專利名稱：晶片磨床構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片磨床構(gòu)造的裝置，其具有側(cè)向力緩沖能力，且具有精確的承載平臺(tái)傾斜調(diào)整能力，及可配合固有晶片尺寸的規(guī)格作吸附晶片構(gòu)造調(diào)整，提供用于具有精確研磨晶片需求的應(yīng)用場所，即使得晶片傾斜度得到調(diào)整且該晶片得以精確地研磨；傳統(tǒng)的磨床，晶片水平放置于工作臺(tái)上，使用鉆石砂輪磨削晶片。
背景技術(shù)：
如一般半導(dǎo)體業(yè)所認(rèn)知的，晶片磨床(Wafer Grinder)最大厚度差TTV(Total Thickess Variation)的改善能力是近年來各種晶片磨床系統(tǒng)積極研發(fā)及建構(gòu)的項(xiàng)目，其所使用的技術(shù)方向如電路回饋及機(jī)構(gòu)改進(jìn)等等可適用于晶片表面精度較高的場所，以使得精密的集成電路基材需求得以達(dá)成；且晶片表面精度較高裝置為逐漸廣泛需求的重要裝置，其建構(gòu)的方式也為各家制造廠商研究發(fā)展的重點(diǎn)，而構(gòu)造的實(shí)用程度及操作成本的降低更是晶片表面精度裝置的研究改善重點(diǎn)。
晶片磨床(Wafer Grinder)一般以氣靜壓工作臺(tái)配合氣靜壓主軸，進(jìn)行硬脆材料的磨削加工，氣靜壓工作臺(tái)上方裝設(shè)有多孔性陶瓷材質(zhì)的真空吸盤吸附晶片，氣靜壓工作臺(tái)的內(nèi)部一般有多個(gè)供氣孔形成氣靜壓軸承。使用鉆石砂輪磨削晶片時(shí)，加工反作用力會(huì)使主軸彎曲，砂輪主軸中心產(chǎn)生傾斜，再加上砂輪磨削晶片時(shí)產(chǎn)生溫度上升，均使砂輪的位置無法保持與晶片水平，因此必須設(shè)計(jì)調(diào)整晶片磨削角度的機(jī)構(gòu)。
在公知的晶片磨床中，有一美國發(fā)明專利公告編號(hào)第5567199號(hào)可作為參考，請參考圖1為該公知晶片磨床示意圖，該裝置設(shè)計(jì)是以三個(gè)壓電致動(dòng)器3a所在的工作臺(tái)22a角度位置上設(shè)置位移計(jì)31a，以量測壓電致動(dòng)器3a的移動(dòng)量，將量測數(shù)據(jù)傳送到中央處理單元32a(CPU)，壓電致動(dòng)器3a根據(jù)位移計(jì)31a量測的相對位置數(shù)據(jù)調(diào)整壓電致動(dòng)器3a的移動(dòng)量，進(jìn)而影響晶片2a被真空吸盤21a吸住固定，以一定方向旋轉(zhuǎn)，而受砂輪1a的相對方向上研磨；然而以上該公知案例在磨削晶片2a時(shí)產(chǎn)生的側(cè)向力量由壓電致動(dòng)器3a承受，影響晶片磨削的精度。此項(xiàng)公知技術(shù)尚包括了兩項(xiàng)特征，首先回饋系統(tǒng)是另外設(shè)置位移計(jì)31a量測在壓電致動(dòng)器3a產(chǎn)生的位移進(jìn)量，量測裝置與被量測目標(biāo)兩者并不在同一幾何位置上，易生誤差；其次工作臺(tái)22a調(diào)整位置為工作臺(tái)22a下方，壓電致動(dòng)器3a承受重量大，易生損害；因此有必要找出一種創(chuàng)新的構(gòu)造來改善公知技術(shù)的缺陷。
在公知的晶片磨床中，又有一美國發(fā)明專利公告編號(hào)第5816895號(hào)可作為參考，請參考圖2為該公知晶片磨床示意圖，該裝置設(shè)計(jì)利用四個(gè)壓電致動(dòng)器3b調(diào)整工作臺(tái)22b的傾斜角度，于工作臺(tái)22b下方每隔90度放置壓電致動(dòng)器3b，或利用砂輪1b主軸上方四個(gè)壓電致動(dòng)器12b，以調(diào)整砂輪主軸的傾斜，另外晶片的上方排列有三個(gè)位移計(jì)31b，當(dāng)磨削加工晶片時(shí)，線上實(shí)時(shí)回饋晶片的厚度，傳回到中央處理單元32b(CPU)，其中壓電裝置控制器34b是控制各壓電致動(dòng)器12b及3b，使得工作臺(tái)22b得以調(diào)整晶片2b接受砂輪1b的研磨。然而以上該公知案例在磨削晶片2b時(shí)產(chǎn)生的側(cè)向力量由壓電致動(dòng)器3b承受，影響晶片磨削的精度。此項(xiàng)公知技術(shù)尚包括了兩項(xiàng)特征，首先回饋系統(tǒng)是另外設(shè)置三個(gè)位移計(jì)31b在晶片上方排列，以量測晶片2b的厚度，因此量測裝置與被量測目標(biāo)兩者并不在同一幾何位置上，易生誤差；其次工作臺(tái)22b調(diào)整位置為工作臺(tái)22b下方，壓電致動(dòng)器3b承受重量大，易生損害；因此有必要找出一種創(chuàng)新的構(gòu)造來改善公知技術(shù)的缺陷。
