專利名稱：高錫焊料隆起的電化學(xué)腐蝕的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及金屬的選擇性腐蝕，更具體地說，涉及在存在有各種焊料的情況下金屬的電化學(xué)腐蝕。
C4是一種先進(jìn)的微電子芯片的包裝和連接技術(shù)?！癈4”代表可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connection)。C4也叫“焊料隆起(solder bump)”，“焊料球”，以及“倒扣片(flip chip)”，而且這些術(shù)語也可聯(lián)合起來使用，如“C4焊料隆起”。
C4的基本思想是將芯片(半導(dǎo)體器件)，芯片封組，或這樣的其它單元連接起來，它是通過這些單元的兩表面之間的一些焊料隆起來完成的。這些導(dǎo)電焊料的細(xì)小隆起將把連接單元上的相應(yīng)兩金屬墊之間的間隙跨接起來。每塊金屬墊都在另一單元的表面上有一金屬墊與之對(duì)應(yīng)；該等金屬墊的排列都呈鏡象。當(dāng)將這些單元壓在一起并加熱時(shí)，該第一單元的金屬墊上的焊料隆起就會(huì)與該第二單元上的相應(yīng)導(dǎo)電金屬墊(沒有焊料隆起)接觸并被軟熔，就會(huì)使該焊料隆起局部塌陷并在相應(yīng)金屬墊之間形成一些連接。
在C4中該等焊料隆起被直接做在一個(gè)單元的那些金屬墊上。這些金屬墊與其它零件之間被每塊金屬墊周圍的絕緣基片電絕緣。該基片可以是硅(Si)，也可是某種其它的材料。該金屬墊的底部是與該芯片電路電連接的。
C4的主要應(yīng)用是將一些芯片與載體或封組連結(jié)起來。芯片通常都是以矩形陣列的形式做在被稱作“晶片”的單晶硅片上。在每塊晶片上制做很多芯片，然后將該晶片分裂成一些單個(gè)的芯片并將這些芯片“封裝”在一些足夠大的單元中，以便操作處理。將該等C4焊料隆起放置在這些芯片上，同時(shí)還將它們連接在晶片中。
將晶片做得盡可能大，以便減少為制備一定數(shù)目的芯片所必須處理的晶片數(shù)。為了同樣的理由，(其中)還將這些芯片做得盡可能小。這樣，最好的C4制備系統(tǒng)就是能在一大面積上制備成千的很小的、間隔很近的，每個(gè)都是精確地安放的焊料隆起的系統(tǒng)。
當(dāng)將兩表面按壓在一起時(shí)，C4的焊料隆起應(yīng)該被機(jī)械地很好地固定在它們的金屬墊上，否則它們就可被撕扯開。應(yīng)該知道，一復(fù)雜的裝置，如計(jì)算機(jī)可以具有幾十個(gè)芯片和成百上千個(gè)C4的焊料球連接點(diǎn)，只要有一個(gè)這種隆起失靈則會(huì)使整個(gè)裝置無用。該C4隆起的連接要求仔細(xì)的設(shè)計(jì)。
形成焊料隆起的一種方法利用了濺射或真空沉積技術(shù)。在這種方法中，焊料金屬在真空腔中被汽化。該金屬蒸氣會(huì)使該真空腔中的每件東西上覆蓋一層該蒸發(fā)金屬的薄膜。為了在基片上形成焊料隆起，可使該蒸氣通過固定在該基片上的金屬掩模中的孔。通過這些孔的焊料蒸汽就在該冷表面上凝結(jié)成一些焊料隆起。這種方法需要一高真空腔來容納該基片、掩模、和閃蒸器。
制備焊料隆起的另一技術(shù)是電沉積，也叫電化學(xué)涂鍍或電鍍。這種方法也使用掩模并只在所選擇的位置上形成焊料隆起，但該技術(shù)與該蒸發(fā)法是很不相同的。
電解形成C4焊料隆起過程的第一步是在打算形成隆起的該晶片上沉積一連續(xù)的金屬薄膜的疊層(stack)。這就是所謂的“種子層”，它起著雙重作用。首先，它在焊料隆起的電解沉積過程中提供了一電流的導(dǎo)電通路。第二，它保留在焊料隆起的下面，形成C4的球形限制冶金(ball limiting metallurgy)(BLM)的基礎(chǔ)。因而，為了在該晶片的整個(gè)橫向跨度上能進(jìn)行均勻的電沉積，必須至少有一層是足夠?qū)щ姷?。該底層必須很好地粘附在下面的半?dǎo)體器件上以便鈍化，而頂層必須與該焊料進(jìn)行充分的相互作用以便形成可靠的連接。此外，該BLM可以包含一些阻擋層，以避免焊料與下面的器件組分發(fā)生有害的相互作用。最后，由混合堆疊(composite stack)所產(chǎn)生的應(yīng)力應(yīng)足夠小，以便在各種熱學(xué)和機(jī)械應(yīng)力范圍上維持該C4連接的可靠性?？紤]到所有這些因素，種子層通常由一種以上的金屬層組成，而且這些不同的層必須在處理過程中的某一時(shí)刻從C4之間被腐蝕掉，以便各互連點(diǎn)電絕緣。
