專利名稱：激光加工設(shè)備、碎片收集機(jī)構(gòu)及方法與顯示板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在平板顯示器(FPD)等的多層薄膜上圖案化樹脂膜或金屬 膜的技術(shù)。更具體地，本發(fā)明涉及激光加工設(shè)備與激光加工方法，以及碎片 收集機(jī)構(gòu)與碎片收集方法，還涉及制造顯示面板的方法。該碎片收集機(jī)構(gòu)與 碎片收集方法旨在去除和收集通過以激光照射目標(biāo)表面的熔蝕(ablation )、 熱炫融(thermofusion)或他們的混合操作的激光加工期間形成的碎片。
背景技術(shù)：
在制造例如液晶面板的平板顯示器的工藝中，很多薄膜例如樹脂膜或金 屬膜層疊在玻璃基板上，以形成薄膜晶體管(TFT)基板或者濾色器(CF) 基板等。很多光刻工藝用于圖案化和蝕刻這樣的多層基板。在光刻工藝中，樹脂膜或金屬膜真空沉積在基板上，例如玻璃、塑料或 者硅晶片基板；抗蝕劑層形成在膜上；并且抗蝕劑層通過具有預(yù)定圖案的光 掩模用光照射來曝光。然后，光掩模圖案通過顯影和后烘焙轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層； 樹脂膜或者金屬膜中沒有覆蓋抗蝕劑的區(qū)域通過濕法蝕刻去除；并且最后去 除剩下的抗蝕劑層，以獲得樹脂膜或金屬膜的期望的圖案。然而，光刻工藝需要大型設(shè)備，例如涂布機(jī)(coater )/顯影機(jī)(developer ), 并且因此就設(shè)備投資和覆蓋區(qū)(footprint)而言具有缺點(diǎn)。因?yàn)椴捎么罅康?化學(xué)品例如顯影劑，所以該工藝就環(huán)保而言也具有缺點(diǎn)。在此情形下，例如， 日本未審查專利申請(qǐng)公開No. 2004-153171提出了釆用激光直接加工薄膜例 如樹脂膜或金屬膜的技術(shù)，例如，以省略光刻工藝并且簡(jiǎn)化制造工藝的技術(shù)。在執(zhí)行激光加工中，通常會(huì)需要收集稱為碎片的物質(zhì)。碎片是由激光的 吸收和反應(yīng)而來自材料的產(chǎn)物或者來自材料的微細(xì)顆粒(廢料)。它們漂浮 和擴(kuò)散在空氣中，并且再附著到基板上。特別是，附著到基板的反應(yīng)產(chǎn)物由 于熱剝離而固化，甚至采用刷子等物理清洗都無法去除。因此，不能獲得期 望的工藝質(zhì)量和工藝精度，并且出現(xiàn)產(chǎn)品不合格。在例如液晶面板的平板顯 示器的微細(xì)加工領(lǐng)域中，這樣的再附著的物質(zhì)是引起100%不合格的顆粒(廢料)。因此，收集碎片的技術(shù)是必要的。例如，日本未審查專利申請(qǐng)公開No. 10-99978提出了一種碎片收集方 法，包括提供流體輸運(yùn)設(shè)備和流體吸管，該流體輸運(yùn)設(shè)備將氣體噴射到加工 區(qū)域附近的表面，而流體吸管相對(duì)于流體輸運(yùn)設(shè)備，以將碎片吹離要加工區(qū) 域，并且同時(shí)抽吸和去除碎片(方法l)。如所了解的，在用激光照射目標(biāo)的同時(shí)將輔助氣體(assist gas)吹向該 目標(biāo)以減少產(chǎn)生碎片的數(shù)量是有效的。例如，日本未審查專利申請(qǐng)公開No. 9-192870提出了這樣的方法，包括在激光加工頭上提供內(nèi)部噴嘴和圍繞該內(nèi) 部噴嘴的外圍提供外部噴嘴，以從內(nèi)部噴嘴將氣體噴射到加工區(qū)域，并且釆 用外部噴嘴抽吸所噴射的援助氣體，以排出碎片(方法2)。用于控制碎片自身產(chǎn)生的已知方法包括以下方法包括采用預(yù)定的大氣 氣體防止碎片的分解或再吸附的方法；以及包括在具有真空度約為10 Pa (l(T2 Torr)下的減壓下加工目標(biāo)的方法，這能夠明顯減少附著和積累到目 標(biāo)上的碎片量。