專利名稱：：拋光墊、其生產(chǎn)方法及使用其生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于拋光待拋光材料的拋光墊、生產(chǎn)該拋光墊的方法和通過使用該拋光墊生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體器件的制造過程中用于通過CMP(化學機械拋光)使層間電介質(zhì)(interlayerdielectrics)等平坦化的拋光墊、生產(chǎn)該拋光墊的方法和通過使用該拋光墊生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
：最近，在半導(dǎo)體集成電路中，器件尺寸已按比例縮小和集成已得到改進，并且已需要微細加工。另外，器件結(jié)構(gòu)已變得復(fù)雜并且是三維的。按比例縮小已通過改進半導(dǎo)體器件制造過程中的微處理技術(shù)，特別是在將電路圖案轉(zhuǎn)印到硅晶片上所涂覆的光敏有機膜(光致抗蝕劑)的光刻法中的高分辨率而得以實現(xiàn)。在光刻法中，已經(jīng)開發(fā)了通過使用短波長光源的曝光技術(shù)。已嘗試通過盡可能地在器件結(jié)構(gòu)中減少不平整度來補償焦點深度的不足以確保分辨率而無微型圖案散焦的方法。作為使器件結(jié)構(gòu)中的不平整度平坦化的方法，已使用應(yīng)用了硅晶片的鏡面處理的CMP法。CMP法中通用的設(shè)備參照圖1所示。CMP法中^f吏用的CMP設(shè)備設(shè)置有用于支承拋光墊l的拋光壓盤2和用于支承待拋光材料4(例如半導(dǎo)體晶片)的支承臺5(拋光頭)。對拋光壓盤2和支承臺5進行布置以使由它們支承的拋光墊1和待拋光材料4彼此相對，并且將拋光壓盤和支承臺配置成能夠繞轉(zhuǎn)軸6和7旋轉(zhuǎn)。待拋光材料4粘在支承臺5上，所述支承臺5設(shè)置有在拋光時將待拋光材料4推到拋光墊1上的加壓機構(gòu)(未示出)。研磨劑(漿料)3的進給機構(gòu)8將具有研磨磨粒的研磨懸浮液如分散在石威性溶液中的二氧化硅顆粒進給至拋光壓盤2上的拋光墊1。另外，CMP設(shè)備包括在其上含有電沉積或熔融粘結(jié)的金剛石研磨磨粒的修整器(未示出)以將拋光墊的表面修整(dress)。作為上述方法的實例，存在一種將拋光墊通過修整器修整，使軸6和7旋轉(zhuǎn)，將晶片4通過加壓機構(gòu)推至拋光墊1上，同時將來自研磨漿料進給機構(gòu)8的研磨漿料進給至拋光墊的中心部分以拋光晶片的方法。在CMP法中，待拋光層如晶片的層間電介質(zhì)上的微小劃痕、研磨速率的不均勻性(dispersion)和硅晶片表面內(nèi)研磨量的均勻性差均是問題。為了抑制微小劃痕的形成，必要的是將在修整拋光墊、層間電介質(zhì)的過程中形成的拋光墊研磨粉塵和修整器的金剛石、晶片的研磨粉塵和用過的研磨漿料(統(tǒng)稱研磨廢料)排出到拋光墊的外面。在常身見CMP設(shè)備中，研磨廢料通過將足量的研磨漿料連續(xù)進給到拋光墊的中心部分而排出。在通過修整形成拋光墊上的修整層并且隨后在將上述研磨漿料進給的同時拋光晶片的情況下，研磨漿料通過來自拋光墊旋轉(zhuǎn)的離心力和通過將晶片推到拋光墊上而推出。因此，研磨漿料幾乎排出到拋光墊的外面而沒有考慮到拋光消耗過量的的研磨漿料，而這是昂貴的。為了解決上述問題，在拋光方法中已進行了各種嘗試以改進待拋光材料的研磨性能。其中，已存在關(guān)于用于在拋光表面保留研磨漿料并將其排出的凹槽的各種嘗試。在曰本專利No.2647046中，公開了一種包含在拋光墊表面的內(nèi)部和外部中形成的使研磨劑流動的凹槽和除形成凹槽的部分之外在拋光墊表面上形成的保留研磨劑的多個孔的拋光墊。作為該拋光墊的一個實施方案，在圖l中描述了包含在拋光塾表面的中心部分和周邊部分中形成的格子圖案的凹槽和在中心部分和外圍部分之間的部分中形成的孔的拋光墊?？淄ㄟ^使用排成一行或多行的打孔機在大面積內(nèi)同時形成。通過使用通常用于此目的的加工設(shè)備難以形成該孔。未特別公開基于研磨漿料進給與排出之間的平衡來減少研磨漿料異常保留的技術(shù)效果。此處所用術(shù)語"異常保留"意思是研磨漿料的保留在拋光墊的拋光表面上呈大量不均勻的狀態(tài)，這對于拋光待拋光材料具有不利影響。在曰本專利特開公布(KokaiPublication)249710/1998中，拋光墊包含如此形成的凹槽幾何學上具有中心的凹槽形狀相對于拋光墊是偏心的。描述了通過同心圓形凹槽相對于拋光墊的偏心，解決凹槽形狀轉(zhuǎn)印至加工的硅晶片使均勻性降低的問題。另外，未特別公開基于研磨漿料進給與排出之間的平衡來減少研磨漿料的異常保留的技術(shù)效果。在曰本專利特開公布70463/1999中，拋光墊包含具有多個同心圓形凹槽的第一區(qū)和具有第二間距的第二區(qū)。描述了拋光墊具有兩個區(qū)，所述兩個區(qū)具有不同的凹槽間距以改善拋光的均勻性。但是，未特別公開基于研磨漿料進給與排出之間的平衡來減少研磨漿料的異常保留的技術(shù)效果，并且難以改善拋光的均勻性。在日本專利特開公布198061/2000中，公開了包含多個環(huán)形凹槽和多個流線型凹槽的拋光墊。在該拋光墊中，嘗試通過使凹槽形成流線型來主動控制研磨漿料的流動。但是，在拋光墊中，拋光所必需的研磨漿料沿流線型凹槽的流出卻是問題。另外，未具體公開基于研磨漿料進給與排出之間的平衡來減少研磨漿料的異常保留的技術(shù)效果，并且未充分獲得拋光的均勻性。在日本專利特開公布224950/2002中，拋光墊包含具有弧形底部的凹槽以抑制研磨漿料停滯。在該拋光墊中，嘗試通過使凹槽形成弧形底部形狀來平穩(wěn)地控制研磨漿料的流動。在該拋光墊中，要考慮凹槽的形狀及其表面粗糙度。但是，考慮到拋光表面材料是圓形石墨鑄鐵，因此其與本發(fā)明是不同的。另夕卜，考慮到待拋光材料是棵的晶片或玻璃基材，其與本發(fā)明是不同的。此外，在如本發(fā)明所述的使用多孔材料作為拋光層的情況下，并未討論基于研磨漿料進給與排出之間的平衡的研磨漿料的異常保留。在日本專利凈爭開公布9156/2004中，拋光墊在拋光表面上包含凹槽，所述凹槽內(nèi)表面具有表面粗糙度不大于20jim。在該拋光墊中，考慮凹槽內(nèi)表面的表面粗糙度。對于通過切割拋光表面材料或在模具中將其模制形成的凹槽，獲得凹槽的表面粗糙度。在通過上述方法于多孔材料上形成凹槽的情況下，本發(fā)明人由補充的試驗已發(fā)現(xiàn)凹槽內(nèi)表面難以具有不大于20^m的表面粗糙度。因此，該發(fā)明的主要目的是拋光層材料的選擇而不是形成凹槽的方法，這與本發(fā)明不同。另外，在如本發(fā)明所述的使用多孔材料作為拋光層的情況下，并未討論基于研磨漿料進給與排出之間的平衡的研磨漿料的異常保留。為了解決上述問題，在日本專利特開乂^布No.181649/2001和184730/2002中公開了用于加工半導(dǎo)體器件的拋光墊和凹槽加工工具，在凹4曹上邊》彖部分形成具有直角邊》彖的同心圓形凹槽，并且在日本專利特開公布No.11630/2002中公開了在用于CMP加工中的半導(dǎo)體拋光墊上形成同心圓形凹槽或格子圖案凹槽的精細凹槽力。工機、力口工工具和加工方法。在曰本專利特開公布No.181649/2001和184730/2002中公開的拋光墊中，通過在橫截面內(nèi)于上拐角部分處形成具有直角邊緣的同心圓形凹槽并將凹槽的寬度、深度和間距調(diào)節(jié)至特定范圍，可容易地控制待拋光的器件表面與該墊的上表面之間研磨漿料的流動，預(yù)期可抑制打滑，器件的軟金屬表面通過CMP加工法有效地平坦化。但是，凹槽的橫截面形狀并不穩(wěn)定，且研磨漿料的流動性因拋光墊不同而不同。因此，并不足以獲得穩(wěn)定的研磨性能。工工具形成的精細凹槽的拋光墊中，凹槽的橫截面形狀不穩(wěn)定，并且研磨漿料的流動性因拋光墊不同而不同。因此，容易形成劃痕，并且不足以獲得穩(wěn)定的研磨性能。在曰本專利對爭開布No.181649/2001、184730/2002和11630/2002中公開的以上拋光墊中，凹槽^f黃截面內(nèi)拐角部分處的邊緣通過規(guī)定凹槽加工工具的切削刃的形狀而成為直角，由此嘗試抑制鈍邊和凹槽壁面上毛刺的出現(xiàn)。僅通過規(guī)定凹槽加工工具的切削刃的形狀并不足以獲得穩(wěn)定的研磨性能。
