專利名稱：具有底面電極的部件的拆除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中所討論的實施方式涉及具有底面電極的部件的拆除方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子部件高度集成并且在其內(nèi)合并高級功能，諸如球柵陣列(BGA Ball Grid Array)等的底面電極已經(jīng)廣泛用于電子部件。此外，已知這樣一種技術(shù)該技術(shù)通過用樹脂等填充電子部件和基板之間的間隙以通過接合到基板來固定電子部件，來改善電子部件的工作穩(wěn)定性。進(jìn)一步地，由于服務(wù)器或主干裝置昂貴，因此在具有底面電極的部件(諸如，BGA 和電源模塊)中，在需要版本更新、發(fā)現(xiàn)部件的缺點、出現(xiàn)安裝錯誤等時，需要對部件單元進(jìn)行分析，然后再利用，而不是丟棄。由于這個原因，需要執(zhí)行從服務(wù)器或主干裝置拆除該部件并且附接新部件的一些操作。在具有底面電極的部件中，連接部可以在使用烙鐵進(jìn)行直接加熱下不熔化。因此， 以下述的方式從基板拆除該部件或向基板附接該部件通過熱風(fēng)型再加工裝置來加熱整個部件或基板，使得向部件的底表面的接合部施加與焊料的熔點相對應(yīng)或大于焊料的熔點的熱量，以使接合部熔化。為了使接合部熔化，Srfb基焊料需要加熱到190°C以上，而SAC基焊料需要加熱到225°C以上。相關(guān)技術(shù)的示例包括日本特開專利公報特開平10-163270、日本特開專利公報No. 2003-246828、日本特開專利公報特開平11-168156、和日本特開專利公報 No. 2006-019452。在電極部件中，為了確保電子部件的工作，將耐受次數(shù)(在預(yù)定溫度或更高溫度加熱電子部件的情況的允許次數(shù))設(shè)置為耐熱次數(shù)。例如，當(dāng)電子部件的耐熱次數(shù)是2時， 在相關(guān)技術(shù)中，在最初附接電子部件時發(fā)生第一次熱損傷，而在拆除該電子部件時發(fā)生第二次熱損傷。當(dāng)將拆除后的部件再次附接到基板時，發(fā)生第三次熱損傷，這就超過了耐熱次數(shù)。進(jìn)一步地，當(dāng)具有底面電極的電子部件安裝在基板上并且通過熱風(fēng)型再加工裝置將該部件附接到基板或從基板拆除時，令人擔(dān)心的是當(dāng)對象電子部件和相鄰電子部件之間的間隙狹窄時，可以對相鄰部件產(chǎn)生熱影響。當(dāng)為了防止相鄰電子部件被熱損傷而加寬部件之間的間隙時，可能妨礙高密度安裝。具體地，已經(jīng)要求接合部無鉛。進(jìn)一步地，在BGA中，用具有大約225°C的熔點的 SAC代替具有大約190°C的熔點的共晶體，因此焊料的熔點增加了大約35°C。過去，在通過加熱到大約190°C來安裝或拆除電子部件的前提下，設(shè)計部件之間的間隙，以防止相鄰部件被熱損傷。但是，隨著焊料的熔點變高，安裝或拆除電子部件時使用的熱風(fēng)溫度變高。進(jìn)一步地，隨著加熱時間變長，相鄰部件變得更會受到熱影響。當(dāng)根據(jù)對SAC的代替而改變基板內(nèi)部件的布局設(shè)計時，存在的問題是由于重新設(shè)計使制造成本增加、或者部件的安裝密度降低。
