專利名稱：帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓及激光劃片工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及到微機械加工領(lǐng)域(MEMS)，具體涉及一種帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓和一種激光劃片工藝。
背景技術(shù)：
由于越來越多的MEMS器件制作在鍵合晶圓上，使得鍵合晶圓的劃片工藝成為影響MEMS器件制作成品率的關(guān)鍵工藝。目前常用的鍵合晶圓劃片工藝主要有機械劃片和激光劃片兩種工藝。機械劃片工藝由于需要利用冷卻液對砂輪片進行水冷降溫，會引入污染物，影響MEMS器件芯片潔凈度，故很少用來對鍵合晶圓進行劃片；利用激光束進行非接觸式加工的激光劃片以其高精度、高效率和無污染等優(yōu)點逐漸成為鍵合晶圓劃片的主流工藝。目前，常用的消融激光劃片工藝(laser ablation dicing)適用于薄晶圓劃片。 盡管這種工藝能夠完成單層晶圓無應(yīng)力自由形狀劃片，但由于利用這種工藝進行鍵合晶圓劃片時，在劃片線周圍區(qū)域會淀積許多碎片，并且在晶圓鍵合接觸面會產(chǎn)生熱致裂痕， 使之難以應(yīng)用于鍵合晶圓的劃片[C. K. Chung, S. L. Lin. CO2 laser micromachined crackles through holes of Pyrex7740 glass. International Journal of Machine Tools & Manufacture, 50, pp. 961 - 968，2010.]。近年來迅速發(fā)展的隱形激光劃片工藝(laser stealth dicing)，由于其在劃片過程中不產(chǎn)生碎片和機械應(yīng)力受到推崇。但是利用隱形激光劃片工藝對鍵合晶圓進行劃片時，對每一層不同材料晶圓劃片，必須利用不同波長的激光器進行劃片，使得鍵合晶圓劃片工藝變得復(fù)雜，設(shè)備投入昂貴，劃片成本急劇增力口 [Y. Izawa, S. Tanaka, H. Kikuchi, "Debris-free In-air Laser Dicing for Multi-layer MEMS by Perforated Internal Transformation and Thermally-induced Crack Propagation，，，MEMS 2008，Tucson, AZ, USA, January 13-17，2008， PP. 822-827.]。而且對于隱形激光劃片工藝而言，要完成自由形狀劃片也是相當困難的，這限制了隱形激光劃片工藝的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于避免激光劃片工藝產(chǎn)生熱致裂痕的帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，以及相應(yīng)提供一種激光劃片的工藝。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，包括相互貼合的玻璃晶圓和硅片晶圓，所述鍵合晶圓的鍵合接觸面附近開設(shè)有用于激光劃片的熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，所述熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)設(shè)置。作為對上述技術(shù)方案的進一步改進，所述熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)優(yōu)選為熱應(yīng)力釋放凹槽。
作為對上述技術(shù)方案的進一步改進，所述熱應(yīng)力釋放凹槽開設(shè)于靠近所述鍵合接觸面的玻璃晶圓和/或硅片晶圓上。上述的鍵合晶圓中，優(yōu)選地，所述熱應(yīng)力釋放凹槽的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度；所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度為微米級。所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度進一步優(yōu)選為5微米 10微米。作為一個總的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種激光劃片工藝，該工藝中利用了上述鍵合晶圓中的熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，包括以下步驟
(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)利用濕法腐蝕工藝或者干法刻蝕工藝，在一硅片晶圓和/或一玻璃晶圓上靠近鍵合接觸面的一側(cè)開設(shè)熱應(yīng)力釋放凹槽，并使所述熱應(yīng)力釋放凹槽沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)布置；