發(fā)明內(nèi)容(本發(fā)明的目的)本發(fā)明的主要目的是同時解決問題如在半導(dǎo)體器件的制造拋光墊、生產(chǎn)拋光墊的方法和通過使用該拋光墊生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法中出現(xiàn)劃痕、研磨速率的不均勻性或劣化、研磨量的晶片內(nèi)的不均勻性、消耗過量的研磨漿料以及待拋光材料與拋光塾之間研磨漿料的適當保留。通過同時解決上述問題，本發(fā)明提供了在半導(dǎo)體器件的制的拋光墊、生產(chǎn)該拋光墊的方法和通過使用該拋光墊生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明的拋光墊iJ待拋光材料平坦^b的拋光墊以同時解決問題如出現(xiàn)劃痕、研磨速率的不均勻性或劣化、研磨量的晶片內(nèi)的不均勻性、消耗過量的研磨漿料以及待拋光材料與拋光墊之間研磨漿料的適當保留。為了同時解決這些問題，本發(fā)明的拋光墊是在拋光表面上包含凹槽并由發(fā)泡聚氨酯形成的拋光墊，其中包含側(cè)面和底面的凹槽加工面具有表面粗糙度Ra不大于10。半導(dǎo)體晶片拋光墊，其中包含側(cè)面和底面的凹槽加工面具有表面粗糙度Ra不大于lO。為了將本發(fā)明沖更入更適合的實際應(yīng)用中，優(yōu)選凹槽加工面具有表面粗糙度Ra1-9。在另一個實施方案中，本發(fā)明涉及包含拋光層的半導(dǎo)體曰曰曰片拋光墊，其中4燭光層由多孔材料形成，拋光層的拋光表面具有凹槽，并且凹才曹內(nèi)表面的至少一部分具有無孔表面。為了將本發(fā)明投入更適合的實際應(yīng)用中，優(yōu)選無孔表面具有粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra1.0-5.0|im;凹槽具有深度0.5-1.5mm;由多孔材料形成的拋光層具有平均泡孔直徑20-70nm;其中拋光層具有比重0.5-1.Og/cm3;拋光層具有壓縮率O.5-5.0%;拋光層具有》更度45-65;和拋光層另外包含緩沖層并且緩沖層具有比拋光層低的硬度。在另外的實施方案中，本發(fā)明涉及生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片拋光墊的方法，該方法包括通過逐步改變凹槽加工工具的進給速度和進給量來機械切割以在拋光表面上形成具有矩形截面形狀的同心圓形凹槽的步驟。為了將本發(fā)明投入更適合的實際應(yīng)用中，優(yōu)選形成凹槽的步驟包括在凹槽加工工具達到所要求的深度的位置處使凹槽加工工具的進給停止一段時間；按先后順序逐步改變和提高凹槽加工工具的進給速度和進給量；和拋光墊由發(fā)泡聚氨酯形成。在又一個實施方案中，本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的面的步驟。以同時解決問題如研磨速率的不均勻性或劣化、研磨量的晶片內(nèi)的不均勻性、消耗過量的研磨漿料以及待拋光材料與拋光墊之間研磨漿料的適當保留；并且由于該拋光墊在拋光期間在進給與排出研磨漿料之間具有良好的平衡而在拋光期間減少研磨漿料在凹槽內(nèi)的異常保留，因而對減少劃痕的出現(xiàn)特別有效。因此，該拋光墊對于半導(dǎo)體器件的制造過程如半導(dǎo)體晶片的CMP是有效的。根據(jù)以下給出的詳細描述和僅作為解釋說明的附圖將更充分地理解本發(fā)明，因而其并非本發(fā)明的限定，其中圖l為說明通用于CMP法的拋光設(shè)備的示意性橫截面。圖2為說明具有矩形橫截面形狀的凹槽的示意性橫截面。圖3為說明在本發(fā)明拋光墊的拋光層上形成的凹槽的一個實施方案的示意性橫截面。圖4為說明在常規(guī)拋光塾的拋光層上形成的凹槽的示意性橫截面。圖5為說明用于本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法的凹槽加工工具的切削刃的一個實施方案的放大示意圖[(a)前視圖，(b)側(cè)視圖]。圖6為說明用于生產(chǎn)常規(guī)拋光墊的方法的凹槽加工工具的切削刃的放大示意圖[(a)前視圖，(b)側(cè)視圖]。圖7為說明凹槽加工工具的磨損試-瞼方法的拋光前后凹槽加工工具的切削刃的拐角部分的放大示意圖。(符號說明)1:拋光墊2:拋光壓盤3:研磨漿料4:待拋光材剩-5:支承臺6、7:轉(zhuǎn)軸8:研磨漿料進給機構(gòu)10、20:凹槽11、21:凹槽的已加工面的側(cè)面12、22:凹槽的已加工面的底面13:凹槽深度14:凹槽寬度15:凹槽間距23:小皰(blister)具體實施例方式本發(fā)明的拋光墊在拋光表面上包含凹槽并且由發(fā)泡聚氨酯形成，其中包含側(cè)面和底面的凹槽加工面具有表面粗糙度Ra不大于IO。在另一個實施方案中，本發(fā)明的拋光墊包含拋光層，其中拋光層由多孔材料形成，拋光層的拋光表面具有凹槽，并且凹槽內(nèi)表面的至少一部分具有無孔表面。另外，本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法包才舌通過逐步改變凹槽加工工具的進給速度和進給量來機械切割以在拋光表面上形成具有矩形截面形狀的同心圓形凹槽的步驟。將參照附圖詳細解釋本發(fā)明的拋光墊及其生產(chǎn)方法。圖3是說明在本發(fā)明拋光墊的拋光層上形成的凹槽的一個實施方案的示意性橫截面。圖4是說明在常規(guī)拋光墊的拋光層上形成的凹槽的示意性橫截面。這些附圖是說明在拋光墊的拋光層上形成的凹槽的示意性橫截面，并且尺寸未精確示出。如圖3所示，在本發(fā)明的拋光墊中，要求包含側(cè)面ll和底面12的凹槽加工面具有不大于10,優(yōu)選l-9，更優(yōu)選l-5的表面并且糙度Ra。當表面粗糙度Ra大于10時，研磨漿料的流動性降低，并且易于發(fā)生其粘著或者易于發(fā)生研磨廢料的堵塞，這導(dǎo)致形成劃痕。于100jim(100-500jim)6々在夾P各或具有長l為200fim(200-1000|im)的毛刺不多于2個/個橫截面。當缺陷或毛刺的數(shù)量大于2時，研磨漿料的流動性降低，并且易于發(fā)生其粘著或者易于發(fā)生研磨廢料的堵塞，這導(dǎo)致形成劃痕。缺陷和毛刺的數(shù)量通過觀察通過沿半徑方向?qū)伖鈮|分成五片而形成的樣品的凹槽橫截面以計算具有上述深度的缺陷和具有上述長度的毛刺的數(shù)量來測量。圖5為說明用于本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法的凹槽加工工具的切削刃的一個實施方案的放大示意圖。圖6為說明用于生產(chǎn)常規(guī)拋光墊的方法的凹槽加工工具的切削刃的放大示意圖。如圖5所示，在本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法中，凹槽通過采用凹槽加工工具的機械切割形成凹槽并且具有矩形截面形狀的同心圓形凹槽形成于拋光表面上。要求用于本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法的凹槽加工工具的切削刃的截面形狀為矩形而不存在圖6中所示的常規(guī)凹槽加工工具中的側(cè)讓角(sidereliefangle)c。當使用具有側(cè)讓角c的凹槽加工工具時，由于凹槽加工工具的磨損，形成的凹槽的寬度小(圖4),并且不足以獲得研磨漿料保留量的均勻性，這導(dǎo)致研磨速率的不均勻性和劣化。在凹槽加工工具的切削刃的側(cè)面形狀中，當使用圖6中所示的常規(guī)凹槽加工工具中具有前角(rakeangle)d的凹槽加工工具時，凹槽加工工具與待加工的拋光表面的接觸區(qū)域隨凹槽加工工具的磨損而改變，并且不足以獲得凹槽加工面所要求的表面粗糙度Ra(圖4)。因此，要求用于本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法的凹槽加工工具具有無如圖5中所示的側(cè)讓角c和前角d的切削刃形狀。在本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法中，要求在逐步改變凹槽加工工具的進給速度和進給量的同時進行機械切割。本文所用術(shù)語"逐步改變"凹槽加工工具進給速度和進給量指的是逐步改變進給速度和進給量，同時形成同心圓形凹槽之一?？砂聪群箜樞蛱岣?、按先后順序降低、或提高或降低每一步的進給速度值等。每一步的時間可相同或不同。要求凹槽加工工具的進給速度在0.01-0.10m/min,優(yōu)選0.01-0.08m/min,更優(yōu)選0.01-0.05m/min的范圍內(nèi)且以l至2步，優(yōu)選2至3步，更優(yōu)選2至5步進行改變，同時形成同心圓形凹槽之一。當進給速度低于0.01m/min時，加工時間增加且加速凹槽加工工具的磨損。