綜合以上兩公知例而言，傳統(tǒng)的晶片磨床，其氣靜壓工作臺(tái)的調(diào)整機(jī)構(gòu)(US5,567,199)、(US5,816,895)均位于工作臺(tái)的下方，支撐整個(gè)工作臺(tái)重量，調(diào)整機(jī)構(gòu)也無預(yù)壓裝置。(US5,567,199)的感測系統(tǒng)位于砂輪主軸旁，較易被切削液所污染。(US5,816,895)的感測系統(tǒng)位于壓電致動(dòng)器旁，并非壓電致動(dòng)器本身的位移量。本發(fā)明提出的壓電致動(dòng)器的感測系統(tǒng)為應(yīng)變規(guī)(Strain Gauge)，貼于壓電致動(dòng)器表面，應(yīng)變規(guī)與壓電致動(dòng)器位于同一空間位置上，可使位移量確實(shí)為輸入的值。
請參考圖3A，另外在此簡述砂輪1c研磨晶片2c的原理，其中砂輪1c研磨晶片2c時(shí)以相對方向磨擦產(chǎn)生磨削晶片2c的效果；再請參考圖3B，其中在一般研磨晶片2d時(shí)，砂輪設(shè)定位置12d會(huì)與砂輪實(shí)際位置11d有一偏斜狀況產(chǎn)生，而使晶片2d研磨厚度不均勻。因此不論公知技藝或新創(chuàng)發(fā)明皆有針對此狀況具有調(diào)整機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)；也為重要改善的目標(biāo)。
但是，公知技術(shù)具有使壓電致動(dòng)器受磨削力的缺點(diǎn)，新創(chuàng)的晶片研磨正須要改善此種易損害零件的缺陷，配合進(jìn)一步架構(gòu)各個(gè)外圍構(gòu)造，并符合磨削的自然原理，因此尋找出一種更方便的系統(tǒng)安排技術(shù)，使得本發(fā)明能夠具有處理精度要求較嚴(yán)的狀況而且運(yùn)作成本低廉，因此研發(fā)出本發(fā)明來達(dá)成上述的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種磨削精度高而且易于操作、用途廣泛的晶片磨床構(gòu)造，可用高精度要求的晶片磨床系統(tǒng)，并具加工彈性符合各種晶片尺寸需求，可以提供低成本高品質(zhì)的效果。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明將公知的構(gòu)造，配合氣靜壓軸承構(gòu)造對可吸收側(cè)向力的改善及壓電致動(dòng)器對位移量測計(jì)共中心的構(gòu)造、再加上對應(yīng)晶片尺寸調(diào)整機(jī)構(gòu)等等全部構(gòu)件整合為一晶片磨床。
本發(fā)明包含本體外殼模塊，具有固定本體，其靜態(tài)地安裝于晶片磨床的基礎(chǔ)構(gòu)造上；旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊，具有工作臺(tái)本體及主軸，可旋轉(zhuǎn)地安裝于該固定本體之上，且該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊具有晶片吸附次模塊；氣壓軸承模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有空氣流道，引導(dǎo)具一定壓力空氣到本體外殼模塊與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊的邊界間作為氣墊式軸承以承載該工作臺(tái)本體及該主軸；及調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有壓電致動(dòng)器及位移量測計(jì)；其中該主軸及工作臺(tái)本體旋轉(zhuǎn)徑向具有該氣壓軸承模塊產(chǎn)生的氣墊效果，對晶片研磨的側(cè)向力具有抵消效果。
