專利名稱：一種晶片研磨用定位環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體晶片加工設(shè)備，特別是一種晶片研磨用定位環(huán)。
另臺(tái)灣314485號(hào)專利公報(bào)中公開了一種晶片研磨用設(shè)備，其是以一定壓力驅(qū)轉(zhuǎn)板片上所設(shè)置固定的晶片，然后與貼附有研磨布的固定盤作相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，在研磨布與晶片間有時(shí)還要施以研磨劑。這種結(jié)構(gòu)的研磨用設(shè)備同前述設(shè)備一樣存在定位不準(zhǔn)，因連接環(huán)節(jié)多易竄動(dòng)影響定位準(zhǔn)確性的缺點(diǎn)。另外，在實(shí)施研磨劑的研磨過程中，其研磨劑及研磨后廢液無正常通暢的排流通道，致使廢液積存而影響研磨時(shí)的旋轉(zhuǎn)，即增加了阻力，同時(shí)又造成不潔凈的加工。另外，上述兩種晶片研磨用設(shè)備均無完善冷卻設(shè)置致使研磨件間溫度較高并產(chǎn)生縮脹變形，這種少量的變形也會(huì)影響定位精度和加工精度。
由于采用了塑膠整體式定位環(huán)內(nèi)孔與待研磨晶片外圓整體套置定位的方式，使晶片的整個(gè)外圓周均能于旋轉(zhuǎn)的環(huán)體內(nèi)孔較緊密地、全方位的定位卡合并進(jìn)行周邊限位，因而其穩(wěn)定性、同軸度均有提高，防止了晶片研磨過程中因受磨擦力影響而水平竄動(dòng)。另由于其具有均布通暢的冷卻水和廢液排流通道，因而既可用同一設(shè)備完成晶片的干研磨和實(shí)施研磨劑后的濕研磨，又避免了調(diào)換研磨設(shè)備而需重新定位而導(dǎo)致的兩工序不同心問題，因而可保證研磨過程中晶片本體溫度低而均勻，防止了熱脹冷縮導(dǎo)致的晶片及定位環(huán)變形而導(dǎo)致裝配的牢固度下降和不同軸度的產(chǎn)生。
圖2為


圖1的I-I剖面圖。
圖3為將
圖1翻轉(zhuǎn)180度后的呈現(xiàn)其底部結(jié)構(gòu)時(shí)的立體圖。
優(yōu)選的實(shí)施方式下面將結(jié)合附
圖1-3對(duì)本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)作詳細(xì)的說明一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于在一體成型的塑膠無縫環(huán)體2頂端沿其周向間隔開設(shè)有與驅(qū)動(dòng)裝置連接定位的螺孔4，在環(huán)體2內(nèi)孔5的周壁上開設(shè)有向外傾斜貫通的排水孔3，在環(huán)體2底端面上間隔開設(shè)有水平傾斜的排液凹槽7，環(huán)體2的內(nèi)孔5與待研磨的晶片外圓全周邊套合定位。參見
圖1至圖3。
環(huán)體2頂端上的螺孔4為不透的螺紋沉孔，螺孔4各間隔20度沿周向呈放射狀分布。參見
圖1和圖2。
環(huán)體2內(nèi)孔5周壁上所開設(shè)的排水孔3的內(nèi)孔口均設(shè)置在環(huán)體周壁厚度的1/2以上部分，并沿環(huán)體寬度方向向外周的斜下方傾斜貫通。參見圖2。
排水孔3間隔60度沿周向呈放射狀分布。參見
圖1。
環(huán)體2底端面上的排液凹槽7與環(huán)體底端面呈水平設(shè)置、而沿環(huán)體底端面周向呈螺旋或傾斜狀開設(shè)，各排液凹槽7的沿周向傾斜或螺旋狀開設(shè)的傾旋方向與環(huán)體2旋轉(zhuǎn)時(shí)方向相同。參見圖3。
排液凹槽7各間隔20度設(shè)置。參見圖3。