另一方面，當進給速度高于0.10m/min時，毛刺的出現(xiàn)增加，施加于凹槽加工工具的載荷增大并且凹槽形狀不穩(wěn)定。當以恒定的^f氐進給速度形成凹槽時，凹槽加工工具的磨損大并且加工時間增加。因此，要求按先后順序提高進給速度。另外，要求存在一個使凹槽加工工具的進給停止的時間，即，在使凹槽加工工具達到最深部分(即，所要求的凹槽深度)的位置處進給速度為零的時間。要求使凹槽加工工具的進給停止的時間在0.5-5秒，優(yōu)選1.0-3.0秒的范圍內(nèi)。當該時間長于5秒時，凹槽加工工具的磨損大。另一方面，當該時間短于0.5秒時，難以保持穩(wěn)定的凹槽形狀和表面狀態(tài)。凹槽加工工具的進給量通過逐步改變?nèi)缟纤龅倪M給速度來逐步改變。另外，要求逐步改變凹槽加工工具的總的進給量，其如同進給速度一樣根據(jù)所要求的凹槽深度而改變。如上所述，在本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法中，凹槽的加工面可具有不大于10的低表面粗糙度Ra,并減少通過凹槽加工在拋光墊的表面上形成的毛刺，形成具有所要求的矩形截面形狀的同心圓形凹槽。當凹槽的加工面的粗糙度Ra大時，研磨漿料和研磨廢料的流動性降低，這導(dǎo)致形成如上所述的劃痕。如圖3所示，使用本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法減少了通過凹槽加工在拋光墊的表面上形成的毛刺，在凹槽的上邊緣部分處獲得具有直角邊緣的凹槽。另外，側(cè)面11與底面12之間的角是直角，并且可以穩(wěn)定地形成具有精確矩形截面形狀的凹槽。因此，在通過本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法獲得的拋光墊中，在拋光表面上形成的凹槽的形狀是穩(wěn)定的，并且研磨漿料的保留量是穩(wěn)定的。因此，解決了問題如研磨速率的不均勻性或劣化、研磨量的晶片內(nèi)的不均勻性和消耗過量的研磨漿料。另外，可獲得待拋光材料與拋光墊之間研磨漿料的適當保留。在本發(fā)明的拋光墊中，并不限定凹槽的寬度、深度和間距，只要穩(wěn)定地形成具有精確矩形截面形狀的凹槽即可，但凹槽可具有寬度0.2-5.0mm、深度0.2-4.0mm和間距0.5-6.0mm,其可根據(jù)待拋光材料、拋光方法和拋光條件從上述范圍內(nèi)適當選擇。在本發(fā)明中，同心圓形凹槽優(yōu)選分別具有相同的寬度、相同的深度和相同的間距。在使用所述拋光墊的情況下，容易控制研磨速率，并且在生產(chǎn)拋光墊期間是方便的。本發(fā)明的拋光墊可以是常規(guī)使用的單層拋光墊，或包含與待拋光材料如半導(dǎo)體晶片接觸的拋光層(硬表面層)和位于拋光層與拋光壓盤之間的緩沖層(彈性支承層)的至少兩層的層壓拋光墊，或多層拋光墊。在層壓拋光墊中，拋光層和緩沖層分別形成。要求拋光層具有硬度45-65。當拋光層的硬度低于45時，待拋光材料的平坦性降低。另一方面，當拋光層的硬度高于65時，平坦性好，但待拋光材料的均勻性降低。拋光層的硬度根據(jù)JISK6253-1997測量。將拋光層用材料切割成尺寸2cmx2cm(適當厚度)作為用于測量硬度的樣品，并將樣品在溫度23。C士2。C和濕度50%±5%下放置16小時。拋光層的硬度通過使用一疊厚度不少于6mm的樣品，采用硬度計(由KobunshiKeikiCo.,Ltd制造的AskerD硬度計)測量。要求緩沖層具有硬度25-100，優(yōu)選30-85。緩沖層的硬度采用硬度計(由KobunshiKeikiCo.，Ltd制造的AskerA硬度計)根據(jù)JISK6253-1997測量。要求拋光層具有厚度0.2-4.0mm,優(yōu)選0.8-3.0mm。要求緩沖層具有厚度0.5-2.5mm,優(yōu)選1.0-2.0mm。在單層拋光墊中，厚度為1.0-5.0mm且其材料可從用于拋光層和緩沖層的材料中適當選擇并使用。在層壓拋光墊中，并不限定用于拋光層的材料，只要它滿足以上硬度范圍即可，但拋光層優(yōu)選由多孔材料形成。該多孔材料的實例包括例如聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、卣素類樹脂(例如聚氯乙烯、聚四氟乙烯和聚偏二氟乙烯)、環(huán)氧樹脂、光敏樹脂等等。該多孔材料可單獨使用，但該多孔材料也可與其它多孔材料的至少一種組合使用。在本發(fā)明中，特別優(yōu)選發(fā)泡聚氨酯樹脂作為拋光層用材料，這是因為聚氨酯樹脂具有優(yōu)異的耐磨性并且通過改變原料組成可容易地獲得具有所要求的物理性能的聚合物。使聚氨酯樹脂發(fā)泡的方法并不限定，但包括使用發(fā)泡劑的化學發(fā)泡法、積4成發(fā)泡法，添加空心微珠或通過加熱形成空心微珠的前體的方法，或其組合。用于本發(fā)明的拋光墊的微細泡沫體通過發(fā)泡法形成。聚氨酯樹脂包含異氰酸酯封端的氨基甲酸酯預(yù)聚物和鏈增長劑。異氰酸酯封端的氨基曱酸酯預(yù)聚物包括多異氰酸酯、低分子量多元醇和高分子量多元醇。不限定的多異氰酸酯的實例包括2,4-和/或2,6-二異氰酸根合甲苯、2,2，-、2,4，-和/或4，4，-二異氰酸根合二苯基甲烷、1，5-萘二異氰酸酯、對和間亞苯基二異氰酸酯、dimeryl二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、二苯基-4，4，-二異氰酸酯、1,3-和1,4-四曱基亞二曱苯基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、1，6-六亞甲基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷-l,3-和l,4-二異氰酸酯、l-異氰酸根合-3-異氰酸根合曱基-3，5，5，-三曱基環(huán)己烷(=異佛爾酮二異氰酸酯)、雙-(4-異氰酸根合環(huán)己基)曱烷(=氫化MDI)、2-和4-異氰酸根合環(huán)己基-2，-異氰酸根合環(huán)己基甲烷、1,3-和1,4-雙(異氰酸根合曱基)-環(huán)己烷、雙-(4-異氰酸根合_3_甲基環(huán)己基)甲烷等等。這些可單獨使用或以其兩種或多種組合使用。多異氰酸酯可根據(jù)澆鑄和模制期間所要求的適用期適當選擇。高分子量多元醇的實例包括羥基封端的聚酯、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚醚、聚醚碳酸酯、聚酯酰胺等等?？紤]到良好的耐水解性，優(yōu)選聚醚和聚碳酸酯，考慮到成本和熔體粘度，優(yōu)選聚醚。聚醚多元醇的實例包括具有反應(yīng)性氬原子的起始化合物與烯化氧如環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷、環(huán)氧丁烷、氧化苯乙烯、四氫呋喃、表氯醇或這些烯化氧的混合物的反應(yīng)產(chǎn)物。具有反應(yīng)性氬原子的起始化合物的實例包括水、雙酚和后面所述的用于制備聚酯多元醇的二元醇。具有鞋基的聚碳酸酯的實例包括二醇如1,3-丙二醇、1，4-丁二醇、1,6-己二醇、二甘醇、聚乙二醇、聚丙二醇和/或聚丁二醇，與光氣、碳酸二烯丙酯(例如碳酸二苯酯)或環(huán)狀碳酸酯(碳酸丙烯酯)的反應(yīng)產(chǎn)物。聚酯多元醇的實例包括二元醇與二元二羧酸的反應(yīng)產(chǎn)物，但為了改進耐水解性，要求在酯鍵之間具有較大距離。優(yōu)選該二元醇與該二元二羧酸均具有較長的鏈組分。不限定的二元醇的實例包括乙二醇、1,3-和l，2-丙二醇、1,4和1，3-和2，3-丁二醇、1，6-己二醇、1,8-辛二醇、新戊二醇、環(huán)己烷二曱醇、1,4-雙-(羥曱基)-環(huán)己烷、2-曱基-l,3-丙二醇、3-甲基-l,5-戊二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、二丁二醇等等。二元二羧酸的實例包括脂族、環(huán)脂族、芳族和/或雜環(huán)二元二羧酸，但優(yōu)選脂族或環(huán)脂族二元二羧酸，這是因為要求最終的NCO封端的預(yù)聚物是液態(tài)或低熔體粘度。如果應(yīng)用芳族二元二羧酸，優(yōu)選與脂族或環(huán)脂族二元二羧酸組合使用。不限定的二羧酸的實例包括琥珀酸、己二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、間苯二曱酸、對苯二甲酸、萘二酸、環(huán)己烷二羧酸(鄰、間、對)、二聚脂肪酸(例如油酸)等等。聚酯多元醇可具有羧基封端的基團的部分。還可使用內(nèi)酯如S-己內(nèi)酯或羥基羧酸如S-羥基己酸的聚酯。