專(zhuān)利名稱(chēng)：在有機(jī)光發(fā)射元件中沉積鋁－鋰合金陰極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種沉積電發(fā)光元件的方法，更具體而言，涉及在這種元件中形成鋁-鋰合金陰極層的方法，以改善這種元件的激勵(lì)電壓和效率。
背景技術(shù)：
已知有機(jī)光發(fā)射元件的效率高并能生成廣譜色彩。它在平板顯示器方面的有效應(yīng)用引人關(guān)注。
在有機(jī)光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域的最新發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致了具有由極薄層(＜1.0微米的組合厚度)組成的有機(jī)EL介質(zhì)來(lái)分隔陽(yáng)極和陰極的元件。薄的有機(jī)EL介質(zhì)帶來(lái)較低的電阻，從而允許在給定偏壓下具有較高的電流密度。在基本的雙層有機(jī)光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)中，專(zhuān)門(mén)選擇一有機(jī)層以注入和轉(zhuǎn)移空穴，專(zhuān)門(mén)選擇另一有機(jī)層以注入和轉(zhuǎn)移電子。這兩層之間的界面為注入的空穴-電子對(duì)再?gòu)?fù)合和由此產(chǎn)生電發(fā)光提供有效的位置。例子由US-A-4,356,429；US-A-4,539,507；US-A-4,720,432；US-A-4,885,211；US-A-4,950,950；US-A-5,047,687；US-A-5,059,861；US-A-5,061,569；US-A-5,073,446；US-A-5,141,671；US-A-5,150,006；和US-A-5,151,629提供。
上述簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)可改性為三層結(jié)構(gòu)，其中在空穴和電子轉(zhuǎn)移層之間引入附加的發(fā)光層，主要起到為空穴-電子再?gòu)?fù)合，從而引起電發(fā)光的作用。在這種情況下，各個(gè)有機(jī)層的作用各不相同，因而可獨(dú)立地最佳化。這樣，發(fā)光或再?gòu)?fù)合層可選擇具有預(yù)期EL色彩以及高發(fā)光效率的有機(jī)層。與此相似，電子和空穴轉(zhuǎn)移層可主要針對(duì)載體轉(zhuǎn)移特性進(jìn)行最佳化。
有機(jī)光發(fā)射元件可看作一種二極管，在陰極電位高于陰極時(shí)，加正向偏壓。有機(jī)光發(fā)射元件的陽(yáng)極和陰極可各取常規(guī)的方便形式，例如在US-A-4,885,211中公開(kāi)的不同形式中的任一種。如果采用低逸出功的陰極和高逸出功的陽(yáng)極，則操作電壓可大大降低。優(yōu)選的陰極是一種逸出功低于4.0eV的金屬和另一種優(yōu)選逸出功大于4.0eV的金屬的組合結(jié)構(gòu)。US-A-4,885,211中的Mg∶Ag構(gòu)成優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)。US-A-5,059,682中Al∶Mg陰極是另一種優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)。
利用低逸出功的Al-Li合金作為陰極的有機(jī)EL單元的可參見(jiàn)Wakimoto等的報(bào)導(dǎo)(IEEE Transaction on Electron Devices(電氣與電子工程師協(xié)會(huì)學(xué)報(bào)-電子元件)，Vol.44，1245 )。這種單元在EL發(fā)射性能和壽命等兩方面表面甚佳。但是，Wakimoto等提到，在膜中很難保持最佳的Li濃度。Al-Li合金是采用常規(guī)熱汽化方法沉積。因此，具有有最佳濃度的Al-Li陰極的EL單元不易重復(fù)制造。對(duì)于有機(jī)光發(fā)射元件的制造而言，重要的是薄膜制備方法在大規(guī)模制造中有好的重現(xiàn)性。
