專利名稱：銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊裝置。
背景技術(shù)：
銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光器件廣泛的用于全色大屏幕顯示、交通信號(hào)燈、背光 源、固體照明等。銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光材料常用的襯底材料是藍(lán)寶石、碳化硅 和硅等材料。將原始襯底上生長的銦鎵鋁氮薄膜做成發(fā)光器件時(shí)，會(huì)存在以下 缺點(diǎn)發(fā)光材料利用率低、散熱差、P型透明導(dǎo)電層對光有一定的吸收作用，因
而對器件的光電性能存在一定的影響。利用外延片壓焊(waferbonding)和濕法 剝離或激光剝離相結(jié)合的技術(shù)將原始襯底上生長的銦鎵鋁氮薄膜轉(zhuǎn)移到新襯底 上制備上下電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，將可以改善出光效率、提高芯片利用率和降 低LED的串連電阻。所以，近年來銦鎵鋁氮外延片的壓焊(wafer bonding)技 術(shù)被廣泛采用。
目前的銦鎵鋁氮外延片的壓焊(又稱為倒裝焊) 一般采用Au或AuSn等塑 性比較好或熔點(diǎn)比較低的金屬作為壓焊金屬，加熱方式一般采用傳導(dǎo)加熱方式， 即加熱方式是熱阻加熱。要實(shí)現(xiàn)外延片的壓焊一般需要在一定的溫度和壓力情 況下完成，加熱器要同時(shí)承擔(dān)傳遞壓力和傳遞溫度的作用，所以目前外延片壓 焊的加熱器多半采用具有一定強(qiáng)度和厚度的金屬制作。然而金屬比熱容較大， 所以它的升溫速率慢、升溫時(shí)間長，這使得壓焊金屬容易擴(kuò)散到GaN的表面破 壞外延片的歐姆接觸性能。對于降溫，如果采用氣體冷卻或液體冷卻會(huì)使得金 屬加熱器產(chǎn)生很大的內(nèi)應(yīng)力，引起變形；如果不采用氣體冷卻或液體冷卻，則 降溫時(shí)間會(huì)很長，它不但影響歐姆接觸，而且影響生產(chǎn)效率。金屬加熱器反復(fù)加熱會(huì)引起熱疲勞使得加熱器變形和產(chǎn)生裂紋。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié) 構(gòu)，該倒裝焊結(jié)構(gòu)不需要通過熱阻加熱方式給壓悍金屬加熱，可以防止熱阻加 熱方式中的壓焊金屬由于熱擴(kuò)散而影響外延片的歐姆接觸性能，該倒裝焊結(jié)構(gòu) 可最大程度的避免熱阻加熱方式給外延片造成的品質(zhì)劣化。
為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案 一種半導(dǎo)體外延 片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，包括對外延片和基板施加壓力的夾合裝置、通過將外延片和 基板之間的金屬焊料融化來焊接外延片和基板的加熱裝置；所述夾合裝置包括 兩個(gè)夾合構(gòu)件，兩個(gè)夾合構(gòu)件之間形成焊接外延片和基板的工作臺(tái)，所述加熱 裝置為通過電磁感應(yīng)來加熱所述壓焊金屬的電磁線圈，所述電磁線圈設(shè)于所述 工作臺(tái)上或工作臺(tái)外圍。
所述兩個(gè)夾合構(gòu)件包括與外延片和基板接觸的接觸部位，所述接觸部位最 好為比熱容小于中碳鋼的非金屬材料。所述比熱容小于中碳鋼的非金屬材料可 以為絕緣體或者半導(dǎo)體。絕緣體則優(yōu)選為陶瓷或石英材料。比熱容小有利于將 外延片上的熱量傳導(dǎo)出去，可以更好的防止外延片過熱，有利于提高外延片的 加工質(zhì)量。選擇陶瓷和石英是出于成本和取材難易程度上的考慮，另外，除了 陶瓷和石英以外，還可以采用其它的材料，諸如巖石、有機(jī)絕緣體甚至具有特 殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，當(dāng)然不是所有半導(dǎo)體材料都合適本實(shí)用新型，只有產(chǎn)生 渦流熱效應(yīng)不明顯的半導(dǎo)體材料才可以適合本實(shí)用新型。