在敷設(shè)種子層之后，第二步就是用光刻法形成一掩模。在該種子層上敷設(shè)一層光刻膠，并使它曝光。未曝光的光刻膠(如一負(fù)性光刻膠)那時(shí)就可被洗去以便將固化的光刻膠留下作掩模。該掩模具有一些孔列，焊料隆起就將沉積在這些孔所在的位置上。
第三步是將焊料電沉積(電鍍)到上述掩?？字?。
在上述焊料隆起形成之后，就將固化的光刻膠的掩模除去。這時(shí)該基片就被連續(xù)的種子層和大量的焊料隆起所覆蓋。然后，通過適當(dāng)?shù)臐窠g和/或電腐蝕工藝將該焊料隆起之間的種子層除去以便使它們電絕緣。
典型地用于C4焊料隆起的焊料為97wt％的Pb和3wt％的Sn。典型的種子層總是包括一TiW層、一形成過渡相的Cr/Cu層(phased Cr/Culayer)或Cr/Cu合金、和一Cu層。用來同時(shí)除去該Cr/Cu和Cu層的方法是電腐蝕方法，它包括一種含有甘油和硫酸鉀的水溶液，就象在Datta等的美國專利5,486,282中所公開的一樣，該公開已作為參考結(jié)合在本專利中。該甘油用作潤濕劑，而硫酸鉀的目的則是雙重的。第一，該硫酸鉀賦予該溶液電解導(dǎo)電率。第二，自由的硫酸根離子易于與高Pb的焊料隆起絡(luò)合，形成一保護(hù)外殼，在電腐蝕過程中這外殼能防止焊料隆起被溶解。然后利用濕浸蝕方法對(duì)該TiW層進(jìn)行腐蝕，該濕浸蝕方法包括含有過氧化氫、EDTA、和硫酸鉀的含水腐蝕劑，就象在Datta等的美國專利5,462,638和Fanti等的美國專利6,015,505所公開的一樣，上述公開已作為參考結(jié)合在本專利中。該焊料隆起上的“外殼”在緊接著的清洗過程中被除去。
更近的一些應(yīng)用利用了一低熔點(diǎn)的焊料作C4的隆起以便能進(jìn)行低溫的芯片連接。這樣的一種低熔點(diǎn)焊料可以是包括63wt％的Sn和37wt％的Pb的鉛/錫焊料。
Cotte等的美國專利5,800,726提出了一種水溶液以便在存在有易熔焊料的情況下對(duì)各種金屬，如TiW，的濕浸蝕，該專利內(nèi)容已作為參考結(jié)合在本發(fā)明中。這種溶液包括磷酸鉀、過氧化氫、EDTA、以及草酸。
本發(fā)明者們已認(rèn)識(shí)到，現(xiàn)時(shí)的電腐蝕方法對(duì)于高Sn焊料隆起并非有效的。理由是Sn對(duì)于硫酸根離子并不是很活潑的，因而現(xiàn)行技術(shù)的電腐蝕溶液，如上述Datta等的美國專利5,486,282中所公開的那種，并不能在電腐蝕過程中在焊料隆起上形成保護(hù)外殼。不良的結(jié)果是從該焊料隆起浸出大量的Sn。此外，該溶解下來的Sn會(huì)自由地重新沉積在TiW上并與TiW絡(luò)合，使得該TiW層對(duì)于傳統(tǒng)的濕浸蝕來說是不可滲透的。
分層的焊料結(jié)構(gòu)使問題更加復(fù)雜，例如，在這種分層結(jié)構(gòu)中，低熔點(diǎn)的高Sn焊料隆起就被沉積在一高熔點(diǎn)的高Pb焊料隆起上。
這樣，本發(fā)明者們就認(rèn)識(shí)到，需要一種這樣的腐蝕工藝，它要既能有效地電腐蝕金屬而又不影響那些至少部分包含有高Pn的焊料的焊料隆起。
因此，本發(fā)明的目的在于對(duì)具有一些有待電腐蝕的金屬和不想被腐蝕的高Sn的焊料隆起的基片進(jìn)行電腐蝕。
本發(fā)明的另一目的在于對(duì)具有一些有待電腐蝕的金屬和不想被腐蝕的包含有高Sn焊料隆起和高Pb焊料隆起的焊料分層結(jié)構(gòu)的基片進(jìn)行電腐蝕。
本發(fā)明的這些和其它的目的從下面的描述并結(jié)合附圖來看將會(huì)變得更加明顯。
發(fā)明概述本發(fā)明的目的已由下述方法實(shí)現(xiàn)在存在有一種或多種不想被腐蝕的金屬的情況下，按照本發(fā)明的第一方面提供一種含水的電化學(xué)腐蝕劑，用來對(duì)一些金屬進(jìn)行腐蝕，該腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根的離子濃度為0-0.5M；磷酸鹽化合物，其磷酸根的離子濃度為0.1-0.5M。
