專利名稱：使用化學(xué)和機(jī)械拋光技術(shù)生成滑動器襯底上微紋理的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明目的是提供用于硬盤驅(qū)動器(HDD)頭萬向架組件的磁頭滑動器。更特別地，本發(fā)明用于使用化學(xué)和機(jī)械拋光技術(shù)在滑動器襯底上生成微紋理。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在電子消費(fèi)品的市場中，硬盤驅(qū)動器產(chǎn)業(yè)正取得巨大的成功。成功的主要原因之一是，可以滿足用戶的需求，可以在不斷減小形狀參數(shù)的情況下獲得不斷增加的存儲能力(例如，用于便攜式音樂播放器的超過1Gb的1”以及以下的盤)。迄今為止，這些進(jìn)步是在比競爭對手(例如閃存)投入最小成本的情況下獲得的。
然而，繼續(xù)進(jìn)步需要克服引起的設(shè)計和制造困難。這些困難在驅(qū)動器級別和組件級別上都能找到。
通過背景技術(shù)，執(zhí)行讀/寫指令時，硬盤驅(qū)動器的致動器(臂)進(jìn)行操作，將磁頭沿旋轉(zhuǎn)盤片的表面放置。典型地，磁頭使用一滑動器支撐。典型的滑動器體如圖1所示。如圖1所示，設(shè)計在通常的滑動器104中的ABS102可以通過一對平行的軌道106和108形成，此對軌道沿滑動器面向盤片的表面的外邊緣延伸。典型地，此對軌道106和108離開滑動器從前緣110到后緣112的主體長度至少一部分。前緣110被定義為旋轉(zhuǎn)的盤片在通過滑動器104的長度方向前所經(jīng)過的，相對于后緣112的滑動器的邊。典型地，如圖1所示，換能器或磁頭元件114配置于沿滑動器后緣112的某位置。
典型的滑動器的操作如圖2所示。懸臂204支撐著位于移動的盤片206(具有邊208)上方，并在箭頭210所示方向移動的頭萬向架組件(HGA)202。在磁盤驅(qū)動器操作中，如圖2所示，致動器212在盤片206的不同半徑(例如內(nèi)半徑(ID)，中半徑(MD)和外半徑(OD))上的弧214上移動HGA。
為保持硬盤驅(qū)動器技術(shù)現(xiàn)有的優(yōu)勢，兩大設(shè)計要點(diǎn)必須被不斷應(yīng)對和提高不同硬盤驅(qū)動器組件的a)浮動高度和b)表面粗糙度，同時保持頭的最優(yōu)浮動參數(shù)(例如，頂點(diǎn)，曲度，扭轉(zhuǎn)，以及護(hù)膜和極端的凹陷)。
為獲得硬盤驅(qū)動器的最大性能，磁頭必須浮動到離盤表面盡可能近，同時仍維持一恒定的所需間隙。該間隙通常被稱為盤的“浮動高度”或“磁隙”。在盤旋轉(zhuǎn)時，會在其表面隨之帶來少量的流動空氣(大體上平行于盤的線速度方向)，導(dǎo)致磁頭向上浮起，從而造成了磁頭在盤片上的“浮動高度”。典型地，支撐頭的滑動器形成氣動形狀，以使用少量氣流離旋轉(zhuǎn)盤片表面的均勻距離，以防磁頭接觸盤片。磁頭離盤片最近的表面(由流動的空氣支撐)稱為“空氣支承表面”。在圖1中，軌道106和108組成空氣支承表面，滑動器浮動于其上，并通過與旋轉(zhuǎn)盤片產(chǎn)生的氣流相接觸提供必要的升力。在盤旋轉(zhuǎn)時，產(chǎn)生的風(fēng)或者氣流經(jīng)過滑動器軌道106和108下面以及之間。氣流從軌道106和108下面通過時，軌道與盤片間的空氣壓力增加，從而提供正向擠壓和升力?？傊?，隨著空氣支承表面面積增加，所造成的升力量也增加。因此，設(shè)計要點(diǎn)之一是，需要一種方法，能夠設(shè)計包含頭與盤片之間最小間隙量的浮動高度，這是硬盤驅(qū)動器成功操作所需要的。