因此，本發(fā)明的實施方式的一個方面的目的是提供一種具有底面電極的部件的拆除方法。當(dāng)從基板拆除該部件時，該方法抑制了該部件被熱損傷。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的一個方面，一種具有底面電極的部件的拆除方法包括 填充步驟，用傳熱材料來填充基板和通過底面電極焊接到基板的部件之間的間隙；加熱步驟，對傳熱材料和底面電極進(jìn)行加熱；以及拆除步驟，從基板拆除該部件。


圖1是示出了根據(jù)一個實施方式的底面電極型部件的拆除方法的示例性圖；圖2是示出了使用圖1中所示的鎳鉻線的加熱操作的示例性圖；圖3是示出了利用回流裝置拆除和安裝底面電極部件的操作的比較例的示例性圖；圖4是示出了小型電子部件的拆除操作的比較例的示例性圖；圖5是示出了小型電子部件的再安裝操作的比較例的示例性圖；圖6是示出了根據(jù)實施方式的利用回流拆除底面電極部件的操作的示例性圖；圖7是示出了傳熱材料的填充操作的示例性圖；圖8是示出了從具有通孔的基板拆除底面電極部件的操作的(第一)示例性圖；圖9是示出了從具有通孔的基板拆除底面電極部件的操作的(第二)示例性圖；圖10是示出了從具有通孔的基板拆除底面電極部件的操作的(第三)示例性圖；圖11是示出了 BGA和傳熱材料之間的混合的示例性圖；以及圖12是示出了混合焊料的熔點的示例性圖。
具體實施例方式下文中，將參照

本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明不限于下面的詳細(xì)實施方式。圖1是示出了根據(jù)一個實施方式的具有底面電極的部件的拆除方法的示例性圖。 如圖1所示，在最初步驟SlO中，具有BGA 31的底面電極部件(具有底面電極的部件)21 附接到基板10。在根據(jù)該實施方式的具有底面電極的部件的拆除方法中，在步驟Sll中，傳熱材料41填充在底面電極部件21和基板10之間的間隙。接著，在步驟S12中，對傳熱材料41 和充當(dāng)?shù)酌骐姌O的BGA 31進(jìn)行加熱。在步驟S13中，通過加熱使傳熱材料41和BGA 31熔化，使得從基板10拆除底面電極部件21。低熔點焊料可以用作傳熱材料41，其中，低熔點焊料的熔點比BGA 31的熔點低。 進(jìn)一步地，在對傳熱材料41和BGA 31進(jìn)行加熱的步驟中，例如，使充當(dāng)加熱構(gòu)件的鎳鉻線 51與傳熱材料41和BGA 31成為一體的區(qū)域接觸，使得通過熱傳遞來對該區(qū)域進(jìn)行加熱。圖2是示出了利用鎳鉻線51的加熱操作的示例性圖。在附圖中例示出的示例中， 在基板上設(shè)置底面電極部件21至27。底面電極部件22、23和沈在底面電極部件21的四個邊中的三個邊與底面電極部件21相鄰。底面電極部件21的一個邊具有額外的安裝區(qū)域。對鎳鉻線51進(jìn)行加熱的加熱裝置50設(shè)置在具有額外安裝區(qū)域的剩余邊上，并且通過使熱傳遞材料41與BGA 31成為一體而形成的區(qū)域被鎳鉻線51包圍并且被加熱，使得對底面電極部件21進(jìn)行加熱。通過鎳鉻線51的熱傳遞來執(zhí)行加熱，即使當(dāng)?shù)酌骐姌O部件22、23和沈各個與底面電極部件21之間的間隙是大約Imm至3mm時，也可以拆除底面電極部件21，而未對底面電極部件22、23和沈造成熱損傷。進(jìn)一步地，由于對電極部分進(jìn)行局部加熱，因此可以抑制對底面電極部件21的熱損傷。圖3是示出了利用回流裝置拆除和安裝底面電極部件的操作的比較例的示例性圖。在圖3中所示的示例中，考慮到再加工時相鄰部件之間的熱影響，大型底面電極部件和小型底面電極部件都設(shè)計為具有間隙，并且各底面電極部件的耐熱次數(shù)被設(shè)置為2。對于普通電子部件的保證，耐熱150°C或更小，并且150°C以上的耐熱次數(shù)(熱計數(shù))是2或更小。