專利名稱：用于稀土－鋇－銅－氧化物薄膜生長的高產(chǎn)量異位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高溫超導(dǎo)(HTS)薄膜如稀土-鋇-銅-氧化物(REBCO)的高產(chǎn)量異位薄膜生長。
背景技術(shù)：
在過去三十年中，電能占美國終端能源消費(fèi)的比例從25％上漲到40％。伴隨著這種電力需求的增長而來的是對(duì)于高度可靠的高質(zhì)量電力的日益苛刻的要求。隨著電力需求繼續(xù)增長，特別是較老的城區(qū)的電力系統(tǒng)正被推向運(yùn)行性能的極限，需要新的解決方案。
導(dǎo)線構(gòu)成了世界電力系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)單元，包括變壓器、輸配電系統(tǒng)和電動(dòng)機(jī)。1986年革命性的高溫超導(dǎo)(HTS)化合物的發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致了一種用于電力工業(yè)的全新型導(dǎo)線的發(fā)展；這一發(fā)現(xiàn)是一個(gè)多世紀(jì)中導(dǎo)線技術(shù)的最重大的進(jìn)步。
HTS涂覆導(dǎo)線提供了超乎尋常的性能，承載電流超過相同物理尺度的常規(guī)銅和鋁導(dǎo)體一百倍。HTS涂覆導(dǎo)線出眾的功率密度將使新一代電力工業(yè)技術(shù)成為可能。它產(chǎn)生了重大的尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢(shì)。HTS技術(shù)將以多種方式降低電力系統(tǒng)的成本并增加其負(fù)載量和可靠性。例如，HTS涂覆導(dǎo)線能通過現(xiàn)有的線路走廊多傳輸二到五倍的電力。這種新型電纜將在減少環(huán)境覆蓋區(qū)域的同時(shí)提供強(qiáng)大的工具來改善電網(wǎng)的性能。然而，迄今為止只有少數(shù)幾例在下一代HTS涂覆導(dǎo)線制造中使用的HTS涂覆帶是在高性能的水平上制作的。
為了使HTS技術(shù)在發(fā)電和配電工業(yè)中的使用在商業(yè)可行，有必要開發(fā)連續(xù)地、高產(chǎn)量地生產(chǎn)HTS涂覆帶的技術(shù)。
HTS涂覆帶的結(jié)構(gòu)包括拋光的金屬襯底，它提供支撐由例如稀土-鋇-銅-氧化物(REBCO)等形成的HTS薄膜的強(qiáng)度和柔韌性。一層或多層緩沖層被置于拋光的金屬襯底和HTS薄膜之間以防止襯底和HTS薄膜間的反應(yīng)，以及提供了薄膜外延生長的模板。例如，這種緩沖層可以由釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)和/或氧化鈰構(gòu)成。
現(xiàn)有的REBCO涂覆帶生產(chǎn)技術(shù)可被分類為原位或異位工藝。原位工藝包括薄膜生長完全發(fā)生于一個(gè)部位的工藝，諸如在含稀土、鋇和銅前體的蒸汽與氧氣在加熱襯底的表面反應(yīng)形成REBCO薄膜時(shí)等。原位技術(shù)包括濺鍍、電子束(e-beam)蒸發(fā)和脈沖激光沉積(PLD)工藝，其中每種工藝均在諸如真空室等單一的低壓氧氣氣氛中發(fā)生。
另一方面，異位技術(shù)包括在一個(gè)以上步驟里發(fā)生的沉積工藝，這些步驟在時(shí)間上是分立的，并且在空間上也往往是分立的，因?yàn)榍绑w被沉積在襯底物上面，隨后經(jīng)歷一個(gè)分立的將前體轉(zhuǎn)化為REBCO薄膜的后置反應(yīng)。這些前體可先通過一些本領(lǐng)域公知的工藝被沉積在帶有緩沖層的襯底上面，這些工藝包括電子束蒸發(fā)，諸如有機(jī)金屬沉積(MOD)中的浸漬等涂覆步驟，和噴射熱解。
