專(zhuān)利名稱(chēng)：用于將涂料涂敷到基板上的真空裝置組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的真空裝置組及其變體用在真空沉淀領(lǐng)域上，亦即使材料沉淀到包括立體基板在內(nèi)的基板上，例如顯像管、平板顯示器等，以在其正面上形成多層的薄膜型涂層，而且，在多裝置組的真空設(shè)備中，所述真空裝置組及其變體可用于形成不同材料的多組分及多層涂層。
背景技術(shù)：
已有公知的、用于在顯像管(陰極射線管(CRT))組裝之后，在顯像管外表面上涂敷上薄膜型涂層的方法和設(shè)備。
在該公知的設(shè)備中，具有不同的初步系統(tǒng)的沉淀室由沉淀區(qū)域和初步的區(qū)域構(gòu)成。
在該設(shè)備的操作過(guò)程中，沉淀區(qū)域的壓力從1×10-1帕直到8×10-1帕，而在初步的區(qū)域中則為從5×10-3帕直到7×10-2帕。
安置在基板支架上的CRT沿著真空室移動(dòng)。在該實(shí)例中，基板支架設(shè)置有將真空室的空間分成兩個(gè)區(qū)域的擋板，即沉淀區(qū)域和初步的區(qū)域。在該公知的設(shè)備中，導(dǎo)電涂料在真空中沉淀，例如通過(guò)磁控管沉淀到鄰接CRT屏幕的定位環(huán)或其他接地區(qū)域的表面的一部分上，這促進(jìn)了表面靜電放電情形的消除〔1〕。
然而，該公知設(shè)備的特征具有本質(zhì)缺點(diǎn)。
作為一種連續(xù)處理型設(shè)備，其生產(chǎn)率低下。除此之外，組裝的CRT在真空室內(nèi)部的移動(dòng)不能排除來(lái)自結(jié)構(gòu)部件表面的各種污染物以及不希望有的雜質(zhì)的侵入，并且不能排除所述污染物和雜質(zhì)沉淀在接受涂敷的表面上，因而，不能確保必需的涂層質(zhì)量。在該實(shí)例中，當(dāng)安排需要涂敷的CRT的一致的固體流通過(guò)設(shè)備時(shí)，系統(tǒng)中單個(gè)單元的任何故障均會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)全部關(guān)閉。由此，所述設(shè)備可靠性和適用性差，進(jìn)而生產(chǎn)率低下。
另外，與系統(tǒng)的生產(chǎn)率相比，該公知設(shè)備也不能夠降低針對(duì)每一涂敷上沉淀材料的CRT的電力消耗，原因在于，系統(tǒng)的所有單元都要精準(zhǔn)地運(yùn)行以確保系統(tǒng)總體上的操作。
公知的還有一種真空噴鍍?cè)O(shè)備，該設(shè)備包括一個(gè)設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口的真空室、密封元件和預(yù)期用于沉淀涂料的處理裝置，其中所述開(kāi)口用于放置基板〔2〕。
除此之外，公知的還有一種用于將涂料涂敷到基板上的真空組件(其變體)及組件系統(tǒng)，其包括一個(gè)設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口的真空室、密封元件、預(yù)期用于沉淀涂料的處理裝置、真空閘門(mén)閥、以及處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)，運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安裝成使得其能夠平行于基板表面進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)，其中所述開(kāi)口用于放置基板〔3〕。
該真空沉淀設(shè)備、其設(shè)計(jì)方案具有變體的真空組件以及組件系統(tǒng)預(yù)期用在真空沉淀領(lǐng)域上，亦即使材料沉淀到基板上，以形成高質(zhì)量的薄膜型多層涂層。