優(yōu)選地所述倒裝焊結(jié)構(gòu)還包括對外延片和基板進(jìn)行定位的定位裝置，定 位裝置設(shè)于所述工作臺(tái)上。在手工將外延片置于工作臺(tái)上的時(shí)候，外延片和基 板需要進(jìn)行準(zhǔn)確無誤的位置對接，所述定位裝置可以很好的幫助工作人員進(jìn)行外延片和基板焊接面的對接。當(dāng)然，外延片和基板也可以采用電腦自控方式對 接，即讓機(jī)械手通過電腦精確的計(jì)算和控制輔以感應(yīng)器的定位來實(shí)現(xiàn)外延片和 基板的對接。
優(yōu)選地所述電磁線圈為盤繞在所述夾合裝置外圍的圓柱狀線圈，或者為 設(shè)于所述工作臺(tái)外圍的平面狀線圈。圓柱形線圈纏繞在工作臺(tái)外圍，將工作臺(tái) 環(huán)繞其中，這種結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生良好的加熱效果。另外，電磁線圈還可以為平面 狀線圈，其設(shè)在諸如承壓構(gòu)件下方，使電磁線圈發(fā)出的電磁場穿過工作臺(tái)區(qū)域， 也可以實(shí)現(xiàn)良好的加熱效果。當(dāng)然，這種平面狀的電磁線圈還可以設(shè)于承壓構(gòu) 件或施壓構(gòu)件內(nèi)部。
優(yōu)選地所述電磁線圈為設(shè)有冷卻液體和氣體通道的空心線圈。在使用電 磁加熱過程中，會(huì)產(chǎn)生大量的熱能，當(dāng)需要焊熔較高熔點(diǎn)的金屬或合金的時(shí)候， 為了保證電磁線圈的正常工作，需要對電磁線圈進(jìn)行冷卻。使用空心的電磁線 圈，讓冷卻液和冷卻氣體在線圈中流動(dòng)，帶走產(chǎn)生的熱量可以實(shí)現(xiàn)良好的散熱 效果。另外，除了使用這種空心線圈結(jié)構(gòu)外，還可以管外冷卻的方式冷卻線圈。
優(yōu)選地所述夾合裝置及其工作臺(tái)設(shè)于真空裝置內(nèi)。真空環(huán)境可以使整個(gè) 倒封裝工藝出于無塵的工作環(huán)境下，有利于提高外延片的加工質(zhì)量。另外也可 以出于成本考慮將夾合裝置置于空氣中，使整個(gè)工作環(huán)境置于自然條件下。
優(yōu)選地所述電磁線圈設(shè)于所述真空裝置外部，所述真空裝置接近所述電 磁線圈部位為比熱容小于中碳鋼的非金屬材料。比熱容小于中碳鋼的非金屬材 料可以有效避免電磁線圈在真空裝置的該部位上產(chǎn)生熱量，進(jìn)而造成不必要的 高溫環(huán)境和電能的浪費(fèi)。
優(yōu)選地所述夾合裝置包括一個(gè)施壓構(gòu)件和一個(gè)承壓構(gòu)件，所述施壓構(gòu)件 與一個(gè)萬向節(jié)連接。設(shè)置萬向節(jié)結(jié)構(gòu)是為了時(shí)外延片上可以獲得均勻的壓力。承壓片此時(shí)是固定不動(dòng)的。
優(yōu)選地所述定位裝置包括一個(gè)環(huán)繞設(shè)在所述工作臺(tái)周圍、對外延片和基 板進(jìn)行水平定位的定位環(huán)。定位環(huán)可以使外延片和基板上的壓焊金屬位置準(zhǔn)確的對準(zhǔn)。
優(yōu)選地所述定位裝置還包括對外延片和基板進(jìn)行上下定位的、比熱容小 于中碳鋼的絕緣定位盤；所述定位盤包括一個(gè)與所述兩個(gè)夾合機(jī)構(gòu)中任一個(gè)接 觸的單盤，或兩個(gè)分別與所述兩個(gè)夾合機(jī)構(gòu)接觸的上定位盤和下定位盤。定位 盤可以適應(yīng)有較厚焊接體的情況，使外延片和基板在上下方向上，在焊接前可 以緊密接觸，防止外延片相對轉(zhuǎn)動(dòng)，給手工操作帶來方便。
優(yōu)選地所述兩個(gè)夾合構(gòu)件中至少一個(gè)夾合構(gòu)件中設(shè)有液體或氣體冷卻管 裝置。在較高焊接溫度的環(huán)境下，夾合構(gòu)件中設(shè)置冷卻裝置可以減小夾合構(gòu)件 的疲勞和變形，進(jìn)而延長夾合構(gòu)件的使用壽命，這對壓焊也有一定的好處。
本實(shí)用新型的有益效果如下