在一物件中存在有一種或多種不想被溶解的金屬的情況下，按照本發(fā)明的第二方面，提供了一種方法，用來選擇性地溶解一種或多種打算溶解的金屬，該方法包括下述步驟用一種含水的腐蝕劑對(duì)想要溶解的金屬進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，該含水腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根離子濃度為0-0.5M；以及磷酸鹽化合物，其磷酸根離子濃度為0.1-0.5M。
按照本發(fā)明的第三方面，提供了一種用來選擇性地腐蝕一物件的方法，該方法包括下述步驟提供一物件，該物件具有一種或多種想要溶解的金屬，同時(shí)還存在有一種或多種不想被溶解的金屬；用一種含水的腐蝕劑對(duì)想要溶解的金屬進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，該含水腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根離子濃度為0-0.5M；以及磷酸鹽化合物，其磷酸根離子濃度為0.1-0.5M。
附圖簡介被認(rèn)為是本發(fā)明的一些新穎的特點(diǎn)和本發(fā)明的一些特征的要素都被詳細(xì)地陳述在附錄的權(quán)利要求書中。所有附圖都僅是為了圖示的目的，因而都未按比例畫出。但是，通過參考后面的詳述及結(jié)合這些附圖，本發(fā)明本身就結(jié)構(gòu)和操作方法來說都是可最好理解的，其中，

圖1是一芯片的側(cè)視圖，它表示該種子層和第一種焊料分層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)僅包含有主要是Sn的焊料。
圖2是一芯片的側(cè)視圖，它表示出該種子層和第二種焊料分層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含有高Sn的焊料和高Pb的焊料。
圖3是在利用現(xiàn)行技術(shù)的腐蝕劑進(jìn)行電腐蝕之后圖2芯片的側(cè)視圖。
圖4是為了除去該種子層的最后一層而進(jìn)行濕侵蝕之后的圖3芯片的側(cè)視圖。
圖5是圖4所示芯片的表面圖示，它表示出該種子層的不完全腐蝕。
圖6是在用本發(fā)明所述的腐蝕劑進(jìn)行電腐蝕之后的圖2芯片的側(cè)視圖。
圖7是為了除去該種子層的最后一層而進(jìn)行濕侵蝕之后的圖6芯片的側(cè)視圖。
圖8是圖7所示芯片的表面圖示，它表示出該種子層的完全腐蝕。
發(fā)明詳述詳細(xì)參考附圖，特別是參考圖1，該圖表示出第一種芯片10，它由半導(dǎo)體材料12、種子層14和焊料隆起24構(gòu)成。如早先所指出的那樣，該種子層14實(shí)際上是一多層結(jié)構(gòu)。為了圖示而非限制的目的，一種典型的層組合的第一層16為TiW合金(例如，10wt％的Ti和90wt％的W)，第二層18為形成過渡相的Cr/Cu(phased Cr/Cu)或Cr/Cu合金，第三層20為Cu。還可有，例如，一鎳的阻擋層22。
在芯片10上的焊料隆起24主要包含Sn的焊料。這樣的焊料可以由適度的Sn含量，如60wt％或更多的Sn和40wt％或更少的Pb構(gòu)成，也可由高Sn含量，如95wt％或更多的Sn和保持平衡的Pb含量構(gòu)成。而且，該焊料還可包括主要是含Sn的一些無Pb合金，如Sn/Ag、Sn/Cu、Sn/Ag/Cu、以及Sn/Bi合金，這里僅列舉了幾個(gè)。
現(xiàn)在參考圖2，該圖表示出第二種芯片30，它是由半導(dǎo)體材料12、種子層14、和焊料隆起32構(gòu)成。種子層14可與圖1所示的種子層相同，也可不同，這取決于具體應(yīng)用。同樣，第二種芯片30也可具有阻擋層22。第二種芯片30含有一些焊料隆起32。但是，在這種情形，焊料隆起32卻包括由一較高熔化溫度的焊料34和一較低熔化溫度的焊料36組成的一焊料分層結(jié)構(gòu)。圖2所示的該焊料分層結(jié)構(gòu)僅只是為了圖示的目的，如果需要，還可有另外一些焊料層。
