專利名稱：濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空處理裝置，特別是涉及對(duì)濺射裝置的改進(jìn)。
現(xiàn)有技術(shù)圖8中的101表示現(xiàn)有技術(shù)中的濺射裝置。這種真空處理裝置101具有真空槽111。
真空槽111上設(shè)置有排氣口118。排氣口118的結(jié)構(gòu)是連接到圖中未示出的真空排氣系統(tǒng)上，當(dāng)驅(qū)動(dòng)真空排氣系統(tǒng)時(shí)，能對(duì)排氣口118內(nèi)部進(jìn)行真空排出。
真空槽111上設(shè)置有氣體導(dǎo)入口117，氣體導(dǎo)入口117的結(jié)構(gòu)是連接到圖中未示出的導(dǎo)氣系統(tǒng)上，并能從氣體導(dǎo)入口117把空氣導(dǎo)入真空槽111內(nèi)部。
在真空槽111的天井上配置后板112，在后板112對(duì)著真空槽111內(nèi)部的側(cè)面上配置著由電介質(zhì)材料構(gòu)成的靶113。
在真空槽111內(nèi)底面上與此靶113相對(duì)配置著載置臺(tái)115。載置臺(tái)115表面平坦且能在其表面上載置后述的基板。
在真空槽111外部設(shè)置有高頻電源114，高頻電源114連接到后板112上，當(dāng)啟動(dòng)高頻電源114時(shí)，能通過后板112把高頻電流供給靶113。
在使用這種結(jié)構(gòu)的濺射裝置101采用濺射法在硅基板表面上形成電介質(zhì)薄膜時(shí)，首先，把真空槽111內(nèi)排氣成真空后，在維持真空狀態(tài)的同時(shí)把基板120送進(jìn)真空槽111內(nèi)，載置在載置臺(tái)115表面。這時(shí)基板120的電壓處于浮動(dòng)狀態(tài)。
其次，在一邊從氣體導(dǎo)入口117把氬氣等濺射氣體導(dǎo)入一定量一邊供給靶113高頻電流時(shí)，產(chǎn)生放電。使防護(hù)板119接地從而使真空槽111內(nèi)產(chǎn)生的放電穩(wěn)定。
產(chǎn)生放電時(shí)，使靶113濺射。這時(shí)，濺射的靶材料除了沿著基板120表面方向飛出外，也在真空槽111內(nèi)側(cè)面及內(nèi)底面飛濺，在真空槽111內(nèi)設(shè)有近半球型且底部具有圓形開口的防護(hù)板119。該防護(hù)板119底上的開口位置靠近載置臺(tái)115處，由于靶113和真空槽111內(nèi)側(cè)面及內(nèi)底面是用防護(hù)板119隔開著的，所以濺射的靶材料并不直接安裝在真空槽111內(nèi)底面和內(nèi)側(cè)面上。利用到達(dá)到基板120表面上的靶材料在基板120表面形成薄膜。
但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的濺射裝置，特別是在形成電介質(zhì)薄膜時(shí)，當(dāng)在連續(xù)的多個(gè)基板上進(jìn)行成膜時(shí)，產(chǎn)生的問題是基板表面的膜厚度分布及成膜速度是變化的。連續(xù)成膜時(shí)，因存在有放電不穩(wěn)定現(xiàn)象，不能維持放電。
針對(duì)上述問題，根據(jù)本發(fā)明的第1方面的發(fā)明特征在于，在濺射裝置中設(shè)置有真空槽、配置在前述真空槽內(nèi)的靶、對(duì)著前述靶配置在前述真空槽內(nèi)且能保持基板的基板保持部、表面朝向靶配置在前述基板保持部周圍并在表面上形成凹凸且接地的對(duì)置電極。
根據(jù)本發(fā)明的第2方面的發(fā)明特征在于，在上述第1方面的濺射裝置中，前述對(duì)置電極設(shè)有通孔，前述基板保持部配置在前述通孔內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的第3方面的發(fā)明特征在于，在上述第1方面的濺射裝置中，前述凹凸是在前述對(duì)置電極表面形成的多個(gè)孔。
根據(jù)本發(fā)明的第4方面的發(fā)明特征在于，在上述第3方面的濺射裝置中，前述孔的深度比前述孔徑大2倍以上。
根據(jù)本發(fā)明的第5方面的發(fā)明特征在于，在上述第1方面的濺射裝置中，前述靶配置在前述真空槽內(nèi)天井處，前述對(duì)置電極配置在前述真空槽內(nèi)底側(cè)；前述對(duì)置電極表面是以其外側(cè)高度低于內(nèi)側(cè)高度的形式傾斜著的。