此外，例如，日本未審查專利申請(qǐng)公開No. 2004-337947提出了這樣的 激光加工方法，包括提供向目標(biāo)輸出激光的激光加工頭；以及面對(duì)目標(biāo)安裝 在激光加工頭的側(cè)面上的噴嘴，以用通過噴嘴用從激光加工頭輸出的激光照氣體進(jìn)行抽吸(方法3)。發(fā)明內(nèi)容然而，在方法l中，不是所有的碎片都能被吹離加工區(qū)域附近的表面， 被抽吸和被排出，剩余的碎片實(shí)際上沿著流動(dòng)而散布。即使增加抽吸力也難 于去除和收集碎片。在方法2中，輔助氣體從內(nèi)部噴嘴吹向加工區(qū)域，碎片 擴(kuò)散和再吸附，并且即使增加外部噴嘴的抽吸力也不能充分去除。此外，在方法3中，碎片在循環(huán)旋轉(zhuǎn)大氣流體的同時(shí)被抽吸，并不能收集在各個(gè)方向 上擴(kuò)散的所有碎片。平板顯示器中采用的多層膜基板具有復(fù)雜的以激光照射的表面膜的蝕 刻機(jī)制和表面膜下面的膜中的蝕刻機(jī)制。當(dāng)多個(gè)工藝因素以這種方式混合 時(shí)，碎片不能簡(jiǎn)單地收集，并且有必要詳細(xì)分析碎片產(chǎn)生機(jī)制，開發(fā)適合各 個(gè)膜的碎片收集方法。ITO (銦錫氧化物)膜或ZnO (氧化鋅)膜等典型地用作用于多層膜上 透明電極的透明導(dǎo)電膜。圖1A至1C展示了多層膜中蝕刻反應(yīng)工藝的實(shí)例， 該多層膜這樣來形成在由玻璃、塑料或者硅晶片等形成的基板101上形成 樹脂膜102，在樹脂膜102上沉積透明導(dǎo)電膜103比如ITO膜或ZnO膜等。 空心箭頭表示激光104的能量大小，而普通箭頭表示熱擴(kuò)散方向。首先，當(dāng)用激光104照射表面透明導(dǎo)電膜103時(shí)，透明導(dǎo)電膜103吸收 激光104而產(chǎn)生熱105 (圖1A)。隨著透明導(dǎo)電膜103吸收激光104的進(jìn)行， 熱106擴(kuò)散到下樹脂膜102，導(dǎo)致樹脂膜的膨脹而產(chǎn)生微裂紋(圖12B)。通 常，陶瓷樹脂膜例如ITO膜的膨脹系數(shù)比透明導(dǎo)電膜的膨脹系數(shù)大一位數(shù)。 隨著熱107擴(kuò)散到作為透明導(dǎo)電膜103的下層(ground)的樹脂層102的進(jìn) 行，樹脂層102蒸發(fā)，并且破裂的透明導(dǎo)電膜103由樹脂層102的蒸發(fā)導(dǎo)致 的大氣體積膨脹而吹走。當(dāng)如上所述用激光104照射樹脂膜102上的透明導(dǎo) 電膜103時(shí)，由于熱反應(yīng)以及激光照射的通常的熔蝕反應(yīng)，大量產(chǎn)生碎片 108。碎片108由于機(jī)械破裂而大量產(chǎn)生，并且由相對(duì)大的顆粒形成。因此， 碎片108的擴(kuò)散率或擴(kuò)散范圍都小于稍后描述的樹脂膜和金屬膜。另一方面，在多層膜上的樹脂膜(聚合物材料)中，蝕刻機(jī)制的主要反 應(yīng)是熔蝕反應(yīng)，其中樹脂層吸收激光以斷開分子間的鍵。圖2A至2C展示 了通過在沉積于基板101上的樹脂膜102上沉積樹脂膜110形成的多層膜中 的蝕刻反應(yīng)工藝的實(shí)例。首先，當(dāng)用激光104照射表面樹脂膜110時(shí)，樹脂膜110吸收激光104 以產(chǎn)生熱lll (圖2A)。當(dāng)樹脂膜110進(jìn)一步吸收激光104以引起熔蝕反應(yīng) 時(shí)，由熔蝕反應(yīng)產(chǎn)生的碎片擴(kuò)散為巻流(plume) 113 (圖2B)。根據(jù)cosp 定律，在形成巻流114時(shí)碎片以幾十米/秒的速率上升(被擴(kuò)散)(圖2C)。 在由熔蝕占據(jù)的反應(yīng)中，樹脂層110的下層幾乎不受熱的影響。因此，為了 收集碎片，有必要收集根據(jù)cosp定律以幾十米/秒的速率上升的巻流。