專利名稱：用于終點檢測的拋光襯墊及相關(guān)方法
背景本發(fā)明涉及在化學機械拋光過程中使用的拋光襯墊以及用來監(jiān)控拋光過程的方法和設(shè)備。
集成電路典型地是通過將導電層、半導電層或絕緣層按順序沉積到硅晶片上，而被加工形成于襯底之上的。其中一個生產(chǎn)步驟包括將填料層沉積到非平面(non-planar)表面上，并磨平填料層直到露出非平面表面為止。例如，可將導電填料層沉積到一圖案化的絕緣層上以填充該絕緣層上的溝槽和開口。然后將填料層拋光，直到露出絕緣層上凸起的圖案為止。在磨平(planarization)之后，遺留在絕緣層上的凸起圖案之間的導電層部分便形成了通開口(vias)、插頭(plugs)、線路，提供在襯底上的薄膜回路之間的導電路徑。此外，平面化需要將襯底表面磨平以利于對其使用光刻法。
化學機械拋光(CMP)是一種可采用的磨平方法。此種磨平方法的特色是需要將襯底固定在托架或拋光頭上。襯底所露出的表面緊貼在旋轉(zhuǎn)的盤狀拋光襯墊或帶形拋光襯墊上。拋光襯墊可以是“標準”襯墊或固定研磨墊(fixed abrasive pad)。標準襯墊有耐磨粗糙表面，而固定研磨墊則是將研磨微粒固定在一種容納介質(zhì)(containment media)中。托架頭向襯底施加一定可控載荷，從而使其緊貼在拋光襯墊上。拋光液被提供到拋光襯墊的表面，如果使用標準襯墊，則拋光研磨漿至少含有一種化學反應(yīng)劑和研磨微粒。
化學機械拋光的一個問題是，如何確定拋光過程是否完成，即襯背襯層是否已被磨至所需的平面度或厚度，或是確定在何時已除去了所要求的一定材料量。導電層或膜的拋光過度(去除過多)可導致電路電阻增加。另一方面，導電層或膜的拋光不足(去除過少)可導致短路。襯背襯層的初始厚度不同、拋光液的成份不同、拋光襯墊的條件不同、拋光襯墊和襯底之間的相對速度不同、及襯底上的載荷不同均可導致材料去除速率的不同。這些差異導致了達到拋光終點(polishing endpoint)所需時間也不同。因此，拋光終點不能僅根據(jù)拋光時間來確定。
一種確定拋光終點的方法是在加工現(xiàn)場監(jiān)控襯底的拋光，例如借助于光學或電子傳感器。一種監(jiān)控技術(shù)是用磁場在金屬層中感應(yīng)出渦流，并探測當金屬層被去除時磁通量產(chǎn)生的變化。簡單地說，渦流產(chǎn)生的磁通量與勵磁磁通線方向相反。該磁通量與渦流成比例，而渦流與金屬層的電阻成比例，金屬層的電阻又與金屬層的厚度成比例。因此，金屬層厚度的變化可導致渦流所產(chǎn)生的磁通量的變化。磁通量的這一變化導致主線圈中電流的變化，而電流的變化可作為阻抗的變化來測量。因此，線圈阻抗的變化反映了金屬層厚度的變化。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明涉及一種拋光襯墊。該拋光襯墊包括一拋光層，該拋光層具有用來拋光的前表面及底面。在拋光層的前表面上形成有第一組(first plurality)溝槽，而在其底面上則形成有一個凹槽。拋光面上對應(yīng)于底面上凹槽的區(qū)域沒有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第二組(second plurality)溝槽。
本發(fā)明的實施方案可包括一個或多個如下特征拋光面上對應(yīng)于凹槽的區(qū)域可以大體上是平的，例如其可以沒有溝槽?；蛘?，拋光面上對應(yīng)于凹槽的區(qū)域可以有第二組溝槽。此外，此區(qū)域可以是不透明的或透明的。拋光層也可以是單元式結(jié)構(gòu)。在拋光層的第二部分上可形成空腔，該第二部分與第一部分實體上分離并可固定于第一部分上。第一和第二部分可以由大體上相同的材料構(gòu)成，且第二部分的頂面可與拋光面大體上齊平?？稍诘谝徊糠稚闲纬梢婚_口，并將第二部分固定于該開口中。第二部分可以具有頂部和底部，頂部具有第一橫截面尺寸，底部具有不同的第二橫截面尺寸。例如，第一橫截面尺寸可以小于第二橫截面尺寸。第二組溝槽可以延伸到凹槽的內(nèi)表面之外。