根據(jù)本發(fā)明的第6方面的發(fā)明特征在于，在上述第5方面的濺射裝置中，前述對(duì)置電極表面相對(duì)水平面傾斜10°以上。
根據(jù)本發(fā)明的第7方面的發(fā)明特征在于，在上述第1方面的濺射裝置中，前述靶是以Batio3、SrTio3、(BaSr)Tio3、Pb(ZrTi)O3或SrBi2Ta2O9任一種為主成分的電介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的第8方面的發(fā)明特征在于，在上述第1方面的濺射裝置中，在前述真空槽內(nèi)前述對(duì)置電極本身是接地的。
如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)的濺射裝置中，在形成電介質(zhì)膜過程中，連續(xù)成膜時(shí)基板表面的厚度分布和成膜速度是變化的，一旦連續(xù)成膜，會(huì)產(chǎn)生放電不穩(wěn)定的問題，本發(fā)明人認(rèn)為其原因在于，靶及基板附近位置處配置的防護(hù)板表面上利用濺射電介質(zhì)附著形成電介質(zhì)膜并使該電介質(zhì)膜表面附著正電荷后，防護(hù)板表面中分布的正電荷密度變大，從而不能確保防護(hù)板表面電壓達(dá)到接地電壓，從而使放電不穩(wěn)定。
本發(fā)明的濺射裝置是根據(jù)這種研究結(jié)果提出的，例如，通過在表面上形成有數(shù)個(gè)孔，使表面上形成凹凸，由于該凹凸設(shè)置在真空槽內(nèi)位于載置臺(tái)周圍，接地電壓中具有對(duì)置電極，所以，即使在使靶濺射的情況下，也能防止附著在防護(hù)板和對(duì)置電極上，在真空槽內(nèi)底面上不會(huì)直接附著靶材料。
對(duì)置電極因表面上形成有多個(gè)孔，其表面積變大。因此，即使在把濺射的電介材料附著在對(duì)置電極表面及孔內(nèi)部使其表面形成電介質(zhì)膜且電介質(zhì)膜上分布正電荷，由于對(duì)置電極表面的表面積大，與現(xiàn)有技術(shù)相比，分布的電荷密度變小，結(jié)果是對(duì)置電極表面的電壓基本保持為接地電壓。
因此，由于對(duì)置電極表面電壓基本保持為接地電壓，即使連續(xù)成膜形成電介質(zhì)膜，因真空槽內(nèi)放電比現(xiàn)有技術(shù)的穩(wěn)定，不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中膜厚度分布及成膜速度變動(dòng)或放電不穩(wěn)定的問題。
在對(duì)置電極上形成有多個(gè)淺孔時(shí)，由于對(duì)置電極表面積比孔深時(shí)的表面積小，基板處理枚數(shù)增多時(shí)產(chǎn)生不能使對(duì)置電極表面電壓保持為接地電壓的現(xiàn)象，但本發(fā)明中，由于形成多個(gè)深孔的孔深是孔徑的2倍以上，對(duì)置電極的表面積比沒有形成孔時(shí)的變大。因此，對(duì)置電極表面電壓長時(shí)間保護(hù)接地電壓，能使放電長時(shí)間穩(wěn)定。
本發(fā)明的對(duì)置電極其表面也可以以朝向真空槽內(nèi)側(cè)面傾斜式形成。
即使連續(xù)形成電介質(zhì)膜也能使放電穩(wěn)定，并確保一定的成膜速度及Sr/Ti組成比。


圖1用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2(a)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的一例對(duì)置電極的平面圖；(b)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的一例對(duì)置電極的截面圖；圖3用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中用濺射裝置進(jìn)行連續(xù)成膜中處理枚數(shù)以及成膜速度和Sr/Ti組成比關(guān)系的曲線；圖4用于說明現(xiàn)有技術(shù)中用濺射裝置進(jìn)行連續(xù)成膜中處理枚數(shù)以及成膜速度和Sr/Ti組成比關(guān)系的曲線；圖5用于說明本發(fā)明另一實(shí)施形式中用濺射裝置進(jìn)行連續(xù)成膜中處理枚數(shù)以及成膜速度和Sr/Ti組成比關(guān)系的曲線；
圖6(a)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的另一例對(duì)置電極的平面圖；(b)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的另一例對(duì)置電極的剖面圖；具體實(shí)施方式