相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型采用了電磁感應(yīng)加熱方式，通過在所述工作臺(tái)周 圍設(shè)置電磁線圈，來實(shí)現(xiàn)對所述壓焊金屬的熔化，使外延片和基板焊接在一起。 本實(shí)用新型這種焊接方式中由電磁線圈產(chǎn)生的電磁感應(yīng)只會(huì)對壓焊金屬和基板 等具有導(dǎo)電性的物質(zhì)有加熱作用，而對傳遞壓力的夾合構(gòu)件沒有加熱作用。因 而實(shí)現(xiàn)同樣的溫度壓焊，壓焊裝置里的熱容將大大降低，這樣可以獲得更快的 升溫速率。由于夾合構(gòu)件不產(chǎn)生熱或產(chǎn)生較少的熱，所以整個(gè)壓焊裝置的升溫 速率和降溫速率很快，這樣對保護(hù)外延片的歐姆接觸不被破壞很有好處。由于 升溫速率和降溫速率很快，這樣可以明顯提高生產(chǎn)速率。


圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本實(shí)用新型的實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供一種銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)。這種半導(dǎo)體外延片的 倒裝焊結(jié)構(gòu)包括設(shè)于工作臺(tái)外圍的電磁線圈，通過設(shè)在工作臺(tái)周圍的電磁線圈 給壓焊金屬加熱，使外延片和基板實(shí)現(xiàn)倒封裝焊接。這種壓焊的加熱方式采用 電磁感應(yīng)加熱，具有升溫速率快、不易破壞外延片的歐姆接觸的特點(diǎn)。
本實(shí)用新型實(shí)施例一，參看圖1所示。首先在銦鎵鋁氮外延片101上制備 歐姆接觸層和金屬壓焊層(即待壓焊的壓焊金屬)，并在基板102上制備歐姆接 觸層和金屬壓焊層。如果基板102是金屬的，則基板102上沒有必要制備歐姆 接觸層。當(dāng)然，也可以是僅有外延片上或基板的其中一個(gè)的焊接面上具有壓焊 金屬層。對外延片101和基板102施加壓力的夾合裝置包括施壓構(gòu)件107和承 壓構(gòu)件106。施壓構(gòu)件107其壓力的來源可以是氣壓傳遞的壓力，也可以是液壓 傳遞的壓力。為了獲得高質(zhì)量的焊接產(chǎn)品，施壓構(gòu)件107和壓力源構(gòu)件之間的 聯(lián)接必須是諸如萬向節(jié)之類的活動(dòng)聯(lián)接，以使得外延片101上能獲得均勻的壓 力。承壓構(gòu)件106要求是固定的，不活動(dòng)。施壓構(gòu)件107和承壓構(gòu)件106之間 形成悍接外延片101和基板102的工作臺(tái)。施壓構(gòu)件107和承壓構(gòu)件106的端 面要求是經(jīng)過了研磨拋光的端面，且具有一定的平整度和平面度。另外可以考 慮給施壓構(gòu)件107和承壓106構(gòu)件進(jìn)行冷卻，即在兩個(gè)夾合構(gòu)件中至少一個(gè)夾 合構(gòu)件中設(shè)置液體或氣冷管裝置。
通過將外延片101和基板102之間的壓焊金屬融化來焊接外延片和基板的 加熱裝置主體為電磁線圈108。電磁線圈108通過電磁感應(yīng)來加熱壓焊金屬，電磁線圈108設(shè)于工作臺(tái)外圍。電磁線圈108是圓柱狀的螺旋電磁線圈。電磁線 圈108為多圈的螺旋狀柱形，它將整個(gè)工作臺(tái)、施壓構(gòu)件107的工作前端和承 壓構(gòu)件106的工作前端環(huán)包起來。電磁線圈108為中空線圈，其中空腔體為冷 卻管，冷卻管與液冷或氣冷裝置連接，這樣的冷卻結(jié)構(gòu)可以給工作中的電磁線 圈108冷卻降溫，以使其保持良好的工作狀態(tài)。
包括本實(shí)用新型的倒裝焊結(jié)構(gòu)的整個(gè)壓焊機(jī)構(gòu)可以設(shè)置在一個(gè)真空腔體里 面，也可以是暴露在大氣中。也可以是除電磁線圈之外的其它部件處在真空裝 置的真空腔體里面，而電磁線圈在腔體外面，此時(shí)真空腔體靠近電磁線圈的部 位其材料要求是諸如石英之類的絕緣材料。