本發(fā)明提出的可調(diào)整磨削角度的氣靜壓工作臺(tái)，利用三個(gè)壓電致動(dòng)器的上下位移，使得工作臺(tái)表面相對于砂輪主軸的傾斜角度可以改變。壓電致動(dòng)器為壓電材料，精度可達(dá)納米等級，壓電致動(dòng)器具有預(yù)壓力量，工作臺(tái)剛性得以增加，以改善晶片最大厚度差TTV(Total Thickness Variation)。其多方面的功能改善可為晶片研磨提供精確穩(wěn)定效果。
為使更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為一公知晶片磨床系統(tǒng)示意圖；圖2另一公知晶片磨床系統(tǒng)示意圖；圖3A為晶片磨床原理示意圖；圖3B為另一晶片磨床原理示意圖；圖4為本發(fā)明構(gòu)造及組件組裝截面圖；圖5為本發(fā)明另一構(gòu)造及組件組裝截面圖；圖6為本發(fā)明顯示部份特征的上視圖；圖7為本發(fā)明另一顯示部份特征的上視圖；及圖8為本發(fā)明壓電致動(dòng)器的位移與輸入信號(hào)關(guān)系圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下1a 砂輪 2a 晶片21a真空吸盤 22a工作臺(tái)3a 壓電致動(dòng)器31a位移計(jì)32a中央處理單元1b 砂輪 12b電致動(dòng)器2b 晶片 22b工作臺(tái)3b 壓電致動(dòng)器31b位移計(jì)32b中央處理單元 34b壓電裝置控制器1c 砂輪 2c 晶片11d砂輪實(shí)際位置 12d砂輪設(shè)定位置2d 晶片1 旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)11 真空吸盤12 托板 121調(diào)整螺絲13 橡膠連軸器14 時(shí)規(guī)皮帶輪15 多孔性材質(zhì)16 主軸17 真空吸力提供口18 抽真空管路19 工作臺(tái)本體2 氣靜壓軸承21 進(jìn)氣口22 排氣口
3 本體外殼 31進(jìn)氣口311 進(jìn)氣管路 32排氣口321 排氣管路 33加工輔助信道34固定本體 4 調(diào)整機(jī)構(gòu)41壓電致動(dòng)器42預(yù)壓螺栓43內(nèi)六角螺栓44盤形彈簧45鎖緊螺帽具體實(shí)施方式
工作臺(tái)的調(diào)整機(jī)構(gòu)一般裝置于工作臺(tái)的下方，由于調(diào)整機(jī)構(gòu)承受整個(gè)工作臺(tái)的重量，故使調(diào)整機(jī)構(gòu)的精度劣化。為了克服這個(gè)問題，本發(fā)明提出一種調(diào)整機(jī)構(gòu)只受到工作臺(tái)的旋轉(zhuǎn)部分的重量，并非整個(gè)工作臺(tái)的重量，直接使調(diào)整機(jī)構(gòu)的精度提高。本發(fā)明并提出以盤形彈簧對壓電致動(dòng)器預(yù)壓，可增加工作臺(tái)剛性，間接使調(diào)整機(jī)構(gòu)的精度提高。
請參考圖4為本發(fā)明構(gòu)造及組件組裝截面圖，其中氣靜壓工作臺(tái)由旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1，氣靜壓軸承2，本體外殼3及調(diào)整機(jī)構(gòu)4組合而成。旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1連接一主軸16位于氣靜壓軸承2與本體外殼3的中心；且旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1具有工作臺(tái)本體19內(nèi)含真空吸力提供口17及抽真空管路18。調(diào)整機(jī)構(gòu)4位于氣靜壓軸承2與本體外殼3的圓周上，以等間隔120度排列，如圖6所示。且旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1含有多孔性材質(zhì)15的真空吸盤11。真空吸盤11下方有托板12，托板12，如圖4所示。又請參考圖7，托板12內(nèi)含有調(diào)整螺絲121，可以調(diào)整真空吸盤11吸附4”、6”或8”晶片。旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1下方有橡膠聯(lián)軸器13。