在異位工藝?yán)锼褂玫碾娮邮舭l(fā)中，蒸發(fā)發(fā)生于三個(gè)分別盛有稀土、氟化鋇和銅金屬的坩堝。在MOD工藝中，稀土、鋇和銅的三氟乙酸(TFA)絡(luò)合物與諸如甲醇等溶劑混和在一起，在環(huán)境條件下用所得溶液的浸漬涂覆有緩沖層的襯底，浸漬過的襯底隨后經(jīng)歷一道烘干工序，其間通過烘干去除襯底中的有機(jī)物。然后浸漬涂覆和烘干步驟被重復(fù)數(shù)次直到達(dá)到所需薄膜厚度為止。
在噴射熱解中，稀土、鋇和銅的硝酸鹽形成前體水溶液，此溶液被霧化并噴射于加熱的有緩沖層的襯底上面。在噴射熱解中，通過在如500℃等不足以高到形成超導(dǎo)REBCO相的適中的溫度下加熱襯底，噴射和烘干步驟可同時(shí)進(jìn)行。
在1995年5月16日授權(quán)給Gross等的題為“Method of Producing a LayerofSuperconductive Oxide(生產(chǎn)超導(dǎo)氧化物層的方法)”的美國專利第5,416,063號(hào)中提供了一種在帶有緩沖層的襯底上形成超導(dǎo)層的方法，其中前體溶液被涂覆于襯底以在其表面上形成含金屬的層。美國專利第5,416,063號(hào)中所描述的前體溶液是通過將含稀土、鋇和銅的化合物溶解在乙酸和水中形成的。但是，正如所有異位HTS薄膜生長技術(shù)一樣，需要一道后續(xù)工藝來將帶有緩沖層的襯底上面的含金屬的層轉(zhuǎn)化為超導(dǎo)薄膜。
這樣的后續(xù)工藝可以是水蒸汽反應(yīng)，其中襯底被加熱，施加水蒸汽并使其與襯底上所含的稀土、氟化鋇和銅金屬反應(yīng)以形成REBCO薄膜。但是，該后續(xù)工藝進(jìn)行得很慢，薄膜生長速度僅僅近似于1埃/秒，相比之下在原位REBCO薄膜生長技術(shù)中，薄膜形成僅在一步中進(jìn)行且速度高達(dá)1-5微米/分鐘，正如PLD的情況。提供一種異位REBCO薄膜生長系統(tǒng)，以使其很好地滿足實(shí)現(xiàn)成本效益的生產(chǎn)所必需的高產(chǎn)量，由此使HTS材料在輸/配電工業(yè)中普遍適用仍然是一個(gè)難題。因此美國專利第5,416,063號(hào)并不十分適用于大長度HTS帶的制造。
現(xiàn)有技術(shù)的局限性之一是隨著試圖使REBCO薄膜生長得越來越厚，迫使水蒸汽滲透由稀土、鋇和銅前體構(gòu)成的致密沉積層也變得越來越難。
要獲得高品質(zhì)的HTS帶關(guān)鍵在于水蒸汽能深入滲透到沉積的前體層中以使薄膜生長從沉積的前體層的底部向上進(jìn)行，從而REBCO薄膜是從緩沖層向外沿生長并可獲得期望的織構(gòu)。當(dāng)REBCO薄膜生長是從沉積的前體層頂部自上而下進(jìn)行時(shí)，構(gòu)成REBCO薄膜的多晶顆粒的成核及隨后的生長無規(guī)則地進(jìn)行，產(chǎn)生了高度的晶粒邊界錯(cuò)位，這將嚴(yán)重?fù)p害HTS薄膜的載流能力，相反，雙軸織構(gòu)(biaxial texture)可確保很高的載流能力。
有效地排放掉REBCO薄膜生產(chǎn)工藝中限制反應(yīng)動(dòng)力以及抑制REBCO薄膜生長的反應(yīng)副產(chǎn)物也是一個(gè)難題。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種生產(chǎn)厚的高品質(zhì)REBCO薄膜的方法。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種排除限制反應(yīng)動(dòng)力以及抑制REBCO薄膜生長的反應(yīng)副產(chǎn)物的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是提供一種高產(chǎn)量的異位REBCO薄膜生長系統(tǒng)。


當(dāng)參考附圖閱讀如下詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明的這些及其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將更易于理解，在所有附圖中相同的標(biāo)記代表相同的部分，其中圖1示出了依照本發(fā)明的用于REBCO涂覆帶的高產(chǎn)量異位制造的系統(tǒng)。