高分子量多元醇的數(shù)均分子量并不限定，但考慮到最終聚氨酯的彈性，優(yōu)選在500-2,000的范圍內(nèi)。當數(shù)均分子量低于500時，不足以獲得最終的聚氨酯樹脂的彈性，其為脆性樹脂。因此，由該聚氨酯樹脂制備的拋光層是硬而脆的，這導(dǎo)致在待拋光材料的拋光表面上形成劃痕。來自該聚氨酯樹脂的拋光墊容易磨損，考慮到拋光墊的壽命，它是不適合的。另一方面，當數(shù)均分子量高于2,000時，最終的聚氨酯樹脂軟，并且由該聚氨酯樹脂制備的拋光層傾向于具有差的平坦性。低分子量多元醇的實例包括上述用于制備聚酯多元醇的二元醇。作為用于本發(fā)明的低分子量多元醇，優(yōu)選使用選自由二甘醇、1，3-丁二醇、3-甲基-l，5-戊二醇和l，6-己二醇或其混合物組成的組中的至少一種。如果使用不同于用于本發(fā)明的那些多元醇的乙二醇或l,4-丁二醇作為低分子量多元醇，則在免鑄或模制期間，反應(yīng)性太高，或最終聚氨酯模制的拋光材料的硬度太高，本發(fā)明的拋光材料是脆的或IC的表面容易損壞。另一方面，如果使用比l,6-己二醇具有更長鏈的二元醇，有時獲得在澆鑄或模制期間適合的反應(yīng)性或適合的最終聚氨酯模制的拋光材料硬度。但是，成本太高，因此使用該二元醇并不是有用的。由于必須根據(jù)澆鑄和模制期間所要求的適用期來選擇異氰酸酯組份和降低最終NCO封端的預(yù)聚物的熔體粘度，所以將該異氰酸酯組份單獨使用或兩種或多種組合使用。其不限定的實例包括2,4-和/或2,6-二異氰酸根合甲苯、2，2,-、2，4，-和/或4,4，-二異氰酸根合二苯基甲烷、1,5-萘二異氰酸酯、對和間亞苯基二異氰酸酯、二聚酸二異氰酸酯(dimeryldiisocyanate)、亞二甲苯基二異氰酸酯、二苯基-4，4，-二異氰酸酯、1,3-和1,4-四甲基亞二曱苯基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷-l,3-和l,4-二異氰酸酯、l-異氰酸根合-3-異氰酸根合甲基-3,5,5-三曱基環(huán)己烷(=異佛爾酮二異氰酸酯)、雙-(4-異氰酸根合環(huán)己基)曱烷(=氫化MDI)、2-和4-異氰酸根合環(huán)己基-2，-異氰酸根合環(huán)己基甲烷、1,3-和1,4-雙(異氰酸根合甲基)-環(huán)己烷、雙-(4-異氰酸根合-3-甲基環(huán)己基)曱烷等等。高分子量多元醇與低分子量多元醇的比率根據(jù)由使用這些多元醇制備的拋光層的性能要求確定。用于本發(fā)明的鏈增長劑的實例包括例如有機二胺化合物。不限定的有機二胺化合物的實例包括4,4，-亞甲基-雙(鄰氯苯胺)、2，6-二氯對苯二胺、4，4'-亞曱基-雙(2,3-二氯苯胺)、3，3，隱二氯-4,4，-二氨基二苯基曱烷、氯代苯胺改性的二氯二氨基二苯曱烷、1,2-雙(2-氨基苯基硫代)乙烷、二對氨基苯甲酸丙二醇酯(trimethyleneglycol畫di-p-aminobenzoate)、3，5-乂又(甲基發(fā)"<)-2,6-甲苯二胺等等。上述低分子量多元醇可用作鏈增長劑。它們可單獨使用或兩種或多種組合使用。制備聚氨酯樹脂期間的有機異氰酸酯、多元醇和鏈增長劑的比率可根據(jù)各組份的分子量和由此形成的拋光層所要求的性能適當改變。為了獲得具有優(yōu)異研磨性能的拋光層，要求有機異氰酸酯中異氰酸酯基團的數(shù)量與多元醇和鏈增長劑中官能團(羥基和氨基)的總數(shù)量的比率在O.95-1.15,優(yōu)選O.99-1.10的范圍內(nèi)。本發(fā)明的聚氨酯樹脂可通過已知的聚氨酯制備技術(shù)生產(chǎn)。聚氨酯樹脂可任選包含穩(wěn)定劑例如抗氧化劑、表面活性劑、潤滑劑、顏料、填^K抗靜電劑和其它添加劑。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層用發(fā)泡聚氨酯(即，拋光層用多孔材料或拋光區(qū)域用微細泡沫體)具有平均泡孔直徑不大于70jim,優(yōu)選20-70jim,更優(yōu)選30-50)im。當平均泡孔直徑在該范圍之外時，不足以獲得平坦性。平坦性是指待拋光材料如半導(dǎo)體晶片的微結(jié)構(gòu)中的光滑度。作為測量發(fā)泡聚氨酯中平均泡孔直徑的方法，例如存在通過使用圖像處理單元在規(guī)定區(qū)域測量泡孔直徑的方法。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層用發(fā)泡聚氨酯具有比重0.5-1.0g/cm3。當比重低于0.5g/cnP時，拋光層(拋光區(qū)域)表面的強度降低，且待拋光材料如半導(dǎo)體晶片的平坦性降低。另一方面，當比重高于1.0g/ciT^時，拋光層(拋光區(qū)域)中微孔數(shù)量減少，且平坦性良好，但研磨速率傾向于劣化。比重是在壓力為1.01巴和溫度為4。C下樣品質(zhì)量和具有與才羊品相同體積的純水質(zhì)量的比率。比重可^4居JISZ8807測量。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層(拋光區(qū)域)用發(fā)泡聚氨酯具有硬度45-65，優(yōu)選40-60。當硬度低于45時，待拋光材料的平坦性降低。另一方面，當硬度高于65時，平坦性好，但晶片內(nèi)的均勻性傾向于降低。均勻性是指硅晶片表面內(nèi)研磨量的均勻性。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層(拋光區(qū)域)用發(fā)泡聚氨酯具有壓縮率O.5-5.0%,優(yōu)選O.5-3.0%。當壓縮率在上述范圍內(nèi)時，可充分獲得平坦性和均勻性。壓縮率通過使用下式測定壓縮率(％)=[(TVT2)/T,]xl00其中T,表示對樣品施加30kPa(300g/cm2)應(yīng)力60秒之后樣品的厚度，丁2表示對狀態(tài)L下的樣品施加180kPa(1，800g/cm"應(yīng)力60秒之后樣品的厚度。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層(拋光區(qū)域)用發(fā)泡聚氨酯具有壓縮回復(fù)率50-100%。當壓縮回復(fù)率在上述范圍之外時，拋光層的厚度通過來自待拋光材料的重復(fù)載荷而大大改變，研磨性能的穩(wěn)定性降低。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層(拋光區(qū)域)用發(fā)泡聚氨酯具有儲存彈性模量不少于200MPa，所述儲存彈性模量通過動態(tài)粘彈性測量，在溫度40。C和頻率lHz下測量。當儲存彈性模量小于200MPa時，拋光層表面的強度降低，且待拋光材料如半導(dǎo)體晶片的平坦性降低。儲存彈性模量是指通過向作為樣品的發(fā)泡聚氨酯施加正弦波振動，用動態(tài)粘彈性光語儀的拉伸模式折疊器測量的彈性模量。型發(fā)泡聚氨酯的方法。制備發(fā)泡聚氨酯的方法包括以下步驟(a)-(c)。(a)攪拌以制備異氰酸酯封端的預(yù)聚物的泡孔分散體；將硅酮類表面活性劑添加到異氰酸酯封端的預(yù)聚物中并且在惰性氣體中攪拌，將惰性氣體作為微細泡孔分散以形成泡孔分散體。當異氰酸酯封端的預(yù)聚物在常溫下呈固態(tài)時，通過預(yù)熱至適當溫度使預(yù)聚物熔融。(b)混合固化劑(鏈增長劑)；在攪拌下將鏈增長劑添加到泡孔分散體中并與其混合。(c)固化步驟；將與鏈增長劑混合的異氰酸酯封端的預(yù)聚物在模具中澆鑄并使其熱固化。將用于生產(chǎn)聚氨酯樹脂泡沫體的惰性氣體用于形成微細泡孔，并且其優(yōu)選是不可燃的。氣體的實例包括氮氣、氧氣、二氧化碳氣體、稀有氣體例如氦氣和氬氣及其混合氣體，考慮到成本，最優(yōu)選經(jīng)干燥除去水分的空氣。作為在含有硅酮類表面活性劑的異氰酸酯封端的預(yù)聚物中使惰性氣體分散以形成微細泡孔的攪拌器，可以使用公知的攪拌器而不需特別限定，并且其實例包括均化器、溶解器、雙螺桿行星式混合器(twin-screwplanetarymixer)等等。攪拌器的攪拌翼的形狀也不特別限定，但優(yōu)選使用捶輥型攪拌翼(whipper-typeagitator)開j成樣i纟田；包孑L。在優(yōu)選的實施方案中，在用于攪拌步驟中形成泡孔分散體的攪拌中和在用于混合步驟中混合添加的鏈增長劑的攪拌中，分別使用不同的攪拌器。特別地，在混合步驟中的攪拌可以不是用于形成泡孔的攪拌，并且優(yōu)選使用不產(chǎn)生大泡孔的攪拌器。這種攪拌器優(yōu)選為行星式混合器。