較高熔化溫度的焊料34可以是高Pb的焊料，具有95-97wt％的Pb，余下的是Sn。較低熔化溫度的焊料36可以是上面提及的任何中度的Sn含量、高Sn含量或無Pb的合金。
余下的討論將集中在第二種芯片30上，但應(yīng)明白本發(fā)明同樣適用于第一種芯片10。
現(xiàn)在來參看圖3，第二種芯片30已被包括甘油和硫酸鉀的傳統(tǒng)的含水腐蝕劑電腐蝕過了。這種腐蝕劑的組成為1.5M的甘油和0.35M的K2SO4(硫酸鉀)。電池電壓為14.0伏，工件與電極之間的間隔為3.0mm，脈沖保持時(shí)間與間隙之比為20％。
如從圖3所能看見的那樣，在電腐蝕過程中，較高熔化溫度的焊料34已被一保護(hù)性外殼所保護(hù)起來，而較低熔化溫度的焊料36卻被腐蝕了，這就導(dǎo)致了的有害的Sn的損失和隨之而來的焊料隆起32中成分的變化。而且，來自較低熔化溫度焊料36的一些Sn 39已重新沉積在該種子層的第一層16上，而且甚至可與之絡(luò)合。
緊接著，將第二種芯片30在傳統(tǒng)的含水腐蝕劑中進(jìn)行了濕浸蝕，所用腐蝕劑包括30wt％的過氧化氫、7.8g/1 K-EDTA以及1.1M的硫酸鉀，其腐蝕周期為330秒。該腐蝕槽的溫度設(shè)定為50℃。濕浸蝕后的結(jié)果圖示在圖4和圖5中，圖中可以看到第一層16已被基本除去，留下第二種芯片30的表面42大部分沒有該第一層16。另一方面，Sn的沉積物39(如圖3所示)妨礙了第一層16的某些區(qū)域的腐蝕，因而留下了一些沒有被腐蝕掉的第一層16的一些區(qū)域40。
如圖3至5所示芯片結(jié)構(gòu)是不希望的，而且可能導(dǎo)致高的產(chǎn)率損失。如所知道的那樣，在芯片處理的這個(gè)階段的任何產(chǎn)率損失都是代價(jià)很高的。
現(xiàn)在來參看圖6，第二種芯片30按照本發(fā)明被含水腐蝕劑所腐蝕。
本發(fā)明所用的該含水的電化學(xué)腐蝕劑的組成將包括1.30-1.70M(最好為1.5M)的甘油(HOCH2(OH)CH2OH)，0-0.5M(最好0.35M)的硫酸根離子濃度和0.1-0.5M(最好為0.15M)磷酸根離子濃度。該含水腐蝕劑的pH值應(yīng)為4-9(標(biāo)稱為5)，該電池電壓應(yīng)為13-17伏(標(biāo)稱為14.5)，電極間隔為3.0mm，以及占空比為10-30％(最好為20％)。
該硫酸根離子和磷酸根離子都可從任意相應(yīng)的鹽類產(chǎn)生。硫酸鉀和磷酸鉀都屬于這些鹽類，而硫酸鈉或磷酸鈉也可用于本發(fā)明的這些目的。
硫酸根和磷酸根離子的相對(duì)含量應(yīng)根據(jù)存在的高Pb和高Sn焊料的量來調(diào)節(jié)。如果高Pb和高Sn焊料兩者都存在，則為了保護(hù)這些焊料就必須存在硫酸根和磷酸根兩種離子。如果不存在高Pb焊料，則就不需存在硫酸根離子。作為最小值來說，硫酸根離子和磷酸根離子必須提供一足夠高的溶液電導(dǎo)率以便在合理的電壓下進(jìn)行電腐蝕。
在焊料隆起存在的情況下可被腐蝕的金屬包括鈦、鎢、鉻、銅、鎳、以及它們的合金。在焊料隆起存在的情況下可被電腐蝕的金屬包括各種金屬疊層(metal stack)，包括Cu、Cr/Cu、Cu/Ni、和Cr/Cu/Ni等合金。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選腐蝕劑的例子，用于第二種芯片30電腐蝕的腐蝕劑包含1.5M的甘油、0.35M的K2SO4(硫酸鉀)、0.15M的K3PO4(磷酸鉀)。用磷酸將pH值調(diào)到5.0。電池電壓為14.0伏，電極間隔為3.0mm，以及占空比為20％。由硬殼35保護(hù)各個(gè)焊料隆起。第二和第三層18、20分別都被除去，而且沒有殘留物留在該第一層16上。
然后，將第二種芯片30放在傳統(tǒng)的含水腐蝕劑中進(jìn)行濕浸蝕，該腐蝕劑包括30wt％的過氧化氫、7.8g/l K-EDTA、和1.1M的硫酸鉀，腐蝕周期為330秒。該腐蝕槽的溫度被設(shè)定為50℃。結(jié)果被圖示于圖7和圖8中，在圖中可看到該第一層16已完全被除去，留下的第二種芯片30的表面42上沒有任何的殘留物。
在濕浸蝕后保護(hù)性外殼38仍保留在適當(dāng)?shù)牡胤?，在濕浸蝕完成后再用甲磺酸將其除去。