第二，任何有關(guān)表面粗糙度的問題必須被應(yīng)對，以克服任何妨礙磁頭浮動到離盤片表面盡可能近的能力的相關(guān)摩擦問題。除了通常的由于盤驅(qū)動器移動部分(例如，盤，加載或卸載區(qū)或者磁頭)的摩擦阻力，不管對于盤還是磁頭，過大的表面粗糙度都會顯著增加HDI(頭盤互動)的機(jī)率，經(jīng)常導(dǎo)致間歇接觸和/或碰撞。然而，如果平滑這些表面，那么同時持續(xù)增加的平滑度也會帶來一些問題。越平滑的表面會導(dǎo)致作用在表面的分子間(范德瓦爾氏)力的增加，還會導(dǎo)致在操作模式中對于振幅和壓力變化的敏感度變高。這些因素都會導(dǎo)致更多的非預(yù)期的浮動高度變化。因此，需要一種高成本效益的過程，可以輕松獲得所需要的磁盤最優(yōu)設(shè)計性能的光滑度。
盤驅(qū)動器組件的浮動高度和表面粗糙度必須被設(shè)計，以保留頭的機(jī)械操作參數(shù)，如頂點(diǎn)，曲度和扭轉(zhuǎn)?！绊旤c(diǎn)”代表外形向滑動器的前向或尾向(如所示的Y-Y平面)扭曲，而“曲度”代表外形向磁頭滑動器的側(cè)向(如所示的X-X平面)扭曲。頂點(diǎn)和曲度如圖3所示。同樣，在襯底上獲得微紋理的期望值的同時，頭的護(hù)膜凹陷和極頂凹陷參數(shù)也必須同樣最優(yōu)。護(hù)膜凹陷是頭的氧化鋁表面和空氣支承表面之間的高度差。極預(yù)凹陷是極頂材料和空氣支承表面之間的高度差。
通常通過研磨和摩擦的過程使得頭平滑和磨光。特別地，摩擦是一種材料去除過程，在此過程中，一個含有許多堅硬研磨砂礫的表面磨損較軟的材料。研磨是一種采用磨料粒子(常為液態(tài))從一表面去除不需要的胚料的制造方法。
在應(yīng)對盤和頭級別的問題方面已經(jīng)有過一些嘗試。例如，一定量的紋理可以設(shè)計在加載/卸載區(qū)域(例如，“區(qū)域紋理”)以便于減少上述影響。然而，事實(shí)證明這并非足以有效獲得期望性能的方法。
另一選擇可用于增加盤的粗糙度，如圖4a所示。圖4a所示的是浮動在具有紋理的盤表面的一光滑滑動器體表面。然而，同樣如前所述，通過這一方式增加粗糙度可能造成這樣的問題，當(dāng)粗糙度增加導(dǎo)致更大的摩擦?xí)r，造成一高于所需的浮動高度。而且，增加盤(作為數(shù)據(jù)載體)表面的粗糙度通常并非有利。為最優(yōu)性能增加表面粗糙度的另一選擇實(shí)在滑動器體自身做出紋理，如圖4b所示。圖4b示出的是一具有紋理的滑動器體表面和一平滑的盤面。
通常，滑動器體可以包括一二相粒狀混合陶瓷材料，稱為AlTiC(碳化鋁鈦)，其中AlTiC通過Al2O3(氧化鋁)和TiC(碳化鈦)各自的晶體形成?；瑒悠鞯念^部分典型地是一形成在滑動器部分的后緣面上的氧化鋁薄層，在其上嵌入頭的磁性部分。圖5a-b為滑動器504的一個實(shí)施例的頂視和側(cè)視圖。那么襯底502可以通過一種噴濺的透明氧化鋁的內(nèi)涂層材料504沉積下來。屏蔽506和讀/寫傳感器508可以使用常用的光平板印刷或電沉積技術(shù)制造在噴濺透明氧化鋁之上。然后，讀/寫傳感器508可以使用覆蓋材料510(同樣是氧化鋁)仔細(xì)地沉積下來，該材料也可作為包住頭的讀/寫傳感器508的絕緣媒介使用。
然而，如果設(shè)計不正確的話，滑動器的氧化鋁部分經(jīng)常與盤片接觸，從而造成故障。氧化鋁覆層的過度延展通常會導(dǎo)致不恰當(dāng)?shù)难心?。因此，主要的設(shè)計目標(biāo)是確保無論滑動器的操作環(huán)境如何，沿滑動器后緣的任何氧化鋁的高度都不高于滑動器的空氣支承表面的高度。
“用于以超聲方法為硬盤驅(qū)動器的磁頭ABS制造紋理的方法和裝置”(美國專利號5967880)提出了一種用于制造滑動器體紋理的方法。在這種方法中，sonitrode形式的超聲能量被用于與磨料氧化鋁漿組合以產(chǎn)生滑動器體上的微紋理。特別的，頭與盤片毗連，而磨料漿置于其間。最后，sonitrode被振動，從而沿頭的空氣支承面形成紋理。然而，這一方法有其局限。首先，使用來自sonitrode沿頭表面的振動會導(dǎo)致制造的不規(guī)則，且滑動器體的任何過度震動都會降低頭的性能。其次，由于磨料漿粒子與器體碰撞，粒子經(jīng)常會熔化滑動器體。熔化的磨料經(jīng)常無法去除，導(dǎo)致外部機(jī)體嵌入到滑動器中。結(jié)果，干擾浮動高度參數(shù)的可能性大幅提高，可能性的大小由熔入到頭中的磨料漿的大小和數(shù)量決定。這一干擾如果足夠大，在驅(qū)動器級的操作中，會導(dǎo)致災(zāi)難性的故障。