圖2示出了本發(fā)明的系統(tǒng)中噴頭的仰視圖。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于在連續(xù)長度的有緩沖層的金屬襯底帶上面異位形成諸如REBCO等超導(dǎo)薄膜的高產(chǎn)量系統(tǒng)。借助如電子束蒸發(fā)和MOD等一些技術(shù)中的任何一種，稀土、鋇和銅前體被沉積在有緩沖層的金屬襯底帶上面。當(dāng)在工藝室內(nèi)對(duì)這些前體進(jìn)行加熱并引入水蒸汽時(shí)，它們發(fā)生分解，從而在緩沖層外延形成功能性的超導(dǎo)薄膜。帶有為產(chǎn)生很長且很寬的沉積區(qū)域而設(shè)計(jì)的噴頭和襯底加熱器組件的工藝室，如有機(jī)金屬化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)反應(yīng)器，很適用于該工藝。該工藝室包括安置于便于有效抽出反應(yīng)副產(chǎn)物的方位的排氣口。這樣的工藝室在不加熱爐壁的場(chǎng)合中可以是冷壁型的，而在加熱爐壁的場(chǎng)合中可以是熱壁型的。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了依照本發(fā)明的用于REBCO涂覆帶的高產(chǎn)量異位制造的系統(tǒng)100。本系統(tǒng)100包括一個(gè)機(jī)動(dòng)的對(duì)卷式的卷繞系統(tǒng)，用于將多個(gè)條帶112從多個(gè)釋放卷軸110穿過工藝室114移動(dòng)到多個(gè)接受卷軸116上。這種對(duì)卷式的卷繞系統(tǒng)在本領(lǐng)域中是公知的，它包括功能上被連接到每個(gè)釋放卷軸110和每個(gè)接受卷軸116的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)(未示出)，以及與每根條帶112接觸、以將條帶112關(guān)于系統(tǒng)100的適當(dāng)元件精確定位的一連串惰輪(未示出)。在另一實(shí)施例中，條帶112可以是單根寬帶。
條帶112是用諸如不銹鋼或如鉻鎳鐵合金等鎳合金等各種金屬制成的多根長條柔性襯底，其上借助諸如離子束輔助沉積(IBAD)等沉積技術(shù)預(yù)先沉積了諸如YSZ和/或CeO2等緩沖層。條帶112也可以通過本領(lǐng)域中公知稱為軋制輔助雙軸織構(gòu)襯底(RABiTS)等工藝來雙軸織構(gòu)化地生產(chǎn)。這種情形下，運(yùn)用-但不限-濺鍍、蒸發(fā)、MOD、有機(jī)金屬化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)和PLD等來使緩沖層外延生長。此外，在緩沖層上面，稀土、鋇和銅前體借助諸如離子束蒸發(fā)、MOD(金屬有機(jī)沉積)或噴射熱解等本領(lǐng)域公知的工藝預(yù)先被沉積。
條帶112具有為滿足所需成品和系統(tǒng)限制的要求而變化的尺寸。例如，條帶112可以有25-100微米厚，1-50厘米寬及100-1000米長。工藝室114是一個(gè)真空密封的沉積工藝室，諸如壓力維持在約0.1托至約760托之間的冷壁反應(yīng)器，優(yōu)選是流速范圍在1slm至100slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)之間的氣流條件下壓力在約1到約760托之間。
工藝室114內(nèi)有噴頭120和襯底加熱器122，二者被相對(duì)安置，以直接在其間的空間區(qū)域里形成薄膜生長區(qū)。如圖2中更加詳細(xì)示出的噴頭120能使含有氧氣和水蒸汽的惰性載氣在給定區(qū)域上均勻分布，并且噴頭120在形式上可以采用由用多個(gè)螺栓夾在一起的上下不銹鋼法蘭盤構(gòu)成，在其中有墊圈組成的密封。整個(gè)下法蘭盤被加工成有多個(gè)孔，并這些孔被排列成一系列均勻分布的細(xì)孔。