(2)鍵合利用鍵合工藝完成所述的硅片晶圓和玻璃晶圓的鍵合，得到鍵合晶圓；
(3)激光劃片加工先用旋轉(zhuǎn)激光束在所述鍵合晶圓的玻璃晶圓表面沿擬定的激光劃片軌跡進行激光劃片，劃穿后形成一與所述熱應(yīng)力釋放凹槽相連通的劃槽；然后用非旋轉(zhuǎn)激光束沿所述劃槽對硅片晶圓表面進行激光劃片(不劃穿硅片晶圓)；最后通過裂片方式使鍵合晶圓上的芯片分離，完成劃片工藝。上述的激光劃片工藝中，優(yōu)選地，用旋轉(zhuǎn)激光束在對玻璃晶圓進行激光劃片過程中，所述旋轉(zhuǎn)激光束沿擬定的激光劃片軌跡完成多次的激光劃片行程；用非旋轉(zhuǎn)激光束在對硅片晶圓進行激光劃片過程中，所述非旋轉(zhuǎn)激光束沿擬定的激光劃片軌跡完成一次激光劃片行程。上述的激光劃片工藝中，優(yōu)選地，所述熱應(yīng)力釋放凹槽的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度；所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度為微米級。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于
本發(fā)明的鍵合晶圓，通過在玻璃晶圓上或硅片晶圓上設(shè)置熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，比如凹槽， 能夠有效釋放激光劃片時激光劃片區(qū)域多層晶圓之間由于熱膨脹系數(shù)不一致導(dǎo)致的熱應(yīng)力，可防止劃片軌跡附近原來鍵合的區(qū)域裂開，從而能有效避免劃片過程中產(chǎn)生的熱致裂痕對鍵合接觸面的影響，可提高鍵合晶圓的激光劃片成品率，降低劃片成本；
本發(fā)明的激光劃片的工藝，通過合理地運用微機械加工工藝(濕法腐蝕或者干法刻蝕)，在劃片的玻璃晶圓或者硅片晶圓上刻蝕出熱應(yīng)力釋放凹槽結(jié)構(gòu)，使得激光劃片過程中的熱應(yīng)力得到有效釋放，鍵合接觸面的熱致裂痕得到有效抑制，鍵合接觸面的力學性能得到大幅提高，有利于MEMS芯片性能的提升；同時本發(fā)明的工藝簡單而且成熟，能夠保證較低的成本和較高的成品率。


圖1為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中對玻璃晶圓加工得到的熱應(yīng)力釋放凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖(圖1 圖18均為剖面圖)；
圖2為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中得到的鍵合晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對玻璃晶圓劃片的示意圖； 圖4為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中利用非旋轉(zhuǎn)激光束對硅片晶圓劃片的示意
圖5為本發(fā)明實施例2的激光劃片工藝中對硅片晶圓加工得到的熱應(yīng)力釋放凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖6為本發(fā)明實施例2的激光劃片工藝中得到的鍵合晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明實施例2的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對玻璃晶圓劃片的示意圖； 圖8為本發(fā)明實施例2的激光劃片工藝中利用非旋轉(zhuǎn)激光束對硅片晶圓劃片的示意
圖9為本發(fā)明實施例3的激光劃片工藝中對玻璃晶圓加工得到的熱應(yīng)力釋放凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖10為本發(fā)明實施例3的激光劃片工藝中得到的鍵合晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖11為本發(fā)明實施例3的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對頂部玻璃晶圓劃片的示意圖12為本發(fā)明實施例3的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對底部玻璃晶圓劃片的示意圖13為本發(fā)明實施例3的激光劃片工藝中利用非旋轉(zhuǎn)激光束對硅片晶圓劃片的示意
圖14為本發(fā)明實施例4的激光劃片工藝中對硅片晶圓加工得到的熱應(yīng)力釋放凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖15為本發(fā)明實施例4的激光劃片工藝中得到的鍵合晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖16為本發(fā)明實施例4的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對頂部玻璃晶圓劃片的示意圖17為本發(fā)明實施例4的激光劃片工藝中利用旋轉(zhuǎn)激光束對底部玻璃晶圓劃片的示意圖18為本發(fā)明實施例4的激光劃片工藝中利用非旋轉(zhuǎn)激光束對硅片晶圓劃片的示意
圖19為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中利用利用鍵合晶圓制作的芯片表面形貌照
片；
圖20為本發(fā)明實施例1的激光劃片工藝中利用鍵合晶圓制作的芯片的劃片切口剖面的掃描電鏡圖。圖例說明
1、玻璃晶圓；11、頂部玻璃晶圓；12、底部玻璃晶圓；2、硅片晶圓；3、熱應(yīng)力釋放凹槽； 31、頂部熱應(yīng)力釋放凹槽；32、底部熱應(yīng)力釋放凹槽；4、MEMS硅微結(jié)構(gòu)；5、鍵合接觸面；51、 頂部鍵合接觸面；52、底部鍵合接觸面；61、旋轉(zhuǎn)激光束；62、非旋轉(zhuǎn)激光束；7、劃槽。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例及附圖對本發(fā)明作進一步的說明。實施例1
如圖2所示，一種本發(fā)明的帶熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其為雙層晶圓結(jié)構(gòu)，包括相互貼合的玻璃晶圓1和硅片晶圓2，在玻璃晶圓1下表面上靠近鍵合接觸面5的一側(cè)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)開設(shè)有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，硅片晶圓2上制作有一定數(shù)量的MEMS硅微結(jié)構(gòu)4 ；本實施例中，熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)為熱應(yīng)力釋放凹槽3，其開設(shè)于靠近鍵合接觸面5的玻璃晶圓1上，熱應(yīng)力釋放凹槽3的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度，熱應(yīng)力釋放凹槽3的深度為8微米。一種激光劃片工藝，如圖1 圖4所示，具體包括以下工藝步驟
(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)如圖1所示，利用濕法腐蝕工藝在玻璃晶圓1上靠近鍵合接觸面5的一側(cè)，沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)腐蝕出熱應(yīng)力釋放凹槽3，并使熱應(yīng)力釋放凹槽 3的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度，熱應(yīng)力釋放凹槽3的深度為8微米；
(2)鍵合如圖2所示，利用鍵合工藝完成玻璃晶圓1和硅片晶圓2的鍵合，并使熱應(yīng)力釋放凹槽3與擬定的激光劃片軌跡對準，完成鍵合晶圓制作；
(3)激光劃片加工首先通過激光器發(fā)出的旋轉(zhuǎn)激光束61，在鍵合晶圓的玻璃晶圓1表面沿擬定的激光劃片軌跡進行激光劃片，進行1 3次劃片行程，直到劃穿玻璃晶圓，形成一與熱應(yīng)力釋放凹槽3相連通的劃槽7 (熱應(yīng)力釋放凹槽3的寬度大于劃槽7的寬度)，參見圖3 ；然后通過激光器發(fā)出的非旋轉(zhuǎn)激光束62，沿劃槽7對硅片晶圓2表面進行激光劃片，僅進行1次劃片行程，劃片深度以不貫穿硅片晶圓2為準，參見圖4 ；最后通過裂片方式使鍵合晶圓上的芯片分離，完成劃片工藝。劃片完成后，利用鍵合晶圓制作的芯片表面形貌照片(參見圖19)和芯片的劃片切口剖面的掃描電鏡圖(參見圖20)均可以看到，鍵合接觸面未產(chǎn)生熱致裂痕。實施例2:
如圖6所示，一種本發(fā)明的帶熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，本實施例的鍵合晶圓的結(jié)構(gòu)與實施例1基本相同，不同之處在于將熱應(yīng)力釋放凹槽3開設(shè)于硅片晶圓2上。一種激光劃片工藝，如圖5 圖8所示；本實施例的激光劃片工藝與實施例1基本相同，只在步驟(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)時有所不同，本實施例利用干法刻蝕工藝將熱應(yīng)力釋放凹槽3開設(shè)于硅片晶圓2上，參見圖5 ；再通過與實施例1相同的鍵合雙層晶圓步驟和激光劃片步驟，完成劃片工藝，參見圖6 圖8。劃片完成后，利用鍵合晶圓制作的芯片的劃片切口剖面的掃描電鏡圖和芯片表面形貌照片可以看到，鍵合接觸面未產(chǎn)生熱致裂痕。實施例3