多層膜上的金屬膜吸收激光以產(chǎn)生熱，并且金屬膜的蝕刻通過熔化和蒸 發(fā)進(jìn)行。圖3A至3C展示了通過在形成于基板101上的樹脂膜102上沉積 金屬膜120形成的多層膜中的蝕刻反應(yīng)工藝的實(shí)例。首先，當(dāng)用激光104照射表面金屬膜120時(shí)，金屬膜120吸收激光104 以產(chǎn)生熱121 (圖3A)。當(dāng)金屬膜120進(jìn)一步吸收激光104并且進(jìn)行熱121 轉(zhuǎn)換成熱122時(shí)，金屬膜120蒸發(fā)成碎片。碎片形成巻流123并且蒸發(fā)(如3B)。根據(jù)cosp定律，碎片在形成大巻流125的同時(shí)以幾十米/秒的速率上升(被擴(kuò)散)。這里，當(dāng)受熱影響過大時(shí)，樹脂膜102和金屬膜120與熱反應(yīng)。金屬膜 的熔化溫度高于樹脂膜的熔化溫度。因此，當(dāng)樹脂層為下層時(shí)，樹脂膜受熱 的影響而熔化和蒸發(fā)；這影響了金屬膜的蝕刻。例如，低于金屬膜的樹脂膜 通過金屬薄膜突出或者斷裂。因此，為了僅蝕刻金屬膜而不影響下面的樹脂 層，有必要開發(fā)降低金屬膜熔化和蒸發(fā)的溫度并且收集蒸發(fā)分子的機(jī)構(gòu)。所希望的是，有效地去除激光加工期間所產(chǎn)生的碎片，并且降低附著到 目標(biāo)的碎片。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供用于采用激光圖案化基板上形成的樹脂膜或 金屬膜的碎片收集裝置。該碎片收集裝置包括透射窗口，入射激光透射通 過該透射窗口；渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入該樹脂膜或者該金屬膜的激 光照射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入射激光穿過 的開口，并且屏蔽碎片流。首先，該碎片收集裝置的渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)置為靠近 基板上的樹脂膜或金屬膜。然后，由激光照射產(chǎn)生的碎片在堆疊在目標(biāo)膜上 之前和之后夾帶在由渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的渦流氣流中，并且通過屏蔽裝置排 出到外面。在上述構(gòu)造中，激光照射所產(chǎn)生的碎片與激光照射區(qū)域附近的氣體一起 夾帶并且收集在渦流氣流中。因此，碎片由渦流氣流聚集在激光照射區(qū)域的 中心附近，并且碎片可以有效地收集而抑制碎片擴(kuò)散到周邊。此外，屏蔽裝 置屏蔽圍繞開口的碎片流，以減少穿過開口的碎片量。此外，在上述實(shí)施例中，碎片收集裝置具有渦流氣流排出部和渦流形 成部，該渦流氣流排出部具有為激光通道的透射孔，并且為與排出孔相通的 渦流氣流通道，而該渦流形成部面對(duì)該基板設(shè)置。該渦流形成部具有渦流形 成板，該渦流形成板具有對(duì)應(yīng)于該渦流氣流的i走轉(zhuǎn)方向的放射狀渦流形成槽 并且與該透射孔相通，該渦流形成槽形成在該渦流形成部面對(duì)該基板的表面 上。氣體引入該渦流形成板的渦流形成槽中，^v而流入渦流形成槽中以形成 渦流氣流的氣體通過渦流氣流排出部的透射孔從排出孔排出到外面。在上述構(gòu)造中，對(duì)應(yīng)于渦流氣流的旋轉(zhuǎn)方向并且與透射孔相通的放射狀 渦流形成槽形成在渦流形成部面對(duì)基板的表面上。因此，引入渦流形成部中 的氣體沿著渦流形成槽流動(dòng)，并且因此產(chǎn)生渦流氣流。碎片夾帶在渦流氣流中，并且通過透射孔向上排出，從而碎片聚集在激光照射區(qū)域的中心附近， 并且碎片可以有效地收集而抑制碎片擴(kuò)散到周邊。