專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片卡盤(pán)和拋光/電鍍托座之間的測(cè)量對(duì)準(zhǔn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于汽車(chē)的控制元件，特別是一按鈕，它包括至少 一個(gè)以電容為基礎(chǔ)工作的、接觸感應(yīng)的按鈕和一外殼，其中所述按鈕在外殼中可推移地固定。
技術(shù)背景已知的是，設(shè)計(jì)具有電容元件的按鍵或者控制元件，使得在接觸按 鍵時(shí)借助 一 電子評(píng)價(jià)裝置能夠選擇和/或操縱一與該按鍵有關(guān)的功能。例如，在DE 203 11 127中說(shuō)明一接觸感應(yīng)的以電容為基礎(chǔ)的按鍵作為在電 腦系統(tǒng)或者電子設(shè)備上的輸入可能性。在此，在一支撐板背面安裝一個(gè) 用于以自發(fā)光的顯示器為形式的按鍵表面的點(diǎn)照明裝置，并且在正面設(shè) 置一電容的接觸感應(yīng)的輸入可能性作為掩睫表面。另一接觸感應(yīng)的皿在EP 0 780 865中說(shuō)明。描述一種具有通過(guò)電 容作用的感應(yīng)的按鍵、用于通過(guò)一電絕緣的平板探測(cè)一元件的存在，其 中按鍵由一印刷電路板支撐，它基本上與所述板平行且與一在印刷電路 板上設(shè)置的電子測(cè)量電路電連接。所述電組件的一個(gè)電極由一由可導(dǎo)電 的材料構(gòu)成的簧片構(gòu)成，它具有一固定在印刷電路板上的底板。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種在一控制元件中可移動(dòng)固定的按鈕， 它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且可廉價(jià)地制造。另一目的在于，提供一種按鈕，其電子觸點(diǎn)接通不影響或者僅輕微影響按鈕的觸覺(jué)。本發(fā)明的目的由此實(shí)現(xiàn)，即一構(gòu)成電容的電容器由一個(gè)在一面向使 用者的表面的內(nèi)側(cè)和/或外側(cè)上施加的金屬區(qū)域構(gòu)成，該金屬區(qū)域構(gòu)成電 容器的一個(gè)電極，它在外殼內(nèi)電接觸。通過(guò)按鈕的按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)晶片卡盤(pán)和拋光/電鍍托座之間的測(cè)量對(duì)準(zhǔn) 相關(guān)申請(qǐng)的對(duì)照該申請(qǐng)權(quán)利要求了美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/431916，題目為"電鍍/拋 光組件中的原位間隙測(cè)量，，，提交于2002年12月9日，在此完全引用 作為參考。技術(shù)領(lǐng)域本申請(qǐng)總體涉及在半導(dǎo)體晶片上對(duì)金屬層的電拋光和/或電鍍， 以及更具體而言涉及一個(gè)晶片卡盤(pán)和拋光/電鍍托座之間的測(cè)量對(duì)準(zhǔn)。
背景技術(shù)：
總體上，半導(dǎo)體器件制造或制作在半導(dǎo)體材料稱(chēng)作晶片或薄片的 圃盤(pán)上。更具體而言，晶片最初從一個(gè)硅錠上切下來(lái)。然后晶片進(jìn)行 多次掩模，刻蝕以及淀積工藝，以形成半導(dǎo)體器件的電子電路。例如，電拋光一個(gè)晶片上的導(dǎo)電薄膜公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利號(hào)6391166 Bl，題目電鍍裝置和方法，提交于1999年1月15日，在此完全引用 作為參考。電拋光一個(gè)晶片上的金屬層公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利號(hào)6395152， 題目用于電拋光半導(dǎo)體器件上的金屬互連的方法和裝置，提交于1999 年7月2日，在此完全引用作為參考，以及美國(guó)專(zhuān)利號(hào)6440295,題 目用于電拋光半導(dǎo)體器件上的金屬的方法，提交于2000年2月4日， 在此完全引用作為參考。用于夾住一個(gè)晶片的卡盤(pán)公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利號(hào) 6248222，題目在電拋光和/或電鍍工件過(guò)程中用于夾住和拋光半導(dǎo)體 工件的方法和裝置，提交于1999年1月15日，在此完全引用作為參 考。發(fā)明內(nèi)容器132通過(guò)掩埋進(jìn)卡盤(pán)104中而放置在卡盤(pán)104中。如上指出的，應(yīng) 該認(rèn)識(shí)到傳感器130可以放置在托座102中的各種位置，例如在分段 壁120中(如

圖1A和1B所示)。仍然如上指出的，可以使用任何數(shù) 目的傳感器。例如傳感器130可以為形成在周邊壁138頂部的傳感器 環(huán)。盡管已經(jīng)描述了示例的實(shí)施例，在部背離本發(fā)明的精神和/或范 圍下可以進(jìn)行各種修改。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被理解為受限于附圖和 上述描述的具體形式。