如圖10所示，一種本發(fā)明的帶熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其為三層晶圓結(jié)構(gòu)，從上至下依次包括相互貼合的頂部玻璃晶圓11，硅片晶圓2和底部玻璃晶圓12，硅片晶圓2上制作了一定數(shù)量的MEMS硅微結(jié)構(gòu)4，頂部玻璃晶圓11上靠近頂部鍵合接觸面51的一側(cè)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)開設(shè)有頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31，硅片晶圓2位于兩片玻璃晶圓之間，底部玻璃晶圓12上靠近底部鍵合接觸面52的一側(cè)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)開設(shè)有底部熱應(yīng)力釋放凹槽32，頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31和底部熱應(yīng)力釋放凹槽32的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度，頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31和底部熱應(yīng)力釋放凹槽32的深度均為 8微米。一種激光劃片工藝，如圖9 圖13所示，具體包括以下工藝步驟
(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)如圖9所示，利用濕法腐蝕工藝，在頂部玻璃晶圓11上靠近頂部鍵合接觸面51的一側(cè)，沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)腐蝕出頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31，并使頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度，頂部熱應(yīng)力釋放凹槽 31的深度為8微米；在底部玻璃晶圓12上靠近底部鍵合接觸面52的一側(cè)，沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)腐蝕出底部熱應(yīng)力釋放凹槽32，并使底部熱應(yīng)力釋放凹槽32的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度，底部熱應(yīng)力釋放凹槽32的深度為8微米；
(2)鍵合如圖10所示，利用鍵合工藝完成頂部玻璃晶圓11、硅片晶圓2和底部玻璃晶圓12的鍵合，并使頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31、底部熱應(yīng)力釋放凹槽32均與擬定的激光劃片軌跡對準，得到鍵合晶圓；
(3)激光劃片加工首先通過激光器發(fā)出的旋轉(zhuǎn)激光束61，在鍵合晶圓的頂部玻璃晶圓11表面沿擬定的激光劃片軌跡進行激光劃片，進行1 3次劃片行程，直到劃穿頂部玻璃晶圓11，形成一與頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31相連通的劃槽7，參見圖11 ；再翻轉(zhuǎn)鍵合晶圓， 使底部玻璃晶圓12位于頂部玻璃晶圓11上方，用相同的方式在鍵合晶圓的底部玻璃晶圓 12表面沿擬定的激光劃片軌跡進行激光劃片，直到劃穿底部玻璃晶圓12，參見12 ；再次翻轉(zhuǎn)鍵合晶圓，使頂部玻璃晶圓11又位于底部玻璃晶圓12上方，通過激光器發(fā)出的非旋轉(zhuǎn)激光束62，沿頂部玻璃晶圓11上的劃槽7對硅片晶圓2表面進行激光劃片，進行1次劃片行程，劃片深度以不貫穿硅片晶圓2為準，參見13;最后對經(jīng)三次激光劃片后的三層鍵合晶圓通過裂片方式使芯片分離，完成劃片工藝。劃片完成后，利用鍵合晶圓制作的芯片的劃片切口剖面的掃描電鏡圖和芯片表面形貌照片可以看到，鍵合接觸面未產(chǎn)生熱致裂痕。實施例4
如圖15所示，一種本發(fā)明的帶熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，本實施例的鍵合晶圓與實施例3的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于將頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31和底部熱應(yīng)力釋放凹槽32 分別開設(shè)于硅片晶圓2的頂面和底面上。一種激光劃片工藝，如圖14 圖18所示；本實施例的激光劃片工藝與實施例3基本相同，只在步驟(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)時有所不同，本實施例將熱應(yīng)力釋放凹槽3頂部熱應(yīng)力釋放凹槽31和底部熱應(yīng)力釋放凹槽32分別開設(shè)于硅片晶圓2的頂面和底面上，參見圖14 ；再通過與實施例3相同的鍵合三層晶圓步驟和激光劃片步驟，完成劃片工藝，參見圖15 圖18。劃片完成后，利用鍵合晶圓制作的芯片的劃片切口剖面的掃描電鏡圖和芯片表面形貌照片可以看到鍵合接觸面未產(chǎn)生熱致裂痕。