然而，預(yù)期用于在真空下將涂料涂敷到基板上的所有公知設(shè)備的特征具有共同的嚴(yán)重缺點(diǎn)，亦即由于污染和涂層自身的高缺陷率而不能確保涂層的應(yīng)有質(zhì)量；關(guān)于預(yù)防性及故障性維護(hù)，其使用壽命短；既不能確保涂層厚度的均勻性，也不能確保同質(zhì)性；不能確保必需的生產(chǎn)率。
因此，具有處理裝置的車(chē)架在真空室內(nèi)部的移動(dòng)、以及在沉淀處理過(guò)程中沉淀到涂層上的不希望有的污染物的存在，極為嚴(yán)重地影響到涂層的清潔度和缺陷率，進(jìn)而影響到其質(zhì)量；除此之外，在車(chē)架移動(dòng)期間，同樣安置在真空室內(nèi)部的各種連通部件(用于水、氣體和電力供應(yīng))的存在需要非常精確且通常昂貴的措施，以保護(hù)所述連通部件免受熱流和輻射流，其中所述熱流和輻射流的影響會(huì)導(dǎo)致這些部件的表面的損毀，使真空變差，進(jìn)而使涂層本身劣化；最后，將處理裝置布置在涂料涂敷處理過(guò)程在其內(nèi)進(jìn)行的真空室的內(nèi)部，使得真空室的某一指定空間內(nèi)的許多此類(lèi)裝置的使用大大地受到限制，或者需要相當(dāng)大地?cái)U(kuò)大該空間。在該實(shí)例中，預(yù)防性和調(diào)試性工作之間的連續(xù)操作周期縮短，進(jìn)而設(shè)備總體上的生產(chǎn)率下降。

發(fā)明內(nèi)容
所提出的發(fā)明旨在提高沉淀涂層的質(zhì)量、提高生產(chǎn)率以及改進(jìn)具有類(lèi)似用途的設(shè)備的功能性和技術(shù)性特征。
所產(chǎn)生的問(wèn)題通過(guò)用于將涂料涂敷到基板上的、真空裝置組中的真空室加以解決，其中所述真空裝置組包括上述真空室、預(yù)期用于安置基板的基板支架、用于將涂料涂敷在基板上的處理裝置以及處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)，運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安裝成使得所述處理裝置能夠平行于基板和/或基板支架的表面進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)，而其中依據(jù)本發(fā)明(變體1)，所述真空室設(shè)置有主隔間和至少一個(gè)處理隔間；處理裝置被安置在真空室的處理隔間中，并且被安裝成使得所述處理裝置能夠平行于基板和/或基板支架的表面、以往復(fù)方式移入到真空室的主隔間內(nèi)，另外，處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)安置在真空室的外面并且通過(guò)設(shè)置有連通部件的支撐架連接到處理裝置，所述連通部件預(yù)期用于對(duì)處理裝置進(jìn)行供應(yīng)。
依據(jù)本發(fā)明的第二變體，真空室設(shè)置有主隔間和至少一個(gè)處理隔間，真空室的主隔間設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口和真空閘門(mén)閥，其中所述開(kāi)口和真空閘門(mén)閥用于將主隔間與處理隔間連接在成單一的處理單元，并且所述開(kāi)口和真空閘門(mén)閥被安置在一個(gè)垂直于基板支架和/或基板所處平面的平面上，將處理隔間設(shè)計(jì)成一個(gè)單獨(dú)的單元，并且使其連接到真空室的主隔間上，而且，將處理裝置安裝在處理隔間中，從而所述處理裝置能夠平行于基板和/或基板支架的表面、以往復(fù)方式移入到真空室的主隔間內(nèi)，另外，將處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)安置在真空室的外面并且通過(guò)設(shè)置有連通部件的支撐架連接到處理裝置，所述連通部件預(yù)期用于對(duì)處理裝置進(jìn)行供應(yīng)。