為了消除有機(jī)光發(fā)射元件不良的重現(xiàn)性，Wikimoto采用了氧化鋰/鋁金屬雙層陰極。采用LiF/Al雙層以提高有機(jī)光發(fā)射元件的電子注入已公開(kāi)在US-A-5,624,604中。但是，這是一種兩步過(guò)程，并包括采用兩個(gè)汽化源，一個(gè)用于LiF，另一個(gè)用于Al。這在制造過(guò)程中帶來(lái)大量時(shí)間損失。如果兩個(gè)源置于單一的汽化室中，則要求先開(kāi)啟LiF源，將其升至汽化溫度，然后沉積0.5nm LiF層。在沉積200nm的第二Al金屬層之前，或者應(yīng)使具有熱敏性的有機(jī)光發(fā)射層的基片屏蔽以不受第二Al源的熱輻射影響，或者應(yīng)將其轉(zhuǎn)移到另一緩沖室，直至第二個(gè)源升至高溫并達(dá)到所要求的Al沉積速度。如果采用兩個(gè)分開(kāi)的室分別沉積LiF的Al層，則會(huì)因基片從一個(gè)小室轉(zhuǎn)移到另一室而引起時(shí)間大大損失，而且會(huì)增加第二室的費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制造有機(jī)光發(fā)射元件的改進(jìn)型方法，該法消除了上述的Al-Li陰極的不可重現(xiàn)性，并提供高質(zhì)量的有機(jī)光發(fā)射元件。
這個(gè)目的是藉助在有機(jī)光發(fā)射元件中的光發(fā)射層上制備電極的方法達(dá)到的，該法包括下列步驟a)將有機(jī)光發(fā)射元件送入直空室中，該室具有汽化材料接受器；加熱接受器的部件，它置于接受器中以汽化材料，并沉積在光發(fā)射層上形成電極；以及擋板，當(dāng)擋板開(kāi)啟時(shí)，允許汽化的材料從加熱的接受器沉積到光發(fā)射層上，和b)在要形成該電極時(shí)，將由待汽化材料制成的細(xì)長(zhǎng)件送入加熱的接受器中，在不要形成這種電極時(shí)將這種材料從加熱的接受器中移出。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下1)采用Al-Li合金作陰極，與Mg-Ag合金相比，降低有機(jī)光發(fā)射的激勵(lì)電壓。
2)陰極沉積在單一步驟的汽化過(guò)程中完成，并采用單一汽化源。
3)本發(fā)明需要較少的沉積時(shí)間，從而縮短生產(chǎn)周期，這同時(shí)減少對(duì)敏感的有機(jī)光發(fā)射有機(jī)層的可能的熱損害。
4)本發(fā)明改進(jìn)產(chǎn)品產(chǎn)量，同時(shí)保持低的制造費(fèi)用。
5)閉蒸汽化沉積，為每次沉積提供可重復(fù)的合金組分，從而使各元件之間的變化減到最小。
6)包含長(zhǎng)達(dá)200英尺細(xì)絲的卷筒可用于制備大量元件，這使沉積真空室不再向大氣壓開(kāi)啟，從而減少停車(chē)時(shí)間。
7)本發(fā)明提高生產(chǎn)效率。
8)消除合金的飛濺，保證了有機(jī)光發(fā)射元件的質(zhì)量。
9)減少了材料消耗。
10)陰極沉積過(guò)程具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，并能控制沉積通量，具有很清潔的操作環(huán)境。
11)制造重現(xiàn)性很好的Al-Li合金有機(jī)光發(fā)射元件。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是本發(fā)明電板結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方案示意圖。
圖2是一種有機(jī)電發(fā)光的示意圖；和圖3是用于沉積陰極的Al-Li絲供料系統(tǒng)的示意圖。