本實(shí)施例的定位裝置主要由對外延片和基板進(jìn)行定位的定位環(huán)104、上定位 盤105和下定位盤103構(gòu)成。上定位盤105和下定位盤103是對外延片和基板 進(jìn)行上下方向定位的，其由比熱容小于中碳鋼的陶瓷構(gòu)成。下定位盤10置于承 壓構(gòu)件106上的與基板接觸的部位上，定位環(huán)104置于下定位盤103上?；?102置于下定位盤103上，外延片101置于基板102上，上定位盤105置于外延 片101上，施壓構(gòu)件107置于上定位盤105上。定位環(huán)104其材料優(yōu)選為陶瓷 或石英等絕緣的非金屬材料，并且定位環(huán)的內(nèi)孔和上定位盤105之間有時(shí)當(dāng)?shù)拈g隙。上定位盤105和下定位盤103均是經(jīng)過雙面研磨拋光并且具有一定平面 度和厚度一致性的陶瓷構(gòu)件，也可以是石英等比熱容比較小的其它非金屬材料, 其總厚度變化一般不易太大。為了保證上定位盤和下定位盤具有一定的機(jī)械強(qiáng) 度，要求上定位盤和下定位盤的厚度不能太小，同時(shí)為使其熱容量比較小，其 厚度也不能太大。
本實(shí)施例適合于一個(gè)外延片和一個(gè)基板的壓焊。該結(jié)構(gòu)電磁線圈108設(shè)于 工作臺(tái)外圍。如果將電磁線圈整合到定位環(huán)104中，則此時(shí)，電磁線圈設(shè)于工作臺(tái)上。
壓焊前，將外延片101和基板102之間的壓焊金屬層疊放在一起，放置在 定位盤(上定位盤105和下定位盤103)內(nèi)。將疊放在一起的外延片101和基板 102放入定位盤時(shí)，外延片可以朝上，也可以朝下?；逯辽儆幸粋€(gè)面是經(jīng)過拋 光的，其壓焊面是拋光面?；搴屯庋悠囊r底其總厚度變化均要求小于10微 米。
壓焊時(shí)，先通過電磁感應(yīng)加熱外延片至200'C以上，然后再給外延片施加壓 力。加熱溫度視壓焊金屬的成分而定如果壓焊金屬是AuSn，其熔點(diǎn)是28(TC， 加熱溫度一般控制在兩百多度即可；如果是熔點(diǎn)為1063"C的純Au，則加熱溫度 相對要高很多。所以加熱外延片的溫度范圍一般在20(TC 1063"C之間。加溫后， 然后保溫一定時(shí)間，使得外延片和基板通過壓焊金屬層壓焊在一起，最后停止 感應(yīng)加熱和撤除壓力。這樣就完成了外延片和基板之間的壓焊。
由于感應(yīng)加熱時(shí)除外延片和基板會(huì)產(chǎn)生感生電流外，其余構(gòu)件由于是絕緣 的不會(huì)產(chǎn)生感生電流，所以外延片和基板可以達(dá)到較高的升溫速率，也具有較 快的降溫速率。完成外延片和基板的焊接后，最后將外延襯底去除，就實(shí)現(xiàn)了 銦鎵鋁氮薄膜從外延襯底到新基板的轉(zhuǎn)移，它可以制備成上電極和下電極結(jié)構(gòu) 的發(fā)光器件。
壓焊的需要的電磁波是根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行控制選取的，電磁波的頻率范圍 可以是高頻，也可以是中頻。
夾合構(gòu)件上的與外延片和基板基礎(chǔ)的基礎(chǔ)部位，優(yōu)選為陶瓷或石英等材質(zhì)。 也可以選用受電磁波影響較小、工作狀態(tài)下發(fā)熱較少的半導(dǎo)體、其它絕緣體材 料或者某些金屬物質(zhì)。
本實(shí)用新型的實(shí)施例二，如圖2所示。 一個(gè)外延片和一個(gè)基板組成一對焊接體，本實(shí)施例結(jié)構(gòu)是為了提高生產(chǎn)效率，在實(shí)施例一結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，它可以一次對多個(gè)焊接體進(jìn)行焊接。這種結(jié)構(gòu)需要加長定位環(huán)204和加厚的上定 位盤205和下定位盤203。施壓構(gòu)件207、承壓構(gòu)件206和電磁線圈208同實(shí)施 例一結(jié)構(gòu)。外延片201和基板202組成的焊接體層疊起來置于工作臺(tái)上進(jìn)行焊 接即可，因?yàn)槭请姶啪€圈的感應(yīng)電流加熱外延片和基板，所以所有的外延片和 基板具有一致的升溫速率，其生產(chǎn)效果和實(shí)施例單一焊接效果一樣優(yōu)良，這樣 來大大提高焊接的效率。