將支撐架設(shè)計(jì)成中空的圓柱形管子，其中所述管子與運(yùn)送機(jī)構(gòu)及處理裝置剛性連接在，連通部件安置在所述管子內(nèi)部，所述連通部件用作氣體載體、水載體以及電力載體；除此之外，依據(jù)任一設(shè)計(jì)方案變體所提出的裝置組中的真空室可包括兩個(gè)或多個(gè)處理隔間，其中所述隔間各自包括一個(gè)處理裝置；可將處理裝置安裝在與用于運(yùn)送所述處理裝置的機(jī)構(gòu)連接在一起的平臺(tái)上，并將所述處理裝置設(shè)計(jì)成一組可更換的處理部件，即刻蝕、加速及濺射線性源、靶、磁控管濺射源、基板加熱器，這些可更換的處理部件用于進(jìn)行處理及將涂料涂敷到所述基板上。
在該實(shí)例中，可將處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)成一個(gè)車(chē)架和與運(yùn)送機(jī)構(gòu)剛性連接的支撐架，并且將處理裝置安置在柔韌性的伸縮管的內(nèi)部，所述伸縮管與處理隔間和運(yùn)送機(jī)構(gòu)密封性地連接。
與具有類(lèi)似用途的公知裝置對(duì)比，作為一項(xiàng)發(fā)明提出的、用于將涂料涂敷在基板上的真空裝置組及其設(shè)計(jì)方案的變體具有不容置疑的優(yōu)點(diǎn)。
例如，所要求保護(hù)的設(shè)計(jì)中的處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安置在真空室的外面的事實(shí)使得大大地降低污染物的數(shù)量成為可能，其中所述污染物為機(jī)構(gòu)在真空下移動(dòng)時(shí)由磨損表面所造成。
預(yù)期用于使處理裝置的操作得以進(jìn)行的連通部件(氣體、水及電力載體)包括在中空的圓柱形支撐架內(nèi)部的事實(shí)也有助于減少污染物，其中所述圓柱形支撐架被引到真空室的外面。在該實(shí)例中，根據(jù)進(jìn)行涂料涂敷時(shí)處理裝置相對(duì)于基板移動(dòng)的行進(jìn)范圍選擇支撐架的長(zhǎng)度。并且支撐架自身起到防護(hù)屏的作用，保護(hù)連通部件的表面免受熱流和輻射流的影響。
由于依據(jù)變體2的真空室的工藝隔間可被設(shè)計(jì)成連接到真空室上的單獨(dú)的單元，因而在該情況下，真空室的主隔間用作進(jìn)行涂料涂敷的隔間，處理隔間則用于容納處理裝置。
在該實(shí)例中，無(wú)需為真空室裝配上額外的連通部件(氣體、水及電力載體)，原因在于，全部連通部件已經(jīng)在圓柱形支撐架的內(nèi)部運(yùn)轉(zhuǎn)，并且可被安裝在真空室上以及在其上獨(dú)立起作用。因此，實(shí)際上使額外污染物侵入到真空室內(nèi)的情形減至零。
柔韌性伸縮管的使用(在真空裝置組設(shè)計(jì)方案的兩個(gè)變體中)旨在對(duì)連通部件進(jìn)行真空密封。此時(shí)，伸縮管的一側(cè)確保與處理隔間的真空氣密性連接，且另一側(cè)與安置在真空室外面的運(yùn)送機(jī)構(gòu)確保處于真空氣密性連接。
伸縮管在進(jìn)行伸展和收縮時(shí)保持氣密性的性能，使得對(duì)基板進(jìn)行掃描而同時(shí)確保處理裝置在主隔間中的無(wú)阻礙運(yùn)動(dòng)成為可能。
安裝在主隔間和工藝隔間之間的開(kāi)口和閘門(mén)閥(變體2)使得能夠?qū)μ幚硌b置進(jìn)行維護(hù)或更換而不使真空室在一側(cè)缺乏氣密性，并且使得能夠延長(zhǎng)預(yù)防性工作之間的周期，因此，提高設(shè)備總體上的生產(chǎn)率。
當(dāng)使用大量的處理裝置時(shí)，其中進(jìn)行材料范圍極廣的多層涂層的涂敷時(shí)需要所述大量的處理裝置，可將幾個(gè)，例如三個(gè)，處理隔間連接到真空室的主隔間上；每一處理隔間包括一個(gè)處理裝置。由于處理裝置只能一次一個(gè)地進(jìn)入主隔間進(jìn)行涂料涂敷，因而大大地減少了處理裝置自身的污染，并且進(jìn)行涂料涂敷所需的真空參數(shù)的穩(wěn)定性也得到保證。所有以上列出的情形必然地確保了涂敷到基板上的涂層的高質(zhì)量。