圖7(a)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的再一例對(duì)置電極的平面圖；(b)用于說明本發(fā)明一實(shí)施形式中濺射裝置上使用的再一例對(duì)置電極的剖面圖。
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施形式。
圖1中的符號(hào)1表示本發(fā)明實(shí)施形式中的濺射裝置。這種濺射裝置1帶有真空槽11。
真空槽11上設(shè)置有排氣口18。把排氣口18連接到圖中未示出的真空排氣系統(tǒng)上，當(dāng)驅(qū)動(dòng)真空排氣系統(tǒng)時(shí)，能對(duì)真空槽11內(nèi)部進(jìn)行真空排氣。
真空槽11上設(shè)置有氣體導(dǎo)入口17，氣體導(dǎo)入口17連接到圖中未示出的導(dǎo)氣系統(tǒng)上，并能從氣體導(dǎo)入口17把空氣導(dǎo)入真空槽11內(nèi)部。
在真空槽11的天井上以與真空槽11絕緣狀態(tài)配置后板12，在后板12對(duì)著真空槽11內(nèi)部的側(cè)面上配置著由SrTio3燒結(jié)體構(gòu)成的靶13。在真空槽11內(nèi)側(cè)以對(duì)著靶13表面周圍的形式配置接地的接地屏蔽16。
在真空槽11內(nèi)底面上與靶13相對(duì)配置著載置臺(tái)15。載置臺(tái)15表面平坦且能在其表面上載置后述的基板。
在真空槽11的內(nèi)底面載置臺(tái)15的周圍位置上，配置著對(duì)置電極21。
對(duì)置電極21的詳細(xì)結(jié)構(gòu)表示在圖2(a)、(b)。對(duì)置電極21帶有中央為圓形通孔24的鋁合金制圓板22，圓板22表面形成有數(shù)個(gè)圓孔23。在此，將圓板22的直徑設(shè)為26cm，通孔直徑設(shè)為20cm，在其表面上設(shè)計(jì)直徑5mm、深10mm的孔23有72個(gè)。載置臺(tái)15位于該通孔24內(nèi)。
在真空槽11外部設(shè)置有高頻電源14，高頻電源14連接到后板12上，當(dāng)啟動(dòng)高頻電源14時(shí)，能通過后板12把高頻電流供給靶13。
使用這種結(jié)構(gòu)的濺射裝置，在直徑為8英寸(約20cm)硅基板表面上形成作為電介質(zhì)膜的SrTio3薄膜時(shí)，首先，把真空槽11內(nèi)排氣成真空后，在維持真空狀態(tài)的同時(shí)把由硅構(gòu)成的基板20送進(jìn)真空槽11內(nèi)，載置在載置臺(tái)15表面上。
其次，從氣體導(dǎo)入口117把作為濺射氣體的氬(Ar)氣10SCCM、氧氣(o2)1SCCM分別導(dǎo)入真空槽11內(nèi)，使真空槽11內(nèi)的壓力變?yōu)?.1Pa。隨后啟動(dòng)高頻電源14，當(dāng)給靶13供給頻率為13.56MHz、RF功率1kW的高頻電流時(shí)，在真空槽11內(nèi)產(chǎn)生放電。產(chǎn)生放電時(shí)，使靶13濺射。
這時(shí)，濺射的靶材料除了在配置于靶13正下方的基板20表面方向飛行外，也在真空槽11內(nèi)側(cè)面及內(nèi)底面飛濺，由于在真空槽11內(nèi)側(cè)設(shè)置有防護(hù)板19且在真空槽11內(nèi)底面中的載置臺(tái)15周圍配置著對(duì)置電極21，所以飛散的靶材料并不直接附著在真空槽11內(nèi)底面和內(nèi)側(cè)面上。通過在基板20表面上使SrTio3濺射，在基板20表面形成SrTio3薄膜。
在基板20表布上形成規(guī)定膜厚的SrTio3后，停止導(dǎo)入作為濺射氣體的Ar氣、O2氣以及高頻電流的供給，終止濺射處理，在維持真空槽11內(nèi)真空狀態(tài)的同時(shí)把處理好的基板20從真空槽11中取出。
隨后，在維持真空槽11內(nèi)真空狀態(tài)的同時(shí)，把新的基板送入真空槽11內(nèi)，進(jìn)行與上述成膜處理相同的成膜處理。通過多次來回進(jìn)行這種成膜處理，就能在多個(gè)基板上連續(xù)形成SrTio3薄膜。
本發(fā)明的發(fā)明人在進(jìn)行了這種多枚成膜處理的同時(shí)，對(duì)基板逐次測(cè)定其成膜速度和Sr/Ti組成比。把這種測(cè)定結(jié)果表示為圖3的曲線(A)、(B)。曲線(A)表示處理枚數(shù)與成膜速度速度間的關(guān)系，曲線(B)表示處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比之間的關(guān)系。