橡膠聯(lián)軸器13連接時(shí)規(guī)皮帶輪14，馬達(dá)動(dòng)力由時(shí)規(guī)皮帶輪14傳入。又氣靜壓軸承2含有進(jìn)氣口21與排氣口22，如圖5所示。本體外殼3含有進(jìn)氣口31與排氣口32，如圖5所示，且具有進(jìn)氣管路311與排氣管路321傳送氣靜壓軸承2的具靜壓空氣。調(diào)整機(jī)構(gòu)4，如圖4所示。調(diào)整機(jī)構(gòu)4含有壓電致動(dòng)器41，可于圓周上調(diào)整旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1傾斜角度。預(yù)壓螺栓42、內(nèi)六角螺栓43、盤形彈簧44和鎖緊螺帽45對壓電致動(dòng)器41產(chǎn)生預(yù)壓力量，可增加旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1剛性；且內(nèi)置于調(diào)整機(jī)構(gòu)4的位移計(jì)為量測旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1的位移量，而與壓電致動(dòng)器41共同設(shè)于一相同幾何位置，因此請參考圖8壓電致動(dòng)器41的位移與輸入信號(hào)的關(guān)系圖，大半?yún)^(qū)域呈現(xiàn)完美的線性關(guān)系。且加工輔助信道33可設(shè)于固定本體34之中，用以使氣流管路(進(jìn)氣管路311與排氣管路321)加工方便。
如圖4所示，在此進(jìn)一步闡明其構(gòu)造本發(fā)明包含本體外殼模塊，具有固定本體34，靜態(tài)地安裝于晶片磨床的基礎(chǔ)構(gòu)造上；又包括旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊，具有工作臺(tái)本體19及主軸16，可旋轉(zhuǎn)地安裝于該固定本體34之上，且該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊具有晶片吸附次模塊；且包含氣壓軸承模塊，裝設(shè)于該固定本體34上，具有空氣流道(進(jìn)氣管路311與排氣管路321)，引導(dǎo)具一定壓力空氣到本體外殼模塊與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊的邊界間，作為氣墊式軸承以承載該工作臺(tái)本體19及該主軸16；及本發(fā)明又包含調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊，裝設(shè)于該固定本體34上，具有壓電致動(dòng)器41及位移量測計(jì)；其中該主軸16及及工作臺(tái)本體(旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1的本體)旋轉(zhuǎn)徑向具有該氣壓軸承模塊產(chǎn)生的氣墊效果，對晶片研磨的側(cè)向力具有抵消效果。
以下敘述本發(fā)明的可能實(shí)施例其中該固定本體34可具有加工輔助信道33，用以輔助該空氣流道鉆孔加工；且其中該基礎(chǔ)構(gòu)造一般為土木建筑構(gòu)造上的機(jī)械安裝構(gòu)造，以求機(jī)臺(tái)穩(wěn)固；其中該晶片吸附次模塊安裝于工作臺(tái)本體19之上可包含抽真空管路18及真空吸力提供口17，以使真空吸力得以傳遞吸附晶片；又其中該主軸16一般是與工作臺(tái)本體19相連接，帶動(dòng)該工作臺(tái)本體19旋轉(zhuǎn)，以使零件的空間排列方便；及其中該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊進(jìn)一步具有一晶片尺寸設(shè)定次模塊設(shè)于工作臺(tái)本體之中，該晶片尺寸設(shè)定次模塊可具有(設(shè)定)調(diào)整螺絲121，可以徑向堵住部份該真空吸力提供口17的方式來調(diào)整應(yīng)對承載不同晶片尺寸的狀況；且為求量測精確，其中該壓電致動(dòng)器41及位移量測計(jì)為共幾何位置中心構(gòu)造；又為求位移平均，其中該壓電致動(dòng)器41及位移量測計(jì)可為3組以等角度分布于該工作臺(tái)本體19的底部以調(diào)整該工作臺(tái)本體19的傾斜角度；為了動(dòng)態(tài)精度，其中該主軸16的旋轉(zhuǎn)可由彈性帶狀構(gòu)造所帶動(dòng)以避免旋轉(zhuǎn)動(dòng)力源的震動(dòng)傳到該主軸16；為求機(jī)械精密度及設(shè)計(jì)方便，其中該主軸16可進(jìn)一步包含一橡膠聯(lián)軸器13與時(shí)規(guī)皮帶輪14；橡膠聯(lián)軸器13連接時(shí)規(guī)皮帶輪14(彈性帶狀構(gòu)造)，馬達(dá)動(dòng)力由時(shí)規(guī)皮帶輪14傳入；為求機(jī)臺(tái)運(yùn)轉(zhuǎn)剛性，其中該調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊可進(jìn)一步具有盤形彈簧44對壓電致動(dòng)器41預(yù)壓。
本發(fā)明所設(shè)定的各模塊用于實(shí)現(xiàn)其構(gòu)造與功能，其中各模塊的功能零件并不僅限于上述中所揭示內(nèi)容，熟悉該項(xiàng)技能的技術(shù)人員易于作等效功能的推論。
本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)由以下詳述1.本發(fā)明為一種可更精密調(diào)整磨削晶片磨削角度的氣靜壓工作臺(tái)，尤其以主軸16側(cè)向(徑向)也具氣靜壓氣墊，承受側(cè)向切削力，使得精度及機(jī)臺(tái)壽命提升。并輔以氣靜壓軸承2導(dǎo)引旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1，具有準(zhǔn)確的旋轉(zhuǎn)精度，以及氣靜壓軸承2受壓電致動(dòng)器41的位移，而產(chǎn)生傾斜角度的功能。
2.本發(fā)明具有可精密量測旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1傾斜程度的能力，因?yàn)樵搲弘娭聞?dòng)器41及位移量測計(jì)為共幾何位置中心構(gòu)造，使量測能力精確而微調(diào)能力得以提升。配合盤形彈簧44預(yù)壓，使得旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)1剛性增加，而造成位移控制精度更加地高。
3.本發(fā)明具有可調(diào)整吸附4”、6”或8”晶片的能力，為多功能氣靜壓工作臺(tái)。以四個(gè)調(diào)整螺絲121調(diào)整托板12內(nèi)部真空的孔道，可使吸附面積改變。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此限定本發(fā)明的專利范圍，故凡應(yīng)用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變化，同理皆包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片磨床構(gòu)造，其中包含本體外殼模塊，具有固定本體，其靜態(tài)地安裝于晶片磨床的基礎(chǔ)構(gòu)造上；旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊，具有工作臺(tái)本體及主軸，可旋轉(zhuǎn)地安裝于該固定本體之上，且該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊具有晶片吸附次模塊；氣壓軸承模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有空氣流道，引導(dǎo)具一定壓力空氣到本體外殼模塊與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊的邊界間，作為氣墊式軸承以承載該工作臺(tái)本體及該主軸；及調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有壓電致動(dòng)器及位移量測計(jì)；其中該主軸及工作臺(tái)本體旋轉(zhuǎn)徑向具有該氣壓軸承模塊產(chǎn)生的氣墊效果，對晶片研磨的側(cè)向力具有抵消效果。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該固定本體具有加工輔助信道，用以輔助該空氣流道鉆孔加工。