權(quán)利要求
1. 一種用于電拋光和/或電鍍半導(dǎo)體晶片上金屬層的裝置，該裝置包括含有多個(gè)分段壁的一個(gè)托座；一個(gè)晶片卡盤(pán)，配置為夾住半導(dǎo)體晶片并在托座中定位半導(dǎo)體晶片，半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面靠近多個(gè)分段壁的頂部；以及第一多個(gè)傳感器，配置為測(cè)量多個(gè)分段壁中一個(gè)的中心到晶片卡盤(pán)中心之間的對(duì)準(zhǔn)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中多個(gè)分段壁中一個(gè)的中心到晶 片之間的對(duì)準(zhǔn)在0.001mm-lmm的容差范圍內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中容差小于0.01mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中多個(gè)分段壁是圓柱形的并是同心的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括笫一傳感 器對(duì)，其包括第一傳感器，放置于多個(gè)分段壁中的一個(gè)上；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)的圓周上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中第一傳感器掩埋在多個(gè)分段壁 中的一個(gè)中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳感 器對(duì)，其包括第一傳感器，放置于托座的一個(gè)周邊壁上；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)的圓周上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中第一傳感器掩埋在周邊壁中。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中第一傳感器為形成在周邊壁頂 部的傳感器環(huán)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中第二傳感器掩埋在晶片卡盤(pán)中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁中的一個(gè)之間的間隙的第一測(cè)量；以及第二傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁中的一個(gè)之間 的間隙的第二測(cè)量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中第一個(gè)傳感器包括第 一傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和托座的周邊壁之間的間隙 的第一測(cè)量；以及第二傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和托座的周邊壁之間的間隙 的第二測(cè)量。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括 相等地分布在多個(gè)分段壁中一個(gè)的頂部圓周上的四個(gè)傳感器；以及相等地分布在晶片卡盤(pán)的圓周上的四個(gè)傳感器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括光學(xué)反射 傳感器，磁傳感器，電容傳感器，或者超聲傳感器。
15. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，進(jìn)一步包括 第二多個(gè)傳感器，配置為測(cè)量半導(dǎo)體晶片和多個(gè)分段壁的頂部之間的間隙。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的裝置，其中半導(dǎo)體晶片和多個(gè)分段壁頂 部之間的間隙在0.5-10毫米之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的裝置，其中間隙為5亳米。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15的裝置，其中第二多個(gè)傳感器包括 第一傳感器，放置于托座底部?jī)?nèi)；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15的裝置，其中第二多個(gè)傳感器包括光學(xué)反 射傳感器，磁傳感器，電容傳感器，或者超聲傳感器。