其三，在當(dāng)今產(chǎn)業(yè)中采用的另一替代手段是使用蝕刻過程創(chuàng)造用于形成滑動器體材料的混合物(例如上文討論的Al2O3和TiC的二相混合物)。氧化鋁晶?？梢詢?yōu)先蝕刻在顆?；旌衔锊牧仙?，以建立兩晶粒高度間的相對差異，從而造成圖6a-b所示的微紋理。這一技術(shù)提供的該微紋理是由于兩種材料的蝕刻率不同造成的。然而，由于這一方法將離子束應(yīng)用在滑動器表面，帶來了將讀取器的敏感元件暴露給離子束的高能量的風(fēng)險(如圖7所示)。制造的紋理數(shù)量直接與混合物暴露在能量束中的時間成比例。然而，若讀取器暴露在過強(qiáng)的能量中，它會開始表現(xiàn)出消磁的征兆。一種抵消能量束效果的手段是使用光阻材料覆蓋敏感的讀取器(如圖8所示)，然后再將其置于能量束下。然而，這會導(dǎo)致制造過程更為復(fù)雜，并降低磁頭性能。
“生產(chǎn)滑動器的方法”(美國專利號6428715)中討論了另一種手段，其中公開了去除氧化鋁突出的方法，其中滑動器的空氣支承面在pH值大約9-11的水性基礎(chǔ)上處理。然而，這種方法的缺陷在于從制造的角度看，所公開的蝕刻過程實(shí)際上需要將選定器件浸入水性溶液中。這一過程不精確且成本效益低。
“用于使用柔軟，溫和研磨處理制造薄膜磁轉(zhuǎn)換器的方法和裝置”(美國專利號6712985)中描述的另一種方法公開了一種化學(xué)機(jī)械處理，該過程限定使用研磨媒介漿，一起使用的是一種配合軟墊。然后該研磨媒介被用于采用了配合軟墊的頭表面。應(yīng)用后，配合墊的動作使得可以進(jìn)行機(jī)械蝕刻，以消除頭的磁阻傳感器元件和屏蔽之間的異常。然而，這一過程局限于漿的使用不精確，并且通常其主要目的是異常和污漬的消除，而非滑動器體上微紋理的制作。
常用的研磨工藝典型地采用鉆石作為漿中的機(jī)械磨料，用于磨光表面。鉆石相對于磁阻傳感器和相連的屏蔽相當(dāng)堅硬，在接觸后會留下殘余應(yīng)力點(diǎn)，會降低頭的磁性。需要一種方法，采用較軟的磨料，以防留下殘余應(yīng)力點(diǎn)。此外，使用鉆石漿的研磨經(jīng)常會導(dǎo)致磁頭表面被擦傷而降低磁頭性能。最后，使用鉆石漿中嵌入鉆石粒子的研磨常會在磁阻傳感器和屏蔽區(qū)域留下印記(通常稱為“黑點(diǎn)”)。
因此，顯然需要開發(fā)一種新方法，以克服前述缺陷，并以最高成本效益的方式，精確的在滑動器基底上制造最優(yōu)數(shù)量的微紋理。


圖1給出了典型滑動器的說明。
圖2給出了典型滑動器的典型操作的說明。
圖3給出了滑動器體上頂點(diǎn)和弧面的說明。
圖4b給出了平滑滑動器體表面和具有紋理的盤表面的說明。
圖4b給出了具有紋理的滑動器體表面和平滑盤表面的說明。
圖5a-b給出了滑動器一個實(shí)施例的頂視圖和側(cè)視圖。
圖6a-b給出了一種用于制造微紋理的蝕刻過程的說明。
圖7給出了將讀元件暴露在噴射的離子能量束中的說明。
圖8給出了在暴露在噴射的離子能量束中時使用光阻材料覆蓋讀取元件的說明。
圖9給出了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)墊600的一個實(shí)施例的說明。
圖10給出了將松散氧化鋁晶粒從滑動器體表面剝離的說明，同時還顯示了殘存的TiC晶粒。
圖11給出了開環(huán)研磨裝置的一個實(shí)施例的說明。
圖12說明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的研磨裝置，包含一固定實(shí)施例和一CMP墊盤實(shí)施例。