襯墊可有一個位于拋光層的底面上的背襯層。背襯層可以比拋光層柔軟。背襯層可有一個穿通的開口，而且該開口可與拋光層底面上的凹槽對準。背襯層可以是較薄的不可壓縮層。第一組溝槽可以形成于拋光層的第一部分，而空腔可以形成于拋光層的第二部分，其中第二部分可與第一部分實體上分離。在拋光層上可形成第二開口，且第二部分可固定于第二開口之中。第一開口可以具有第一橫截面尺寸，且第二開口可以具有不同(如更大或更小)的第二、橫截面尺寸。
另一方面，本發(fā)明涉及一種拋光系統(tǒng)。該拋光系統(tǒng)包括用來固定襯底的托架、被支撐于機床工作臺上的拋光襯墊、及渦流監(jiān)控系統(tǒng)。拋光襯墊包括拋光層(此拋光層具有用來拋光的前表面及底面)、在拋光層前表面中形成的第一組溝槽、在拋光層底面中形成的凹槽。拋光面上對應(yīng)于底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。渦流監(jiān)控系統(tǒng)至少具有線圈和磁芯的其中之一，上述線圈和磁芯的其中之一至少部分地延伸到拋光層的底面中的空腔之內(nèi)，以監(jiān)控被托架所固定的襯底上的金屬層。
另一方面，本發(fā)明涉及一種制造拋光襯墊的方法。該方法包括在拋光襯墊的拋光層形成第一組溝槽、在拋光層的底面形成凹槽、及在拋光面上形成一個對應(yīng)于底面凹槽的區(qū)域，此區(qū)域沒有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。
本發(fā)明的實施方案可包括一個或多個下列特征可將拋光層固定到背襯層上。形成空腔包括機械加工這個空腔或是模制該空腔。在底面上形成凹槽，可包括將實體上分立的拋光襯墊的第一部分固定于拋光襯墊的第二部分中的開口內(nèi)，其中拋光襯墊的第一部分具有凹槽，拋光襯墊的第二部分具有溝槽。
另一方面，本發(fā)明涉及一種拋光方法。在該方法中，使襯底與拋光襯墊的拋光層的前表面相接觸，拋光層具有形成于拋光層的前表面的第一部分中的第一組溝槽和形成于拋光層的底面上的凹槽。在拋光面對應(yīng)于底面上的凹槽的區(qū)域內(nèi)沒有溝槽，或是有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。將拋光液供給到拋光層的前表面，且使得襯底和前表面之間產(chǎn)生相對運動。
本發(fā)明的實施方案可包括一個或多個下列特征可通過渦流監(jiān)控系統(tǒng)來監(jiān)控襯底上的金屬層，該渦流監(jiān)控系統(tǒng)至少具有線圈和磁芯的其中之一，上述線圈和磁芯的其中之一至少部分地延伸到拋光層的底面中的空腔內(nèi)。
另一方面，本發(fā)明涉及一種具有拋光層的拋光襯墊，該拋光層具有前表面和底面。前表面包括具有第一組溝槽的第一部分以及大體上平坦的第二部分，而底面則具有與前表面的第二部分對準的空腔。
本發(fā)明的一個或多個實施例的細節(jié)將在下面通過附圖和描述來闡明。本發(fā)明的其他特征、目的和優(yōu)點將通過描述和附圖以及權(quán)利要求體現(xiàn)出來。


圖1為一個具有渦流監(jiān)控系統(tǒng)的化學機械拋光工作臺的示意性側(cè)視(半剖)圖。
圖2為示意性俯視圖，展示了圖1中的拋光襯墊。
圖3為示意性側(cè)面剖視圖，沿圖2中線3-3方向展示拋光襯墊。
圖4為示意性側(cè)面剖視圖，展示一種在覆蓋層的底面上有多個凹槽的拋光襯墊。
圖5為示意性側(cè)面剖視圖，展示一種拋光襯墊，其中一個無溝槽嵌入塊被嵌入到一個有溝槽拋光襯墊上。
圖6為拋光襯墊的另一實施方案的示意性側(cè)剖視圖，其中背襯層是一個薄層區(qū)域。
圖7A和7B為拋光襯墊的又一實施方案的示意性側(cè)剖視圖，其中一個嵌入塊被嵌入到覆蓋層的底面。
圖8為示意性側(cè)剖視圖，展示了一個在空腔上方有淺溝槽的拋光襯墊。
在各附圖中，相同的參考符號代表相同的部件。
具體實施例方式
參考圖1，可在一臺化學機械拋光設(shè)備的拋光工作臺10上對一個或多個襯底14進行拋光。一種相應(yīng)拋光設(shè)備的描述可在美國第5738574號專利中找到。