發(fā)明詳述有機(jī)光發(fā)射元件的光發(fā)射層由發(fā)光物質(zhì)或熒光物質(zhì)組成，其中電發(fā)光的產(chǎn)生是電子-空穴對(duì)在此區(qū)域再?gòu)?fù)合的結(jié)果。在最簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)中，如圖1所示，有機(jī)電發(fā)光層108夾在陽(yáng)極104和電極(陰極)106之間。光發(fā)射層是一種發(fā)光效率高的純物質(zhì)。熟知的物質(zhì)是三(8喹啉)鋁(Alg)，它產(chǎn)生優(yōu)良的綠色電發(fā)光。
該簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)可改性為圖2所示的三層結(jié)構(gòu)，其中在空穴和電子轉(zhuǎn)移層之間引入附加的電發(fā)光層，該層主要起為空穴-電子再?gòu)?fù)合，從而產(chǎn)生電發(fā)光提供位置。
參看圖2，有機(jī)光發(fā)射元件200具有透光基片202，其上沉積有透光陽(yáng)極204。陽(yáng)極204由兩層204a和204b組成。有機(jī)光發(fā)射結(jié)構(gòu)208在陽(yáng)極204和陰極206之間形成。有機(jī)光發(fā)射結(jié)構(gòu)208按順序包括，有機(jī)空穴轉(zhuǎn)移層210、光發(fā)射層212和有機(jī)電子轉(zhuǎn)移層214。當(dāng)電位差(未表示)施加在陽(yáng)極204和陰極206之間時(shí)，陰極將電子注入電子轉(zhuǎn)移層214，而電子將穿過(guò)層214遷移到光發(fā)射層212。同時(shí)空穴將從陽(yáng)極204注入空穴轉(zhuǎn)移層210。空穴將穿過(guò)層210遷移，并在空穴轉(zhuǎn)移層210和光發(fā)射層212之間形成的交匯處或其附近與電子再?gòu)?fù)合。當(dāng)遷移的電子從其傳導(dǎo)帶落入價(jià)帶充填空穴時(shí)，能量以光的形式釋放，并通過(guò)透光陽(yáng)極204和基片202發(fā)射。
有機(jī)光發(fā)射元件可看成二極管，如果陽(yáng)極電位高于陰極，加正向偏壓的。有機(jī)光發(fā)射元件的陽(yáng)極和陰極可分別取方便的常規(guī)形式，例如US-A-R，885,211公開(kāi)的不同形式中的任一種。如果采用低逸出功的陰極和高逸出功的陽(yáng)極，則運(yùn)行電壓可大大降低。優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)是由逸出功低于4.0eV的金屬和另一種優(yōu)選逸出功大于4.0eV的另一種金屬組合。US-A-4,885,211中的Mg∶Ag是一種優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)。US-A-5,059,862中的Al∶Mg陰極是另一種優(yōu)選的陰極結(jié)構(gòu)。US-A-5,776,622公開(kāi)了在有機(jī)光發(fā)射元件中采用LiF/Al雙層以提高電子注入。這樣，雖然LiF/Al雙層陰極結(jié)構(gòu)的沉積是實(shí)用的，但它增長(zhǎng)了制造周期。
常規(guī)的陽(yáng)極204a是由導(dǎo)電的透明氧化物形成。銦錫氧化物廣泛用作陽(yáng)極接觸面，因?yàn)樗耐该餍?、好的?dǎo)電性和高逸出功。
在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，陽(yáng)極204a可由空穴注入層204b改性。
本發(fā)明用于形成有機(jī)光發(fā)射元件的電子轉(zhuǎn)移層的優(yōu)選材料為金屬螯合的喔星類(lèi)化合物，包括喔星本身(通常也稱(chēng)為8-喹啉醇或8-羥基喹啉)的螯合物，如US-A-4,885,211所公開(kāi)的。這類(lèi)化合物表現(xiàn)出高水平的性能，并易于制成薄層。
