本申請涉及霧化，具體是涉及一種噴嘴的制備方法。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)中，霧化噴嘴的加工，通?；跈C(jī)械加工、3d打印、注塑成型等常規(guī)加工方法，功能單一，無法實(shí)現(xiàn)多功能集成。噴嘴僅實(shí)現(xiàn)單一霧化功能，不能實(shí)現(xiàn)霧化同時(shí)降粘。霧化噴嘴受到氣溶膠生成基質(zhì)的粘度和溫度的影響，霧化性能穩(wěn)定性和一致性存在較大偏差，霧化量和霧化粒徑波動(dòng)顯著。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N噴嘴的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中噴嘴功能單一、穩(wěn)定性和一致性存在較大偏差等問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┑牡谝粋€(gè)技術(shù)方案為：提供一種噴嘴的制備方法，包括：提供第一基板和第二基板；在所述第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)；所述凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽以及與所述霧化槽連通的進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽；在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體；將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合；其中，所述第二基板與所述霧化槽、所述進(jìn)液槽和所述進(jìn)氣槽分別配合形成霧化腔、進(jìn)液通道和進(jìn)氣通道。

3、可選地，所述第一基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第二基板包括相對(duì)設(shè)置的第三表面和第四表面；所述在所述第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)包括在所述第一表面形成所述凹槽結(jié)構(gòu)，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括將所述第一表面與所述第三表面貼合；其中，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體，包括：在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面形成所述加熱體；和/或在所述第二表面形成所述加熱體；和/或在所述第三表面形成所述加熱體；和/或在所述第四表面形成所述加熱體。

4、可選地，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面形成所述加熱體；其中，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之前還包括在所述第二基板上開設(shè)引線孔；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合還包括使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出。

5、可選地，所述在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面形成所述加熱體包括在所述進(jìn)液槽的底面形成所述加熱體；所述在所述第二基板上開設(shè)引線孔包括在所述第二基板對(duì)應(yīng)所述進(jìn)液槽的部分開設(shè)第一引線孔和第二引線孔；所述使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置包括使所述加熱體的第一電極通過所述第一引線孔暴露以及使所述加熱體的第二電極通過所述第二引線孔暴露。

6、可選地，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在所述第三表面形成所述加熱體；其中，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之前還包括在所述第一基板上開設(shè)引線孔；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合還包括使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出。

7、可選地，所述在所述第三表面形成所述加熱體包括在所述第三表面對(duì)應(yīng)所述進(jìn)液槽的區(qū)域形成所述加熱體；所述在所述第一基板上開設(shè)引線孔包括在所述進(jìn)液槽的底壁開設(shè)第一引線孔和第二引線孔；所述使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置包括使所述加熱體的第一電極通過所述第一引線孔暴露以及使所述加熱體的第二電極通過所述第二引線孔暴露。

8、可選地，所述通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出包括：從所述引線孔引出與所述加熱體電連接的電極引線，以及采用密封膠對(duì)所述引線孔進(jìn)行密封處理；或采用頂針插入所述引線孔并與所述加熱體抵接，以及采用密封膠對(duì)所述引線孔進(jìn)行密封處理。

9、可選地，所述在所述第一表面形成所述凹槽結(jié)構(gòu)包括：在所述第一表面形成所述霧化槽以及與所述霧化槽連通的進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽，以及在所述霧化槽的側(cè)壁開設(shè)缺口；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括所述第二基板與所述缺口配合形成出霧口；或在所述第一表面形成所述霧化槽以及環(huán)繞所述霧化槽的流體槽、以及連通所述流體槽和所述霧化槽的多個(gè)進(jìn)液槽，以及在所述霧化槽的底壁開設(shè)第一通孔作為所述進(jìn)氣槽，所述流體槽的外側(cè)壁具有進(jìn)液口；所述噴嘴的制備方法還包括在所述第二基板上開設(shè)第二通孔作為出霧口；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括使所述出霧口與所述霧化槽連通；或在所述第一表面形成所述霧化槽以及環(huán)繞所述霧化槽的流體槽、以及連通所述流體槽和所述霧化槽的多個(gè)進(jìn)氣槽；所述霧化槽的底壁具有第一通孔作為進(jìn)液槽；所述流體槽的外側(cè)壁具有進(jìn)氣口；所述噴嘴的制備方法還包括在所述第二基板上開設(shè)第二通孔作為出霧口；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括使所述出霧口與所述霧化槽連通。