已發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的使用大大地提高了電腐蝕過程的產(chǎn)率。
對(duì)于與本公開有關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士來說，顯然可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行一些超出此處所具體描述的那些實(shí)施例的其它改進(jìn)，而并不偏離本發(fā)明的精神。因此，這些改進(jìn)都被認(rèn)為是在只受附錄的限制的本發(fā)明范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種含水的電化學(xué)腐蝕劑，用于在存在有一種或多種不打算腐蝕的金屬的情況下對(duì)一些金屬進(jìn)行腐蝕，該腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根的離子濃度為0-0.5M；磷酸鹽化合物，其磷酸根的離子濃度為0.1-0.5M。
2.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該腐蝕劑的pH值為4-9。
3.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由鉛、錫、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
4.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由下列的一些焊料構(gòu)成的組群中選出的高鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比大于95，其余為錫；中等比率的鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比小于40，其余為錫；高錫/低鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95，其余為鉛；無鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95；以及它們的組合。
5.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于打算腐蝕的那些金屬是從由鉻、銅、鎳、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
6.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該硫酸鹽化合物的濃度為0.2-0.5M。
7.按照權(quán)利要求1所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該甘油的濃度大約為1.4M，該硫酸鹽的濃度大約為0.35M，而該磷酸鹽的濃度大約為0.15M。
8.在一物件中在存在有一種或多種不打算溶解的金屬的情況下用來選擇性地溶解一種或多種打算溶解的金屬的方法，該方法包括下述步驟用一種含水的腐蝕劑對(duì)打算溶解的金屬進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，該含水腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根離子濃度為0-0.5M；以及磷酸鹽化合物，其磷酸根離子濃度為0.1-0.5M。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于該腐蝕劑的pH值為4-9。
10.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由鉛、錫、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