由噴頭120和襯底加熱器122的尺寸限定的薄膜生長區(qū)可以長達(dá)10米，并能使例如十至二十條均勻分布的間距約為2毫米的移動(dòng)條帶上的一層由稀土、鋇和銅前體構(gòu)成的薄膜同時(shí)轉(zhuǎn)化為REBCO薄膜。在一個(gè)替代的實(shí)施例中，可在寬度高達(dá)50厘米的單條寬帶上預(yù)先沉積的前體上執(zhí)行該轉(zhuǎn)換過程。
襯底加熱器122是公知的單區(qū)域或多區(qū)域襯底加熱器，它借助諸如燈泡等輻射加熱元件來給條帶112提供通常在約700℃至約850℃范圍內(nèi)的加熱?；蛘?，襯底加熱器114是使用如坎薩爾斯鉻鋁電熱絲(Kanthal)或MoSi2(硅化鉬)等加熱元件的電阻型加熱器?；蛘撸r底加熱器114可能是通過工藝室壁來加熱襯底的窯爐。
一根采用管道或?qū)Ч苄问降乃羝芫€118連到噴頭120上，并向其提供環(huán)境溫度的水蒸汽。水蒸汽被引導(dǎo)至噴頭120以借助含有約10ppm(0.001％)至10％之間的少量氧氣的惰性載氣如氬氣或氮?dú)獾龋顾羝穆饵c(diǎn)(DP)在約40℃至約80℃范圍內(nèi)，或者水壓P(H2O)介于約1托至約50托之間。
為達(dá)到這一露點(diǎn)(DP)，使從約1至約100標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘(slm)的含有約10ppm與10％之間范圍氧氣量的惰性氣體通過水瓶(未示出)瓶內(nèi)裝有維持在控制該目標(biāo)露點(diǎn)的溫度的一定量的水，例如5升。水瓶內(nèi)水量通過諸如連接了水位計(jì)(未示)的水泵等常規(guī)方法來保持恒定。
或者，抽吸適量的水流經(jīng)保持在100℃或以上的水蒸發(fā)器128，選擇抽取速度以使含有約10ppm至10％氧氣的惰性氣體產(chǎn)生約40℃至約80℃范圍內(nèi)的露點(diǎn)(DP)或介于約1托至50托之間的P(H2O)。在這時(shí)段內(nèi)，含氧的惰性氣體以約1至100slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)的流速經(jīng)過水蒸發(fā)器128。
本工藝中的一個(gè)重要因素是抽吸系統(tǒng)的位置。泵124在功能上通過一根或多根泵管線126連接到工藝室114，這些管線終止于布置成直接穿過工藝室114底部的一個(gè)或多個(gè)泵端口(未示出)。抽吸系統(tǒng)的這一位置可通過本發(fā)明中所揭示的反應(yīng)器類型設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)。此抽吸系統(tǒng)被安置在很接近前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)的地方。這樣就能有效去除反應(yīng)副產(chǎn)物。
此外，抽吸系統(tǒng)的這一位置使得能更好地處理用于轉(zhuǎn)化過程中的高氣體負(fù)載量。本工藝中增加效能的第二個(gè)重要因素是使用大尺寸的噴頭。使用大尺寸噴頭來噴射水蒸汽和氧氣與在薄膜生長區(qū)附近使用抽吸系統(tǒng)相結(jié)合使水蒸氣和氧氣的均勻流動(dòng)模式成為可能，這一流動(dòng)模式導(dǎo)致了其他方法無法獲得的在大面積上均勻的薄膜生長。
現(xiàn)有技術(shù)使用限定排氣口位置遠(yuǎn)離前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)的常規(guī)窯爐來進(jìn)行轉(zhuǎn)化過程。這導(dǎo)致無法有效除去反應(yīng)副產(chǎn)物。此外，現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)不大適于處理高氣體負(fù)載量和在大面積上獲得水蒸氣和氧氣的均勻分布。
可任選地，可將增壓泵(未示出)與泵124結(jié)合使用。泵124經(jīng)工藝室114底部將會(huì)妨礙REBCO生長速率的反應(yīng)副產(chǎn)物如氫氟酸等從薄膜生長區(qū)排掉。在一個(gè)實(shí)施例中，泵124包括常規(guī)真空抽吸設(shè)備，如愛德華茲型號(hào)EH500(Edwards model EH500)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)意識(shí)到系統(tǒng)100還包括各種傳感和控制裝置，如壓力計(jì)和熱電偶，為簡便起見這些未在圖1中示意。