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供生產(chǎn)顯示面板的方法，該顯示面板具 有形成有對(duì)應(yīng)于像素的大量配線圖案的基板。該方法包括下面的步驟在形成于基板上的樹脂膜上沉積樹脂膜或者金屬膜；以及通過用激光照射來圖案 化樹脂膜或者金屬膜。采用激光圖案化樹脂膜或者金屬膜的步驟包括下面的 步驟使碎片收集裝置靠近基板；將由激光照射產(chǎn)生的碎片在堆疊在目標(biāo)膜 上之前和之后夾帶入由渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的渦流氣流中；以及通過屏蔽裝置 將碎片排出到外面。碎片收集裝置具有透射窗口，激光透射通過該透射窗 口；渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入樹脂膜或者金屬膜的激光照射區(qū)域附近 的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入射激光穿過的開口，并且屏 蔽碎片流。在上述構(gòu)造中，當(dāng)用激光照射顯示面板的基板上的樹脂膜或金屬膜時(shí)所 產(chǎn)生的碎片與激光照射區(qū)域附近的氣體一起夾帶和收集在渦流氣流中。因 此，碎片由渦流氣流聚集在激光照射區(qū)域的附近，并且碎片可以有效地收集 而抑制碎片擴(kuò)散到周邊。此外，屏蔽裝置屏蔽圍繞開口的碎片流，以減少穿 過開口的碎片量。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收集方法，能夠有效收集圖案 化目標(biāo)上的樹脂膜或金屬膜期間所產(chǎn)生的碎片。因此，根據(jù)采用碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收集方法的激光加工設(shè)備和激光加 工方法，有效地去除了激光照射期間從目標(biāo)產(chǎn)生的碎片，從而可以減少附著 到目標(biāo)的碎片，并且改善圖案化像素電極等的精度和質(zhì)量。因此，可以提供 高質(zhì)量的顯示面斧反。


圖1A、 1B和1C是用于描述在多層膜上的透明導(dǎo)電膜中蝕刻反應(yīng)的示意圖。圖2A、 2B和2C是用于描述在多層膜上的樹脂膜中蝕刻反應(yīng)的示意圖。 圖3A、 3B和3C是用于描述在多層膜上的金屬膜中蝕刻反應(yīng)的示意圖。 圖4是才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備的整體構(gòu)造圖。 圖5是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的透視圖。圖6是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的底 座部分的仰視圖。圖7是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的底 座部分的仰視圖，用于描述渦流產(chǎn)生方法。圖8是用于描述在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集 機(jī)構(gòu)中由同心槽產(chǎn)生同心氣流的方法的平面圖。圖9是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)中渦流形成板的平面圖。圖IO是圖9的A-A箭頭所指的截面圖。圖11是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的 示意性截面圖。圖12A和12B展示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的屏蔽 板的實(shí)例，其中圖12A是俯視圖，而圖12B是X-X截面圖。