專利名稱：雙電極靜電卡盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備部件，尤其涉及一種雙電極靜電卡盤。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片加工設(shè)備中，靜電卡盤用于在半導(dǎo)體工藝期間或晶片傳送期間將晶片支 撐并且吸附在工藝腔室或運(yùn)輸設(shè)備內(nèi)。雙電極靜電卡盤為在半導(dǎo)體行業(yè)中普遍使用的靜電 卡盤中的一種。
如圖l所示，通過直流電源為雙電極靜電卡盤的第一直流電極l和第二直流電極2供 電，其中第一直流電極l為正，第二直流電極2為負(fù)。從而在放置在其上的晶片上感應(yīng)出對(duì) 應(yīng)的負(fù)和正電荷，感應(yīng)出的電荷與直流電極l、 2上的電荷之間的靜電引力將晶片吸引在靜 電卡盤表面。如果靜電卡盤和晶片之間的吸附力在整個(gè)晶片區(qū)域上存在分布不均勻，則直 接影響晶片和靜電卡盤表面之間的接附狀態(tài)，進(jìn)而影響導(dǎo)熱率，從而導(dǎo)致晶片表面的溫度 不均勻，或影響其它的工藝參數(shù)。
對(duì)于雙電極靜電卡盤來說，由于第一直流電極1和第二直流電極2攜帶不同的電荷，將 會(huì)對(duì)晶片產(chǎn)生不同大小的吸附力。
如圖2、圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)中雙電極靜電卡盤的絕緣層4內(nèi)設(shè)有電極層3，第一直流電 極1和第二直流電極2分別為多環(huán)形結(jié)構(gòu)，布置在電極層3內(nèi)，屬于同一電極的多個(gè)環(huán)通過連 接部分連通。
上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn)由于需要將多個(gè)環(huán)形電極連接為兩個(gè)直流電極，需 要在環(huán)形電極上形成將多個(gè)環(huán)形電極連接到一起的連接部分，導(dǎo)致電極不能完全對(duì)稱地分 布，依然會(huì)對(duì)靜電卡盤吸附力的均勻性產(chǎn)生一定的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能產(chǎn)生均勻的吸附力的雙電極靜電卡盤。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明的雙電極靜電卡盤，包括絕緣層，所述的絕緣層內(nèi)設(shè)有第一直流電極和第二直 流電極，所述第一直流電極和第二直流電極分別包括多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體，兩個(gè)直流電極的多個(gè)
環(huán)形導(dǎo)體相互間隔分布，所述第一直流電極和第二直流電極的下方分別設(shè)有連接裝置，所 述第一直流電極和第二直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體分別通過對(duì)應(yīng)的連接裝置連接。
由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的雙電極靜電卡盤，由于第一直 流電極和第二直流電極分別包括多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體，兩個(gè)直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體相互間隔分 布，第一直流電極和第二直流電極的下方分別設(shè)有連接裝置，第一直流電極和第二直流'li 極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體分別通過對(duì)應(yīng)的連接裝置連接。第一直流電極和第二直流電極的環(huán)形導(dǎo) 體便可以形成完全對(duì)稱的環(huán)形結(jié)構(gòu)，使雙電極靜電卡盤能產(chǎn)生均勻的吸附力。


圖l為現(xiàn)有技術(shù)中雙電極靜電卡盤的工作原理圖2為現(xiàn)有技術(shù)中雙電極靜電卡盤的電極平面布置示意圖;
圖3為現(xiàn)有技術(shù)中雙電極靜電卡盤的立面剖視圖4為本發(fā)明的雙電極靜電卡盤的電極平面布置示意圖5為本發(fā)明的雙電極靜電卡盤的立面剖視圖6為本發(fā)明中導(dǎo)通層的平面結(jié)構(gòu)示意圖7為本發(fā)明中連接層的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的雙電極靜電卡盤，其較佳的具體實(shí)施方式