20. —種用于電拋光和/或電鍍半導(dǎo)體晶片上金屬層的裝置，該 裝置包括一個(gè)托座，分成多個(gè)具有圓心的同心部分；一個(gè)晶片卡盤(pán)，配置為夾住半導(dǎo)體晶片并在托座中定位半導(dǎo)體晶片；以及第一多個(gè)傳感器，配置為測(cè)量同心部分的中心和半導(dǎo)體晶片中心 之間的對(duì)準(zhǔn)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的裝置，其中同心部分由多個(gè)圓柱形和同 心分段壁形成，并且其中要電拋光或電鍍的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面位 于靠近多個(gè)分段壁的頂部。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳 感器對(duì)，包括第一傳感器，放置于多個(gè)分段壁中的一個(gè)上；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)的圓周上。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括 第一傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁的一個(gè)之間的間隙的第一測(cè)量；以及第二傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁的一個(gè)之間的 間隙的第二測(cè)量。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21的裝置，進(jìn)一步包括 第二多個(gè)傳感器，配置為測(cè)量半導(dǎo)體晶片和多個(gè)分段壁的頂部之間的間隙。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24的裝置，其中第二多個(gè)傳感器包括 第一傳感器，放置于托座的底部?jī)?nèi)；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)上。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳 感器對(duì)，其包括第一傳感器，放置于托座的一個(gè)周邊壁上；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)的圓周上。
27. 根據(jù)權(quán)利要求20的裝置，其中第一多個(gè)傳感器包括 第一傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和托座的一個(gè)周邊壁之間的間隙的第一測(cè)量；以及第二傳感器對(duì)，配置為提供晶片卡盤(pán)和托座的周邊壁之間的間隙 的第二測(cè)量。
28. —種電拋光和/或電鍍半導(dǎo)體晶片上金屬層的方法，該方法包括在一個(gè)托座中定位一個(gè)夾住半導(dǎo)體晶片的晶片卡盤(pán)，該托座含有 多個(gè)分段壁，其中要電拋光或電鍍的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面位于靠近 多個(gè)分段壁的頂部；以及使用笫一多個(gè)傳感器測(cè)量多個(gè)分段壁中 一個(gè)的中心到晶片卡盤(pán) 中心之間的對(duì)準(zhǔn)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳 感器對(duì)和第二傳感器對(duì)，并且其中測(cè)量對(duì)準(zhǔn)包括使用第 一傳感器對(duì)，測(cè)量晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁的 一個(gè)之間的第 一間隙；使用第二傳感器對(duì)，測(cè)量晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁的一個(gè)之間的笫 二間隙；以及基于第一間隙和第二間隙的測(cè)量，確定晶片卡盤(pán)和多個(gè)分段壁的 一個(gè)之間的對(duì)準(zhǔn)。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中笫一傳感器對(duì)包括 第一傳感器，放置于多個(gè)分段壁中的一個(gè)上；以及 第二傳感器，放置于晶片卡盤(pán)的圓周上。
31. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中第一多個(gè)傳感器包括第一傳 感器對(duì)和第二傳感器對(duì)，其中測(cè)量對(duì)準(zhǔn)包括使用第一傳感器對(duì)，測(cè)量晶片卡盤(pán)和托座的一個(gè)周邊壁之間的第 一間隙；使用第二傳感器對(duì)，測(cè)量晶片卡盤(pán)和周邊壁之間的第二間隙；以及基于第 一 間隙和第二間隙的測(cè)量，確定晶片卡盤(pán)和周邊壁之間的對(duì)準(zhǔn)。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中第一傳感器對(duì)包括在時(shí)間上先于第二開(kāi)關(guān)位置接通，以及，在斷開(kāi)過(guò)程中第一開(kāi)關(guān)位置在時(shí) 間上后于第二開(kāi)關(guān)位置切斷，具有的優(yōu)點(diǎn)是，可能形成的開(kāi)關(guān)電弧優(yōu)先出 現(xiàn)在第一開(kāi)關(guān)位置上。