圖13根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu) 的示意性截面圖。圖14根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu) 的透視圖。圖15 M示液晶顯示器中的驅(qū)動(dòng)基板的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖16是展示圖15中的TFT元件230的周邊的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。圖17是展示圖15中驅(qū)動(dòng)基板201的開口 212w的周邊的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。圖18是用于描述制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板的方法中的工序的 截面圖。圖19是用于描述制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板的方法中圖18所示 工序的后續(xù)工藝的截面圖。圖20是用于描述制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板的方法中圖19所示 工序的后續(xù)工藝的截面圖。圖21是展示反射像素電極被圖案化的顯示面板的截面圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供激光加工設(shè)備和激光加工方法，以及碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收 集方法，該碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收集方法通過用激光照射多層薄膜上作為目 標(biāo)的樹脂膜或金屬膜(目標(biāo)膜)的熔蝕、熱熔融或它們的混合作用的激光加 工期間產(chǎn)生的碎片，該多層膜形成在玻璃基板上。在下面的描述中，激光加 工期間產(chǎn)生的碎片在堆疊之間和之后統(tǒng)稱為碎片。本發(fā)明的實(shí)施例中采用的激光加工設(shè)備具有激光源和光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué) 系統(tǒng)將從激光源發(fā)射的激光以預(yù)定的圖案投射到目標(biāo)的表面，該激光加工設(shè) 備還包括具有作為局部排出裝置的打開的排出孔的碎片收集機(jī)構(gòu)。碎片收集機(jī)構(gòu)設(shè)置為極其靠近作為目標(biāo)膜的樹脂膜或者金屬膜，并且激 光照射表面附近的大氣從碎片收集機(jī)構(gòu)的排出孔排出，從而該膜可以在減壓 下的大氣中用激光照射。在這樣的簡(jiǎn)單構(gòu)造中，樹脂膜或者金屬膜的激光照射表面是在減壓下的 大氣中。因此，在激光照射期間，當(dāng)樹脂膜或者金屬膜從比該膜低的層分離 時(shí)，減小了升華壓力，并且能夠減少加工所必需的照射能量。此外，包含由 激光照射所剝離的碎片并且噴射在加工區(qū)域附近的表面上的氣體可以通過 碎片收集機(jī)構(gòu)的排出孔有效去除。下面，將參照?qǐng)D4至12描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備和碎片收集機(jī)構(gòu)。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備的實(shí)例的整體構(gòu)造 圖。圖5是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的透 視圖。圖6是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的 底座部分的仰視圖。