依據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)的、被引到真空室的外面的運(yùn)送機(jī)構(gòu)，使得能夠在需要時(shí)進(jìn)行預(yù)防性工作和維修工作，而不會(huì)使真空室內(nèi)部的真空遭到破壞，這提高了設(shè)備總體上的生產(chǎn)率。


圖1、2和3示出了本發(fā)明的真空裝置組及其設(shè)計(jì)方案的變體的附圖。
圖1示出了真空裝置組(依據(jù)變體1)的總體示意圖，其中所述真空裝置組具有單一的處理隔間，而沒(méi)有將真空室分開(kāi)；圖2示出了真空裝置組(依據(jù)變體2)的總體示意圖，其中所述真空裝置組具有單一的處理隔間、開(kāi)口和真空閘門(mén)閥，其中所述真空閘門(mén)閥用于在需要時(shí)將主隔間與處理隔間分開(kāi)；及圖3示出了具有兩個(gè)處理隔間的真空裝置組(依據(jù)變體1和2)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
依據(jù)第一變體(圖1)設(shè)計(jì)的、預(yù)期用于將涂料涂敷在基板上的真空裝置組包括具有主隔間2和處理隔間3的真空室1、帶有基板5的基板支架4、安置在處理隔間3內(nèi)部的預(yù)期用于將涂料涂敷在基板5上的處理裝置6、用于運(yùn)送處理裝置6的機(jī)構(gòu)7、連接到處理裝置6上的支撐架8、處理裝置6安裝于其上的平臺(tái)9、以及伸縮管10，其中所述伸縮管的內(nèi)部具有帶連通部件11的支撐架8。
伸縮管10將支撐架8與外界分開(kāi)，并且用于將支撐架8密封在真空空間中。
伸縮管10在伸展和收縮時(shí)所具有的保持氣密性的性能，使得在借助處理裝置6將涂料涂敷到基板表面上時(shí)，能夠通過(guò)處理裝置6相對(duì)于基板5的行往復(fù)運(yùn)動(dòng)對(duì)所述基板表面進(jìn)行掃描，其中所述處理裝置6通過(guò)傳送機(jī)構(gòu)7相對(duì)于基板5進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
將支撐架8設(shè)計(jì)成中空的圓柱形管子，其中確保處理裝置6運(yùn)行的連通部件11安裝在所述管子的內(nèi)部。
不同于所述設(shè)計(jì)的第一變體，依據(jù)第二變體(圖2)設(shè)計(jì)的真空裝置組設(shè)置有開(kāi)口12和真空閘門(mén)閥13，其安裝在垂直于基板支架4和/或基板5所處平面的平面上，并且預(yù)期用于將真空室1的主隔間2與處理隔間3連接在一起。
除此之外，將依據(jù)所述真空裝置組設(shè)計(jì)方案的第二變體的處理隔間3設(shè)計(jì)成一個(gè)連接到真空室1的主隔間2的單獨(dú)的單元。
圖3示出了包括兩個(gè)處理隔間3和3’的真空裝置組。與處理隔間3一樣，處理隔間3’包括安置在處理隔間3’內(nèi)部的且預(yù)期用于將涂料涂敷在基板5上的處理裝置6’、用于運(yùn)送處理裝置6’的機(jī)構(gòu)7’、連接到處理裝置6’以及運(yùn)送機(jī)構(gòu)7’上的支撐架8’、處理裝置6’安裝于其上的平臺(tái)9’、以及伸縮管10’，其中所述伸縮管的內(nèi)部具有帶連通部件11’的支撐架8’。
為利于理解設(shè)備操作，出于示例，圖3示出了側(cè)開(kāi)口14，其中所述側(cè)開(kāi)口14設(shè)置有縫隙型閘門(mén)閥15，該閘門(mén)閥5制成于真空室1的主隔間2上并且預(yù)期用于放入基板5。在真空裝置組設(shè)計(jì)方案的每一種變體中均具有這樣的開(kāi)口；但是，這些開(kāi)口沒(méi)有顯示在圖1和2中，原因是在真空裝置組的主隔間上制出這些開(kāi)口的變體可以是隨意任選的(例如，可位于主隔間2的頂部或側(cè)部)。
作為一項(xiàng)發(fā)明提出的、用于將涂料涂敷到基板上的真空裝置組(依據(jù)變體1和2)的工作如下所述。
通過(guò)側(cè)開(kāi)口14將基板5安置在真空室1的主隔間2中的基板支架4上。接著，封閉縫隙型閘門(mén)閥15，并且應(yīng)當(dāng)將真空室1抽空到剩余壓力(例如5×10-4帕到10-5帕)。
