一種密封器件的激光焊接方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于激光焊接領(lǐng)域，尤其涉及一種密封器件的激光焊接方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著激光焊接技術(shù)的普及，越來越多的工業(yè)產(chǎn)品采用激光焊接工藝，激光焊接是利用激光的輻射能量來實現(xiàn)高效焊接的一種非接觸式焊接工藝，因其具有傳統(tǒng)焊接工藝所不具備的諸多優(yōu)勢，越來越多的應(yīng)用于IT、3C、電子電氣、汽車制造、機械五金等行業(yè)產(chǎn)品的生產(chǎn)，也成為眾多高校、科研院所重點布局和深入研究的新興領(lǐng)域。
[0003]但某些產(chǎn)品，如傳感器、動力電池殼體、微波等，由于產(chǎn)品設(shè)計上有密封或半密封的要求或者產(chǎn)品焊接位置為腔體結(jié)構(gòu)處，在激光焊接后對焊縫進行檢測發(fā)現(xiàn)存在或多或少的氣孔或者存在縮孔，對產(chǎn)品的質(zhì)量帶來不利影響，存在功能上的風險，亟需解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種密封器件的激光焊接方法，以解決現(xiàn)有針對密封或腔體結(jié)構(gòu)的激光焊接存在氣孔或縮孔的問題。
[0005]本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種密封器件的激光焊接方法，所述密封器件存在多個待焊工件相互拼接而形成的拼接處，第一參數(shù)的激光對待焊工件的拼接處進行加熱，然后，第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接。
[0006]進一步地，第一參數(shù)的激光采用離焦的方式對所述拼接處進行加熱。
[0007]進一步地，第一參數(shù)的激光在大離焦狀態(tài)下對所述拼接處采用單點加熱或者是軌跡運動加熱。
[0008]進一步地，第二參數(shù)的激光采用離焦方式對所述拼接處進行焊接。
[0009]進一步地，所述第一參數(shù)的激光的離焦量小于第二參數(shù)的激光的離焦量。
[0010]進一步地，所述第一參數(shù)的激光的功率小于第二參數(shù)的激光的功率。
[0011]進一步地，所述第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接時，對焊接位置吹惰性氣體。
[0012]進一步地，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
[0013]本發(fā)明提供了一種密封器件的激光焊接方法，通過預(yù)先對拼接處110進行加熱，使得密封器件100內(nèi)的空氣受熱膨脹，并從通過拼接處由內(nèi)向外逸散，避免了采用第二參數(shù)的激光對所述拼接處110進行焊接形成的焊縫中產(chǎn)生氣孔或縮孔。同時由于密封器件100的腔體內(nèi)的氣壓高于外部，降低了空氣往腔內(nèi)侵入，再次降低了焊縫中產(chǎn)生氣孔的可會K。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1是本發(fā)明實施例提供的密封器件的拼接示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明實施例提供的密封器件的焊接軌跡圖；
[0017]圖3是本發(fā)明實施例提供的激光焊接方法的功率和離焦量的變化圖；
[0018]圖4是現(xiàn)有技術(shù)提供的焊接效果圖；
[0019]圖5是本發(fā)明實施例提供的焊接效果圖。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0021]如圖1、2、3所示，本發(fā)明實施例提供一種密封器件100的激光焊接方法，所述密封器件存在多個待焊工件相互拼接而形成的拼接處110，第一參數(shù)的激光對待焊工件的拼接處110進行加熱，然后，第二參數(shù)的激光對所述拼接處110進行焊接產(chǎn)生焊縫111。
[0022]本發(fā)明實施例通過預(yù)先對拼接處進行加熱，使得密封器件100內(nèi)的空氣受熱膨脹，并從通過拼接處由內(nèi)向外逸散，避免了采用第二參數(shù)的激光對所述拼接處110進行焊接形成的焊縫中產(chǎn)生氣孔或縮孔。同時由于密封器件100的腔體內(nèi)的氣壓高于外部，降低了空氣往腔內(nèi)侵入，再次降低了焊縫中產(chǎn)生氣孔的可能。當然，在其他實施例中，本發(fā)明提供的激光焊接方法所針對的密封器件100也可以是局部密封，只要滿足待焊的拼接處110的一側(cè)面具有腔體，本發(fā)明提供的激光焊接方法都可以解決焊縫中產(chǎn)生氣孔或縮孔的問題。