拋光工作站10包括安裝有拋光襯墊18的可旋轉(zhuǎn)機床工作臺16。拋光襯墊18可以是雙層拋光襯墊，具有柔軟的背襯層20和結(jié)構(gòu)大致均勻的堅硬耐用的外層22。耐用外層22提供了拋光面24。至少有一部分拋光面24上可以有溝槽28，用來輸送拋光液。拋光工作臺還可包括用來保持拋光襯墊工況的襯墊調(diào)節(jié)裝置，以使之有效地對襯底進行拋光。
在拋光步驟中，包含液體和pH調(diào)節(jié)劑的拋光液30可通過拋光液供給噴口或組合拋光液/沖洗臂32而被送到拋光襯墊18的表面。拋光液30還可包含研磨劑微粒。
襯底10由托架頭34固定貼靠到拋光襯墊18上。托架頭34懸掛在支撐結(jié)構(gòu)如圓盤傳送帶(carousel)上，并通過托架驅(qū)動軸36連接到托架頭旋轉(zhuǎn)馬達上，因此托架頭便可繞軸線38旋轉(zhuǎn)。
空腔40形成于機床工作臺16中，在空腔40中安裝了現(xiàn)場監(jiān)控模塊42?，F(xiàn)場監(jiān)控模塊42可包括一個現(xiàn)場渦流監(jiān)控系統(tǒng)，其中磁芯44被置于空腔26中隨機床工作臺旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動和檢測線圈46是在磁芯44上繞制的，并且連接到控制器50。在操作中，一振蕩器激勵驅(qū)動線圈而產(chǎn)生振蕩磁場48，此磁場貫穿磁芯44的主體。至少一部分磁場48朝向襯底12穿過拋光襯墊18。如果襯底10上有金屬層，那么振動磁場48將產(chǎn)生渦流。渦流將在與感應(yīng)磁場相反的方向上產(chǎn)生一定磁通量，并且這一磁通量在初級或檢測線圈中感應(yīng)出與驅(qū)動電流方向相反的反向電流。電流中所產(chǎn)生的變化可被當作磁芯阻抗中的變化來測量。當金屬層的厚度變化時，金屬層的電阻也變化。因此，渦流以及渦流所感應(yīng)出的磁通量的強度也變化，從而導致初級線圈阻抗的變化。通過監(jiān)控這些變化，例如根據(jù)驅(qū)動線圈電流的相位來測量線圈電流的幅值或線圈電流的相位，渦流傳感監(jiān)控器就可以探測到金屬層的厚度的變化。
用于渦流監(jiān)控系統(tǒng)的驅(qū)動系統(tǒng)和檢測系統(tǒng)將不進行詳細描述，因為適當系統(tǒng)的描述可在歐洲公布第EP1294534號和PCT公布第WO20/087825號中找到。
渦流監(jiān)控系統(tǒng)的多個電子元件可被設(shè)置在控制器50中的印制電路板上?？刂破骺砂暾娐?circuity)，例如一個通用微處理機或一個專用集成電路，以將渦流檢測系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字數(shù)據(jù)。
如前所述，監(jiān)控系統(tǒng)42包括位于空腔26內(nèi)的磁芯44。
參考圖2和圖3，拋光襯墊18的覆蓋層22包括一個或多個在覆蓋層的底面上形成的空腔或稱凹槽52。這些凹槽在拋光襯墊的覆蓋層中產(chǎn)生出一個或多個薄層區(qū)域54。磁芯44和/或線圈46可伸入到凹槽52之內(nèi)，因此它們部分地穿入拋光襯墊。通過將磁芯和線圈放置在襯底附近，可提高渦流監(jiān)控系統(tǒng)的空間分辨率。這些空腔52可至少延伸穿過覆蓋層22厚度的50％，例如穿過75～80％。舉例來說，一個拋光襯墊所具有的覆蓋層22的厚度為100密耳，則凹槽52可具有的深度D1約為80密耳，從而剩下的薄層區(qū)域54的厚度約為20密耳。
如前所述，覆蓋層22也可包括在該層中形成的多條溝槽28。這些溝槽可以是任意圖案，如同心圓形、直線形、螺旋形等。然而，溝槽不延伸到覆蓋層22中的薄層區(qū)域54上。因此，拋光襯墊的拋光面24既包括有溝槽部分又包括沒有溝槽的部分，且凹槽位于上述部分中一個沒有溝槽的部分。溝槽28可以至少為10密耳深，例如約為20密耳深。溝槽28可延伸至覆蓋層22厚度的大約20～25％處。例如，在具有80密耳厚的覆蓋層22的拋光襯墊中，溝槽28的深度D2可約為20密耳。溝槽的深度可以深至足以延伸到或超過由空腔的內(nèi)表面58所限定的平面。
此外，如存在背襯層20，則背襯層20包括一個或多個開口56，以此為磁芯44和/或線圈46提供到達凹槽52的入口。因此，磁芯44和/或線圈46也可延伸穿過背襯層20。如圖2所示，單一一個開口52可以延展超過所有這些凹槽52。然而，如圖4所示，在另一實施方案中，一個開口56與每個凹槽52對準。然而，對于某些拋光操作，只使用單層拋光襯墊，而且沒有背襯層。