圖13給出了作用在滑動器體上的漿的切向力的說明。
圖14給出了滑動器使用真空刻紋處理后的紋理特性的說明。
圖15給出了滑動器使用CMP刻紋處理后的紋理特性的說明。
具體實(shí)施例方式
一種使用化學(xué)或機(jī)械拋光技術(shù)生成滑動器襯底上微紋理的方法和裝置將被公開。微紋理采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)制造。在一個實(shí)施例中，漿的磨料和堿性被用于制造滑動器體的微紋理。
通過背景技術(shù)可知，在滑動器的制造過程中，多個磁性換能器被同步沉積到圓片表面。該多個沿圓片表面的磁性換能器典型地分片成組以形成一滑動器長條。這些多個滑動器長條進(jìn)一步包括安裝在固定結(jié)構(gòu)上的磁頭，并且進(jìn)一步準(zhǔn)備(例如使用拋光或研磨技術(shù))以確保磁頭具有平整的輪廓。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，一CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)墊被用于協(xié)助獲得所需的頭表面的磨光。圖9示出了CMP墊900的一個實(shí)施例。預(yù)定長度的纖維902從基座伸出。在優(yōu)選實(shí)施例中，纖維長度約為600微米。CMP墊900與長條表面摩擦?xí)r，這些纖維俘獲分散于頭部的磨料氧化鋁粒子。在這個實(shí)施例中，墊900具有位于其表面的孔901?？?01的作用是在研磨過程中使得過量的漿溢出以防漿液堆積。墊也可被擦拭(例如用布，下文討論)以確保漿液在墊半徑方向的統(tǒng)一分布，從而保證統(tǒng)一的去除率。
因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，使用旋轉(zhuǎn)CMP墊處理磨料漿，使得長條與CMP墊表面漿液接觸，從而擦去磁頭過量的氧化鋁護(hù)膜凹陷(使用上述的化學(xué)機(jī)械原理)。
研磨過程的另一關(guān)鍵要素是磨料漿的選擇。在本發(fā)明的實(shí)施例中，用CMP墊處理的漿溶液具有一個公知的合適的pH值(酸度)。在優(yōu)選實(shí)施例中，漿液平均直徑中包含大約30nm的密集膠態(tài)二氧化硅微粒。本實(shí)施例中的磨料漿(例如“化學(xué)蝕刻劑”)包含相對較軟的膠態(tài)二氧化硅微粒，分散在去離子水中，重量比為5％，導(dǎo)致溶液的pH值約為8。漿液被調(diào)配以獲得最大的均勻性，從而在研磨過程中達(dá)到均勻，且對頭材料的磨損最小。
漿液相對較低的pH值作用為消除腐蝕屏蔽材料以及磁阻頭其它含鐵材料的危險。堿性溶液的作用是削弱氧化鋁晶粒邊界的接觸，并且當(dāng)與CMP墊附加的磨光動作結(jié)合時，松散的氧化鋁晶粒被從滑動器體上剝離。隨著氧化鋁晶粒被從相鄰的碳化鈦晶粒上剝落，兩種晶粒之間高度不同導(dǎo)致的微紋理便形成了，同時仍然維持較小的護(hù)膜凹陷。根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的微紋理在圖10中說明。圖10說明了氧化鋁晶粒被剝落的同時，TiC晶粒仍然存在所形成期望的微紋理。
此外，膠態(tài)二氧化硅漿液的使用還作為避免“應(yīng)力點(diǎn)”、“黑點(diǎn)”以及擦傷等上文討論的問題。膠態(tài)二氧化硅具有遠(yuǎn)低于鉆石的努普氏硬度，這樣可以減輕殘余應(yīng)力問題導(dǎo)致的磁頭性能的降低。
使用膠態(tài)二氧化硅漿液還有助于去除沿傳感器區(qū)域的污點(diǎn)和金屬短片，從而加強(qiáng)磁性。在制造過程中，磁頭會受到多種力的作用，導(dǎo)致在讀取器表面留下不想要的應(yīng)力點(diǎn)和電短片。然而，漿液成分中的磨料膠態(tài)二氧化硅粒子會磨去少量的讀取器表面材料，相對殘留的短片和應(yīng)力外面留下少許應(yīng)力傳感器層。