通過(guò)位于伸縮管10內(nèi)的連通部件11，將冷卻流體、工作氣體和電力供應(yīng)到處理裝置6上，并且將系統(tǒng)導(dǎo)入到操作模式。接著，打開(kāi)運(yùn)送機(jī)構(gòu)7，借助處理裝置6使涂料沉淀到位于主隔間2中的基板5上。
安置在真空室1外面的運(yùn)送機(jī)構(gòu)7使得安置在處理隔間3中的處理裝置6能夠移動(dòng)到主隔間2內(nèi)。
當(dāng)在主隔間2的內(nèi)部往復(fù)運(yùn)動(dòng)時(shí)，處理裝置6根據(jù)指定程序?qū)⑼苛贤糠蟮交?上。
當(dāng)涂料涂敷處理過(guò)程結(jié)束之后，處理裝置6移動(dòng)進(jìn)入處理隔間3內(nèi)的初始位置。
接著，從真空室1的主隔間2中移出基板5。為此，應(yīng)當(dāng)打開(kāi)縫隙型閘門(mén)閥15，而且通過(guò)側(cè)開(kāi)口14從室1中將基板5移出。
在真空裝置組設(shè)計(jì)方案的第二變體中所提供的、設(shè)置在主隔間2與處理隔間3之間的開(kāi)口12和真空閘門(mén)閥13(圖2)，使下列情形成為可能對(duì)處理裝置進(jìn)行維護(hù)和更換，卻不會(huì)造成主隔間真空不足；延長(zhǎng)預(yù)防性工作之間的周期，因而提高了真空裝置組的生產(chǎn)率。
除此之外，可將幾個(gè)(兩個(gè)或多個(gè))各自包括處理裝置6的處理隔間3連接到真空室1的主隔間2上。
因此，圖3示出了包括處理裝置6和6’的處理隔間3和3’連接到其上的真空室1的主隔間2。
通過(guò)側(cè)開(kāi)口14放入基板5以及從基板支架4上移出所述基板5。
采用這樣設(shè)計(jì)，能夠憑借對(duì)定位在主隔間2中的基板進(jìn)行輪流處理的更多數(shù)量的處理裝置來(lái)提高裝備的功能。
以下部件用作安置在平臺(tái)9上的處理裝置6(圖3)的可更換部件加速器類(lèi)型的離子濺射源，其帶有陽(yáng)極層以及雙位旋轉(zhuǎn)靶；而以下部件則用作安置在平臺(tái)9’上的處理裝置6’的可更換部件連續(xù)式平面磁控管和線性的IR(紅外線)加熱器。
在該情況下，能夠有效地形成具有多種不同材料的多組分及多層涂層。裝置自身的污染程度也相當(dāng)大地得以降低，原因在于，所述裝置輪流出現(xiàn)在進(jìn)行沉淀處理的主隔間中。
使用依據(jù)所提出的任何變體而設(shè)計(jì)的真空裝置組將涂料涂敷到基板上的技術(shù)的具體實(shí)施例如下所述。
通過(guò)真空室1的主隔間2的側(cè)開(kāi)口14將基板5放置在基板支架4中，然后封閉縫隙型閘門(mén)閥15。可以通過(guò)側(cè)開(kāi)口14從大氣放入基板5，或者，在使用多于一個(gè)真空裝置組的情況下，通過(guò)一個(gè)處于真空下的、單一的運(yùn)送系統(tǒng)，經(jīng)由側(cè)開(kāi)口14從運(yùn)送真空室放入所述基板5(圖3)。
使主隔間2中的壓力達(dá)到5×10-4帕。將冷水和比例分別為95％5％的氬氧混合物供應(yīng)到安置在處理隔間6中的離子源內(nèi)。
在該情況下，主隔間中的總壓力等于5×10-2帕，而從真空室外面供應(yīng)的水溫則為15到18℃。
將4千伏的正電壓加到包括在處理裝置6中的作為一個(gè)可更換部件的離子源的陽(yáng)極上，引起放電且所述源形成了朝向ITO(氧化銦錫)陶瓷靶(90％In2O3、10％SnO2)的離子束。
將運(yùn)送機(jī)構(gòu)7設(shè)定成處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，且平臺(tái)9連同安裝在其上的處理部件(離子源和靶)移入到主隔間2內(nèi)并且在其內(nèi)相對(duì)于基板5進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