參考圖1和圖4，當拋光襯墊18被固定到機床工作臺上時，薄層區(qū)域54覆蓋空腔26以及磁芯和/或線圈的高于機床工作臺16頂面的部分。通過將磁芯42設(shè)置得靠近襯底，便使磁場擴散得較少從而可改善空間分辨率。如果拋光襯墊不與光學終點監(jiān)控系統(tǒng)一同使用，則整個拋光層包括覆蓋空腔的部分可以是不透明的。
在一個實施方案中(示于圖3)，覆蓋層22可例如使用模制工藝來制造，在覆蓋層的上表面和下表面中分別形成溝槽和空腔。因此，覆蓋層22，包括溝槽部分和薄層區(qū)域，可以是一個單元體。覆蓋層22可通過模制工藝，例如通過噴射鑄造法或壓力鑄造法來制造，使得襯墊材料在模具中固化或稱硬化，而令形成溝槽的空腔凹下?；蛘?，覆蓋層22可通過更加傳統(tǒng)的技術(shù)，例如通過從材料塊上切下襯墊薄塊來制造。溝槽和空腔可隨后通過分別對覆蓋層的頂面和底面進行機械加工或銑削加工來形成。一旦覆蓋層22加工完成，就可將其通過例如粘接等方法來固定到背襯層20上，且覆蓋層22上的空腔52與背襯層20上的開口56相對齊。
或者，如圖5所示，拋光襯墊可分成兩部分制造。例如，襯墊的主體60可被制造成具有溝槽28(通過模制或機械加工)。在其底面上具有空腔52的無溝槽嵌入塊62可單獨制造。主體60和嵌入塊62可用同一種材料制作。在覆蓋層22的主體60中開出開口64，并且例如通過將嵌入塊64粘接在背襯層20的上表面的粘接劑，來使嵌入塊64固定在開口64中。嵌入塊62的厚度D4可以等于覆蓋層22的厚度D3，從而使嵌入塊62的頂面相對于拋光面24齊平，或者可令嵌入塊62的厚度D4略小于覆蓋層22的厚度D3，而使得嵌入塊62的頂面相對于拋光面24稍低。
在另一實施方案中，如圖6所示，背襯層20為一種不可壓縮且抗剪切的材料如聚脂薄膜(此實施方案可被認為起到單層拋光襯墊的作用)的薄片。聚脂薄膜片可貼在覆蓋層22的背面，然后嵌入塊62可被放置于覆蓋層22的開口64中并被粘接固定到聚脂薄膜片20的頂面。然后除去一部分聚脂薄膜片以露出空腔52。
在另一實施方案中，如圖7A所示，嵌入塊62固定于覆蓋層22的下部。在這一實施方案中，嵌入塊62包括適合穿入覆蓋層22上的開口72內(nèi)的狹窄頂部70，以及適合穿入背襯層20上的開口76內(nèi)的寬大底部74。寬大底部74的頂面78可被粘接固定到一部分覆蓋層22的底面79上，其中該部分覆蓋層22突出于背襯層20之外。頂部70可具有與覆蓋層22相同的厚度，因此使嵌入塊的頂面與拋光面24齊平，而底部74可以比背襯層20稍薄，以便在機床工作臺和嵌入塊之間留出縫隙。
參考圖7B，也可將一個雙體式嵌入塊固定于一個單層拋光襯墊上。在這一實施方案中，在覆蓋層22上形成有一個雙體式的開口80，該開口80具有橫截面尺寸不同的上部82和下部84。如果覆蓋層和嵌入塊具有相同硬度，則底部74可以具有與開口的下部84相同的厚度。
參考圖8，在另一實施方案中，拋光面24的對應(yīng)于空腔52的部分，亦即薄層區(qū)域54，可以有非常淺的溝槽28a，而拋光面的其他部分則可以有深溝槽28b。深溝槽28b的深度可以至少為10密耳，例如約20密耳深。相反，淺溝槽28a的深度必須小于薄層區(qū)域54的厚度(例如小于25％)。例如，如果薄層區(qū)域52所具有的厚度約為20密耳，則淺溝槽28a可以具有的深度約為5密耳。
所述渦流監(jiān)控系統(tǒng)可被用在多種拋光系統(tǒng)中。拋光襯墊，或托架頭，或是這兩者均能夠移動而在拋光面和襯底之間產(chǎn)生相對運動。拋光襯墊可以是固定在機床工作臺上的圓形(或某種其他形狀)的襯墊、在伸展于饋送裝置和拉緊裝置之間的拋光帶(tape)、或連續(xù)式拋光皮帶(belt)。拋光襯墊可以固定在機床工作臺上、在拋光操作之間遞增式地前進通過機床工作臺，或者是在拋光過程中被持續(xù)地驅(qū)動通過機床工作臺。襯墊可在拋光過程中固定于機床工作臺之上，或者是在拋光過程中，在機床工作臺與拋光襯墊之間可設(shè)有液壓軸承。拋光襯墊可以是標準的(例如有或沒有填充物的聚亞安酯)粗糙襯墊、軟襯墊或固定研磨墊。
