制備金屬箔的方法
【專利說明】制備金屬菊的方法
[0001] 本發(fā)明設及制備由具有大于50%的儀的合金構成的金屬錐的方法，特別是制備在 表面上基本上由儀和鶴構成的金屬錐的方法。
[0002] 極純的儀合金在熱成形（例如塊-板巧社制）的過程中容易產(chǎn)生材料缺陷，例如 裂紋和斷裂，特別是在經(jīng)鑄造的塊（例如VIM)仍需再烙煉（例如VAR)的情況下。
[0003] 對于特殊的使用情況（例如超導帶），需要在具有無缺陷表面的薄錐的形式下具 有高比例立方織構的極純合金。目前用常見的大規(guī)模制備方法無法W合理成本制造所述薄 錐。目的在于，用常見的大規(guī)模制備方法化合理成本制造所述錐。目前運是不可能的。
[0004] DE697 06 083T2設及具有如下化學組成（W重量％計）的鐵-儀-合金 陽005] 30 %《Ni+Co《85 % 0 %《Co+Cu+Mn《10 %
[0006] 0 %《Mo+W+Cr《4 %
[0007] 0%《V+Si《2%
[0008] 0%《佩巧a《l%
[0009] 0. 003%《C《0. 05%
[0010] 0. 003%《Ti《0. 15% 陽0川 0. 003 %《Ti+Zr+Hf《0. 15 %
[0012] 0. 001% <S+Se+Te<0. 015% 陽01引 Mg<0. 001%
[0014] Ca<0. 0025% 陽01引 Al《0.05%
[0016] 0<0. 0025%
[0017] N<0. 005% 陽0化]P<0. 01%
[0019]Sc巧+La+Ce+Fe+Nd+Sm<0. 01 %， W20] 其中余量為鐵和源自冶煉的雜質，其中化學組成還滿足如下關系：0% 《佩巧a+Ti+Al《1%。
[0021] 所述文獻還公開了制備具有立方織構的所述合金的經(jīng)冷社制的帶的方法，其中制 備經(jīng)熱社制的帶，W大于80%的變形程度冷社制所述帶，在高于55(TC并且低于合金的二 次再結晶溫度的溫度下使冷卻帶退火，從而賦予其立方織構。
[0022] 通過DE10 2008 016 222Al已知金屬錐，所述金屬錐具有（W重量％計）
[0023] 74-90 % 的Ni
[0024] 10-26 % 的W，W及 陽02引含量如下的Al和/或Mg和/或B
[0026] 〉0 至最多 0. 02 % 的Al
[0027] 〉0 至最多 0. 025 % 的Mg
[0028] 〉0 至最多 0.005% 的B。
[0029] 所述材料W大于1噸的量W烙煉冶金的方式大規(guī)模制備并且可W通過合適的處 理具有再結晶立方織構。該文獻中雖然提到W烙煉冶金的方式進行制備的方法，然而沒有 公開可W用于低成本地調節(jié)希望性能的進一步的過程控制。所述金屬錐可W作為用于外延 涂覆的金屬帶使用。
[0030] DE2816173公開了制造環(huán)形帶忍的方法。然后使Ni-合金的卷繞的條經(jīng)受在 900-1050°C之間的熱處理。由此可W調節(jié)立方織構。所述方法應用于具有63至65. 5重 量％的儀、2至4重量％的鋼和余量為鐵的NWeMo-合金。該文獻中沒有提到基于NiW的合 金。
[0031] DE102004060900公開了純儀或具有選自Sc、Y、La、Ac的合金元素的Ni-合金的半 成品，所述半成品通過社制和熱處理轉變成立方織構。該文獻中明確提到基于NiW的合金 不適合外延涂覆。該文獻中沒有公開熱處理的具體方法。
[0032]DE102005013368公開了制備半成品的方法，所述半成品可W用于用超導層進行 物理化學涂覆。該文獻中沒有公開用于大規(guī)模制備的方法。
[0033] 本發(fā)明所基于的目的在于，提供用于制備高溫超導體的基底帶的新方法，通過所 述方法可W經(jīng)濟地加工〉1噸的量。
[0034] 通過制備由具有大于50%的儀的合金構成的金屬錐的方法實現(xiàn)所述目的，所述方 法包括W下方法步驟：
[0035] (a)W大于一噸的量在真空感應爐中或者開放地在感應爐或電弧爐中烙煉合金， 然后在VOD或VLF裝置中處理，
[0036] 化）然后將合金鑄造成塊、電極或W連續(xù)鑄造的方式從而形成初級產(chǎn)品，然后任選 地通過VAR和/或ESU進行單次或多次再烙煉，
[0037] (C)然后在需要時在空氣或保護氣體下在800和1350°C之間的溫度下使初級產(chǎn)品 退火比至30化，
