專利名稱：一種氮化硅膜的生長方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝方法，尤其涉及一種氮化硅膜的生長方法。
背景技術(shù)：
超大規(guī)模集成電路制造中，高密度等離子體工藝是用在氧化膜生長中，在腔體中通氣體并加射頻能量使分子離化，按一定比例生長和刻蝕，從而提高氧化膜在小區(qū)域(0.2um)的填充能力。但該方法從未用在氮化硅膜的生長中。氮化硅有很好的性能去解決其它阻擋層固有的問題，如低應(yīng)力和較高刻蝕選擇比，而且與現(xiàn)有的工藝兼容。
在超大規(guī)模集成電路制造中，氮化膜在小區(qū)域(0.2um)也需要高的填充能力。在已有技術(shù)中，氮化硅膜是用中密度等離子體化學(xué)氣相淀積或爐管生長，它的填充能力很不好。在小區(qū)域(0.2um)的填充能力不好，不能滿足工藝要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種氮化硅膜的生長方法，提高氮化硅膜在小區(qū)域(0.2um)的填充能力。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的一種氮化硅膜的生長方法，包括以下步驟
第一步，在高密度等離子體腔體通硅烷和一氧化二氮；第二步，同時(shí)起動等離子體去激發(fā)和離化硅烷和一氧化二氮的氣體分子成自由基遷移到硅片的表面而成長成膜；第三步，硅烷和一氧化二氮在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的一種氮化硅膜的生長方法，包括以下步驟第一步，在高密度等離子體腔體中通硅烷和氨氣；第二步，同時(shí)起動等離子體去激發(fā)和離化硅烷和氨氣的氣體分子成自由基遷移到硅片的表面而成長成膜；第三步，硅烷和氨氣在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。
本發(fā)明一種氮化硅膜的生長方法，在高密度等離子體腔體通硅烷和一氧化二氮，或者在高密度等離子體腔體中通硅烷和氨氣，在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。由于高密度等離子體腔體在生長膜的過程，淀積的同時(shí)刻蝕，通過調(diào)整淀積和刻蝕比例，進(jìn)行氮化硅膜生長。刻蝕時(shí)能打掉淀積尖端，讓低凹處得到更多淀積，可以增加小區(qū)域(0.2um)填充能力。


圖1為本發(fā)明一種氮化硅膜的生長方法流程示意圖；圖2為本發(fā)明一種氮化硅膜的生長方法流程示意圖；圖3為高密度等離子體腔體示意圖；圖4為采用本發(fā)明方法生長的氮化硅膜的結(jié)構(gòu)圖形；圖5為高密度等離子工藝生長的氮化硅膜示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。利用圖3所示的高密度等離子體腔體生長氮化硅膜的方法，如圖1所示，首先，在高密度等離子體腔體通硅烷和一氧化二氮，同時(shí)起動等離子體激發(fā)分子成長，硅烷和一氧化二氮在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜?；蛘撸鐖D2所示，先在高密度等離子體腔體中通硅烷和氨氣，同時(shí)起動等離子體激發(fā)分子成長，硅烷和氨氣在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。
在氮化硅膜生長中，等離子體的密度很高，一般是1E11-1E12離子每立方厘米；溫度在400度左右。生長中，氮化硅膜的厚度由時(shí)間來定。
如圖4所示，新方法采用高密度等離子工藝生長氮化硅，很容易填充這樣小的區(qū)域。在現(xiàn)有的高密度等離子體腔體中通硅烷和一氧化二氮或氨氣，從而達(dá)到生長氮化硅膜目的。同時(shí)，由于高密度等離子體腔體在進(jìn)行氮化硅膜生長的過程，淀積的同時(shí)刻蝕，刻蝕時(shí)能打掉淀積尖端，讓低凹處得到更多淀積，可以增加小區(qū)域(0.2um)填充能力。
本發(fā)明一種氮化硅膜的生長方法克服了原氮化硅淀積中差填充的困難，增加了小區(qū)域填充能力。
權(quán)利要求
1.一種氮化硅膜的生長方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，在高密度等離子體腔體通硅烷和一氧化二氮；第二步，同時(shí)起動等離子體去激發(fā)和離化硅烷和一氧化二氮的氣體分子成自由基遷移到硅片的表面而成長成膜；第三步，硅烷和一氧化二氮在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。
2.一種氮化硅膜的生長方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，在高密度等離子體腔體中通硅烷和氨氣；第二步，同時(shí)起動等離子體去激發(fā)和離化硅烷和氨氣的氣體分子成自由基遷移到硅片的表面而成長成膜；第三步，硅烷和氨氣在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氮化硅膜的生長方法，在高密度等離子體腔體通硅烷和一氧化二氮，或者在高密度等離子體腔體中通硅烷和氨氣，在高密度等離子體腔體中形成氮化硅膜。本發(fā)明的氮化硅膜的生長方法在淀積的同時(shí)刻蝕，刻蝕時(shí)能打掉淀積尖端，增加小區(qū)域的填充能力。
文檔編號C23C16/34GK1855386SQ20051002545
公開日2006年11月1日 申請日期2005年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月27日
發(fā)明者陳華倫 申請人:上海華虹Nec電子有限公司