10、可選地，所述第一基板包括多個(gè)第一預(yù)設(shè)部，所述第二基板包括多個(gè)第二預(yù)設(shè)部；所述在所述第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)包括在每個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部形成所述凹槽結(jié)構(gòu)；所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在每個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部或每個(gè)所述第二預(yù)設(shè)部形成所述加熱體；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括將多個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部和多個(gè)所述第二預(yù)設(shè)部一一對(duì)應(yīng)設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括對(duì)鍵合之后的所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行切割，得到多個(gè)噴嘴。

11、可選地，所述第一基板為硅片或玻璃，所述第二基板為硅片或玻璃。

12、可選地，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括：通過掩膜沉積形成圖案化的發(fā)熱膜；或沉積發(fā)熱膜以及對(duì)所述發(fā)熱膜進(jìn)行圖案化。

13、可選地，所述發(fā)熱膜為厚度為100-1000nm的金屬膜。

14、本申請的有益效果：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請的噴嘴的制備方法在第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)；凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽以及與霧化槽連通的進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽；在第一基板和/或第二基板上形成加熱體；將第一基板與第二基板進(jìn)行鍵合，使得第二基板與霧化槽、進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽分別配合形成霧化腔、進(jìn)液通道和進(jìn)氣通道。本申請通過在噴嘴上集成加熱體，實(shí)現(xiàn)噴嘴的加熱和霧化功能集成。使得單一噴嘴在霧化時(shí)，不受介質(zhì)粘度的影響，也不受使用環(huán)境溫度的影響，從而提高霧化性能的穩(wěn)定性和一致性。

技術(shù)特征：

1.一種噴嘴的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述第一基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第二基板包括相對(duì)設(shè)置的第三表面和第四表面；所述在所述第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)包括在所述第一表面形成所述凹槽結(jié)構(gòu)，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括將所述第一表面與所述第三表面貼合；其中，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面形成所述加熱體；其中，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之前還包括在所述第二基板上開設(shè)引線孔；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合還包括使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面形成所述加熱體包括在所述進(jìn)液槽的底面形成所述加熱體；所述在所述第二基板上開設(shè)引線孔包括在所述第二基板對(duì)應(yīng)所述進(jìn)液槽的部分開設(shè)第一引線孔和第二引線孔；所述使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置包括使所述加熱體的第一電極通過所述第一引線孔暴露以及使所述加熱體的第二電極通過所述第二引線孔暴露。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在所述第三表面形成所述加熱體；其中，所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之前還包括在所述第一基板上開設(shè)引線孔；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合還包括使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述第三表面形成所述加熱體包括在所述第三表面對(duì)應(yīng)所述進(jìn)液槽的區(qū)域形成所述加熱體；所述在所述第一基板上開設(shè)引線孔包括在所述進(jìn)液槽的底壁開設(shè)第一引線孔和第二引線孔；所述使所述引線孔對(duì)應(yīng)所述加熱體設(shè)置包括使所述加熱體的第一電極通過所述第一引線孔暴露以及使所述加熱體的第二電極通過所述第二引線孔暴露。

7.根據(jù)權(quán)利要求3-6任意一項(xiàng)所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述通過所述引線孔對(duì)所述加熱體進(jìn)行電極引出包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求2-6任意一項(xiàng)所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述第一表面形成所述凹槽結(jié)構(gòu)包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述第一基板包括多個(gè)第一預(yù)設(shè)部，所述第二基板包括多個(gè)第二預(yù)設(shè)部；所述在所述第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)包括在每個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部形成所述凹槽結(jié)構(gòu)；所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括在每個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部或每個(gè)所述第二預(yù)設(shè)部形成所述加熱體；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合包括將多個(gè)所述第一預(yù)設(shè)部和多個(gè)所述第二預(yù)設(shè)部一一對(duì)應(yīng)設(shè)置；所述將所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行鍵合之后還包括對(duì)鍵合之后的所述第一基板與所述第二基板進(jìn)行切割，得到多個(gè)噴嘴。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的噴嘴的制備方法，其特征在于，所述在所述第一基板和/或所述第二基板上形成加熱體包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種噴嘴的制備方法包括：提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成凹槽結(jié)構(gòu)；凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽以及與霧化槽連通的進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽；在第一基板和/或第二基板上形成加熱體；將第一基板與第二基板進(jìn)行鍵合，使得第二基板與霧化槽、進(jìn)液槽和進(jìn)氣槽分別配合形成霧化腔、進(jìn)液通道和進(jìn)氣通道。本申請通過在噴嘴上集成加熱體，實(shí)現(xiàn)噴嘴的加熱和霧化功能集成。使得單一噴嘴在霧化時(shí)，不受介質(zhì)粘度的影響，也不受使用環(huán)境溫度的影響，從而提高霧化性能的穩(wěn)定性和一致性。

技術(shù)研發(fā)人員：巫永鵬,邵國君,徐志鋒,雷桂林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳麥克韋爾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19