透光基片可由玻璃、石英或塑料構(gòu)成。用于形成有機(jī)光發(fā)射元件的空穴轉(zhuǎn)移移層的優(yōu)選材料為US-A-4,539,507提出的叔胺。另一類(lèi)優(yōu)選的胺為四芳基胺。
典型的，例如Al-Li合金化接觸面或者從獨(dú)立的源或者由預(yù)光制備的合金的單一源，采用將少量材料置于鎢或鉭制的接受器中進(jìn)行共汽化。接受器的形式為舟形(下文稱(chēng)為舟)。舟被加熱，引起置于舟中的絲熔化和汽化，并使其沉積為陰極。采用常規(guī)鎢舟源難于沉積Al或Al-Li合金，因?yàn)檫@些物質(zhì)所具的反應(yīng)性，鋁材與鎢或鉭舟反應(yīng)。這種源的壽命短，通量速率不重現(xiàn)，因而這種裝置不能用于制造有機(jī)光發(fā)射元件。蒸發(fā)室要經(jīng)常開(kāi)啟以向船裝料和換料。這樣，這套裝置不適宜以低成本和高產(chǎn)量進(jìn)行生產(chǎn)。
利用細(xì)絲的Al-Li合金絲供料系統(tǒng)的閃蒸汽化用于沉積Al-Li陰極。帶絲供料系統(tǒng)的閃蒸汽化用細(xì)絲作源材料，并用高溫氮化硼舟汽化該材料。絲的供料可連續(xù)的或脈沖式的進(jìn)行，并在與預(yù)熱的陶瓷舟接觸時(shí)汽化。
絲供料系統(tǒng)先前用于Al-金屬化以大產(chǎn)量制造網(wǎng)狀物或滾壓涂層(I.Baxter，Society of Vacuum Coaters，the Annual TechnicalConference Proceedings(真空涂布設(shè)備學(xué)會(huì)-年度技術(shù)會(huì)議會(huì)刊)，197(1993))。閃蒸汽化可產(chǎn)生較厚的膜，例如在E-束系統(tǒng)中，并且無(wú)輻射損傷的問(wèn)題。利用閃蒸汽化絲供料系統(tǒng)時(shí)，沉積速率可達(dá)10nm/sec以上，并能以高產(chǎn)量制造有機(jī)光發(fā)射元件。
高準(zhǔn)確度的連續(xù)或脈沖絲進(jìn)料系統(tǒng)曾經(jīng)用于Al和Al-Li合金金屬化。絲以脈沖方式進(jìn)料，它消除汽化舟的過(guò)度液泛，并在汽化之后無(wú)材料遺留在舟中。這就提高了汽化舟的壽命。絲同樣可以可控的進(jìn)料速率連續(xù)進(jìn)料，這樣可將全部材料用于汽化，而無(wú)材料遺留在舟中。
圖3是用于沉積Al-合金膜的絲供料系統(tǒng)的示意圖。它包含真空室300，真空室可用真空泵系統(tǒng)301抽到1E-5-1E-7Torr量級(jí)的高真空。汽化系統(tǒng)包括陶瓷舟310，該舟可用與饋線350相連的電源加熱至高溫。卷在軸上的100英尺長(zhǎng)、1.5mm直徑的金屬絲裝于真空系統(tǒng)內(nèi)的卷軸柱320上。Al絲的進(jìn)料速率準(zhǔn)確地用伺服電動(dòng)機(jī)控制。導(dǎo)電機(jī)構(gòu)340控制絲進(jìn)料330。由氮化硼制成的汽化舟310由高電流和低電壓(約為600安倍和10伏)SER控制的AC電源加熱，該電源與饋線350相連。如果由分開(kāi)的石英晶體傳感器測(cè)出的汽化速率超過(guò)1nm/s時(shí)不銹鋼擋板360開(kāi)啟。這允許被汽化的材料沉積在有機(jī)光發(fā)射元件基片202上，后者放置在舟上面的基片支架370上。基片能夠旋轉(zhuǎn)，以便能使陰極材料均勻沉積。加到氮化硼舟汽化器的功率是準(zhǔn)確控制的。這就使汽化條件更加穩(wěn)定，結(jié)果可得到無(wú)飛濺的汽化和無(wú)針孔的陰極膜。
