技術(shù)編號(hào)：3398504
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝方法，尤其涉及。背景技術(shù) 超大規(guī)模集成電路制造中，高密度等離子體工藝是用在氧化膜生長(zhǎng)中，在腔體中通氣體并加射頻能量使分子離化，按一定比例生長(zhǎng)和刻蝕，從而提高氧化膜在小區(qū)域(0.2um)的填充能力。但該方法從未用在氮化硅膜的生長(zhǎng)中。氮化硅有很好的性能去解決其它阻擋層固有的問(wèn)題，如低應(yīng)力和較高刻蝕選擇比，而且與現(xiàn)有的工藝兼容。在超大規(guī)模集成電路制造中，氮化膜在小區(qū)域(0.2um)也需要高的填充能力。在已有技術(shù)中，氮化硅膜是用中密度等離子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。