通過(guò)石英傳感器控制膜層的理想配比成分和厚度。當(dāng)達(dá)到指定的厚度后，平臺(tái)9連同處理裝置6返回到處理隔間3內(nèi)，處理終止。
打開(kāi)縫隙型閘門(mén)閥15，經(jīng)由側(cè)開(kāi)口14(圖3)移出基板5。
如果在真空裝置組設(shè)計(jì)方案的第二變體中，在主處理隔間和工藝隔間之間設(shè)置有開(kāi)口12和真空閘門(mén)閥13，涂料涂敷處理過(guò)程仍以類(lèi)似的方式進(jìn)行。
唯一的區(qū)別在于，上述結(jié)構(gòu)部件預(yù)期用于維持處理隔間3中的真空，在將基板5裝載到主隔間2內(nèi)之前，真空閘門(mén)閥13(圖2)關(guān)閉主隔間和處理隔間之間的開(kāi)口12，同時(shí)將處理裝置6密封在處于真空狀態(tài)下的處理隔間3中。
這使得能夠?qū)φ婵帐?的主隔間2快速地進(jìn)行初級(jí)抽氣，減少處理循環(huán)的時(shí)間，提高裝備的生產(chǎn)率。
在使用多于一個(gè)的處理隔間的情況下，涂料涂敷處理過(guò)程如下進(jìn)行(圖3)。
在多裝置組系統(tǒng)的情況下，基板5從真空室經(jīng)由側(cè)開(kāi)口14移入到真空裝置組的主隔間2內(nèi)并且被放置在基板支架4上。接著，封閉縫隙型閘門(mén)閥15。
處理隔間3和3’中的處理裝置6和6’裝配有下述可更換的部件位于處理裝置6的平臺(tái)9上的帶有濺射銀(Ag)靶的離子束源；位于處理裝置6’的平臺(tái)9’上的、IR加熱器及帶有ITO靶的磁控管。
使主隔間中的壓力達(dá)到5×10-4帕。通過(guò)機(jī)構(gòu)7’，使裝置6’從處理隔間3’移入到主隔間2內(nèi)，并將涂料涂敷到基板5上。
在處理裝置6’相對(duì)于基板表面5移動(dòng)的過(guò)程中，打開(kāi)IR加熱器，使基板溫度達(dá)到250℃。接著，將比例分別為84％16％的氬氧混合物供應(yīng)到真空室1內(nèi)。于是，主隔間2中的壓力等于5×10-1帕。
將480伏的負(fù)電壓加到磁控管上，并且在放電電流為5.3安時(shí)，涂敷厚度為400埃的ITO涂層。接著，將處理裝置6’移入到處理隔間3’內(nèi)并并且關(guān)掉。
使放置在處理隔間3中的離子源填充上氬、從而使壓力達(dá)到5×10-2帕，并且將4.0千伏的電壓加到該離子源上。于是，形成朝向所述靶的、電流為340毫安的離子束。
設(shè)計(jì)成車(chē)架的運(yùn)送機(jī)構(gòu)7將安置在處理裝置6的平臺(tái)9上的離子源移入到主隔間2內(nèi)。接著，處理裝置6將涂料涂敷到基板5上，在所述基板5的表面上形成了厚度為150埃的Ag膜層。
接著，使處理裝置6移回到處理隔間3內(nèi)并關(guān)掉。
通過(guò)安置在處理隔間3’中的處理裝置6’，以與第一層嚴(yán)格相同的方式，形成最后一層，即厚度為400埃的ITO膜層。
當(dāng)涂料涂敷處理過(guò)程結(jié)束時(shí)，打開(kāi)縫隙型閘門(mén)閥15，并且經(jīng)由側(cè)開(kāi)口14將基板5從主隔間2移入到多裝置組設(shè)備中的公共的運(yùn)送室內(nèi)。
因而，提出作為一項(xiàng)發(fā)明的、預(yù)期用于將涂料涂敷到標(biāo)準(zhǔn)尺寸范圍極廣的基板上的真空裝置組的設(shè)計(jì)方案及其變化形式，確保了所要求保護(hù)的方案的多功能性和高生產(chǎn)率。
被帶到真空系統(tǒng)外面的運(yùn)送機(jī)構(gòu)，使得能夠在需要時(shí)對(duì)運(yùn)送機(jī)構(gòu)進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)和日常維護(hù)，卻不會(huì)造成所述室的內(nèi)部真空不足。
安裝在處理裝置平臺(tái)上的處理部件的可替換性，使得能夠根據(jù)任務(wù)設(shè)置減少將這些部件布置在平臺(tái)上所花費(fèi)的時(shí)間。