與曲線(A)相比，1枚基板中的成膜速度是10nm/min，10枚基板中成膜速度低為8nm/min。不過隨后成膜速度不變，保持為一定值8nm/min。
如曲線(B)所示，1枚基板的Sr/Ti組成比是1.2，10枚基板的Sr/Ti組成比低為1.0，隨后不在變化，保持為一定值1.0。本發(fā)明的發(fā)明人隨后對(duì)100枚進(jìn)行了測(cè)定，其間的成膜速度及Sr/Ti組成比也保持為一定值。
對(duì)10枚以后的基板測(cè)定了其表面上附著的濺射，1枚基板中直徑在0.3um以上的濺射數(shù)平均是200個(gè)左右。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施形式中的濺射裝置1，由于在載置臺(tái)15的周圍配置有表面帶孔23的對(duì)置電極21且使防護(hù)板19以近真空槽11內(nèi)側(cè)的狀態(tài)配置，與現(xiàn)有技術(shù)相同，濺射的SrTio3不會(huì)直接附著在真空槽11內(nèi)側(cè)面和內(nèi)底面。
另外，通過連續(xù)成膜在對(duì)置電極21表面形成作為電介質(zhì)膜的SrTio3薄膜，即使SrTio3薄膜表面上分布正電荷，因?qū)χ秒姌O21表面上形成有多個(gè)孔23使其表面積變大，SrTio3薄膜表面上分布正電荷的電荷密度相對(duì)變小，對(duì)置電極21表面電壓基本保持為接地電壓狀態(tài)。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，放電穩(wěn)定，并且，即使在連續(xù)在多個(gè)基板表面成膜，各基板上的成膜速度及SrTio3薄膜的組成比也能保持在基本一定的狀態(tài)。
本發(fā)明人使用圖8所示現(xiàn)有技術(shù)中的裝置與上述本發(fā)明實(shí)施形式中的濺射裝置進(jìn)行比較，在與上述實(shí)施形式相同條件下在多個(gè)基板表面連續(xù)進(jìn)行SrTio3薄膜的的成膜處理，分析了處理枚數(shù)與成膜速度的關(guān)系以及處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比間的關(guān)系。用圖4曲線(C)表示處理枚數(shù)與成膜速度間關(guān)系，用曲線(D)表示處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比間的關(guān)系。
如曲線(C)所示，1枚基板成膜速度為10nm/min，15枚基板成膜速度降至4.5nm/min，降至原速的65％。
如曲線(D)所示，Sr/Ti組成比在1枚基板時(shí)是1.2，而在15枚時(shí)變?yōu)?.82，降低較大。在16枚以后，即使給靶13供給FR功率也不產(chǎn)生放電，不能成膜。
本發(fā)明人在上述圖1的濺射裝置1中由于用絕緣玻璃把防護(hù)板19固定在真空槽11上，防護(hù)板19與接地屏蔽16的電壓都處于浮動(dòng)狀態(tài)，使用使對(duì)置電極21本身接地的裝置，在與上述成膜條件相同的條件下在多枚基板表面連續(xù)形成SrTio3薄膜，分別分析了處理枚數(shù)與成膜速度的關(guān)系以及處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比間的關(guān)系。用圖5曲線(E)表示處理枚數(shù)與成膜速度間關(guān)系，用曲線(F)表示處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比間的關(guān)系。
如曲線(E)所示，1枚基板時(shí)成膜速度為9nm/min，2枚時(shí)成膜速度降至8nm/min，隨后不變，保持一定值；如曲線(F)所示，Sr/Ti組成比在1枚基板時(shí)是1.1，雖在2枚時(shí)降為1.0，但隨后不變保持為一定值。能夠確認(rèn)成膜速度及Sr/Ti組成比能保持一定。
本發(fā)明的發(fā)明人重復(fù)進(jìn)行調(diào)查研究，在對(duì)置電極21上不設(shè)多個(gè)孔23的情況下，分析成膜速度及Sr/Ti組成比是否保持一定。