11.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由下列的一些焊料構(gòu)成的組群中選出的高鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比大于95，其余為錫；中等比率的鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比小于40，其余為錫；高錫/低鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95，其余為鉛；無鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95；以及它們的組合。
12.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于打算腐蝕的那些金屬是從由鉻、銅、鎳、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
13.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于該硫酸鹽化合物的濃度為0.2-0.5M。
14.按照權(quán)利要求8所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該甘油的濃度大約為1.4M，該硫酸鹽的濃度大約為0.35M，而磷酸鹽的濃度大約為0.15M。
15.一種用來選擇性地腐蝕一物件的方法，該方法包括下述步驟提供一物件，該物件具有一種或多種打算溶解的金屬，同時(shí)還存在有一種或多種不打算溶解的金屬；用一種含水的腐蝕劑對(duì)打算溶解的金屬進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，該含水腐蝕劑包括甘油，其濃度為1.30-1.70M；硫酸鹽化合物，其硫酸根離子濃度為0-0.5M；以及磷酸鹽化合物，其磷酸根離子濃度為0.1-0.5M。
16.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于該腐蝕劑的pH值為4-9。
17.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由鉛、錫、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
18.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于該不打算腐蝕的一種或多種金屬是從由下列的一些焊料構(gòu)成的組群中選出的高鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比大于95，其余為錫；中等比率的鉛/錫焊料，其鉛含量的重量百分比小于40，其余為錫；高錫/低鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95，其余為鉛；無鉛焊料，其錫含量的重量百分比大于95；以及它們的組合。
19.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于打算腐蝕的那些金屬是從由鉻、銅、鎳、以及它們的合金構(gòu)成的組群中選出的。
20.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于該硫酸鹽化合物的濃度為0.2-0.5M。
21.按照權(quán)利要求15所述的電化學(xué)腐蝕劑，其特征在于該甘油的濃度大約為1.4M，該硫酸鹽的濃度大約為0.35M，而該磷酸鹽的濃度大約為0.15M。
全文摘要
一種含水的電化學(xué)腐蝕劑,在存在有一種或多種不打算腐蝕的金屬的情況下用來對(duì)一些金屬進(jìn)行腐蝕,該腐蝕劑包括:甘油,其濃度為1.30－1.70M;硫酸鹽化合物,其硫酸根的離子濃度為0－0.5M;磷酸鹽化合物,其磷酸根的離子濃度為0.1－0.5M。
文檔編號(hào)C23F1/18GK1354285SQ0113719
公開日2002年6月19日 申請(qǐng)日期2001年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月26日
發(fā)明者L·A·范蒂, J·M·科特, D·E·艾斯塔特 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司