利用絲進(jìn)料汽化系統(tǒng)，沉積速度可達(dá)10nm/s以上，這就使陰極沉積的生產(chǎn)周期縮短。為了達(dá)到高的沉積速度和短的生產(chǎn)周期沉積，同樣應(yīng)考慮基片溫度的影響。一般說(shuō)來(lái)，沉積速度隨功率水平的增加而增加，Al膜的溫度亦是如此。膜在其金屬化時(shí)受到輻射和冷凝熱負(fù)荷的組合作用。這時(shí)生長(zhǎng)過(guò)程可能產(chǎn)生嚴(yán)重影響，使膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)發(fā)生變化。因此，關(guān)鍵的是保持低的金屬化溫度并使基片在電極室的停留時(shí)間降至最小，以便避免敏感的有機(jī)層受到可能的損傷。曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)，Al薄膜的比電阻會(huì)受到室本底壓力(氧雜質(zhì)含量)、沉積經(jīng)、和基片溫度及膜結(jié)構(gòu)如表面形態(tài)和晶界等因素的影響。出于這個(gè)原因，希望室的基壓低于1E-6Torr，沉積速度大于1nm/s。
本發(fā)明和及其優(yōu)點(diǎn)將用下面的具體實(shí)例進(jìn)一步說(shuō)明。
四塊玻璃基片裝入多室真空系統(tǒng)的裝料室。陰極沉積室中絲進(jìn)料汽化系統(tǒng)的氮化硼舟被預(yù)熱至大約1000-1100℃，此溫度高于絲的熔點(diǎn)，向舟施加電功率使Al-Li合金達(dá)到汽化溫度。將玻璃基片送入陰極沉積室，置放在舟上，活門(mén)306保持關(guān)閉。合金以卷軸以2mm/s的速度和2秒的延遲時(shí)間供入加熱的氮化硼舟。舟中形成少量熔化合金的熔潭。當(dāng)汽化速率增至1nm/s以上時(shí)，基片暴露出來(lái)，以沉積大約200nm厚的Al-Li合金層。在沉積后將擋板關(guān)閉，并將合金絲反卷到卷軸上，已被涂敷的基片轉(zhuǎn)移到裝料室貯存。
第二塊玻璃基片送入電極室，按上述程序?qū)⒔z送入加熱的舟310，使基片上沉積200nm Al-Li合金膜。其它兩塊基片以類(lèi)似方式涂敷200nm Al-Li合金膜。
采用方法為感應(yīng)耦合等離子體(ICP)分析方法分析沉積的合金膜和合金絲樣品的組成。表1列出了Al和鋰的組分分析。它表明，起始合金組成在+/-0.2％的變化范圍內(nèi)得到重現(xiàn)。同樣，在不同的沉積中薄膜組成的重現(xiàn)性良好，這就表明了利用絲進(jìn)料的Al-Li合金汽化系統(tǒng)的工藝控制。Al-Li陰極106的可控組分沉積應(yīng)能制造有再現(xiàn)EL特性的有機(jī)光發(fā)射元件，下面的實(shí)施例證明達(dá)到該制造的目的。
表1用絲進(jìn)料技術(shù)制備的鋁-鋰合金薄膜的組分分析

實(shí)施例2有機(jī)光發(fā)射元件沉積在玻璃基片上?；怯稍贑orning 7050玻璃上的成圖的ITO膜(額定表面電阻為20ohm/sq)組成。鋁三-8羥基喹啉(Alg)用作發(fā)射層。Alg的厚度或摻雜的發(fā)射層為37.5nm。采用75nm或150nm厚的NPS層作HTL層。全結(jié)構(gòu)元件在ULVAC多室Satella UHV系統(tǒng)(基壓10-6-10-7Torr)中制備。ULVAC系統(tǒng)由7個(gè)獨(dú)立的基片裝料室組成，用于ITO表面預(yù)處理、有機(jī)層沉積、電極沉積以及將基片通過(guò)轉(zhuǎn)移室送入干箱。每10塊152.4mm×152.4mm的基片為一批，以批式處理或平行處理的方式在不破壞真空的條件下進(jìn)行。基片通過(guò)計(jì)算機(jī)控制的機(jī)器人從一個(gè)工段轉(zhuǎn)移到另一工段。
有機(jī)光發(fā)射元件的結(jié)構(gòu)方式如下三塊涂敷有80nm ITO的基片按順序在市售洗滌劑中進(jìn)行超聲清洗、在去離子水中漂洗、在甲苯蒸汽中脫脂。這些基片用氧等離子體處理大約1分鐘，并用等離子體增強(qiáng)的CHF3沉積涂敷1nm碳氟化合物物層。
這些基片被裝入沉積室進(jìn)行有機(jī)層和陰極的沉積。