在圖7(a)、(b)中用符號(hào)41表示對(duì)置電極結(jié)構(gòu)。該對(duì)置電極41結(jié)構(gòu)中設(shè)置有圓板42中央圓形通孔44這點(diǎn)與圖2的對(duì)置電極21是相同的，但表面上完全沒有設(shè)置孔這點(diǎn)與圖2的對(duì)置電極21是不同的。不同點(diǎn)就這一點(diǎn)，圓板42直徑及通孔44直徑也都是與對(duì)置電極21的相同的。
把這種結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極41代替圖1的對(duì)置電極21配置在載置臺(tái)15的周圍，在與上述相同的成膜條件下，在多枚基板表面連續(xù)形成SrTio3薄膜，分別分析了處理枚數(shù)與成膜速度的關(guān)系以及處理枚數(shù)與Sr/Ti組成比間的關(guān)系。
結(jié)果，成膜速度在1枚基板時(shí)為10nm/min而在15枚時(shí)為5nm/min，確認(rèn)也降低了50％。同樣也能確認(rèn)，Sr/Ti組成比在1枚基板時(shí)是1.2而在15枚時(shí)降至0.8。并且在16枚時(shí)等離子體閃爍，不產(chǎn)生放電。
根據(jù)該結(jié)果，即使設(shè)置對(duì)置電極，但在其表面不形成孔的情況下，確認(rèn)也不能得到所期望的效果。分析認(rèn)為在表面不形成孔時(shí)對(duì)置電極的表面積不會(huì)變大。
本發(fā)明的發(fā)明人為了分析對(duì)置電極21表面形成孔的直徑、深度、個(gè)數(shù)與成膜速度、Sr/Ti組成比間關(guān)系，分別有意使用了形狀、大小相同而孔徑、深度、個(gè)數(shù)不同的多枚對(duì)置電極。在此，各對(duì)置電極使用的是在直徑為26cm圓板中央設(shè)置有直徑為20cm圓形通孔的類型。把這些有意使用的各個(gè)對(duì)置電極配置在上述圖1所示的濺射裝置1中，對(duì)多枚基板連續(xù)地形成SrTio3薄膜，對(duì)使用各對(duì)置電極的成膜速度速度及Sr/Ti組成比的關(guān)系進(jìn)行分析。其結(jié)果表示在表1中。
表1

對(duì)置電極表面積隨表面形成孔徑及孔深變大而變大，并且隨孔數(shù)增多而變大，根據(jù)上述表1，在形成有與直徑相比孔深小于2的淺孔的對(duì)置電極中，可以看出成膜速度與Sr/Ti組成比是不穩(wěn)定的。
作為基板使用直徑為20cm的基板，其表積為314cm2，但在對(duì)置電極的表面積比基板表面積314cm2更小的情況下，可以看出成膜速度與Sr/Ti組成比是不穩(wěn)定的。
與此相比，在使用具有與直徑相比孔深大于2的深孔且其表面積大于基板表面積的對(duì)置電極情況下，成膜開始后，在數(shù)枚至10枚中的成膜速度及Sr/Ti組成比變?yōu)橐欢ㄖ?，即使隨后往復(fù)進(jìn)行成膜也能確認(rèn)保持一定。這可能是孔變深時(shí)側(cè)壁上不易附著電介質(zhì)膜之故。因此，即使連續(xù)形成電介質(zhì)膜，在成膜速度及Sr/Ti組成比達(dá)到一定值時(shí)，也可以使用這種表面上形成有深孔使表面積變大的對(duì)置電極?？咨羁梢允强讖降?倍以上，如最好是4倍。
本發(fā)明人重復(fù)了調(diào)查研究，在上述濺射裝置1中替換了對(duì)置電極21，在具有中央圓形通孔34的鋁合金制圓板32上，在形成有圓形孔33這點(diǎn)上，與圖2所示的對(duì)置電極21相同，但圓板32表面對(duì)著通孔34開口面法線方向向外側(cè)傾斜10這點(diǎn)與圖2所示對(duì)置電極21是不同的。不同點(diǎn)只是這一點(diǎn)，而圓板32的直徑、通孔34的直徑、孔33的個(gè)數(shù)、直徑、深度等都與圖2所示的對(duì)置電極21是相同的。
使用這種配置有對(duì)置電極31的濺射裝置，連續(xù)在多個(gè)基板上進(jìn)行成膜處理，并對(duì)基板逐次測(cè)定了其成膜速度及Sr/Ti組成比。結(jié)果得到與使用上述對(duì)置電極21的濺射裝置1基本相同的結(jié)果，成膜速度及Sr/Ti組成比基本是一定的。
在這種情況下，在10枚以上基板表面上附著的濺射測(cè)定結(jié)果中基板上直徑為0.3um以上的濺射個(gè)數(shù)平均為40個(gè)，與使用上述對(duì)置電極21的濺射裝置1相比，可以看出減少了濺射個(gè)數(shù)。
在上述說明的實(shí)施形式中，作為對(duì)置電極21、31，雖然使用的是分別在圓板22、32上設(shè)有通孔24、34的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明的對(duì)置電極及通孔形狀并不限定于此，例如也可以是矩形的。