在圖3中所示的步驟S21中，在通過回流裝置60來罩住大型底面電極部件觀的同時，臂部61接觸大型底面電極部件28，并且向底面電極部件28吹熱風(fēng)，以熔化BGA。為了將BGA的接合部加熱到230°C并且使其熔化，除了回流裝置60，在基板10的相對側(cè)附加設(shè)置回流裝置62，并且通過加熱板63來加熱整個基板10。此時，從回流裝置60和62吹出的熱風(fēng)Al和A2的溫度大致等于300°C。在步驟S21中所示的構(gòu)造中，在底面電極部件28和各相鄰底面電極部件23和M 之間設(shè)置IOmm以上的間隙。當(dāng)在間隙中設(shè)置阻擋從回流裝置60吹出的熱風(fēng)的防風(fēng)構(gòu)件64 時，可以防止底面電極部件23和M受到用于拆除底面電極部件觀的熱的影響。但是，在部件之間的間隙被設(shè)置得大并且在間隙中設(shè)置防風(fēng)構(gòu)件64的設(shè)計中，降低了安裝密度。進(jìn)一步地，由于與該部件的耐熱相對應(yīng)的熱風(fēng)或超過該部件熱耐的熱風(fēng)施加到底面電極部件28，因此存在由于底面電極部件觀的損壞而可能難以進(jìn)行故障分析等的可能性。在步驟S22中例示出的構(gòu)造中，底面電極部件28和各個底面電極部件23和對之間的間隙被設(shè)置得小，并且提高了安裝密度。在步驟S22中例示的構(gòu)造中，當(dāng)拆除底面電極部件觀時，在底面電極部件23和M中發(fā)生熱損傷。由于在附接底面電極部件23和M時在底面電極部件23和M中出現(xiàn)一次熱損傷，因此當(dāng)從基板拆除底面電極部件觀時，在底面電極部件23和M中出現(xiàn)熱損傷的情況的次數(shù)變?yōu)?。因此，當(dāng)在拆除底面電極部件觀之后，新的底面電極部件附接到基板時，在底面電極部件23和M中出現(xiàn)熱損傷的情況的總次數(shù)變?yōu)?，由此存在底面電極部件23和M被破壞的可能性。通過回流裝置單獨加熱諸如底面電極部件觀等的大型電子部件。但是，在小型電子部件的情況下，可以通過回流裝置同時加熱多個電子部件。圖4和圖5是示出了小型電子部件的拆除操作和安裝操作的比較例的示例性圖。 進(jìn)一步地，在圖4和圖5中，未示出回流裝置62或加熱板63，并且不重復(fù)其描述。在圖4中所示的步驟S31中，按照底面電極部件22、底面電極部件21和底面電極部件23的順序，在基板10上安裝小型底面電極部件21至23。在安裝操作時，在底面電極部件21至23中出現(xiàn)一次熱損傷。當(dāng)拆除底面電極部件21時，在通過回流裝置60罩住底面電極部件21至23的同時，臂部61接觸底面電極部件21，并且通過熱風(fēng)Al使BGA 31熔化，以拆除底面電極部件21(步驟 S32)。結(jié)果，如在步驟S33中所示，拆除了底面電極部件21，并且在底面電極部件22和 23中出現(xiàn)熱損傷的情況的次數(shù)變?yōu)?。如圖5所示，在步驟S34中，新的底面電極部件四裝載在底面電極部件22和23 之間，并且在通過回流裝置60罩住底面電極部件22、23和四的同時，通過熱風(fēng)A3加熱BGA 并且使其熔化，由此底面電極部件四安裝到基板上。結(jié)果，如步驟S35中所示，在底面電極部件22和23中出現(xiàn)熱損傷的情況的總次數(shù)變?yōu)?，由此存在底面電極部件被破壞的可能性。同樣地，在如比較例所示的底面電極部件拆除方法中，再一次出現(xiàn)對相鄰部件的熱損傷。普通部件對于回流的耐熱次數(shù)是2。因為由于在組裝時的回流被計為一次熱損傷， 因此剩余的耐熱次數(shù)是1。