容器(10)中產(chǎn)生。本發(fā)明設(shè)置了一種注射管(13)，該注射管被浸入到該容器(10)中，浸入長度為在容器(10)的頂部(18)和底部(17)之間計算的容器(10)總高度的四分之一到二分之一之間，所述注射管(13)的長度構(gòu)成縱向天線(16)，其能夠接收由所述發(fā)生器(3)產(chǎn)生的超高頻電磁波并能夠傳播HT點火信號，一種盤(21、23、25)形式的超高頻短路(19)以這樣一種方式被設(shè)置在注射管(13)上，使得在腔體一側(cè)的所述盤(21、23、25)的表面限定了沿所述注射管(13)傳播的電磁波的零振幅點，短路(19)和注射管(13)的自由端(13a)之間的長度相應(yīng)于在注射管(13)的自由端(13a)處四分之一波長的一奇數(shù)值以獲得最大振幅，也就是一種波腹。
文檔編號C23C16/52GK101109076SQ200710137938
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月17日
發(fā)明者伊夫-阿爾邦·杜克洛, 尼古拉·肖梅爾, 讓-米歇爾·里于 申請人:賽德爾參與公司