雖然分別設(shè)置于對(duì)置電極21、31表面上的孔23、33的平面形狀是圓形的，但本發(fā)明的對(duì)置電極孔形狀并不限定于此，例如，孔平面形狀也可以是矩形的。
另外，作為靶雖然使用的是SrTio3燒結(jié)體，且在硅基板表面形成SrTio3薄膜，但本發(fā)明并不限定于此，作為靶也可以使用如Batio3、(BaSr)Tio3、Pb(ZrTi)O3或SrBi2Ta2O9等電介質(zhì)的燒結(jié)體并用它們形成電介質(zhì)膜。
在本實(shí)施形式中，靶13與載置臺(tái)15是上下配置在真空槽11內(nèi)的，但本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以載置臺(tái)15表面的法線方向?yàn)樗綘钆渲幂d置臺(tái)15，與此相對(duì)配置靶13。
在上述各實(shí)施形式中，對(duì)置電極21、31設(shè)計(jì)為在厚圓板表面形成多個(gè)深孔且表面為凹凸，但本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以在薄板表面設(shè)計(jì)多個(gè)棒狀突起并制成凹凸。
權(quán)利要求
1.一種濺射裝置，其特征在于包括真空槽；配置在前述真空槽內(nèi)的靶；對(duì)著前述靶配置在前述真空槽內(nèi)且能保持基板的基板保持部；表面朝向靶配置在前述基板保持部周圍并在表面上形成凹凸且接地的對(duì)置電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于前述對(duì)置電極具有通孔，前述基板保持部配置在前述通孔內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于前述凹凸是在前述對(duì)置電極表面形成的多個(gè)孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射裝置，其特征在于前述孔的深度比前述孔徑大2倍以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于前述靶配置在前述真空槽內(nèi)天井處，前述對(duì)置電極配置在前述真空槽內(nèi)底側(cè)；前述對(duì)置電極表面是以其外側(cè)高度低于內(nèi)側(cè)高度的形式傾斜著的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于前述對(duì)置電極表面相對(duì)水平面傾斜10°以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于前述靶是以Batio3、SrTio3、(BaSr)Tio3、Pb(ZrTi)O3或SrBi2Ta2O9任一種為主成分的電介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于在前述真空槽內(nèi)的前述對(duì)置電極本身是接地的。
全文摘要
本發(fā)明提供了即使利用濺射法在多個(gè)連續(xù)基板上形成電解質(zhì)膜也能使成膜速度和Sr/Ti組成比一定的技術(shù)。本發(fā)明的濺射裝置1在真空槽11內(nèi)底上設(shè)計(jì)有位于載置臺(tái)15周圍的對(duì)置電極21。在對(duì)置電極21的表面上形成有多個(gè)孔23,從而使表面積變大。并且,濺射的電解質(zhì)材料附著在對(duì)置電極21表面上,即使其表面上使電解質(zhì)膜分布正電荷,對(duì)置電極21表面上分布的電荷密度也比現(xiàn)有技術(shù)中的小,結(jié)果對(duì)置電極表面電壓基本保持接地電壓。并且,由于對(duì)置電極21表面電壓基本保持接地電壓,使真空槽11內(nèi)的放電穩(wěn)定,不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中膜厚度分布及成膜速度變動(dòng)及放電不穩(wěn)定的問題。
文檔編號(hào)C23C14/34GK1340634SQ01125390
公開日2002年3月20日 申請(qǐng)日期2001年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月25日
發(fā)明者谷典明, 齋藤和彥, 皺紅罡 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科