當(dāng)如比較例中，由于再加工(拆除)對相鄰部件施加了第二次熱損傷時，在下一次組件安裝操作時，出現(xiàn)第三次熱損傷。當(dāng)為了避免出現(xiàn)熱損傷而保證部件之間的間隙為IOmm以上時，組件的高密度被降低。進(jìn)一步地，將共晶體球的BGA部件之間的間隙設(shè)計為最小是10mm。但是，當(dāng)為了無鉛而用SAC代替共晶體時，改變設(shè)計，使得由于在針對共晶體的設(shè)計中可能無法避免出現(xiàn)對相鄰部件的熱損傷，因此增大間隙。接著，關(guān)于拆除后的部件，如果在拆除時出現(xiàn)熱損傷，則其導(dǎo)致經(jīng)受兩次熱損傷， 即，在安裝時和拆除時，由此拆除后的部件被損壞。因此，拆除后的部件可能無法被分析并無法被再利用。作為示例，BGA的耐熱可以確保在大約240°C至260°C的范圍中。當(dāng)為了通過使用回流裝置在230°C (作為BGA接合部的熔化溫度)拆除BGA接合部而向BGA的頂部吹300°C 以上的熱風(fēng)時，BGA中部件的溫度變?yōu)?60°C以上，使得BGA中的部件被破壞。與比較例相反，在本實施方式中所公開的方法中，將低熔點焊料(如，焊料粉、焊料糊或熔化焊料)注入到作為拆除對象的底面電極部件的接合部的間隙，使得BGA的球體之間短路，并且接合部的周圍被加熱元件包圍。當(dāng)直接加熱接合部時，可以拆除該底面電極部件，而沒有對相鄰部件造成熱影響。此外，當(dāng)直接加熱接合部時，抑制了底面電極部件的內(nèi)部元件的溫度升高，由此可以防止內(nèi)部元件的損壞。即，在本文中所公開的方法中，不僅可以避免出現(xiàn)對對象部件的熱損傷而且可以避免出現(xiàn)對相鄰部件的熱損傷。進(jìn)一步地，部件之間的間隙可以實現(xiàn)在大約 1至大約3mm的范圍中。為此，可以實現(xiàn)安裝密度的提高，并且通過使用SAC作為現(xiàn)有設(shè)計中的焊料可以實現(xiàn)無鉛。進(jìn)一步地，由于通過使用熔點比BGA 31的熔點低的低熔點焊料作為傳熱材料41 使焊料與BGA 31的接合部混合，因此可以降低拆除時的加熱溫度。將描述由焊料的混合所造成的熔點變化。原子的移動隨著溫度升高而變得更容易，并且出現(xiàn)擴(kuò)散現(xiàn)象。擴(kuò)散的速度和量由溫度和時間決定。當(dāng)不同種類的金屬互相物理接觸時，出現(xiàn)不同種類的金屬原子朝向彼此移動的相互擴(kuò)散現(xiàn)象。即使當(dāng)金屬處于固態(tài)時也出現(xiàn)擴(kuò)散現(xiàn)象。這被稱為固相擴(kuò)散。接著，當(dāng)金屬的溫度達(dá)到多種金屬中一種金屬的熔點該金屬變?yōu)橐簯B(tài)時，出現(xiàn)擴(kuò)散速度比固相擴(kuò)散速度快的液相擴(kuò)散。當(dāng)在金屬之間的接觸部出現(xiàn)液相擴(kuò)散時，金屬原子互相混合，并且金屬在合金成分的熔點熔化的狀態(tài)迅速擴(kuò)大。結(jié)果，即使具有高熔點的金屬也在更低溫度變?yōu)橐簯B(tài)，因此金屬在大致低熔點的熔化狀態(tài)下互相成為一體。因此，當(dāng)通過使用熔點比BGA 31的熔點低的低熔點焊料作為傳熱材料41來加熱接合部時，可以在BGA 31和傳熱材料41的合金熔點拆除底面電極部件21，其中，合金的熔點比BGA 31的熔點低。因此，如上所述，加熱方法不限于使用鎳鉻線51等的熱傳遞，并且即使當(dāng)使用回流時，也可以抑制在底面電極部件的拆除操作時出現(xiàn)熱損傷。圖6是示出了根據(jù)實施方式的通過回流拆除底面電極部件的操作的示例性圖。