在攪拌步驟和混合步驟中可以使用相同的攪拌器，并且攪拌條件例如攪拌翼的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選根據(jù)需要進行調(diào)節(jié)。在制備發(fā)泡聚氨酯的方法中，通過在模具中澆鑄泡孔分散體并使其反應(yīng)直至分散體喪失流動性獲得泡沫體的加熱和后固化，在改進泡沫體的物理性能方面是有效的并且是極其適合的。該泡孔分散體可在模具中澆鑄并在加熱爐中立即后固化，即使在這種條件下，熱并未立即傳導(dǎo)至反應(yīng)組-f分，因此泡孔的直徑并未增大。固化反應(yīng)優(yōu)選在常壓下進行以穩(wěn)定泡孔的形狀。在聚氨酯樹脂的制備中，可以使用加速聚氨酯反應(yīng)的公知催化劑，例如叔胺類催化劑、有機錫類催化劑。添加的催化劑的類型和量根據(jù)混合步驟之后在規(guī)定形狀的模具內(nèi)的免鑄中的流動時間確定。發(fā)泡聚氨酯的生產(chǎn)可在將各組份稱重并引入容器中的間歇式系統(tǒng)中或在將各組份和惰性氣體連續(xù)供應(yīng)到攪拌設(shè)備中并在該攪拌設(shè)備中攪拌的連續(xù)生產(chǎn)系統(tǒng)中進行，并且提供最終的泡孔分散體來生產(chǎn)模制品。用于本發(fā)明的拋光墊的拋光層可通過將一片如上所述制備的發(fā)泡聚氨酯樹脂切割成規(guī)定尺寸來生產(chǎn)。在本發(fā)明的拋光墊中，要求拋光層具有并不限定的厚度0.6-3.5mm。制備具有上述厚度的拋光層的方法的實例包括通過加工成給定厚度的方法；在包含具有給定厚度模腔的模具中澆鑄樹脂以使其固化的方法；使用涂覆技術(shù)或片料模塑技術(shù)的方法；等等。要求拋光層具有厚度變化性不大于100pm，優(yōu)選不大于50pm。當厚度變化性大于100pm時，拋光層具有大的鈹紋，并且形成與待拋光材料具有不同接觸狀態(tài)的部分，其降低了研磨性能。為了解決拋光層的厚度變化性，在拋光的初始階段，將拋光層的表面通過在其上具有電沉積或熔融粘結(jié)的金剛石研磨磨粒的修整器修整。但是，當厚度變化性大于上限時，修整時間長，這降低了生產(chǎn)效率。另外，為了抑制拋光層的厚度變化性，可將調(diào)節(jié)至規(guī)定厚度的拋光層(區(qū)域)的表面磨光處理。磨光處理優(yōu)選通過使用具有不同顆粒尺寸的研磨片材逐步進行。在本發(fā)明的由發(fā)泡聚氨酯形成的拋光層中，要求在與待拋光材料接觸的拋光表面(拋光區(qū)域)上設(shè)置凹槽以將材料拋光。在拋光半導(dǎo)體器件的過程中提供的研磨漿料通過凹槽的存在得以有效地保留。凹槽還具有在拋光表面上均勻分布研磨漿料的功能。另外，凹槽還具有用于暫時保留研磨廢料如研磨粉塵、用過的研磨漿料并將其平穩(wěn)地排出至其外部的通道的功能。凹的破壞。拋光層的表面上的凹槽包括例如包括側(cè)面和底面的矩形凹槽、U型凹槽、V型凹槽等等，其橫截面形狀并不特別限定。圖2為說明具有矩形橫截面形狀的凹槽的示意性橫截面。圖2中所示凹槽10的側(cè)面ll和底面12是凹槽內(nèi)表面。本文所用術(shù)語"凹槽內(nèi)表面，，指的是凹槽的側(cè)面和底面的至少一個表面。在U型凹槽的情況下，難以區(qū)別作為凹槽內(nèi)表面的側(cè)面和底面。在v型凹槽的情況下，凹槽內(nèi)表面僅包括側(cè)面。在本發(fā)明的拋光墊中，凹槽的整個內(nèi)表面不必是無孔表面。在具有小的深度和矩形一黃截面形狀的凹槽的情況下，即使僅僅凹槽的底面是無孔表面，也認為足以獲得通過本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)效果。但是，更優(yōu)選凹槽內(nèi)表面完全是無孔表面，這是因為可獲得更優(yōu)異的技術(shù)效果，所述凹槽內(nèi)表面是凹槽的側(cè)面和底面的至少一個表面。拋光層的拋光表面上的凹槽的形狀并不特別限定，但包括例如圓環(huán)、多邊形環(huán)(例如三角形環(huán)、正方形環(huán)、五邊形環(huán))、橢圓環(huán)等等。凹槽的數(shù)量并不特別限定，只要它不小于2即可。凹槽的排列并不特別限定，但包括例如同心排列的環(huán)形凹槽、偏心排列的環(huán)形凹槽、包含一個環(huán)形凹槽和位于由拋光表面上的該環(huán)形凹槽圍繞的部分內(nèi)的其它凹槽的環(huán)形凹槽等等。在上述環(huán)形凹槽中，考慮到研磨性能和加工凹槽的容易性，優(yōu)選以同心圓形式排列的環(huán)形凹槽。除了環(huán)形凹槽以外，在拋光表面上還可存在具有其它形狀的凹槽或凹穴(recesses)。具有其它形狀的凹槽可以是，例如在拋光層上沿直徑方向排列的線形凹槽。線形凹槽可按格子圖案排列。除了上述凹槽之外，還可存在貫通拋光表面至拋光層背面的貫通孔。要求拋光層表面上的凹槽具有寬度0.05-2.0mm,優(yōu)選0.20-0.50mm。當凹槽的寬度少于0.05mm時，難以使研磨漿料進入凹槽，并不足以獲得用作研磨漿料的流路的技術(shù)效果，其降低了研磨速率。另外，很難加工寬度小于0.05mm的凹槽，降低了生產(chǎn)率。另一方面，當凹槽的寬度大于2.0mm時，減少了與待拋光材料接觸的拋光層的拋光表面的拋光有效區(qū)域，降低了研磨速率。研磨速率是用于評價研磨性能的參數(shù)。在本發(fā)明中，要求凹槽具有間距0.1-20mm。間距15是如圖2所示的形成的凹槽14與其它凹槽14之間的距離。當凹槽的間距小于O.lmm時，在拋光墊上形成許多凹槽，減少了與作為待拋光材料的半導(dǎo)體晶片接觸的拋光層的拋光表面的拋光有效區(qū)域，這降低了研磨速率。另一方面，當凹槽的間距大于20mm大了待拋光材料與拋光墊之間的摩擦阻力。因此，待拋光材料從拋光頭移走(其為所謂的"脫盤(dechucking)")。凹槽的間距是指相鄰凹槽之間的最短距離。要求凹槽具有深度不小于0.5mm,其為從拋光表面至底面的最深部分的距離。當凹槽的深度小于0.5mm時，不足以獲得進給與排出研磨漿料之間的平衡，這對于拋光而言并不優(yōu)選。考慮到拋光墊的強度，優(yōu)選凹槽的深度不超過具有拋光表面的拋光層厚度的0.85。圖2還是說明凹槽10的寬度14、間距15和深度13的示意性橫截面。形成凹槽的方法并不限定，但包括使用例如規(guī)定尺寸的切割工具的機械切割法、在具有規(guī)定表面形狀的模具中澆鑄樹月旨并使其固化的方法、使用具有規(guī)定表面形狀壓板的壓制樹脂的方法、通過光刻法形成凹槽的方法、通過印刷形成凹槽的方法、通過使用二氧化碳激光器的激光形成凹槽的方法等等。優(yōu)選機械切割法。由多孔材料如發(fā)泡聚氨酯形成的拋光墊對于拋光半導(dǎo)體器件而言是優(yōu)良的。在通過機械切割在多孔材料上形成凹槽的情況下，通過切割孔部分形成的"毛刺，，或開孔在凹槽內(nèi)表面如側(cè)面和底面上形成。用過的研磨漿料和研磨粉塵易于通過凹槽內(nèi)表面上的倒刺或開孔的存在而保留或聚集。從而使凹槽塞住，種拋光墊對于長時間4炮光而言不耐用。為了解決上述問題，考慮使用例如通過熱壓、壓花、激光滑表面，沒有毛刺，但內(nèi)表面具有易于引起熱劣化的缺點。熱劣化引起凹槽膨脹、表面熱硬化等等，這引起劃痕。另一方面，在通過非發(fā)泡材料形成拋光層的情況下，具有光滑內(nèi)表面的凹槽也可通過切割等形成。但是，由非發(fā)泡材料形成的拋光層傾向于具有差的研磨漿料保留性。另外，由于非發(fā)泡材料不具有通過發(fā)泡形成的孔，研磨漿料和研磨粉塵沒有出口，這增加了劃痕的形成。本發(fā)明的拋光墊包含由多孔材料形成的拋光層并且在拋光層表面上形成的凹槽的內(nèi)表面具有無孔表面。術(shù)語"在拋光層表面上形成的凹槽的內(nèi)表面具有無孔表面"意思是拋光層由多孔材料形成，但在拋光層上形成的凹槽的內(nèi)表面具有光滑表面，其不具有任何孔。在凹槽內(nèi)表面具有無孔表面的情況下，要求無孔表面具有作為表面粗糙度的粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra1.0-5,0pm,優(yōu)選1.5-3.0)im。當粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra大于5.01im時，不足以獲得減少研磨漿料的異常保留的技術(shù)效果。另一方面，基于現(xiàn)有的技術(shù)水平，難以制備粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra小于l.(^m的無孔表面。