專(zhuān)利名稱(chēng)：真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種輔助設(shè)備，尤其是涉及一種用于真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
真空濺鍍是借助高能粒子轟擊所產(chǎn)生的動(dòng)量交換，把鍍膜材料的原子從固體(靶)表面撞出并放射出來(lái)。放在靶前面的基材攔截濺射出來(lái)的原子流，后者凝聚并形成鍍層。但是，由于從靶射出的原子流并非按照確定的方向運(yùn)動(dòng)，當(dāng)原子流被基材攔截后，在基材表面形成的鍍層可能覆蓋基材的邊緣、側(cè)邊等無(wú)須濺鍍的表面，或是在基材表面形成的鍍層不能完全覆蓋基材的需要被濺鍍的表面。為克服此問(wèn)題，業(yè)界采取的做法是在基材的邊緣位置，為使鍍層準(zhǔn)確覆蓋基材的濺鍍的表面，而不鍍到基材的非濺鍍的表面，一般通過(guò)調(diào)整遮鍍位置，使遮鍍位置稍微伸出到基材的濺鍍的表面之上。但是，此種方法不容易控制，更沒(méi)有一個(gè)準(zhǔn)則來(lái)調(diào)整遮鍍位置，故很容易造成基材的表面被多鍍或少鍍等不良問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型揭示了一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其能有效解決真空濺鍍中對(duì)遮鍍位置的調(diào)整的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其包括一遮蓋部，其設(shè)置于基材的濺鍍表面的一側(cè)，且部分遮蓋該基材的濺鍍表面；且上述遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離，等于上述遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長(zhǎng)度。
較佳的，本實(shí)用新型的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)包括一底座以及一遮蓋件，上述底座具有容納上述基材的容納腔，而上述遮蓋部為從上述遮蓋件的內(nèi)壁延伸形成。
由于使用了上述方案，本實(shí)用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)中，由于采用了設(shè)計(jì)輔助設(shè)備的方式來(lái)控制對(duì)基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對(duì)遮鍍位置不準(zhǔn)確、難于控制等難題；且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有較佳的實(shí)用價(jià)值。


圖1為本實(shí)用新型的原理示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的其中一具體實(shí)施例的立體示意圖。
圖3為圖2所示的分解示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，為本實(shí)用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)的原理示意圖。
其中，該遮鍍輔助設(shè)備100使用于真空濺鍍系統(tǒng)中，且設(shè)置于真空濺鍍系統(tǒng)中的固體(或靶)與基材200(待鍍層的物體)之中。該遮鍍輔助設(shè)備100包括從一側(cè)壁向外延伸而形成階梯形的遮蓋部110，該遮蓋部110部分遮蓋于上述基材200的一側(cè)面表面；上述遮蓋部110末端的壁厚C大約為2.0MM；上述遮蓋部110與上述基材200的表面的垂直距離A，與上述遮蓋部110向外延伸出的長(zhǎng)度B大致相等，也即A∶B大約為1∶1，且A與B的數(shù)值在0.8-1.2MM之間時(shí)具有較佳的遮鍍效果；上述遮蓋部110的坡度D大約為30°。
上述A也為上述遮蓋部110遮蓋上述基材200的邊緣部分的寬度。當(dāng)上述真空濺鍍系統(tǒng)中的靶把鍍膜材料的原子撞出并放射出來(lái)后，部分原子流濺鍍到上述遮蓋部110之上；通過(guò)上述遮蓋部110，使原子流無(wú)法濺鍍到上述基材200的非濺鍍的表面220；且原子流濺鍍到上述基材200的濺鍍的表面210，經(jīng)凝聚并形成鍍層，該鍍層與上述非濺鍍的表面220或是距上述濺鍍的表面210邊界的非鍍層部門(mén)，能滿(mǎn)足行業(yè)的有關(guān)要求。
另外，同時(shí)參考圖2和圖3，為采用圖1所示的原理的其中一個(gè)具體實(shí)施例。其中，遮鍍輔助設(shè)備100包括一底座120以及一遮蓋件130，上述遮蓋件130配合上述底座120使用。上述底座120為根據(jù)待濺鍍的基材200(圖2和圖3中均未繪示)，設(shè)置有容納上述基材200的容納腔140，而上述遮蓋件130扣合設(shè)置于上述底座120一側(cè)面，進(jìn)一步使上述基材200固定容納于上述底座120中的容納腔140中。另外，上述遮蓋件130的內(nèi)壁上，向外延伸設(shè)置有上述遮蓋部110，上述遮蓋部110的延伸長(zhǎng)度與上述遮蓋部110距離上述基材200的表面的長(zhǎng)度相等，且均為0.8-1.2MM；另外，上述遮蓋件130的內(nèi)壁的形狀與上述基材200的邊緣形狀類(lèi)似，使從上述遮蓋件130的內(nèi)壁上向外延伸的上述遮蓋部110恰好能遮蓋上述基材200的邊緣部分，以達(dá)到防止上述上述基材200的非濺鍍的表面220被濺鍍，同時(shí)能最大化的濺鍍上述基材200的濺鍍的表面210，且濺鍍面電阻值達(dá)到最小。
綜上所述，本實(shí)用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)中，由于采用了設(shè)計(jì)輔助設(shè)備的方式來(lái)控制對(duì)基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對(duì)遮鍍位置不準(zhǔn)確、難于控制等難題。
權(quán)利要求1.一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一部分遮蓋基材的濺鍍表面之遮蓋部，該遮蓋部設(shè)置于該基材的濺鍍表面的一側(cè)，另外，該遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長(zhǎng)度等于該遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離。
2.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一底座以及一遮蓋件，上述底座具有容納上述基材的容納腔，而上述遮蓋部為從上述遮蓋件的內(nèi)壁延伸形成。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型揭示了一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其包括一遮蓋部，其設(shè)置于基材的濺鍍表面的一側(cè)，且部分遮蓋該基材的濺鍍表面；且上述遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離，等于上述遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長(zhǎng)度。由于本實(shí)用新型采用了設(shè)計(jì)輔助設(shè)備的方式來(lái)控制對(duì)基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對(duì)遮鍍位置不準(zhǔn)確、難于控制等難題；且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有較佳的實(shí)用價(jià)值。
文檔編號(hào)C23C14/34GK2873798SQ20052006520
公開(kāi)日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者楊雪嬌, 覃飛祥, 吳政道 申請(qǐng)人:佛山市順德區(qū)漢達(dá)精密電子科技有限公司