用于在CMP墊上研磨長條的研磨機(jī)可以是閉環(huán)系統(tǒng)也可以是開環(huán)系統(tǒng)。在圖11所示的實(shí)施例中使用了開環(huán)系統(tǒng)，包括固定支持長條1101，擦布1102和CMP墊1103。在研磨過程中，CMP墊1103被旋轉(zhuǎn)而固定支承的長條1101則在一預(yù)定壓力下保持恒定接觸(見圖9所述)。如上所述，擦布1102被保持與旋轉(zhuǎn)的CMP墊表面接觸，以防過量漿液堵塞。
本發(fā)明研磨裝置的一個實(shí)施例如圖12所示。在該實(shí)施例中，長條1203被刻紋的面朝向CMP墊1203放置。CMP墊1203可以是旋轉(zhuǎn)盤的形式。長條1203可以附著在膠塞1202上，而膠塞則進(jìn)一步附著在固定物1206上。如圖12所示，長條1203可以根據(jù)膠塞1202定位，這樣當(dāng)CMP墊1203旋轉(zhuǎn)時，墊1204的轉(zhuǎn)速即可進(jìn)行對長條1203的研磨和磨光。固定物1206可以緊固到一振蕩夾具(未示出)上，這樣可以促進(jìn)研磨進(jìn)程。如上所述，在CMP墊旋轉(zhuǎn)的同時壓力1201可以施加到支撐多個長條1203的固定物1206上，以進(jìn)一步確保研磨和磨光過程。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以如此固定，使得多個長條在同一時間被研磨，從而提高生產(chǎn)線的產(chǎn)量。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，墊的旋轉(zhuǎn)速度和固定物的振蕩可以進(jìn)行選擇，以產(chǎn)生在盤旋轉(zhuǎn)方向的切向力。關(guān)于滑動器區(qū)域1300和傳感器區(qū)域1301的最終切向力(以及漿流的合成運(yùn)動)的方向在圖13中詳示。
在一個實(shí)施例中，長條可以在研磨過程中被研磨2分鐘。然后長條被使用異丙醇(IPA)徹底擦拭，以防硅的再結(jié)晶。然后長條被在皂液的超聲浴中漂洗和清洗15分鐘。這一清潔過程進(jìn)一步確保磁頭長條不附著粒子。
因此，在本發(fā)明公開的刻紋方法的各種實(shí)施例中，研磨時間，研磨過程中采用的壓力，漿液濃度，旋轉(zhuǎn)速度以及CMP墊的磨損性都被進(jìn)行調(diào)整，以獲得滑動器表面最優(yōu)數(shù)量的微紋理。
本發(fā)明實(shí)施例中的方法所產(chǎn)生的微紋理可以產(chǎn)生更可期望的隨機(jī)的氧化鋁晶粒去除。這一隨機(jī)去除有助于在滑動器頭上制造額外的紋理，從而獲得更好的浮動高度特性。
在測試中，本發(fā)明實(shí)施例中的所有頭部紋理都在此后建造在懸架上，安裝到驅(qū)動器中，并評估性能。如后邊的表1所示，與常規(guī)的無紋理頭相比時，高度和轉(zhuǎn)速(rpm)的敏感性測試都顯示了改善的特性。這些結(jié)果顯示，CMP過程的不規(guī)則紋理點(diǎn)都被證明是有效的。如下表2所示，浮動高度也進(jìn)行了測試，并顯示浮動高度特性正常。
本發(fā)明實(shí)施例所涉及的成本可以非常微小，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，本發(fā)明實(shí)施例中所述的膠態(tài)二氧化硅和CMP墊都是廉價且觸手可得的。與鉆石基礎(chǔ)的漿液不同，膠態(tài)二氧化硅遠(yuǎn)為低廉。而相比前述的真空處理，傳感器并不會因暴露在高能束下而在長時間后導(dǎo)致磁性能的降低。