如圖4、圖5所示，包括絕緣層4， 絕緣層4內(nèi)設(shè)有第一直流電極1和第二直流電極2，所述第一直流電極1和第二直流電極2分別 包括多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體，兩個(gè)直流電極l、 2的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體相互間隔分布，所述第一直流電極l 和第二直流電極2的下方分別設(shè)有連接裝置，所述第一直流電極1和第二直流電極2的多個(gè)環(huán) 形導(dǎo)體分別通過對(duì)應(yīng)的連接裝置連接。第一直流電極1和第二直流電極2的環(huán)形導(dǎo)體便可以 形成完全對(duì)稱的環(huán)形結(jié)構(gòu)。
如圖6、圖7所示，所述的連接裝置包括連接板9、 10，所述的連接板9、 IO上連接有多 個(gè)導(dǎo)通柱7、 8，每個(gè)導(dǎo)通柱7、 8連接有一個(gè)環(huán)形導(dǎo)體。其中，第一直流電極l的多個(gè)環(huán)形導(dǎo) 體通過第一導(dǎo)通柱7和第一連接板9相互連接在一起，形成一個(gè)整體的電極；第二直流電極2 的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體通過第二導(dǎo)通柱8和第二連接板10相互連接在一起，形成一個(gè)整體的電極。
具體可以在絕緣層4內(nèi)設(shè)有直流電極層3、導(dǎo)通層5和連接層6，所述第一直流電極l和 第二直流電極2設(shè)于直流電極層3內(nèi)，所述導(dǎo)通柱7、 8設(shè)于導(dǎo)通層5內(nèi)，連接板9、 IO設(shè)置在 連接層6內(nèi)。
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了雙電極靜電卡盤的完全對(duì)稱的多環(huán)形直流電極，消除了直流電極中的不 對(duì)稱部分，可在靜電卡盤和晶片之間實(shí)現(xiàn)分布均勻的靜電吸附力。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種雙電極靜電卡盤，包括絕緣層，其特征在于，所述的絕緣層內(nèi)設(shè)有第一直流電極和第二直流電極，所述第一直流電極和第二直流電極分別包括多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體，兩個(gè)直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體相互間隔分布，所述第一直流電極和第二直流電極的下方分別設(shè)有連接裝置，所述第一直流電極和第二直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體分別通過對(duì)應(yīng)的連接裝置連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙電極靜電卡盤，其特征在于，所述的連接裝置包括連接 板，所述的連接板上連接有多個(gè)導(dǎo)通柱，每個(gè)導(dǎo)通柱連接有一個(gè)所述環(huán)形導(dǎo)體。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙電極靜電卡盤，其特征在于，所述的絕緣層內(nèi)設(shè)有直流電 極層、導(dǎo)通層和連接層，所述第一直流電極和第二直流電極設(shè)于所述直流電極層內(nèi)，所述 導(dǎo)通柱和連接板分別設(shè)于所述導(dǎo)通層和連接層內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙電極靜電卡盤，包括絕緣層，絕緣層內(nèi)設(shè)有第一直流電極和第二直流電極，第一直流電極和第二直流電極分別包括多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體，兩個(gè)直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體相互間隔分布，其下方分別設(shè)有連接裝置，第一直流電極和第二直流電極的多個(gè)環(huán)形導(dǎo)體分別通過對(duì)應(yīng)的連接裝置連接。連接裝置包括連接板，連接板上連接有多個(gè)導(dǎo)通柱，每個(gè)導(dǎo)通柱連接有一個(gè)環(huán)形導(dǎo)體。使第一直流電極和第二直流電極的環(huán)形導(dǎo)體可以形成完全對(duì)稱的環(huán)形結(jié)構(gòu)，可在靜電卡盤和晶片之間實(shí)現(xiàn)分布均勻的靜電吸附力。
文檔編號(hào)C23C16/458GK101378029SQ20071012113
公開日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2007年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月30日
發(fā)明者劉利堅(jiān) 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司