此外，雖然使用了垂直定位的術(shù)語，但應(yīng)理解的是拋光面和襯底可以是在垂直方向或某一其他方向上顛倒放置的。
所述渦流監(jiān)控系統(tǒng)可以包括獨立的驅(qū)動和檢測線圈，或單一的組合式驅(qū)動兼檢測線圈。在單一線圈系統(tǒng)中，振蕩器和檢測電容器(及其他傳感器電路)被連接到同一線圈。
雖然已描述了許多本發(fā)明的實施例。但是應(yīng)理解，在未超出本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的前提下，尚可對其進行各種改動。因此，其他實施例也在如下權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種拋光襯墊，包括一拋光層，其具有拋光面和底面；第一組溝槽，其形成于所述拋光層的前表面；及一凹槽，其形成于所述拋光層的底面上，且其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽，或是只有比所述第一組溝槽淺的第二組溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域大體上是平的。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。
5.如權(quán)利要求4所述的拋光襯墊，其中所述第二組溝槽延伸到所述凹槽的內(nèi)表面之外。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中在在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域是不透明的。
7.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域是不透明的。
8.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中所述拋光層是單元式結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，其中所述溝槽是形成于所述拋光層的第一部分上的，所述空腔是形成于所述拋光層的第二部分上的，所述第二部分與所述第一部分實體上分離，且所述第二部分是固定于所述第一部分上的。
10.如權(quán)利要求9所述的拋光襯墊，其中所述第一部分是不透明的，而所述第二部分是透明的。
11.如權(quán)利要求9所述的拋光襯墊，其中所述的第一部分和第二部分具有相同的材料組分。
12.如權(quán)利要求11所述的拋光襯墊，其中所述第二部分所具有的頂面大體上與所述拋光面齊平。
13.如權(quán)利要求9所述的拋光襯墊，其中所述第一部分包括在其中形成的一開口，而且所述第二部分是固定于該開口中的。
14.如權(quán)利要求13所述的拋光襯墊，其中所述第二部分具有頂部和底部，其中該頂部具有第一特定橫截面尺寸，底部具有不同的第二橫截面尺寸。
15.如權(quán)利要求14所述的拋光襯墊，其中所述第一橫截面尺寸小于所述第二橫截面尺寸。
16.如權(quán)利要求1所述的拋光襯墊，進一步包括一背襯層，其位于所述拋光層的底面。
17.如權(quán)利要求16所述的拋光襯墊，其中所述背襯層比所述拋光層柔軟。
18.如權(quán)利要求16所述的拋光襯墊，其中所述背襯層具有穿通的第一開口，并且該第一開口與所述拋光層的底面中的凹槽相對齊。
19.如權(quán)利要求16所述的拋光襯墊，其中所述背襯層是薄的不可壓縮層。
20.如權(quán)利要求16所述的拋光襯墊，其中溝槽是形成于所述拋光層的第一部分上的，所述空腔是形成于所述拋光層的第二部分上的，所述第二部分與所述第一部分實體上分離。
21.如權(quán)利要求20所述的拋光襯墊，其中所述拋光層具有在其中形成的第二開口，且所述第二部分是固定于該第二開口中的。
22.如權(quán)利要求21所述的拋光襯墊，其中所述第一開口第一橫截面尺寸，而且第二開口具有不同的第二橫截面尺寸。
23.如權(quán)利要求22所述的拋光襯墊，其中所述第一橫截面尺寸小于所述第二橫截面尺寸。
24.如權(quán)利要求22所述的拋光襯墊，其中所述第一橫截面尺寸小于所述第二橫截面尺寸。