處理隔間的自主設(shè)計(jì)，使得能夠通過(guò)將這些隔間作為單獨(dú)的處理單元連接到主隔間上來(lái)使用兩個(gè)或多個(gè)隔間，并為設(shè)備提供多功能性，而不用擴(kuò)大真空室的主隔間的空間。
連通部件布置在支撐架的內(nèi)部以及通過(guò)柔韌的伸縮管密封所述支撐架，保護(hù)它們使其免受熱和輻射的影響，而且延長(zhǎng)其使用壽命，并且在進(jìn)行涂料涂敷時(shí)，防止各種污染物進(jìn)入到基板的表面上。
具有真空閘門(mén)閥的開(kāi)口的存在使得能夠?qū)⒅鞲糸g與處理隔間分開(kāi)，同時(shí)在所述兩個(gè)隔間的其中一個(gè)隔間欠缺氣密性時(shí)，能夠維持另一個(gè)隔間的真空，這有助于在總體上提高設(shè)備的生產(chǎn)率。
裝置所具備的結(jié)構(gòu)部件，使得能夠獲得高質(zhì)量的、具有不同標(biāo)準(zhǔn)尺寸的基板的薄膜涂層，其中所述涂層的材料范圍極廣。
作為一項(xiàng)發(fā)明提出的、用于將涂料涂敷到基板上的真空裝置組及其變體具有多種用途并可應(yīng)用于工業(yè)環(huán)境。
資料來(lái)源1.1996年2月6日公布的美國(guó)專(zhuān)利第5489369號(hào)，國(guó)際分類(lèi)號(hào)C23C14/56。
2.1994年10月27日公布的德國(guó)專(zhuān)利第P4313353.3號(hào)，國(guó)際分類(lèi)號(hào)C23C14/22。
3.2003年2月27日公布的歐亞專(zhuān)利第003148號(hào)，國(guó)際分類(lèi)號(hào)C23C14/54，14/56，14/34(最接近的類(lèi)似物)。
權(quán)利要求
1.一種用于將涂料涂敷到基板上的真空裝置組，其包括一個(gè)真空室；一個(gè)預(yù)期用于安置基板的基板支架；一個(gè)用于將涂料涂敷到基板上的處理裝置；及一個(gè)處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)，其被安裝成使得其能夠平行于基板和/或基板支架的表面往復(fù)移動(dòng)，其特征在于，所述真空室設(shè)置有主隔間和至少一個(gè)處理隔間；處理裝置被安置在真空室的處理隔間中并且被安裝成使得所述處理裝置能夠平行于基板和/或基板支架的表面往復(fù)移入真空室的主隔間內(nèi)，而且，處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安置在真空室的外面并且通過(guò)支撐架與所述處理裝置連接。
2.一種用于將涂料涂敷到基板上的真空裝置組，其包括一個(gè)設(shè)置有開(kāi)口的真空室；預(yù)期用于安裝基板的基板支架；一個(gè)用于將涂料涂敷到基板上的處理裝置；處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)，其被安裝成使得其能夠平行于基板和/或基板支架的表面往復(fù)移動(dòng)；一個(gè)真空閘門(mén)閥，其特征在于，所述真空室設(shè)置有主隔間和至少一個(gè)處理隔間，真空室的主隔間設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口和真空閘門(mén)閥，其中所述開(kāi)口和真空閘門(mén)閥用于將主隔間與處理隔間連接成一個(gè)單一的處理單元，并且所述開(kāi)口和真空閘門(mén)閥被安置在一個(gè)垂直于基板支架和/或基板所處平面的平面上，處理隔間被設(shè)計(jì)成一個(gè)單獨(dú)的單元并且被連接到真空室的主隔間上，而且，處理裝置被安裝在處理隔間中，這樣，所述處理裝置能夠平行于基板和/或基板支架的表面往復(fù)移入到真空室的主隔間內(nèi)，另外，處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安置在真空室的外面并且通過(guò)支撐架與處理裝置連接。