圖7是用于描述渦流產(chǎn)生方法的在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的 激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的底座部分的仰視圖。圖8是用于描述 在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)中由同心槽產(chǎn) 生同心氣流的方法的平面圖。圖9是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中 采用的碎片收集機(jī)構(gòu)中渦流形成板的平面圖。圖IO是圖9的A-A箭頭所指 的截面圖。圖11是在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集 機(jī)構(gòu)的示意性截面圖。圖12A和12B展示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工 設(shè)備中采用的屏蔽板的實(shí)例，其中圖12A是俯視圖，而圖12B是X-X截面 圖。圖13根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu) 的示意性截面圖。圖14根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的激光加工設(shè)備中采用的碎片收集機(jī)構(gòu)的透^L圖。在圖4中，激光加工設(shè)備20包括具有激光源的激光控制單元1;束成 形器14;掩?；蛘呖勺冮_口 15;投影透鏡16;臺(tái)18;碎片收集裝置22;排 氣泵(初級(jí)泵)24;以及氣流引導(dǎo)裝置。例如，準(zhǔn)分子激光器用作激光控制單元1的激光源。有多個(gè)具有不同激 光介質(zhì)的準(zhǔn)分子激光器，它們以波長(zhǎng)遞減的順序?yàn)閄eF (351 nm)、 XeCl (308 nm )、 KrF ( 248 nm )、 ArF ( 193 nm)和F2 ( 157 nm )。然而，激光器不限于準(zhǔn)分子激光器，并且可以是固體激光器或者C02激光器等。束成形器14成形來自激光源的激光3,并且使束密度均勾以輸出激光3。 掩^f莫或者可變開口 15具有預(yù)定的圖案形狀，并且允許由束成形器14成形的 激光3穿過以將激光3處理成具有預(yù)定圖案的束。所用掩?；蛘呖勺冮_口 15 的實(shí)例包括由金屬材料形成的多孔掩模；由透明玻璃材料或者金屬薄膜形成 的光掩模；以及由介電材料形成的電介質(zhì)掩模。投影透鏡16以預(yù)定的倍率 減小已經(jīng)穿過掩模或者可變開口 15的激光3，并且將激光3投影到基板的表 面，該基板是在臺(tái)18上的目標(biāo)。臺(tái)18設(shè)置為使得從投影透鏡16投影的激光3聚焦在基板4的表面上。 臺(tái)18由X-Y臺(tái)或者三軸臺(tái)等形成，其可沿著垂直于激光3的光軸的平面移 動(dòng)和定位，這里作為目標(biāo)的基板4的表面可以用激光3掃描。臺(tái)18具有固 定裝置比如真空卡盤用于固定目標(biāo)，并且可以在x、 y、 z和e方向上移動(dòng)和 固定，從而可以用激光3照射目標(biāo)的目標(biāo)膜26上的期望位置，并且激光3 可以聚焦在目標(biāo)膜26上。在激光加工設(shè)備20中，從激光控制單元1的激光源發(fā)射的激光3成形 為預(yù)定的形狀和尺寸，然后由掩^f莫或可變開口 15圖案化為預(yù)定的圖案形狀。 具有預(yù)定圖案形狀的激光3透射通過投影透鏡16，并且通過上透射窗口 19 和碎片收集裝置22的透射孔21施加到基板4上的目標(biāo)膜26。