25.一種拋光系統(tǒng)，包括一托架，用于固定襯底；一拋光襯墊，其被支撐于機床工作臺上，該拋光襯墊包括一拋光層，該拋光層具有一用于拋光的前表面和一底面、形成于所述拋光層的前表面上的第一組溝槽、及形成于所述拋光層的底面上的凹槽，且其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽，或是只有比第一組溝槽淺的第二組溝槽；及一渦流監(jiān)控系統(tǒng)，其至少具有線圈和磁芯的其中之一，且所述線圈和磁芯的其中之一至少部分地延伸到所述拋光層的底面中的空腔內(nèi)，以監(jiān)控由所述托架固定的所述襯底上的金屬層。
26.如權(quán)利要求25所述的拋光系統(tǒng)，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽。
27.如權(quán)利要求25所述的拋光系統(tǒng)，其中在所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。
28.一種制造拋光襯墊的方法，包括在拋光襯墊的拋光層形成第一組溝槽；在拋光層的底面形成一凹槽；在拋光面上形成一對應(yīng)于底面中凹槽的區(qū)域，該區(qū)域沒有溝槽或是只有比第一組溝槽淺的第二組溝槽。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述區(qū)域包括形成沒有溝槽的區(qū)域。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述區(qū)域包括形成具有所述第二組溝槽的區(qū)域。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，進一步包括將所述拋光層固定于一背襯層上。
32.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述空腔包括機械加工出該空腔。
33.如權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述空腔包括模制出該空腔。
34.如權(quán)利要求28所述的方法，其中在所述底面上形成所述凹槽，包括將所述拋光襯墊的可實體上分離的第一部分固定于所述拋光襯墊的第二部分中的一開口內(nèi)，其中所述第一部分具有所述凹槽，所述第二部分具有所述第一組溝槽。
35.一種拋光方法，包括使襯底與一拋光襯墊的拋光層的前表面相接觸，所述拋光層具有形成于該拋光層的前表面的第一部分中的第一組溝槽、及形成于該拋光層的底面中的一凹槽，而且其中所述拋光面上對應(yīng)于所述底面中凹槽的區(qū)域沒有溝槽，或只有比第一組溝槽淺的第二組溝槽；將拋光液提供到所述拋光層的前表面；及使得所述襯底和所述前表面之間產(chǎn)生相對運動。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述拋光面的所述區(qū)域沒有溝槽。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述拋光面上的所述區(qū)域有比所述第一組溝槽淺的第二溝槽。
38.如權(quán)利要求35所述的方法，進一步包括通過一渦流監(jiān)控系統(tǒng)來監(jiān)控所述襯底上的金屬層，該渦流監(jiān)控系統(tǒng)至少具有線圈和磁芯其中之一，且所述線圈和磁芯其中之一至少部分地延伸到所述拋光層的底面中的空腔內(nèi)。
全文摘要
一種具有拋光層(22)的拋光襯墊，該拋光層有拋光面(24)和底面。拋光面上形成有多條溝槽(28b)，且在拋光層的底面上形成有凹槽(52)。在拋光面上對應(yīng)于底面中的凹槽的區(qū)域沒有溝槽或有淺溝槽(28a)。
文檔編號B24B49/00GK1681622SQ03822308
公開日2005年10月12日 申請日期2003年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月24日
發(fā)明者B·A·斯威德克, M·比蘭恩 申請人:應(yīng)用材料有限公司