本實(shí)用新型實(shí)施例三，參看圖3所示。相比實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的 定位裝置沒有定位盤，而只有定位環(huán)303。定位環(huán)303置于由施壓構(gòu)件305和承 壓構(gòu)件304夾合而成的工作臺(tái)上。定位環(huán)303固定在承壓構(gòu)件304的上端面上。 外延片301和基板302置于定位環(huán)303的孔內(nèi)。
另外，本實(shí)用新型還可以不包括定位裝置的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，外延片和基板最 好采用電腦自控方式對接，即讓機(jī)械手通過電腦精確的計(jì)算和控制輔以感應(yīng)器 的定位來實(shí)現(xiàn)外延片和基板的焊接點(diǎn)對接。在沒有定位裝置的情況的這種結(jié)構(gòu)， 萬向節(jié)可以安裝在承壓構(gòu)件上，而不安裝在施壓構(gòu)件上，使承壓構(gòu)件順應(yīng)施壓 構(gòu)件進(jìn)行角度調(diào)整，這種結(jié)構(gòu)要求承壓構(gòu)件不宜有較大的轉(zhuǎn)動(dòng)范圍，否則，外 延片和基板不宜固定在定位環(huán)內(nèi)。除此以外，還可以在施壓構(gòu)件和承壓構(gòu)件上 同時(shí)安裝萬向節(jié)，前提是，承壓構(gòu)件不能有太大的轉(zhuǎn)動(dòng)范圍。
本實(shí)用新型實(shí)施例四，如圖4所示。相比實(shí)施例一，本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的承壓 構(gòu)件403下方設(shè)有平面狀線圈407。且定位環(huán)404較厚，以實(shí)現(xiàn)多組焊接體的同 時(shí)焊接。而且定位裝置由定位環(huán)404和上定位盤405構(gòu)成，沒有下定位盤。焊 接體的外延片401和基板402疊加在定位環(huán)404的孔內(nèi)，定位環(huán)404置于承接 構(gòu)件403上。在焊接體上置有上定位盤405。上定位體405上為施壓構(gòu)件406。由于電磁感應(yīng)的感生電流具有趨膚效應(yīng)，焊接體內(nèi)的溫度具有一致性，焊接效果也非常理想。另外，平面狀線圈407還可以設(shè)于承壓構(gòu)件403內(nèi)。如果該結(jié) 構(gòu)包括下定位盤，則平面狀線圈407還可以設(shè)于下定位盤內(nèi)，這樣平面狀線圈 置于工作臺(tái)上了。
本實(shí)用新型通過電磁線圈給外延片和基板上的壓焊金屬加熱，來完成焊接。 電磁線圈設(shè)于工作臺(tái)上或工作臺(tái)外圍，所謂的工作臺(tái)上或者工作臺(tái)外圍指的是 電磁線圈的電磁感應(yīng)可以作用到壓焊金屬的范圍。電磁線圈結(jié)構(gòu)和位置并不局 限于上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和位置關(guān)系。另外，電磁線圈的電磁場可以作用的有效 范圍內(nèi)，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)包括的施壓構(gòu)件、承壓構(gòu)件、定位裝置上均不含有可 以產(chǎn)生明顯有干擾作用的渦流發(fā)熱材料，即本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)上的各部件所含有 的金屬、非金屬部分是根據(jù)實(shí)際需要選用的、在額定電磁頻率下無明顯渦流效 應(yīng)的物質(zhì)。非金屬材料可以為絕緣體或者半導(dǎo)體。絕緣體優(yōu)選為陶瓷或石英。 這是出于成本和取材難易程度上的考慮，另外，除了陶瓷和石英以外，還可以 采用其它的材料，諸如巖石、有機(jī)絕緣體甚至具有特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，當(dāng) 然不是所有半導(dǎo)體材料都合適本實(shí)用新型，只有沒有明顯渦流熱效應(yīng)的半導(dǎo)體 才可以適合本實(shí)用新型。包括電磁線圈設(shè)于真空裝置外部情況，真空裝置接近 電磁線圈部位也需為上述沒有明顯渦流熱效應(yīng)的物質(zhì)。以避免造成不必要的高 溫環(huán)境和電能的浪費(fèi)。
