專利名稱:一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，是由：溫控門、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負極、矩形加熱模塊、正負極輸入輸出口、定位器構(gòu)成；加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達到2×10-4Ω/cm、透過率達到90％以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
【專利說明】一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及ITO膜加熱裝置，尤其是一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門。

【背景技術(shù)】
[0002]ITO透明導電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡稱ITO薄膜，是Indium Tin Oxide的縮寫。ITO薄膜是一種η型半導體材料，其具有許多優(yōu)異的物理、化學性能，例如較高的可見光透過率和導電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強的硬度及良好的抗酸、堿及有機溶劑能力，因此，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。比如:液晶顯示器(IXD)，等離子顯示器(TOP)，電極放光顯示器(EL/0LED)，觸摸屏，太陽能電池及其他電子儀表中。
[0003]目前，ITO薄膜的制備方法很多，常見的有:噴涂法、真空蒸發(fā)法、化學氣相沉積、反應(yīng)離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應(yīng)用于顯示器件中ITO薄膜的制備。磁控濺射制備ITO薄膜，主要是利用直流(DC)電源在Ar濺射氣體和充分氧化Ar/02混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對In-Sn合金靶或In203，Sn02氧化物靶或陶瓷靶進行轟擊，以便在各種襯底上獲得ITO薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理，都對ITO薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現(xiàn)有的技術(shù)在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學性能差，薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整；尤其在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻，不能準確有效的調(diào)節(jié)控制溫度來控制電阻的均勻性，降低了 ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，以及生產(chǎn)的工作效率，增加了生產(chǎn)成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領(lǐng)域生產(chǎn)發(fā)展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場的需求。
[0004]鑒于上述原因，現(xiàn)有的ITO薄膜加熱裝置及其方法需要創(chuàng)新。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達到2 X 10-4 Ω /Cm、透過率達到90 %以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0006]本實用新型為了實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，是由:溫控門、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負極、矩形加熱模塊、正負極輸入輸出口、定位器構(gòu)成；溫控門一側(cè)的中部豎向設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的兩側(cè)對稱設(shè)置一對長加熱模塊，一對長加熱模塊與長加熱模塊組之間對稱設(shè)置一對矩形加熱模塊組。
[0007]所述的長加熱模塊組由至少兩塊長加熱模塊橫向并列設(shè)置組成，長加熱模塊上方中部設(shè)置長加熱模塊正極和長加熱模塊負極。
[0008]所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊一側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔，正負極輸入輸出孔內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。
[0009]所述的每塊長加熱模塊和每塊矩形加熱模塊均通過定位器與溫控門固定。
[0010]所述的每塊長加熱模塊和每塊矩形加熱模塊均為U形加熱管內(nèi)對應(yīng)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
[0011]本實用新型的有益效果是:在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長加熱模塊正極和長加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，矩形加熱模塊一側(cè)的正負極輸入輸出孔內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，溫控門上的每塊長加熱模塊和每塊矩形加熱模塊通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進行加熱，可通過工控機控制每塊長加熱模塊和每塊矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，對懸浮運行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進行加熱，車體通過連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達到2X 10-4 Ω/Cm，透過率達到90%以上。
[0012]長加熱模塊和矩形加熱模塊的溫度調(diào)整范圍為50_400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對溫控門上不同位置的長加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
[0013]加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達到2X 10-4 Ω/Cm、透過率達到90%以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0014]本實用新型經(jīng)過長期大量實驗，優(yōu)化如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理等這些工藝參數(shù)后，可以獲得具有較高的導電率和可見光透過率的優(yōu)質(zhì)ITO薄膜。
[0015]本實用新型在玻璃襯底上制備的ITO薄膜的電阻率達到2 X 10-4 Ω/cm和透過率達到90%以上。所以用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上，可以制備出良好ITO透明導電薄膜，在其制備的同時我們對不同基底溫度(150°C -350°C )條件下制備薄膜的電阻情況進行了深入研宄，現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學性能差的時候，往往籠統(tǒng)的被解釋為薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整，本實用新型經(jīng)長期大量的實驗，因此在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻得出新的研發(fā)成果。

【附圖說明】

[0016]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明:
[0017]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖1中:溫控門1、長加熱模塊2、長加熱模塊正極2-2、長加熱模塊負極2-3、矩形加熱模塊3、正負極輸入輸出口 3-2、定位器4。

【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細說明:
[0020]如圖所示，溫控門I 一側(cè)的中部豎向設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的兩側(cè)對稱設(shè)置一對長加熱模塊2，一對長加熱模塊2與長加熱模塊組之間對稱設(shè)置一對矩形加熱模塊組。
[0021]所述的長加熱模塊組由至少兩塊長加熱模塊2橫向并列設(shè)置組成，長加熱模塊2上方中部設(shè)置長加熱模塊正極2-2和長加熱模塊負極2-3。
[0022]所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊3豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊3 —側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔3-2，正負極輸入輸出孔3-2內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。
[0023]所述的每塊長加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3均通過定位器4與溫控門I固定。
[0024]所述的每塊長加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3均為U形加熱管內(nèi)對應(yīng)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，是由:溫控門(I)、長加熱模塊(2)、長加熱模塊正極(2-2)、長加熱模塊負極(2-3)、矩形加熱模塊(3)、正負極輸入輸出口(3-2)、定位器(4)構(gòu)成；其特征在于:溫控門(I) 一側(cè)的中部豎向設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的兩側(cè)對稱設(shè)置一對長加熱模塊(2)，一對長加熱模塊(2)與長加熱模塊組之間對稱設(shè)置一對矩形加熱模塊組。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的長加熱模塊組由至少兩塊長加熱模塊(2)橫向并列設(shè)置組成，長加熱模塊(2)上方中部設(shè)置長加熱模塊正極(2-2)和長加熱模塊負極(2-3)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊(3)豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊(3) —側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔(3-2)，正負極輸入輸出孔(3-2)內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。4.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的每塊長加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)均通過定位器(4)與溫控門(I)固定。5.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的每塊長加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)均為U形加熱管內(nèi)對應(yīng)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
【文檔編號】C23C14-08GK204265844SQ201420770392
【發(fā)明者】秦遵紅, 董安光, 譚華, 王戀貴 [申請人]洛陽康耀電子有限公司