在本發(fā)明的拋光墊中，由于拋光表面具有凹槽并且凹槽的內(nèi)表面具有無孔表面，即使拋光層由多孔材料形成，也可以有效地抑制由剩余的研磨漿料和研磨粉塵的保留產(chǎn)生的凹槽堵塞。因此，可以抑制研磨漿料的異常保留，并且可以制備具有優(yōu)異的長期可用性的拋光墊。本文所用"粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra"是根據(jù)JISB0601的參數(shù)。；祖糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra可采用光學型表面粗糙度試馬全儀，例如三維表面輪廓儀、激光掃描顯微鏡、電子束表面輪廓^4;接觸型表面粗糙度試驗儀，例如具有觸針的表面粗糙度試驗儀；等等測量。切割等形成凹槽，然后通過后處理將凹槽的內(nèi)表面加工成無孔表面的方法。后處理的方法的實例包括用激光加工機向凹槽內(nèi)表面的表面部分照射激光束以使其熔融的方法；向凹槽內(nèi)表面的表面部分薄薄i也施涂樹脂以使其變平的方法；向凹槽部分施涂樹脂，然后重新形成凹槽的方法；等等。用于后處理的樹脂的實例包括可用于制備拋光層的樹脂。凹槽內(nèi)表面可通過向凹槽部分施涂樹脂來處理而不進行上述發(fā)泡處理以形成無孔表面。向凹槽部分施涂樹脂的方法的實例包括對其涂布熱熔融樹脂的方法；通過將樹脂溶解或分散在溶劑中制備樹脂溶液，然后對其涂布或噴涂樹脂溶液的方法；通過涂布或噴涂向凹槽部分施涂可聚合樹脂，然后使其后固化的方法；等等。本發(fā)明的拋光墊的拋光層由多孔材料形成。因此，在拋光有效區(qū)域部分中，多孔表面是暴露的，所述有效區(qū)域部分是除凹槽部分之外的拋光表面，即拋光層的凹槽間距部分。也就是-說，拋光表面具有樣吏孔。包含拋光層和位于拋光層與拋光壓盤之間的緩沖層的至少兩層的層壓拋光墊。優(yōu)選拋光墊為包含拋光層和緩沖層的層壓拋光墊。緩沖層在補償拋光層的性能中起作用。為了在晶片內(nèi)實現(xiàn)平坦性和均勻性，需要緩沖層，上述兩者在CMP中是折衷關(guān)系。平坦性意指當將具有形成圖案過程中形成的微不勻性的待拋光材料拋光時圖案部分中的光滑性，晶片內(nèi)的均勻性意指在整個待拋光材料中的均勻性。平坦性通過拋光層的性能得以改善，晶片內(nèi)的均勻性通過緩沖層的性能得以改進。緩沖層的硬度優(yōu)選低于拋光層的硬度，這改進了拋光層對整個晶片的適應(yīng)性，并且改進了拋光層的均勻性。要求緩沖層具有AskerA硬度20-40，優(yōu)選25-35。用于形成緩沖層的材料的實例并不限定，但包括無紡纖維布，例如聚酯無紡布、尼龍無紡布、丙烯酸類無紡布；樹脂浸漬的無紡布如采用聚氨酯浸漬的聚酯無紡布；聚合物樹脂泡沫體如聚氨酯泡沫體、聚乙烯泡沫體；橡膠狀樹脂如丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠；光敏樹脂；等等。將拋光層層壓到緩沖層上的方法包括，例如在拋光層與緩沖層之間插入雙面膠帶(double-coatedtape),然后將其壓制的方法。雙面膠帶在基材如無紡布和膜的兩個表面上包含粘合層。要求使用膜作為基材以抑制研磨漿料滲入緩沖層。另外，粘合劑層用組合物的實例包括橡膠類粘合劑、丙烯酸類粘合劑等等?？紤]到金屬離子含量，優(yōu)選丙烯酸類粘合劑，這是因為它具有低含量的金屬離子。由于拋光層的組成可以與緩沖層的組成不同，雙面膠帶的各個粘合層可具有不同的組成并且可將各個粘合層的粘著力調(diào)節(jié)至適當范圍。光壓盤上，并可將半導(dǎo)體晶片的表面拋光。如在用于將拋光層粘結(jié)到緩沖層上的雙面膠帶中所述，雙面膠帶在基材如無紡布和膜的兩個表面上包含粘合層。由于拋光墊在拋光之后從壓盤上除去，要求使用用于基材的膜，這是因為可以防止膠帶殘留在拋光壓盤上。可以使用與用于將拋光層粘結(jié)到緩沖層的雙面膠帶的組成相同的粘合層的組成。半導(dǎo)體器件通過使用本發(fā)明的拋光墊拋光半導(dǎo)體晶片的表面的步驟生產(chǎn)。半導(dǎo)體晶片通常通過將金屬絲(wiremetal)和氧化物膜沉積在硅晶片上形成。拋光半導(dǎo)體晶片的方法和用于該方法的拋光設(shè)備并不限定，但該方法通過使用包括例如下列的拋光設(shè)備進行用于支承拋光墊的拋光壓盤、用于支承待拋光材料(例如半導(dǎo)體晶片)的支承臺(拋光頭)、用于均勻施壓至晶片的背襯(backing)和研磨漿料進給機構(gòu)。將拋光墊通過采用雙面膠帶粘結(jié)固定在拋光壓盤上。將拋光壓盤和支承臺進行安置以使分別由壓盤和支承臺支承的拋光墊和半導(dǎo)體晶片彼此相對并且分別具有轉(zhuǎn)軸。在支承臺側(cè)，設(shè)置用于將半導(dǎo)體晶片推至拋光墊上的加壓機構(gòu)。在拋光期間，在使拋光壓盤和支承臺旋轉(zhuǎn)的同時將半導(dǎo)體晶片推至拋光墊上，并且在將研磨漿料進給的同時進行拋光。將并不限定的研磨漿料的進給、拋光載荷、拋光壓盤的轉(zhuǎn)數(shù)和半導(dǎo)體晶片的轉(zhuǎn)數(shù)調(diào)節(jié)至適當范圍。因而，將待拋光材料如半導(dǎo)體晶片的表面上的突出部分平穩(wěn)地拋光。拋光之后，進行切割、粕結(jié)、包裝等等，再生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。將半導(dǎo)體器件用于處理器、存儲器等等。實施例在下文中，參照實施例更詳細地描述本發(fā)明，〗旦本發(fā)明不受實施例限制。(平均泡孔直徑)在平均泡孔直徑的測量中，采用切片機將材料如拋光層平行于該層切割成厚度約lmm作為用于測量平均泡孔直徑的樣品。將樣品固定在載3皮片上，并且在任意的0.2mmx0.2mm正方形區(qū)域內(nèi)通過使用圖像處理單元(由TOYOBOCo.,Ltd.制造的圖像分析儀VIO)測量所有泡孔的直徑，以計算平均泡孔直徑。(比重)比重根據(jù)JISZ8807-1976測量。將材牙牛如拋光層切割成尺寸為4cmx8.5cm(適當厚度)的條帶作為用于測量比重的樣品，將樣品在溫度23。C士2。C和濕度50。/o士5o/o下放置16小時。比重通過使用比重計(SartoriusK.K.)測量。(硬度)(1)拋光層的石更度硬度根據(jù)JISK6253-1997測量。將拋光層用材料切割為成尺寸2cmx2cm(適當厚度)作為用于測量硬度的樣品，將樣品在溫度23。C±2。C和濕度50%±5%下放置16小時。硬度通過使用一疊厚度不小于6mm的樣品采用硬度計(由KobunshiKeikiCo.，Ltd制造的AskerC^更度計)測量。(2)緩沖層的硬度硬度根據(jù)JISK6253-1997測量。將緩沖層用材料切割為成尺寸2cmx2cm(適當厚度)作為用于測量硬度的樣品，然后將樣品在溫度23°?！?°。和濕度50%±5%下放置16小時。硬度通過使用一疊厚度不小于6mm的樣品采用硬度計(由KobunshiKeikiCo.，Ltd制造的AskerA硬度計)測量。(壓縮率)將切割成直徑7mm(適當厚度)的圓盤的拋光層用材料用作用于測量壓縮率的樣品，將樣品在溫度為23。C士2。C和濕度為60%±10%下放置40小時。壓縮率通過使用TMA(SS6000;由SeikoInstruments制造)測量。壓縮率通過4吏用下式測定壓縮率(％)=[(T廣T2)/TJx100其中Ti表示對樣品施加30kPa(300g/cm"應(yīng)力60秒之后樣品的厚度，并且T2表示在狀態(tài)L下向樣品施用180kPa應(yīng)力60秒之后樣品的厚度。(壓縮回復(fù)率)將切割成直徑7mm(適當厚度)的圓盤的拋光層用材料用作用于測量壓縮回復(fù)率的樣品，將樣品在溫度23。C士2。C和濕度60%±10%下放置40小時。壓縮回復(fù)率通過使用TMA(SS6000;由SeikoInstruments制造)測量。壓縮回復(fù)率通過1"吏用下式測定壓縮回復(fù)率(％)=(TVT2)/(T廠T2)x100其中L表示對樣品施加30kPa(300g/cn^)應(yīng)力60秒之后樣品的厚度，T2表示對在狀態(tài)L下的樣品施加180kPa應(yīng)力60秒之后樣品的厚度，T3表示在狀態(tài)T2下的樣品在無載荷狀態(tài)下60秒，然后對樣品施加3OkPa(300g/cm2)應(yīng)力60秒之后樣品的厚度。(儲存彈性模量)將3mmx40mm矩形樣品(適當厚度)切下來并用作用于測量動態(tài)粘彈'性的樣品。使用測微計測量切割之后各個片材的精確寬度和厚度。為了測量，使用動態(tài)粘彈性光語儀(由IwamotoSeisakusho,現(xiàn)在是ISGiken制造)測定儲存彈性才莫量E，。測量條件如下測量溫度，40°C;施力口的應(yīng)變，0.03%;初始載荷，20g;和頻率，1HZ。