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進和潤飾，均應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，包括相互貼合的玻璃晶圓和硅片晶圓，其特征在于所述鍵合晶圓的鍵合接觸面附近開設(shè)有用于激光劃片的熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，所述熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其特征在于所述熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)為熱應(yīng)力釋放凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其特征在于所述熱應(yīng)力釋放凹槽開設(shè)于靠近所述鍵合接觸面的玻璃晶圓和/或硅片晶圓上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其特征在于所述熱應(yīng)力釋放凹槽的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度；所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度為微米級。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，其特征在于所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度為5微米 10微米。
6.一種激光劃片工藝，包括以下步驟(1)加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)利用濕法腐蝕工藝或者干法刻蝕工藝，在一硅片晶圓和/或一玻璃晶圓上靠近鍵合接觸面的一側(cè)開設(shè)熱應(yīng)力釋放凹槽，并使所述熱應(yīng)力釋放凹槽沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)布置；(2)鍵合利用鍵合工藝完成所述的硅片晶圓和玻璃晶圓的鍵合，得到鍵合晶圓；(3)激光劃片加工先用旋轉(zhuǎn)激光束在所述鍵合晶圓的玻璃晶圓表面沿擬定的激光劃片軌跡進行激光劃片，劃穿后形成一與所述熱應(yīng)力釋放凹槽相連通的劃槽；然后用非旋轉(zhuǎn)激光束沿所述劃槽對硅片晶圓表面進行激光劃片；最后通過裂片方式使鍵合晶圓上的芯片分離，完成劃片工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光劃片工藝，其特征在于用旋轉(zhuǎn)激光束在對玻璃晶圓進行激光劃片過程中，所述旋轉(zhuǎn)激光束沿擬定的激光劃片軌跡完成多次的激光劃片行程；用非旋轉(zhuǎn)激光束在對硅片晶圓進行激光劃片過程中，所述非旋轉(zhuǎn)激光束沿擬定的激光劃片軌跡完成一次激光劃片行程。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的激光劃片工藝，其特征在于所述熱應(yīng)力釋放凹槽的寬度大于擬定的激光劃片軌跡的寬度；所述熱應(yīng)力釋放凹槽的深度為微米級。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶有熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的鍵合晶圓，包括相互貼合的玻璃晶圓和硅片晶圓，鍵合晶圓的鍵合接觸面附近開設(shè)有用于激光劃片的熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)，熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)沿擬定的激光劃片軌跡對應(yīng)設(shè)置；本發(fā)明的鍵合晶圓的應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)可防止劃片軌跡附近原來鍵合的區(qū)域裂開，可提高鍵合晶圓的激光劃片成品率，降低劃片成本；本發(fā)明還公開了一種激光劃片工藝，包括加工熱應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)、鍵合晶圓和激光劃片加工等工藝步驟；本發(fā)明的激光劃片工藝，能有效釋放激光劃片過程中的熱應(yīng)力，從而抑制鍵合接觸面的熱致裂痕，使鍵合接觸面的力學性能得到大幅提高，有利于MEMS芯片性能的提升，同時工藝簡單成熟，能夠保證較低的成本和較高的成品率。
文檔編號B23K26/40GK102285624SQ20111014861
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者侯占強, 吳學忠, 周澤龍, 張旭, 肖定邦, 胡小平, 陳志華 申請人:中國人民解放軍國防科學技術(shù)大學