操作中，條帶112從釋放卷軸110繞下，移動(dòng)經(jīng)過位于工藝室114室壁上的一組窄縫(未示)，在噴頭120和襯底加熱器122之間前進(jìn)，移動(dòng)經(jīng)過位于工藝室114對(duì)面室壁上的另一組窄縫，并繞上那些接受卷軸116。當(dāng)條帶112移動(dòng)經(jīng)過由噴頭120和襯底加熱器122的尺寸限定出的前體分解和薄膜生長區(qū)時(shí)，襯底加熱器122將條帶112的溫度提升到約700℃至約850℃之間的范圍，這時(shí)條帶上所包含的由含由稀土、鋇和銅前體構(gòu)成的薄膜暴露于經(jīng)水蒸汽管線118和水蒸發(fā)器128傳送、從噴頭120均勻放出的含有氧氣和水蒸汽的惰性載氣中。由襯底加熱器122提供的熱量和從噴頭120放出的水蒸汽，結(jié)合工藝室114的低壓氧氣氣氛，致使由稀土、鋇和銅前體構(gòu)成的薄膜分解并與氧氣反應(yīng)形成REBCO薄膜。含有恒定汽壓(P(H2O)和P(O2))的氧氣和水蒸氣的載氣在由噴頭120規(guī)定的整個(gè)前體分解和薄膜生長區(qū)上的均勻分布，以及由襯底加熱器122輸送給條帶112的恒定熱量，對(duì)于高度均勻的REBCO薄膜的生長是關(guān)的。
由噴頭120和襯底加熱器122規(guī)定的前體分解和薄膜生長區(qū)的大尺寸使REBCO薄膜生長能在大面積上進(jìn)行。盡管在大氣壓力下REBCO的生長以1埃/秒的相對(duì)較慢的速度進(jìn)行，但是當(dāng)與多個(gè)條帶112進(jìn)行REBCO薄膜生長相配合時(shí)，薄膜生長區(qū)的長度能使條帶112的移動(dòng)速度適合于HTS涂覆帶的高產(chǎn)量異位制造?；蛘撸删鶆虻靥幚韱螚l寬帶，并將其切成較窄的條帶。取決于一微米厚的含有稀土、鋇和銅前體的薄膜轉(zhuǎn)化為REBCO的轉(zhuǎn)化速率和襯底加熱器的長度，在大氣壓力下條帶112可能以約1至10米/小時(shí)的速度移動(dòng)通過系統(tǒng)100。在減壓狀態(tài)下，條帶112可能以約10至400米/小時(shí)的速度移動(dòng)通過系統(tǒng)100。此外，通過在條帶112一旦已移動(dòng)通過系統(tǒng)100時(shí)就在其上再沉積一層稀土、氟化鋇和銅的薄膜，隨即再移動(dòng)條帶重新穿過系統(tǒng)100，就可使前體至稀土、鋇和銅薄膜至REBCO的轉(zhuǎn)化過程重復(fù)多次。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)大長度的層狀超導(dǎo)體的方法，其特征在于，包括下列步驟a.提供用REBa2Cu3O7的前體涂覆的帶緩沖的金屬襯底條帶，其中RE是稀土；b.移動(dòng)所述條帶穿過工藝室內(nèi)的前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)；c.通過噴頭將氧氣和水蒸汽引入到所述前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)；以及d.將被涂覆的襯底加熱到范圍在約700℃至約850℃之間的溫度。其中所述工藝室內(nèi)的壓力介于約1托至約760托之間的范圍，并且所述襯底在所述加工區(qū)內(nèi)停留的時(shí)間足以將所述前體轉(zhuǎn)化為外延于所述緩沖層的超導(dǎo)涂覆層。