[研磨性能的評價]作為拋光設(shè)備，在最終拋光墊的研磨性能的評價中使用由OkamotoMachineToolWorks,Ltd.制造的SPP600S。(研磨速率)研磨速率通過從直徑8英寸的硅晶片上形成的具有厚度1[im的氧化物膜直至拋光0.5pm厚度的氧化物膜的時間計算來確定。氧化物膜的厚度通過由OtsukaDenshisha制造的千涉膜厚度測量設(shè)備測量。拋光條件如下將二氧化硅漿料SemiSperse-12(由Cabot制造)以150mL/min.的流速滴下，拋光載荷為350g/cm2,拋光壓盤的轉(zhuǎn)數(shù)為35rpm,且晶片的轉(zhuǎn)數(shù)為30rpm。(平坦性)為了評價平坦性，將0.5nm的熱氧化膜沉積在8英寸的硅晶片上并進行圖案化，進一步在其上沉積l(im的氧化物膜p-TEOS(四乙氧基硅烷)以制備具有初始水平差0.5pm圖案的晶片。將該晶片在上述條件下拋光，并且測量各個水平差以評價平坦性。平坦性通過測量兩個水平差測定。一個是局部水平差，其為寬度270(im的線以30(im間隔的圖案中的水平差，即從拋光開始l分鐘之后的水平差。另一個是當兩個圖案中的線條上部之間的總的水平差減少至2000A以下時，在270jim間隔內(nèi)的研磨量，對其測量以評價平坦性，所述兩個圖案是寬度為270(im的線以30(am間隔的圖案和寬度30pm的線以270iam間隔的圖案。局部水平差越小，某一時間內(nèi)使根據(jù)晶片上的圖案形成的氧化物膜的不平整度平坦化的速度越高。間隔內(nèi)研磨量越少，不拋光部分的研磨量越少，這表明平坦性優(yōu)異。(晶片內(nèi)的均勻性)拋光之后，在硅晶片的拋光表面上在25個點處測量膜的厚度。使用膜的最大厚度Tmax和最小厚度Tmin根據(jù)以下方程式計算均勻性(％):晶片內(nèi)的均勻性(％)=(Tmax-Tmin)/(Tmax+Tmin)x100均勻性的值越小，硅晶片表面內(nèi)的均勻性越高。(劃痕的數(shù)量)采用由TopconCorporation制造的晶片表面分析儀WM2500測量拋光之后晶片上不小于0.5pm的劃痕的數(shù)量d(表面粗糙度Ra)將拋光層的拋光表面上形成的凹槽的內(nèi)表面部分切下來作為試樣。將試樣用蠟粘著在玻璃壓盤上。在以下測量條件下采用由TencorCorporation制造的表面4侖廊J義P-15,才艮氺居JISB0633測量玻璃壓盤上的試樣的粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra作為表面粗糙度。掃描長度2500(im掃描速度20jim/sec觸針力2mg觸針半徑2.0(im觸針尖的錐角60度如上所述制備另外4個試樣，并如上所示測量中心線平均粗糙度Ra。測定最終5個測量值的平均值，該平均值表示為作為表面粗糙度Ra的粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra。(凹槽的截面形狀)凹槽的截面形狀通過使用以下評1^介標準評價。評價標準0:當觀察凹槽的截面形狀時，沿深度方向在三個點處測量的凹槽寬度的平均值在目標范圍內(nèi)并且三個測量點的偏差不超過30(im或不超過目標范圍的10%。因此，獲得矩形截面形狀?！?凹槽寬度的平均值在目標范圍內(nèi)，但偏差大于30pm。僅在一個部分大量形成毛刺。一般獲得矩形截面形狀并且三個測量點的偏差不超過30jam,但凹槽寬度的平均值稍微超出了目才示范圍。x:凹槽寬度的平均值在目標范圍以外，未完全獲得矩形截面形狀。(表面毛刺)通過使用以下評價標準評價從凹槽到截面表面的毛刺，在該截面表面中測量凹槽的截面形狀。評{介標準0:不大于80pm△:從80至100jLimx:不小于100^im(凹槽加工工具的磨損)通過使用切削刃是新近拋光的凹槽加工工具加工凹槽之后，評價凹槽加工工具的切削刃的磨損狀態(tài)。測量圖7中所示切削刃的拐角部分的R(通過使用掃描電鏡SEM或顯微鏡)，并且通過使用如下評價標準評價凹槽加工工具的磨損。評價標準O:R=0-0.20mm且切削刃的拐角部分沒有缺口?！?R=0.20-0.30mm且切削刃的拐角部分稍微有缺口。x:R=不少于0.30mm且切削刃的拐角部分有大量缺口。(實施例1)拋光層的制備將過濾過的100重量份聚醚類氨基甲酸酯預(yù)聚物(由Uniroyal制造的AdipreneL-325,NCO含量2.22meq/g)和3重量份硅酮類非離子表面活性劑(由TorayDowCorningSiliconeCo.,Ltd.制造的SH192)引入到氟涂布的容器中并混合，將溫度保持在80。C。在將空氣引入反應(yīng)過程的情況下，將混合物在約900rpm下通過使用氟涂布的攪拌器強烈攪拌約4分鐘。將預(yù)先在120。C下熔融并過濾的26重量份4,4，-亞甲基-雙(鄰氯苯胺)(由IharaChemicalIndustry制造的IharaCuamineMT)引入其中。在攪拌約1分鐘之后，將混合的反應(yīng)溶液引入氟涂布的盤型敞口模具中。當反應(yīng)溶液不流動時，將模具置于烘箱內(nèi)并在110。C下后固化6小時，以生產(chǎn)發(fā)泡聚氨酯樹脂塊料。將該發(fā)泡聚氨酯樹脂樹脂片材。將片材用磨光輪(由Amitec制造)磨光處理以形成具有所要求厚度的片材(片材厚度1.27mm)。拋光層用磨光處理的片材具有平均泡孔直徑45pm、比重0,86、硬度53、壓縮率1.0%、壓縮回復(fù)率65.0%和彎曲模量275MPa。將磨光處理的片材沖壓成直徑24英寸(610mm)的圓盤，并且通過使用表面凹槽加工機(TohoEngineering)在片材的表面上形成深度0.8mm、寬度0.25mm和間距1.5mm的同心圓形凹槽。在將空氣引入反應(yīng)過程中的情況下，在不攪拌下，如上所述制備用于發(fā)泡聚氨酯樹脂片材的樹脂，然后使樹脂真空消泡以制備用于后處理的樹脂。將最終樹脂以未固化狀態(tài)涂布到凹槽部分上，并通過熱處理使其固化。然后如上所述將固化的樹脂部分切割以再次形成凹槽(后處理)。切割要小心進行而不切割所有的涂布樹脂。結(jié)果，制備了其中作為凹槽內(nèi)表面的側(cè)面和底面是無孔表面的拋光層。后處理之前的凹槽內(nèi)表面具有粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra7-20pm,后處理之后的凹槽內(nèi)表面具有粗糙度曲線的中心線平均粗4造度Ra0.6-1.0|im。通過使用層壓機，將雙面膠帶(由SekisuiChemicalCo.，Ltd制造的雙面粘著的膠帶)粘合到拋光層片材的凹槽加工面的相對側(cè)。拋光墊的生產(chǎn)通過使用層壓機，將具有已采用磨光輪擦光且已進行電暈處理的表面的聚乙烯泡沫體(由TorayIndustries，Inc.制造的TorayPEF)(厚度，0.8mm)作為緩沖層層壓至拋光層上的雙面膠帶的粘合表面上。另外，通過使用層壓機，將雙面膠帶粘合到緩沖層的相對側(cè)以制備拋光墊。測量或評價最終的拋光墊的研磨性能。結(jié)果，通過使用拋光墊拋光的硅晶片具有很少的劃痕和良好的均勻性，并且拋光墊具有良好的不少于40小時的長時間拋光硅晶片的穩(wěn)定性，以致研磨粉塵和研磨漿料并未異常保留在凹槽中。(比較例1)將過濾過的100重量份聚醚類氨基甲酸酯預(yù)聚物(由Uniroyal制造的AdipreneL-325,NCO含量2.22meq/g)和3重量<分硅酉同類非離子表面活性劑(由TorayDowCorningSiliconeCo.,Ltd.制造的SH192)引入到氟涂布的容器中并混合，并將溫度保持在80。C。在將空氣引入反應(yīng)過程的情況下，將混合物在約900rpm下，通過使用氟涂布的攪拌器強烈攪拌約4分鐘。將預(yù)先在120°C下熔融并過濾的26重量份4,4，-亞甲基-雙(鄰氯苯胺)(由IharaChemicalIndustry制造的IharaCuamineMT)引入其中。在攪拌約l分鐘之后，將混合的反應(yīng)溶液引入氟涂布的盤型敞口模具中。當反應(yīng)溶液不流動時，將模具置于烘箱內(nèi)并在110。C下后固化6小時，以生產(chǎn)發(fā)泡聚氨酯樹脂塊料。將該發(fā)泡發(fā)泡聚氨酯樹脂片材。將片材用磨光輪(由Amitec制造)磨光處理以形成具有所要求厚度的片材(片材厚度1.27mm)。拋光層用磨光處理的片材具有平均泡孔直徑45(im、比重0.86、硬度53、壓縮率1.0%、壓縮回復(fù)率65.0%和彎曲才莫量275MPa。將磨光處理的片材沖壓成直徑24英寸(610mm)的圓盤，并且通過〗吏用表面凹槽加工機(TohoEngineering)在片材的表面上形成深度0.8mm、寬度0.25mm和間距1.5mm的同心圓形凹槽，以制備具有凹槽加工拋光表面的拋光層片材。