本申請參照之前提到的申請進(jìn)行表述，對優(yōu)選實(shí)施例的描述也并不僅限于其本身。應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的所有特征并不限于此處給出的特定敘述、配置和尺寸，而是可以根據(jù)其原理進(jìn)行變化。本發(fā)明所公開的裝置形式和細(xì)節(jié)的改變以及其它改變，都是本領(lǐng)域技術(shù)人員參照現(xiàn)有公開顯而易見的。因而，不超出本發(fā)明的精神和范圍，對本發(fā)明形式和細(xì)節(jié)上的各種變化，都屬于附后權(quán)利要求所限定的范圍。
下附表1和表2。
表1-(TDV/TOV結(jié)果) 表2-測試數(shù)據(jù)
權(quán)利要求
1.一種方法，包括配制一預(yù)定期望酸度的磨料漿液；使用該磨料漿液對一化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)行處理；將至少一個滑動器體置于該化學(xué)機(jī)械拋光墊上；并且在一預(yù)定時間段內(nèi)研磨和磨光該至少一個滑動器體。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該磨料漿液包括膠態(tài)二氧化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該磨料漿液的預(yù)定酸度具有大約8的pH等級。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該磨料漿液由直徑約30nm的粒子組成。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該磨料漿液以5％的比重分散在去離子水中。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)一步包括纖維，也使用該磨料漿液處理，該纖維從該化學(xué)機(jī)械拋光墊的基底上發(fā)散出來。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該纖維長度約600微米。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中在研磨和磨光操作中，纖維俘獲頭上分散的磨料氧化鋁粒子。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)一步包括用于防止磨料漿液過量堆積的孔。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊旋轉(zhuǎn)以加強(qiáng)研磨和磨光。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該至少一個滑動器體被排列成至少一個長條附著在固定物上并排列在該化學(xué)機(jī)械拋光墊上。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中固定物上施加壓力以加強(qiáng)研磨和磨光。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中固定物振蕩以加強(qiáng)研磨和磨光。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該預(yù)定時間段為兩分鐘。
15.權(quán)利要求13所述的研磨盤，其中化學(xué)機(jī)械拋光墊的轉(zhuǎn)速和固定物的振蕩被選擇以獲得平行于化學(xué)機(jī)械拋光墊旋轉(zhuǎn)方向的切向力。
16.一種裝置，包括一預(yù)定期望酸度的磨料漿液；一使用該磨料漿液處理的化學(xué)機(jī)械拋光墊；至少一個附著在固定物上的滑動器體，置于該化學(xué)機(jī)械拋光墊上以在一預(yù)定時間段內(nèi)研磨和磨光。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該磨料漿液包括膠態(tài)二氧化硅。