在圖6的示例中，將描述在以底面電極部件22、底面電極部件21和底面電極部件 23的順序在基板10上安裝底面電極部件21至23的同時，拆除底面電極部件21的情況。首先，步驟S41中，傳熱材料41填充基板10和充當(dāng)拆除對象的底面電極部件21 之間的間隙。接著，步驟S42中，在通過回流裝置60罩住底面電極部件21至23的同時，臂部61接觸底面電極部件21，并且通過熱風(fēng)Al來加熱BGA 31和傳熱材料41，并且使它們?nèi)刍?，以拆除底面電極部件21。拆除加熱溫度可以被設(shè)置為這樣的溫度在該溫度底面電極部件21至23沒有由于BGA31的熔點通過與傳熱材料41的混合而降低的原因而被熱損傷。為此，在步驟S43中拆除底面電極部件21之后，在底面電極部件22和23中出現(xiàn)熱損傷的情況的次數(shù)是1。進(jìn)一步地，即使在拆除的底面電極部件21中出現(xiàn)熱損傷的情況的次數(shù)也是1。因此，即使當(dāng)?shù)酌骐姌O部件22和23之間安裝新部件時，可以確保底面電極部件22和23的操作。以相同的方式，甚至拆除的底面電極部件21也可以被分析并且被再利用。進(jìn)一步地，使用鎳鉻線51等的熱傳遞進(jìn)行加熱、使用回流裝置60和62的熱風(fēng)進(jìn)行加熱和使用加熱板63進(jìn)行加熱可以組合使用。例如，通過回流裝置60和62以及加熱板 63在部件確保溫度，例如，150°C以下，對整個單元進(jìn)行加熱。因此，注入到底面電極部件21 和基板10之間的間隙的低熔點焊料熔化，并且使整個BGA接合部一體化。接著，通過鎳鉻線51進(jìn)一步直接加熱通過低熔點焊料一體化的接合部。此時，將鎳鉻線51加熱到例如大約200°C。通過加熱，低熔點焊料的溫度升高，并且使BGA31的焊料球熔化。當(dāng)由于BGA 31的焊料球的熔化使接合部的整個區(qū)域熔化時，可以拆除底面電極部件21。進(jìn)一步地，在使用SrHn作為低熔點焊料時，通過將該低熔點焊料與BGA31的焊料球混合而獲得的熔點大約是155°C，而在使用SnBi作為低熔點焊料時，通過將該低熔點焊料與BGA 31的焊料球混合而獲得的熔點是大約170°C。在拆除底面電極部件21之后，拆除殘留在接合部中的焊料，并且清潔接合部。之后，可以通過普通的再加工方法來安裝新的電子部件。圖7是示出了傳熱材料41的填充操作的示例性圖。關(guān)于傳熱材料41，如圖7所示，例如，通過注入器40可以注入糊狀的低熔點焊料。進(jìn)一步地，當(dāng)基板具有穿孔(即，通孔)時，可以通過通孔注入傳熱材料41。圖8、圖9和圖10是示出了從具有通孔的基板拆除底面電極部件的操作的示例性圖。首先，如圖8中的步驟S51中所示，上面安裝有底面電極部件21的基板11具有在BGA 31的焊盤之間形成的通孔12。
步驟S51中，線狀焊料42繞在底面電極部件21的BGA 31的接合部周圍，并且阻擋基板11和BGA 31之間的間隙，以防止將要描述的焊料粉43的泄露。期望線狀焊料42 的熔點等于或低于BGA 31的熔點，例如，諸如具有大約150°C的熔點的銦焊料等的低熔點焊料。隨后，在步驟S52中，兩邊或四邊形成有爪部71并且內(nèi)置有加熱器72的加熱夾具 70與底面電極部件21的上部緊密接觸，并且爪部71在設(shè)置在底面電極部件21的接合部的間隙中的同時鉤住底面電極部件21的接合部，以按壓并且固定線狀焊料42。進(jìn)一步地，加熱夾具70可以具有例如，陶瓷加熱器等。接著，在步驟S53中，基板11設(shè)置為使得圖9的底面電極部件21的下側(cè)面向重力方向，并且通過通孔12向BGA 31注入焊料43。