激光3通過形成在碎片收集裝置22的框體23的上部中的上透射窗口 19 和形成在框體23的底部中的透射孔21施加到形成在基板4的表面上的目標(biāo) 膜26。排氣泵24和形成氣流引導(dǎo)裝置的四個(gè)管子(氣體引導(dǎo)部25a至25d) 設(shè)置為從碎片收集裝置22的框體23突出。在本實(shí)施例中，目標(biāo)膜26是薄膜，例如圖2A至2C或者3A至3C所示 的樹脂膜110或者金屬膜120。然而，包括樹脂膜110的多層膜至少可以是樹脂膜102沉積在樹脂膜110之下的膜，并且不限于圖2A至2C所示的實(shí) 例。包括金屬膜120的多層膜至少可以是樹脂膜102沉積在金屬膜120之下 的膜，并且不限于圖3A至3C所示的實(shí)例。圖5展示了具有碎片收集機(jī)構(gòu)的碎片收集裝置22的透視圖。碎片收集 裝置22的框體23包括面對(duì)目標(biāo)設(shè)置的近似盤狀的渦流形成底座23a;垂直 設(shè)置在渦流形成底座23a的近似中心的圓柱形氣體導(dǎo)出部分23b;以及設(shè)置 在氣體導(dǎo)出部分23b上的近似立方腔23c。它們由鋁或者不銹鋼等制造。渦 流形成底座23a用作渦流形成部，而氣體導(dǎo)出部分23b和腔23c用作渦流氣 流排出部。上透射窗口 19形成在腔23c的上部中，例如，在采用KrF激光器的情 況下由石英制造，在采用ArF激光器的情況下由氟化鈣制造，激光3透射通 過該上透射窗口 19。排出孔32制造在腔23c的一個(gè)側(cè)板中。排氣管(未示 出)插入排氣孔32中，以利用圖4所示排氣泵24在箭頭A方向上排出收集 的碎片13。為在腔23c下面的氣體導(dǎo)出部分23b和渦流形成底座23a設(shè)置渦 流形成機(jī)構(gòu)，從而碎片13可以如箭頭B所示螺旋地聚集和收集在渦流形成 底座23a的中心。稍后描述的屏蔽裝置設(shè)置在將腔23c的上部和下部彼此連 接的部分內(nèi)，以防止碎片附著到上透射窗口 19。如圖5所示，氣體引入部分25a、 25b、 25c和25d分別設(shè)置在將渦流形 成底座23a分成四等份的位置。氣體分別在箭頭C1、 C2、 C3和C4指示的 方向上提供給氣體引入部分25a、 25b、 25c和25d,并且該氣體被引入到渦 流形成底座23a中。從氣體引入部分25a、 25b、 25c和25d引入的氣體稱為輔助氣體。輔助 氣體的實(shí)例包括CDA (清潔干空氣，clean dry air);惰性氣體，例如氦和氖； 以及氮。當(dāng)以這種方式在渦流形成底座23a中激光照射表面附近提供輔助氣 體時(shí)，可以抑制碎片的產(chǎn)生。圖6展示了形成在近似盤狀的渦流形成底座23a的下表面上的渦流形成 機(jī)構(gòu)，該渦流形成底座23a形成碎片收集裝置22的框體23。透射激光3的 透射孔21形成在渦流形成底座23a的中心。渦流形成板38圍繞透射孔21 同心地設(shè)置。如圖9和10所示，渦流形成板38具有直徑等于透射孔21的直徑的內(nèi) 徑38a，并且制造在由金屬例如鋁形成的近似盤的中心。此外，如同近似六角槽(或者近似圓槽)的渦流形成空間36圍繞內(nèi)徑38a形成，即在透射孔 21和渦流形成槽35之間。渦流形成空間36用作形成渦流氣流(環(huán)形氣流) 的空間，如稍后參照?qǐng)D7所描述。由每個(gè)渦流形成槽35提供到渦流形成空 間36的氣體與渦流形成板38的壁撞擊(見圖10)，并且撞擊的氣體沿著渦 流形成板38的壁流動(dòng)，以產(chǎn)生環(huán)形氣流。環(huán)形氣流由圖4所示的排氣泵24 向上抽吸，從而渦流僅形成有很小的紊流(turbulence )。六個(gè)放射狀槽38b每個(gè)都具有從內(nèi)周邊到外周邊的寬度W2 (見圖9)， 該六個(gè)放射狀槽38b沿著渦流形成空間36的六邊形的各邊形成。放射狀槽 38b分別用作渦流形成槽35，用于在中心內(nèi)徑38a中聚集由激光3的照射產(chǎn) 生的碎片13。