本實(shí)用新型實(shí)施例中所述定位環(huán)1的環(huán)體2，是由承載性及耐磨性與耐化學(xué)品腐蝕性較佳的聚苯檔硫(Polyphenylene sulfide PPS)晶狀塑膠一體成型，其形狀為正圓形無端環(huán)，內(nèi)徑配合待研磨晶片的外徑，用以套合待研磨的晶片周邊定位(圖上未示)，兩者無間隙存在，故環(huán)體的旋轉(zhuǎn)中心即為晶片的旋轉(zhuǎn)中心，且旋轉(zhuǎn)時(shí)不致產(chǎn)生位移。環(huán)體周壁上有貫穿周壁等角度排列的復(fù)數(shù)個(gè)橫向由內(nèi)向外傾斜的用以排出冷卻水的出水孔3。本實(shí)施例的出水孔3各間隔60度分布，共六個(gè)。環(huán)體2頂端有復(fù)數(shù)個(gè)等距離環(huán)形排列的螺孔4，用以結(jié)合驅(qū)動(dòng)件定位(圖上未示)，同時(shí)用以以電腦測(cè)定旋轉(zhuǎn)中心。本實(shí)施例的螺孔4各相距20度分布，環(huán)形排列18個(gè)，環(huán)體2底端有由內(nèi)孔5向外環(huán)面6水平傾斜的復(fù)數(shù)條斜旋狀排列的凹槽7，用以于定位環(huán)2旋轉(zhuǎn)時(shí)，利用離心力摔出研磨所產(chǎn)的廢物(圖上未示)。本實(shí)施例的凹槽7各相距20度，環(huán)形排列共18條。
本實(shí)用新型環(huán)體2的材料，也可為聚醚醚甲酮(Polyether-etherketonPEEK)或半晶狀熱塑聚酯(Semi-crystaline Thermoplastic polyester)等制成。
權(quán)利要求1.一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于在一體成型的塑膠無縫環(huán)體頂端沿其周向間隔開設(shè)有與驅(qū)動(dòng)裝置連接定位的螺孔，在環(huán)體內(nèi)孔的周壁上開設(shè)有向外傾斜貫通的排水孔，在環(huán)體底端面上間隔開設(shè)有水平傾斜的排液凹槽，環(huán)體的內(nèi)孔與待研磨的晶片外圓全周邊套合定位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于環(huán)體頂端上的螺孔為不透的螺紋沉孔，螺孔各間隔20度沿周向呈放射狀分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于環(huán)體內(nèi)孔周壁上所開設(shè)的排水孔的內(nèi)孔口均設(shè)置在環(huán)體周壁厚度的1/2以上部分，并沿環(huán)體寬度方向向外周的斜下方傾斜貫通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于排水孔間隔60度沿周向呈放射狀分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于環(huán)體底端面上的排液凹槽與環(huán)體底端面呈水平設(shè)置、而沿環(huán)體底端面周向呈螺旋或傾斜狀開設(shè)，各排液凹槽的沿周向傾斜或螺旋狀開設(shè)的傾旋方向與環(huán)體旋轉(zhuǎn)時(shí)方向相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種晶片研磨用定位環(huán)，其特征在于排液凹槽各間隔20度設(shè)置。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種晶片研磨用定位環(huán),它提供了一種定位準(zhǔn)確、加工精度高,具有通暢廢液排泄通道的晶片研磨用定位環(huán),本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:它有一由塑膠一體成型的環(huán)體,環(huán)體內(nèi)孔與待研磨的晶片的外圓相套合并驅(qū)帶晶片同步同心旋轉(zhuǎn),在環(huán)體頂部間隔設(shè)有與驅(qū)動(dòng)裝置定位連接的螺孔,在環(huán)體內(nèi)周壁間隔分布有向外傾斜貫通的排水孔,在環(huán)體底部沿其周向間隔開設(shè)有水平傾斜的排液凹槽。
文檔編號(hào)B24B7/20GK2517109SQ0127598
公開日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2001年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月6日
發(fā)明者陳水源, 陳水生, 陳添丁 申請(qǐng)人:陳水源, 陳水生, 陳添丁