權(quán)利要求1、一種銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，包括對外延片和基板施加壓力的夾合裝置、加熱裝置；所述夾合裝置包括兩個(gè)夾合構(gòu)件，兩個(gè)夾合構(gòu)件之間形成焊接外延片和基板的工作臺(tái)，其特征在于所述加熱裝置為設(shè)于所述工作臺(tái)上或工作臺(tái)外圍的電磁線圈。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述倒裝焊結(jié)構(gòu)還包括對外延片和基板進(jìn)行定位的定位裝置，定位裝置設(shè)于所述 工作臺(tái)上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述電磁線圈為盤繞在所述夾合裝置外圍的圓柱狀線圈，或者為設(shè)于所述工作臺(tái) 外圍的平面狀線圈。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述電磁線圈為設(shè)有冷卻液體和氣體通道的空心線圈。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 夾合裝置及其工作臺(tái)設(shè)于真空裝置內(nèi)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述電磁線圈設(shè)于所述真空裝置外部。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 夾合裝置包括一個(gè)施壓構(gòu)件和一個(gè)承壓構(gòu)件，所述施壓構(gòu)件與一個(gè)萬向節(jié)連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述定位裝置包括一個(gè)設(shè)在所述工作臺(tái)上的定位環(huán)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述定位裝置還包括置于定位環(huán)內(nèi)的絕緣定位盤；所述定位盤包括一個(gè)與所述兩 個(gè)夾合機(jī)構(gòu)中任一個(gè)接觸的單盤，或兩個(gè)分別與所述兩個(gè)夾合機(jī)構(gòu)接觸的上定 位盤和下定位盤。
10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的銦鎵鋁氮外延片的倒裝焊結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述兩個(gè)夾合構(gòu)件中至少一個(gè)夾合構(gòu)件中設(shè)有液體或氣體冷卻管裝置。
專利摘要本實(shí)用新型提出了一種半導(dǎo)體外延片的壓焊結(jié)構(gòu)，該壓焊結(jié)構(gòu)不需要通過熱阻加熱方式給壓焊金屬加熱，可以防止壓焊金屬由于熱擴(kuò)散而影響外延片的歐姆接觸性能，進(jìn)而最大程度的避免熱阻加熱方式給外延片造成的品質(zhì)劣化。本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案該倒裝焊結(jié)構(gòu)包括對外延片和基板施加壓力的夾合裝置、加熱裝置；所述夾合裝置包括兩個(gè)夾合構(gòu)件，兩個(gè)夾合構(gòu)件之間形成焊接外延片和基板的工作臺(tái)，所述加熱裝置為設(shè)于所述工作臺(tái)上或工作臺(tái)外圍的電磁線圈。本實(shí)用新型由于升溫速率和降溫速率很快，可以明顯提高生產(chǎn)速率。
文檔編號(hào)B23K37/04GK201181713SQ200820112868
公開日2009年1月14日 申請日期2008年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月30日
發(fā)明者江風(fēng)益, 熊傳兵, 立 王, 王古平, 章少華 申請人:晶能光電(江西)有限公司