[0023]同時由于采用預(yù)熱工序，使得待焊工件對激光的吸收效率提高，能夠得到更大的焊接深度，或者使得同樣焊接深度所需的焊接功率更小。
[0024]進一步地，如圖3所示，第一參數(shù)的激光采用離焦的方式對所述拼接處進行加熱。
[0025]所述第一參數(shù)的激光在大離焦狀態(tài)下對所述拼接處110采用單點加熱或者是軌跡運動加熱。
[0026]所述單點加熱為激光固定在某一位置處進行加熱，由于所述拼接處110的長度較長，可以將此拼接處均分為多等分，激光則在多個均分點之間處進行連續(xù)或間隔的加熱。而軌跡運動加熱則為激光沿某一路徑移動并加熱，如激光持續(xù)延拼接處的軌跡進行移動加熱，可采用單一循環(huán)方式加熱，也可以采用往復(fù)式加熱。具體的根據(jù)所述拼接處的厚度、長度進行選擇，以便更快速的使得腔內(nèi)的氣體受熱膨脹并逸散。
[0027]進一步地，第二參數(shù)的激光采用離焦方式對所述拼接處進行焊接。
[0028]如圖3所示，在激光焊接階段所述第一參數(shù)的激光的離焦量小于第二參數(shù)的激光的離焦量。所述第一參數(shù)的激光的功率小于第二參數(shù)的激光的功率。
[0029]進一步地，所述第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接時，對焊接位置吹惰性氣體進行保護，避免外部空間空氣的侵入。所述惰性氣體優(yōu)選為氬氣或氦氣。
[0030]如圖4現(xiàn)有技術(shù)焊接的效果示意圖和圖5本發(fā)明實施例提供的激光焊接效果示意圖所示，現(xiàn)有技術(shù)中，在焊接a區(qū)，存在一個氣孔c ;而本發(fā)明的效果焊接b區(qū)沒有發(fā)現(xiàn)氣孔或縮孔。
[0031]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種密封器件的激光焊接方法，所述密封器件存在多個待焊工件相互拼接而形成的拼接處，其特征在于，第一參數(shù)的激光對待焊工件的拼接處進行加熱，然后，第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接。2.如權(quán)利要求1所述的激光焊接方法，其特征在于，第一參數(shù)的激光采用離焦的方式對所述拼接處進行加熱。3.如權(quán)利要求2所述的激光焊接方法，其特征在于，第一參數(shù)的激光在大離焦狀態(tài)下對所述拼接處采用單點加熱或者是軌跡運動加熱。4.如權(quán)利要求2所述的激光焊接方法，其特征在于，第二參數(shù)的激光采用離焦方式對所述拼接處進行焊接。5.如權(quán)利要求4所述的激光焊接方法，其特征在于，所述第一參數(shù)的激光的離焦量小于第二參數(shù)的激光的離焦量。6.如權(quán)利要求1所述的激光焊接方法，其特征在于，所述第一參數(shù)的激光的功率小于第二參數(shù)的激光的功率。7.如權(quán)利要求1所述的激光焊接方法，其特征在于，所述第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接時，對焊接位置吹惰性氣體。8.如權(quán)利要求7所述的激光焊接方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
【專利摘要】本發(fā)明適用于激光焊接領(lǐng)域，提供了一種密封器件的激光焊接方法，所述密封器件存在多個待焊工件相互拼接而形成的拼接處，第一參數(shù)的激光對待焊工件的拼接處進行加熱，然后，第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接。本發(fā)明提供了一種密封器件的激光焊接方法，通過預(yù)先對拼接處進行加熱，使得密封器件內(nèi)的空氣受熱膨脹，并從通過拼接處由內(nèi)向外逸散，避免了采用第二參數(shù)的激光對所述拼接處進行焊接形成的焊縫中產(chǎn)生氣孔或縮孔。
【IPC分類】B23K26/12, B23K26/06, B23K26/20, B23K101/36
【公開號】CN105234557
【申請?zhí)枴緾N201510713665
【發(fā)明人】朱寶華, 胡學(xué)安, 高云峰
【申請人】大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年10月28日