3.依據(jù)權(quán)利要求1、2中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，所述真空室包括兩個(gè)及多個(gè)各自包括有處理裝置的處理隔間。
4.依據(jù)權(quán)利要求1、2、3中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，將所述處理裝置設(shè)計(jì)成一組預(yù)期用于對(duì)所述基板進(jìn)行處理以及將涂料涂敷到所述基板上的處理部件，其中所述一組處理部件為直線型刻蝕、加速及濺射源，靶，磁控管濺射源，基板加熱器。
5.依據(jù)權(quán)利要求4所述的真空裝置組，其特征在于，所述處理部件被設(shè)計(jì)成可更換型。
6.依據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，所述處理裝置被安裝在與處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)連接在一起的平臺(tái)上。
7.依據(jù)權(quán)利要求1、2、6中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)成車(chē)架。
8.依據(jù)權(quán)利要求1、2中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，所述支撐架被設(shè)計(jì)成與運(yùn)送機(jī)構(gòu)和處理裝置剛性連接在一起的中空管子。
9.依據(jù)權(quán)利要求1、2、8中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，所述支撐架被安置在與處理隔間和運(yùn)送機(jī)構(gòu)密封性地連接在一起的柔韌性的伸縮管的內(nèi)部。
10.依據(jù)權(quán)利要求1、2、8、9中的任一項(xiàng)所述的真空裝置組，其特征在于，所述支撐架的內(nèi)部安置有預(yù)期用于給處理裝置供應(yīng)電力的連通部件。
11.依據(jù)權(quán)利要求10所述的真空裝置組，其特征在于，氣體、水和電載體被用作連通部件。
全文摘要
本發(fā)明所提供的真空裝置組及其變體用于將材料真空沉淀到基板上的領(lǐng)域。依據(jù)設(shè)計(jì)方案的第一變體，所述真空裝置組與具有類(lèi)似用途的公知設(shè)備的不同之處在于所述真空室設(shè)置有主隔間和至少一個(gè)處理隔間；處理裝置被安置在真空室的處理隔間中并且被安裝成使得其能夠平行于基板和/或基板支架的表面往復(fù)移入到真空室的主隔間內(nèi)，且處理裝置運(yùn)送機(jī)構(gòu)被安置在真空室的外面并且通過(guò)支撐架與處理裝置連接。依據(jù)設(shè)計(jì)方案的第二變體，真空室的主隔間設(shè)置有一個(gè)開(kāi)口和真空閘門(mén)閥，處理隔間被設(shè)計(jì)成一個(gè)單獨(dú)的單元并且連接到真空室的主隔間上。
文檔編號(hào)C23C14/56。
2.1994年10月27日公布的德國(guó)專(zhuān)利第P4313353.3號(hào)，國(guó)際分類(lèi)號(hào)C23C14/22。
3.2003年2月27日公布的歐亞專(zhuān)利第003148號(hào)，國(guó)際分類(lèi)號(hào)C23C14/54，14/56，14/34(最接近的類(lèi)似物)。GK1900349SQ20061008101
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2006年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月18日
發(fā)明者希里波夫·弗拉基米爾·雅科夫萊維奇, 希薩莫夫·艾拉特·哈米圖維奇, 馬雷舍夫·謝爾蓋·帕夫洛維奇, 勒什尤科·米卡萊·葉夫根列維奇 申請(qǐng)人:希里波夫·弗拉基米爾·雅科夫萊維奇, 希薩莫夫·艾拉特·哈米圖維奇, 馬雷舍夫·謝爾蓋·帕夫洛維奇, 勒什尤科·米卡萊·葉夫根列維奇