凹槽的內(nèi)表面(未后處理)具有粗糙度曲線的中心線平均粗糙度Ra7-20(im。通過使用層壓機，將雙面膠帶(由SekisuiChemicalCo.,Ltd制造的雙面粘著的膠帶)粘合到拋光層片材的凹槽加工面的相理的表面的聚乙烯泡沫體(由TorayIndustries,Inc.制造的TorayPEF)(厚度，0.8mm)作為緩沖層層壓至拋光層上的雙面膠帶的粘合表面上。另外，通過使用層壓機，將雙面膠帶粘合到緩沖層的相對側(cè)以制備拋光墊。測量或評價最終的拋光墊的研磨性能。結(jié)果，通過使用拋光墊拋光的硅晶片在拋光15小時之后具有劃痕，并且研磨粉塵和研磨漿料異常保留在凹槽中。(實施例2)將過濾過的100重量份聚醚類氨基甲酸酯預(yù)聚物(由Uniroyal制造的AdipreneL-325，NCO含量2.22m叫/g)和3重量份硅酮類非離子表面活性劑(由TorayDowCorningSilicone拋光墊的生產(chǎn)暈處Co.，Ltd.制造的SH192)引入到氟涂布的容器中并混合，并將溫度保持在80。C。在將空氣引入反應(yīng)過程的情況下，將混合物在約900rpm下通過使用氟涂布的攪拌器強烈攪拌約4分鐘。將預(yù)先在120°C下熔融并過濾的26重量份4,4，-亞曱基-雙(鄰氯苯胺)(由IharaChemicalIndustry制造的IharaCuamineMT)引入其中。在攪拌約l分鐘之后，將混合的反應(yīng)溶液引入氟涂布的盤型敞口模具中。當反應(yīng)溶液不流動時，將模具置于烘箱內(nèi)并在110。C下后固化6小時，以生產(chǎn)發(fā)泡聚氨酯樹脂塊料。將該發(fā)泡聚氨酯樹脂塊料用帶鋸型切片機(由Fecken制造)切片以獲得發(fā)泡聚氨酯樹脂片材。將片材用磨光輪(由Amitec制造)磨光處理以形成具有所要求厚度的片材(片材厚度1.27mm)。拋光層用磨光處理的片材具有平均泡孔直徑45jim、比重0.86、石更度53、壓縮率1.0%、壓縮回復(fù)率65.0%和彎曲模量275MPa。將磨光處理的片材沖壓成直徑24英寸(610mm)的圓盤，并且通過使用表面凹槽加工機在拋光層片材表面上形成寬度0.25mm、深度0.4mm和間距1.5mm的同心圓形凹槽。凹槽加工工具的進給速度是下表2中所示的編號1。測量最終的凹槽加工面的表面粗糙度，并評價凹槽的形狀、表面毛刺和凹槽加工工具的磨損。結(jié)果示于下面的表1和表2中。通過使用層壓機將雙面膠帶(由SekisuiChemicalCo.，Ltd制造的雙面粘著的膠帶)粘合到拋光層片材的凹槽加工面的相對側(cè)。通過使用層壓機，將具有已采用磨光輪擦光且已進行電暈處理的表面的緩沖片材(聚乙歸泡沫體，由TorayIndustries,Inc.制造的TorayPEF，厚度0.8mm)層壓至拋光層上的雙面膠帶的粘合表面上。另外，通過使用層壓機，將雙面膠帶粘合到緩沖層的相對側(cè)，以制備拋光墊。(實施例3)外，如實施例2中所述制備拋光墊。測量最終凹槽加工面的表面粗糙度，并評價凹槽的形狀、表面毛刺和凹槽加工工具的磨損。結(jié)果示于下面的表1和表2中。(比較例2)除了凹槽加工工具的進給速度是下面表2中所示的編號11以外，如實施例2中所述制備拋光墊。測量最終凹槽加工面的表面粗糙度，并評^r凹槽的形狀、表面毛刺和凹槽加工工具的磨損。結(jié)果示于下面的表1和表2中。評價實施例2-3和比較例2的拋光墊的研磨性能。結(jié)果示于下面表l中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>Ts:凹槽加工工具的停止時間W:凹才曹加工工具的磨損從表l的結(jié)果明顯看出，實施例2-3的拋光墊具有比比較例2的拋光墊更小的凹槽加工面的表面粗糙度和更少的劃痕數(shù)量。與比較例2的拋光墊相比，實施例2-3的拋光墊具有優(yōu)異的研磨性能。另一方面，在不采用本發(fā)明生產(chǎn)拋光墊的方法生產(chǎn)的比較例2的拋光墊中，研磨速率未降低，但劃痕數(shù)量很大并且大大劣化了來自凹槽加工的墊表面上的毛刺。如上所述，實施例2-3和比較例2的拋光墊中的凹槽加工工具的進給速度分別是表2中所示的編號1、編號4和編號11。凹槽加工工具的進給速度在編號1和編號4中逐步改變，在編號4中逐步增大，在編號l中增大或降低。在編號l中，在凹槽加工工具達到所要求的凹槽深度的位置處存在進給速度為零的時間。另一方面，編號ll是生產(chǎn)拋光墊的常規(guī)方法，其在凹槽加工步驟中凹槽加工工具的進給速度是恒定的。在實施例2和3的拋光墊中，通過如編號1和編號4中所示逐步改變凹槽加工工具的進給速度獲得具有精確矩形截面形狀和少許在凹槽加工面上的表面毛刺的凹才曹。另一方面，在比較例2的拋光墊中，由于如編號11中所示進給速度是恒定的，凹槽的截面形狀并不是精確的矩形且凹槽具有在凹槽加工面上的許多表面毛刺。權(quán)利要求1.一種在拋光表面中具有凹槽且由發(fā)泡聚氨酯形成的半導(dǎo)體晶片拋光墊，其中包含側(cè)面和底面的凹槽的加工面具有表面粗糙度Ra不大于10。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的拋光墊，其中該凹槽的加工面具有表面粗糙度Ra1-9。3.—種包含拋光層的半導(dǎo)體晶片拋光墊，其中該拋光層由多孔材料形成，該拋光層的拋光表面具有凹槽，并且該凹槽的內(nèi)表面的至少一部分具有無孔表面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的拋光墊，其中該無孔表面具有粗糙度曲線的中心線平均粗4造度Ra1.0-5.0jLim。5.根據(jù)權(quán)利要求3或權(quán)利要求4所述的拋光墊，其中該凹槽具有深度0.5-1.5mm。6.根據(jù)權(quán)利要求3由具有平均泡孔直徑207.根據(jù)權(quán)利要求3具有比重0.5-1.0g/cm3。8.根據(jù)權(quán)利要求3具有壓縮率O.5-5.0%。9.根據(jù)權(quán)利要求3-8任一項所述的拋光墊，其中該拋光層具有硬度45-65。10.根據(jù)權(quán)利要求3-9任一項所述的拋光墊，其進一步包含緩沖層，其中該緩沖層具有低于拋光層的硬度。11.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片拋光墊的方法，其包括通過逐步改變凹槽加工工具的進給速度和進給量來機械切割，以在拋光表面上形成具有矩形截面形狀的同心圓形凹槽的步驟。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中該形成凹槽的步驟包括在凹槽加工工具達到所要求的深度的位置處使凹槽加工工-5任一項所述的拋光墊，其中該拋光層-70pm的多孔材料形成。-6任一項所述的拋光墊，其中該拋光層-7任一項所述的拋光墊，其中該拋光層13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中按先后順序逐步改變和提高凹槽加工工具的進給速度和進給量。14.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中該拋光墊由發(fā)泡聚氨酯形成。15.—種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其至少包括通過使用根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的拋光墊拋光半導(dǎo)體晶片表面的步驟。全文摘要本發(fā)明提供拋光墊和用于生產(chǎn)該拋光墊的方法，該拋光墊能夠同時解決問題如劃痕出現(xiàn)、拋光速率變化或劣化、在晶片面內(nèi)拋光量的大量變化、拋光漿料過量消耗和不可能在拋光對象和拋光墊之間保持適當漿料，該拋光墊對將拋光速率保持在適當值和對改進拋光后拋光對象的面內(nèi)均勻性尤其有用，且對例如半導(dǎo)體晶片等的化學機械拋光在生產(chǎn)上非常有用。該拋光墊由在拋光面內(nèi)具有凹槽的聚氨酯泡沫體形成。凹槽形成面，即，凹槽的側(cè)面和底面的表面粗糙度(Ra)不大于10。用于生產(chǎn)該拋光墊的方法包括逐步改變凹槽加工刀片的進給速度和進給量，以在拋光面內(nèi)形成截面為矩形的同心圓形凹槽。文檔編號B24B37/20GK101175603SQ20068001701公開日2008年5月7日申請日期2006年2月24日優(yōu)先權(quán)日2005年5月18日發(fā)明者中井良之,木村毅,渡邊公浩申請人:東洋橡膠工業(yè)株式會社