2.如權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于，所述襯底選自不銹鋼和鎳合金。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底是雙軸織構(gòu)的。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬襯底條帶上的緩沖層選自YSZ、CeO2、MgO、SrTiO3，LaMnO3、SrRuO3、Y2O3、Gd2O3、LaSrMnO3、及其組合。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝室內(nèi)的壓力介于約10托至約760托之間的范圍。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂覆步驟期間的溫度在約24℃至約500℃之間的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝室內(nèi)的氣氛的露點(diǎn)在約40℃至約80℃之間的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝室內(nèi)的水蒸汽的分壓在約1托至約50托之間的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述載氣中所含氧氣的部分在約10ppm至10％之間。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧氣和水蒸汽的分壓在整個(gè)所述前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)內(nèi)基本一致。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，含有氧氣和水蒸汽的載氣在整個(gè)所述前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)內(nèi)的分布是均勻的。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將氧氣和水蒸氣引入到所述前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)中的噴頭的寬度至少與移動(dòng)條帶的寬度總和加上每根所述條帶之間的間距的總和一樣寬，并且所述噴頭的長度至少與所述寬度一樣大。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，反應(yīng)副產(chǎn)物被位于所述前體轉(zhuǎn)化和薄膜生長區(qū)附近的抽吸系統(tǒng)從所述工藝室中除去。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，所述工藝室是冷壁室。
15.如權(quán)利要求1所述方法的產(chǎn)品。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種高產(chǎn)量的系統(tǒng)，它通過加熱涂覆了REBCO前體的有緩沖層的金屬襯底帶，從而在連續(xù)長度的有緩沖層的金屬襯底帶上面異位地形成諸如稀土－鋇－銅的氧化物(REBCO)等超導(dǎo)薄膜。當(dāng)在工藝室內(nèi)對(duì)這些前體進(jìn)行加熱并引入水蒸汽時(shí)，它們發(fā)生分解，從而在緩沖層外沿形成功能性的超導(dǎo)薄膜。帶有為產(chǎn)生一個(gè)很長且很寬的沉積區(qū)域而設(shè)計(jì)的噴頭和襯底加熱器組件的反應(yīng)器，如有機(jī)金屬化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)反應(yīng)器，很適用于本系統(tǒng)的這一工藝。該工藝室在不加熱爐壁的場(chǎng)合中可以是冷壁型的，而在加熱爐壁的場(chǎng)合中可以是熱壁型的。
文檔編號(hào)C23C16/00GK1957428SQ200480037018
公開日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2004年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月15日
發(fā)明者V·塞爾瓦曼尼克姆 申請(qǐng)人:美國超能公司