通過使用例如，漏斗形工具可以注入焊料粉 43。進(jìn)一步地，期望甚至焊料粉43也是如線狀焊料42的、具有150°C以下熔點的低熔點焊料。隨后，以可以確保部件或基板的耐熱沒有任何問題的溫度(如，大約150°C )，通過設(shè)置在底面電極部件21的相反側(cè)上的加熱板65來加熱基板11，并且將加熱夾具70的爪部 71加熱到BGA 31的熔點以上，例如，225°C以上(S54)。通過加熱，如圖10所示，在BGA 31的接合部中填充的低熔點焊料(線狀焊料42 和焊料粉4 在大約150°C熔化，并且BGA 31的球體互相連接。由于焊料和球體彼此成為一體，因此可以均勻且高效地加熱BGA 31。接著，步驟S55，當(dāng)BGA 31達(dá)到熔點時，BGA 31 和低熔點焊料變?yōu)榛旌虾噶?4，并且通過加熱夾具70的自身重量使底面電極部件21落下。 由此，可以不對相鄰部件或基板造成熱影響地拆除底面電極部件21。進(jìn)一步地，本文中已經(jīng)描述了通過重力拆除底面電極部件21的情況。但是，例如， 可以在加熱夾具70中設(shè)置彈性體等，并且可以沿著從基板11拆除底面電極部件的方向，向底面電極部件21施加力。圖11是示出了 BGA和傳熱材料的混合的示例性圖。在圖11中所示的示例中，底面電極部件21的BGA 31的球體的直徑和高度是0. 4mm，并且BGA 31的球體的節(jié)距是1mm。在這種情況下，BGA 31的接合部的體積是0. 05024mm3,并且傳熱材料41的體積是0. 34976mm3。 熔化后的傳熱材料41的體積是0. 20986mm3,這是0. 34976mm3的60%。因此，熔化之后的體積比如下。BGA 31 的接合部傳熱材料 41 = 0. 05 0. 20 = 1 4。圖12是示出了混合焊料的熔點的示例性圖。當(dāng)SAC焊料用作BGA 31并且SrHn 用作傳熱材料41時，獲得體積比，使得SAC是20. 000%而SrHn是80. 000%,并且獲得質(zhì)量比，使得 SAC 是 19. 838%，而 SrHn 是 80. 162%。關(guān)于元素質(zhì)量密度[g/cm3]和混合成分比]，錫(Sn)的元素質(zhì)量密度[g/ cm3]和混合成分比[wt% ]是7. 28g/cm3和60. 828wt%，而銀(Ag)的元素質(zhì)量密度[g/cm3] 和混合成分比[wt% ]是10. 49g/cm3和0. 595wt%0接著，銅(Cu)的元素質(zhì)量密度[g/cm3] 和混合成分比[wt% ]是8. 92g/cm3和0. 099wt%，而銦(In)的元素質(zhì)量密度[g/cm3]和混合成分比[wt% ]是7. ^g/cm3和38. 478wt%。由于Sn_48In的共晶熔點是117°C，因此根據(jù)Sn-In 二維相圖推斷的液相溫度是155°C。當(dāng)SAC焊料用作BGA 31并且SnBi用作傳熱材料41時，獲得體積比，使得SAC是20. 000 %而SnBi是80. 000 %，并且獲得質(zhì)量比，使得SAC是22. 532 %而SnBi是77. 468 %。關(guān)于元素質(zhì)量密度[g/cm3]和混合成分比]，錫(Sn)的元素質(zhì)量密度[g/ cm3]和混合成分比[wt% ]是7. 28g/cm3和54. 280wt%，而銀(Ag)的元素質(zhì)量密度[g/cm3] 和混合成分比[wt% ]是10. 49g/cm3和0. 676wt%0接著，銅(Cu)的元素質(zhì)量密度[g/cm3] 和混合成分比[wt% ]是8. 92g/cm3和0. 