[0038] (d)然后在1300°C和600°C之間的溫度下熱成形，特別是熱社制初級產(chǎn)品，其中起 始材料的厚度減少1. 5 - 200倍，使得初級產(chǎn)品在社制之后具有1至IOOmm的厚度并且不再 結晶和/或恢復和/或W小于300Jim，特別是小于150Jim，或小于70Jim的粒度（動態(tài)地） 再結晶，
[0039] (e)然后酸洗初級產(chǎn)品，
[0040] (f)然后W大于90 %的變形程度冷成形初級產(chǎn)品直至10至600ym，特別是40至 150Jim的最終厚度，從而制備錐，
[0041] (g)在冷成形之后將錐切割成5至300mm的條，
[0042] 化）然后用陶瓷粉末松散地涂覆錐條或者通過粘合劑或通過溶解在醇中的氧化物 涂覆錐條或者用分離錐覆蓋錐條，并且在需要時干燥，
[0043] (i)然后將錐條環(huán)狀卷繞在一個或多個忍軸或一個或多個套筒上，其中內端和外 端各自通過點焊或夾具進行緊固，
[0044] (j)然后在保護氣體下在600和1200°C之間的溫度下使環(huán)狀卷繞的錐條退火Imin 至30化，
[0045] 化）其中在所述退火之后將經(jīng)退火的錐狀材料再結晶并且具有大比例的立方織 構。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選實施方案取自方法的從屬權利要求。
[0047] 通過根據(jù)本發(fā)明的方法制備的金屬錐優(yōu)選由W下組成（W重量％計）
[0048] 5 至 30%的W
[0049] 0. 0001 至 0. 050 % 的Mg
[0050] 余量為Ni
[0051] W及常見的由烙煉造成的雜質，其中W在需要時可W全部或部分被Mo替代并且Mg 在需要時可W全部或部分被化替代。
[0052] 金屬錐的優(yōu)選實施方案取自具體的從屬權利要求。
[0053] 金屬錐在需要時還可W包含W下元素：
[0054] 最多 0.10%的Ti, 陽化5] 最多0.10%的Al,
[0056] 最多 0.020% 的B，
[0057] 最多1.0%的化，
[0058] 最多 1.0%的Co，
[0059] 最多 0.20% 的Mn,
[0060] 最多 0.20%的Si，
[0061] 各自最多 0. 20 % 的Cr、Cu、Mg,
[0062] 最多 0.020% 的P，
[0063] 最多 0.050 % 的C，
[0064] 最多 0.020 % 的N， 陽0化]最多0.020%的S，
[0066] 此外存在運樣的可能性，在合金中如下調節(jié)下列元素：
[0067] 0.0001 - 0.020 % 的Mg,
[0068] 0.OOl至 0. 050%的Ti,
[0069] 0.OOl至 0. 050%的Al,
[0070] 最多 0.010% 的B， 陽〇7U 最多1.0%的化，
[0072] 最多 1.0%的Co，
[0073] 最多 0.05% 的Mn,
[0074] 最多 0.10%的Si， 陽0巧]各自最多0.10%的化、〇1、佩、￥、1日，
[0076] 最多 0.010% 的P，
[0077] 最多 0.030 % 的C，
[0078] 最多 0.010 % 的N， 陽0巧]最多0.010%的S，
[0080]最多 0.030 % 的 0， 陽0川 余量為Ni。
[0082] 有利的是，W大于一噸的量在真空感應爐中或者開放地在感應爐或電弧爐中烙煉 合金，然后在VOD或VLF裝置中處理，然后將合金鑄造成塊、電極或W連續(xù)鑄造的方式從而 形成初級產(chǎn)品，然后額外地在空氣或保護氣體下在800和1350°C之間的溫度下使初級產(chǎn)品 退火比至30化，然后通過VAR和/或ESU進行單次再烙煉或多次再烙煉。
[0083] 同樣有利的是，在1300和600°C之間的溫度下熱社制初級產(chǎn)品，其中起始材料的 厚度減少1. 5 - 200倍，使得初級產(chǎn)品在社制之后具有1至IOOmm的厚度并且不再結晶和 /或恢復和/或W小于300ym的粒度（動態(tài)地）再結晶，在空氣或保護氣體下在800°C和 1350°C之間的溫度下退火比至30化之后，然后額外地在1300°C至600°C之間的溫度下熱 社制2次和任選3次，其中起始材料的厚度減少1.