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該基礎(chǔ)構(gòu)造為土木建筑構(gòu)造上的機(jī)械安裝構(gòu)造。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該晶片吸附次模塊安裝于工作臺(tái)本體之上，包含抽真空管路及真空吸力提供口。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該主軸與工作臺(tái)本體相連接，帶動(dòng)該工作臺(tái)本體旋轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊進(jìn)一步具有一晶片尺寸設(shè)定次模塊設(shè)于工作臺(tái)本體之中，該晶片尺寸設(shè)定次模塊具有調(diào)整螺絲，可以徑向堵住部份該真空吸力提供口的方式來調(diào)整應(yīng)對承載不同晶片尺寸的狀況。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該壓電致動(dòng)器及位移量測計(jì)為共幾何位置中心構(gòu)造。
8.如權(quán)利要求7所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該壓電致動(dòng)器及位移量測計(jì)為3組以等角度分布于該工作臺(tái)本體的底部以調(diào)整該工作臺(tái)本體的傾斜角度。
9.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該主軸的旋轉(zhuǎn)是由彈性帶狀構(gòu)造所帶動(dòng)以避免旋轉(zhuǎn)動(dòng)力源的震動(dòng)傳到該主軸。
10.如權(quán)利要求9所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該主軸進(jìn)一步包含一橡膠聯(lián)軸器與時(shí)規(guī)皮帶輪；橡膠聯(lián)軸器連接時(shí)規(guī)皮帶輪，馬達(dá)動(dòng)力由時(shí)規(guī)皮帶輪14傳入。
11.如權(quán)利要求1所述的晶片磨床構(gòu)造，其中該調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊進(jìn)一步具有盤形彈簧對壓電致動(dòng)器預(yù)壓。
全文摘要
一種晶片磨床構(gòu)造具有側(cè)向力緩沖能力，且具有精確的承載平臺(tái)傾斜調(diào)整能力，及可配合固有晶片尺寸的規(guī)格作吸附晶片構(gòu)造調(diào)整，提供用于具有精確研磨晶片需求的應(yīng)用場所，使得晶片傾斜度得到調(diào)整且該晶片得以精確地研磨；其包含本體外殼模塊，具有固定本體，其靜態(tài)地安裝于晶片磨床的基礎(chǔ)構(gòu)造上；旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊，具有工作臺(tái)本體及主軸，可旋轉(zhuǎn)地安裝于該固定本體之上，且該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊具有晶片吸附次模塊；氣壓軸承模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有空氣流道，引導(dǎo)具一定壓力空氣到本體外殼模塊與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)模塊的邊界間，作為氣墊式軸承以承載該工作臺(tái)本體及該主軸；及調(diào)整機(jī)構(gòu)模塊，裝設(shè)于該固定本體上，具有壓電致動(dòng)器及位移量測計(jì)等。
文檔編號(hào)B24B7/20GK1640618SQ20041000142
公開日2005年7月20日 申請日期2004年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月8日
發(fā)明者湯國裕, 黃榮宏, 陳來毅 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院