元件A的制備是按順序沉積150nm NPB空穴轉(zhuǎn)移層、接著37.5nm無(wú)任何摻雜物的Alg發(fā)射層(EML)、和37.5nm Alg電子轉(zhuǎn)移層(ETL)。200nm的Al-Li合金陰極電極206(參見(jiàn)圖2)是利用絲供料系統(tǒng)通過(guò)合金的閃蒸汽化沉積的。上述序列完成了有機(jī)光發(fā)射元件的沉積。該有機(jī)光發(fā)射元件貯存在真空室的卸料室中。
兩個(gè)另外的元件，元件B和元件C按照上述過(guò)程制備。每種情況下，Al-Li陰極皆是按前面所述利用絲供料技術(shù)通過(guò)同樣合金的汽化形成的。合金絲的組分為Al96Li4原子％。全部有機(jī)光發(fā)射元件被轉(zhuǎn)移到卸料室貯存。
全部有機(jī)光發(fā)射元件然后密封在干燥手套箱中在有機(jī)光發(fā)射元件上的包封裝中，該手套箱充填氮的保護(hù)氣氛。用以制備這些有機(jī)光發(fā)射元件的ITO成圖的基片包含幾種圖形。對(duì)有機(jī)光發(fā)射元件的每種具體圖形的電流電壓特性和電發(fā)光產(chǎn)率進(jìn)行測(cè)試。這些元件的EL數(shù)據(jù)列于表2。數(shù)據(jù)表明，制得的有機(jī)光發(fā)射元件在發(fā)光特性、激勵(lì)電壓和彩色色度(CIEx，y坐標(biāo))方面是相似和一致的。
表2利用鋁-鋰合金陰極的元件的EL特性

實(shí)施例3有機(jī)光發(fā)射元件的制備與實(shí)施例1所敘述的元件結(jié)構(gòu)相同，但采用了不同的組成的原料Li-Al絲。合金的原料組成為Al97％、Li3％。這些元件的平均激勵(lì)電壓和發(fā)光度分別為8.3伏和620cd/m2。這樣，不同組成的原料合金絲材料可用于制備有機(jī)光發(fā)射元件的陰極層。其它合金材料如鋁-銫(Ag-Li)同樣可以細(xì)絲的形式用于以本發(fā)明的汽化技術(shù)制備陰極層。
權(quán)利要求
1.一種在有機(jī)光發(fā)射元件的光發(fā)射層上制備電極的方法，包括下列步驟a)將有機(jī)光發(fā)射元件送入直空室中，該室具有汽化材料接受器；加熱接受器的部件，它置于接受器中以汽化材料，并沉積在光發(fā)射層上形成電極；以及擋板，當(dāng)擋板開(kāi)啟時(shí)，允許汽化的材料從加熱的接受器沉積到光發(fā)射層上，和b)在要形成該電極時(shí)，將由待汽化材料制成的細(xì)長(zhǎng)件送入加熱的接受器中，在不要形成這種電極時(shí)將這種材料從加熱的接受器中移出。
2.權(quán)利要求1的方法，其中接受器由如氮化硼的陶瓷材料制成。
3.權(quán)利要求1的方法，其中細(xì)長(zhǎng)件由鋁鋰合金、鋁-銫合金或銀-鋰合金制成。
4.權(quán)利要求3的方法，其中細(xì)長(zhǎng)件為絲狀。
5.權(quán)利要求3的方法，其中當(dāng)擋板開(kāi)啟時(shí)，汽化材料作為電極層沉積，其厚度為10nm-500nm。
6.權(quán)利要求5的方法，還包括將形成了電極的有機(jī)光發(fā)射元件從真空室移出，并在有機(jī)光發(fā)射元件上提供包套密封。
全文摘要
一種在有機(jī)光發(fā)射元件的光發(fā)射層上制備電極的方法,包括將有機(jī)光發(fā)射元件送入有用于汽化材料的接受器的真空室中。將接受器加熱使置于接受器中的材料汽化,并使其沉積到光發(fā)射層上形成電極,并有一擋板,當(dāng)其開(kāi)啟時(shí),允許汽化的材料從加熱的接受器沉積到光發(fā)射層上。本方法還包括當(dāng)要形成電極時(shí),將由待汽化材料制成的細(xì)長(zhǎng)件送入加熱的接受器中,當(dāng)不需形成電極時(shí),將該材料從加熱的接受器中移出。
文檔編號(hào)C23C14/14GK1336781SQ0112465
公開(kāi)日2002年2月20日 申請(qǐng)日期2001年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月27日
發(fā)明者T·K·哈特瓦, G·拉杰斯瓦蘭 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司