18.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該磨料漿液的酸度大約為8。
19.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中該磨料漿液由緊密擠壓的直徑約30nm的粒子組成。
20.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)一步包括纖維，也使用該磨料漿液處理，該纖維從該化學(xué)機(jī)械拋光墊的基底上發(fā)散出來。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其中該纖維長度約600微米。
22.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)一步包括用于在研磨和磨光過程中防止磨料漿液過量堆積的孔。
23.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊在研磨和磨光處理期間旋轉(zhuǎn)。
24.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該至少一個滑動器體被排列成至少一個長條附著在固定物上并排列在該化學(xué)機(jī)械拋光墊上。
25.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中固定物上施加壓力以加強(qiáng)研磨和磨光。
26.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中固定物振蕩以加強(qiáng)研磨和磨光。
27.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該預(yù)定時間段為兩分鐘。
28.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中該化學(xué)機(jī)械拋光墊的轉(zhuǎn)速和固定物的振蕩被選擇以獲得平行于化學(xué)機(jī)械拋光墊旋轉(zhuǎn)方向的切向力。
29.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中采用開環(huán)系統(tǒng)。
30.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中采用閉環(huán)系統(tǒng)。
全文摘要
一種使用化學(xué)或機(jī)械拋光技術(shù)生成滑動器襯底上微紋理的系統(tǒng)和方法將被說明。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，完成方法包括配制一預(yù)定酸度(或pH值)的磨料漿液，使用該磨料漿制造一化學(xué)機(jī)械拋光墊，將磁頭置于該化學(xué)機(jī)械拋光墊上處理，并研磨和摩擦磁頭一預(yù)定時間段。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，完成磁頭的研磨和摩擦使用的裝置包括一預(yù)定酸度(pH值)的磨料漿液，使用該磨料漿液制造的一化學(xué)機(jī)械拋光墊，磁頭被固定，使得磁頭能在該化學(xué)機(jī)械拋光墊上進(jìn)行處理。
文檔編號B24B37/04GK101075472SQ200710101698
公開日2007年11月21日 申請日期2007年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月16日
發(fā)明者N·馬哈德夫, W·喬斯, K·亞蘇達(dá), R·阿亞拉, T·阮 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司