第二開(kāi)關(guān)位置因受第一開(kāi)關(guān)位置保護(hù)可防止觸點(diǎn)嚴(yán) 重磨損。為構(gòu)成真空腔的邊界采用適當(dāng)?shù)姆忾]外套。為保持真空度此封閉 外套相應(yīng)地設(shè)計(jì)為氣密的。若有目的地將開(kāi)關(guān)電弧，例如在接通過(guò)程中的 飛弧或斷開(kāi)時(shí)的電弧，保持在封閉外套內(nèi)部，電弧便幾乎不可能從封閉外 套越出。從而有效保護(hù)設(shè)置在附近的構(gòu)件，例如第二開(kāi)關(guān)位置、驅(qū)動(dòng)裝置 或其他構(gòu)件，防止受電弧的高溫作用。由此例如可以為第二開(kāi)關(guān)位置使用 開(kāi)式的開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)封閉外套阻止電弧躍上第二開(kāi)關(guān)位置的觸點(diǎn)。此外一種有利的設(shè)計(jì)可以規(guī)定，第一開(kāi)關(guān)位置和第二開(kāi)關(guān)位置互相導(dǎo) 電地并聯(lián)。電并聯(lián)這兩個(gè)開(kāi)關(guān)位置允許有目的地將要斷路的電流轉(zhuǎn)換到兩個(gè)開(kāi)關(guān) 位置之一。為此可以有利地規(guī)定，在斷開(kāi)過(guò)程中為了熄滅將要斷路的電流 有目的地將其帶給第一開(kāi)關(guān)位置。這例如可以通過(guò)在時(shí)間上錯(cuò)開(kāi)這兩個(gè)開(kāi) 關(guān)位置的開(kāi)關(guān)時(shí)刻達(dá)到。另一項(xiàng)有利的設(shè)計(jì)可以規(guī)定，第一開(kāi)關(guān)位置有可彼此相對(duì)運(yùn)動(dòng)的第一 和第二觸頭，它們沿軸向相對(duì)置地排列，以及，第二開(kāi)關(guān)位置有可彼此相 對(duì)運(yùn)動(dòng)的第 一 和第二觸頭，它們?cè)O(shè)計(jì)為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的以及同軸于第 一 開(kāi)關(guān)位 置的觸頭地布置。軸向相對(duì)置的觸頭沿軸向彼此相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在第一或第二開(kāi)關(guān)位置的觸 頭同軸布置和旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)的情況下，形成一個(gè)有利的介電結(jié)構(gòu)的機(jī)體。 因此尤其在電開(kāi)關(guān)裝置使用于中壓和高壓范圍時(shí)，還可以控制更大的電場(chǎng) 強(qiáng)度。有利地這兩個(gè)開(kāi)關(guān)位置應(yīng)分別有圓柱形互相套裝的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)。另一項(xiàng)有利的設(shè)計(jì)可以規(guī)定，在投影圖內(nèi)，斷開(kāi)后第二開(kāi)關(guān)位置的斷 續(xù)間距被一個(gè)構(gòu)成真空腔邊界的封閉外套跨接。在使用可彼此相對(duì)運(yùn)動(dòng)的觸頭時(shí)在各自觸頭的斷開(kāi)狀態(tài)在參與的觸頭 之間形成一個(gè)斷續(xù)間距，它用于觸頭之間的電位分離。構(gòu)成真空腔邊界的 封閉外套必須至少分段地由電絕緣材料組成，為的是能保持第 一開(kāi)關(guān)位置 的觸頭互相絕緣。由此避免電流分路，這種電流分路會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)位置的開(kāi)關(guān) 能力帶來(lái)負(fù)面的影響。在例如沿第一開(kāi)關(guān)位置的觸頭裝在其上以及第二開(kāi) 關(guān)位置的觸頭例如也同軸于它布置的那根軸徑向的投影圖中，封閉外套可
全文摘要
一種用于電拋光和/或電鍍半導(dǎo)體晶片上金屬層的裝置，包括含有多個(gè)分段壁的一個(gè)托座。該裝置包括一個(gè)晶片卡盤(pán)，配置為夾住半導(dǎo)體晶片并在托座中定位半導(dǎo)體晶片，使得半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面靠近多個(gè)分段壁的頂部。該裝置還包括第一多個(gè)傳感器，配置為測(cè)量多個(gè)分段壁中一個(gè)的中心到晶片卡盤(pán)中心之間的對(duì)準(zhǔn)，這樣就測(cè)量了半導(dǎo)體晶片的中心。
文檔編號(hào)B24B37/04GK101233607SQ200380105515
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2003年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月9日
發(fā)明者沃哈·努齊, 暉 王 申請(qǐng)人:Acm研究公司