113wt%，而鉍(Bi)的元素質(zhì)量密度[g/cm3]和混合成分比[wt% ]是9. 8g/cm3和44. 931wt%。由于Sn_58Bi的共晶熔點是139°C，因此根據(jù)Sn-Bi 二維相圖推斷的液相溫度是170°C。如上所述，根據(jù)該實施方式的具有底面電極的部件的拆除方法以這樣的方式執(zhí)行用傳熱材料填充基板和通過底面電極焊接到基板的底面電極部件之間的間隙，并且傳熱材料和底面電極彼此成為一體并且被加熱，以從基板被拆除。由于這個原因，拆除對象部件可以被拆除，而沒有在拆除對象部件或相鄰部件中出現(xiàn)熱損傷，并且可以更換、再使用以及分析該部件。進(jìn)一步地，因為提高了該部件的安裝密度，因此可以不用由于無鉛而改變設(shè)計。進(jìn)一步地，該實施方式僅是示例，并且可以適當(dāng)修改具有底面電極的部件的種類或形狀、電極的材料或形狀、傳熱材料的材料、加熱方法等。在本發(fā)明中公開的具有底面電極的部件的拆除方法具有的優(yōu)點是提供了一種能夠拆除具有底面電極的部件的方法，該方法抑制了對電子部件的熱損傷。
權(quán)利要求
1.一種具有底面電極的部件的拆除方法，該拆除方法包括以下步驟填充步驟，用傳熱材料填充基板和通過所述底面電極焊接到所述基板上的所述部件之間的間隙；加熱步驟，對所述傳熱材料和所述底面電極進(jìn)行加熱；以及拆除步驟，從所述基板拆除所述部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有底面電極的部件的拆除方法，其中，所述傳熱材料由熔點比所述底面電極的熔點低的焊料材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有底面電極的部件的拆除方法，其中，使用加熱構(gòu)件來執(zhí)行所述加熱步驟，該加熱構(gòu)件在與所述傳熱材料和所述底面電極成為一體的區(qū)域接觸的同時，通過熱傳遞對該區(qū)域進(jìn)行加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有底面電極的部件的拆除方法， 其中，所述加熱構(gòu)件包括被構(gòu)造為保持所述部件的爪部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有底面電極的部件的拆除方法， 其中，由所述爪部通過熱傳遞對所述區(qū)域進(jìn)行加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有底面電極的部件的拆除方法， 其中，沿著從所述基板拆除所述部件的方向，向所述部件施加力。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有底面電極的部件的拆除方法， 其中，所述基板設(shè)置有通孔，并且所述傳熱材料通過所述通孔填充到所述間隙中。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有底面電極的部件的拆除方法。在最初狀態(tài)中，具有諸如BGA的底面電極的部件附接到基板。使諸如低熔點焊料的傳熱材料填充在基板和具有底面電極的部件之間的間隙，并且加熱所述傳熱材料和充當(dāng)?shù)酌骐姌O的BGA。通過加熱使傳熱材料和BGA熔化，使得從基板拆除具有底面電極的部件。
文檔編號B23K1/018GK102208357SQ20111004817
公開日2011年10月5日 申請日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者山本剛, 高田理映 申請人:富士通株式會社