渦流形成槽35具有與稍后描述的在同心槽37和渦流形成槽35的中心 軸之間的連接點(diǎn)所畫的正切線形成的預(yù)定角(M,該同心槽37與透射孔21同 心設(shè)置，并且該渦流形成槽35通過渦流形成空間36與透射孔21相通。角 小l的度數(shù)由在同心槽37中的氣流方向(渦流氣流的旋轉(zhuǎn)方向)決定。例如， 當(dāng)氣體在圖6中的同心槽37中逆時(shí)針流動(dòng)時(shí)，由渦流形成槽35和切線形成 的角小l設(shè)置在下游側(cè)。這里，渦流形成槽35形成為使得角(t)1為銳角。另一 方面，由渦流形成槽35和切線在上游側(cè)形成的角(180-(j)l)為鈍角。如圖9所示，為了迅速地在渦流形成空間36中聚集從加工表面散射的 碎片13,形成渦流形成槽35的放射狀槽38b具有在圓盤外周邊上提供氣體 的提供部分38e的槽寬度W2，槽寬度W2大于渦流形成空間36上排出氣體 的排出部分38f的槽寬度Wl,以具有預(yù)定的開口比(opening ratio )。例如， 優(yōu)選選擇靠近排出部分38f的槽寬度Wl對(duì)靠近提供部分38e的槽寬度W2 的開口比(W1:W2)為1:1.5到2.5。為設(shè)置在渦流形成板38中的渦流形成槽35的排出部分和提供部分設(shè)置 合適的開口比，使得能夠增加流入渦流形成空間36中的氣體的流速，并且 當(dāng)整流的氣體從同心槽37引入渦流形成板38中時(shí)，易于將碎片13夾帶在 渴流中。此外，為了有效地將聚集在渦流形成空間36中的碎片13收集在渦流形 成板38的中心，在透射孔21的開口附近，具體地講，在透射孔21連接到 渦流形成空間36的壁上的內(nèi)徑38a中形成如圖10所示的R形狀(曲線)或 者錐形形狀38d。在此構(gòu)造中，減小了渦流形成板38的開口中的空氣阻力，并且因此碎片可以平穩(wěn)地排出。當(dāng)設(shè)置在渦流形成板38的內(nèi)周邊上的渦流形成空間36太大時(shí)，不形成 渦流。為了僅以小的紊流來產(chǎn)生渦流氣流，即在渦流形成空間36中的合適 的環(huán)形氣流，發(fā)現(xiàn)渦流形成空間36的直徑R2至少為透射孔21的直徑Rl 的約1.5倍或更小是合適的。渦流形成空間36通過螺孔(未示出)同心地連 接到渦流形成基礎(chǔ)23a的透射孔21，使得靠近凸起部分的外周邊保持為在渦 流形成板38中的近似三角形。很明顯，渦流形成板38可以與渦流形成基礎(chǔ) 23a整體形成。如圖6所示，為了僅用很小的紊流形成渦流，與渦流形成槽35相通的 同心(環(huán)形)槽37圍繞固定到渦流形成底座23的渦流形成板38形成。與 氣體引導(dǎo)部25a、 25b、 25c和25d相通的四個(gè)供氣孔34制作在將同心槽37 分成四等份的位置上。如上所述，在渦流形成坤幾構(gòu)的底部中渦流形成板38 允許流入氣體的前端部分，在渦流形成板38的外周邊上^:置同心地設(shè)置有 透射孔21的同心槽37。因此，通過供氣孔34引入的氣流被整流，并且對(duì)應(yīng) 于渦流形成槽35的形狀(方向)形成氣流。氣流提供給每個(gè)渦流形成槽35, 使得在渦流形成空間36中僅以很小的紊流形成渦流。在該實(shí)例中，供氣孔 34的數(shù)量為四；然而，該數(shù)量不限于此。如圖8所示，為了通過以盡可能小的紊流形成渦流以將碎片13聚集在 中心來最大化碎片收集能力，氣體引導(dǎo)部25a、 25b、 25c或25d具有與為同 心槽37提供氣體的供氣孔34形成的一定的角度())2(理想上為90。)。具體地 講，每個(gè)氣體引導(dǎo)部25a、 25b、 25c和25d的中心軸設(shè)置為具有與將透射孔 21連接到每個(gè)供氣孔34a、 34b、 34c和34d的直線形成的角度(j)2 。角度小2 對(duì)應(yīng)于每個(gè)渦流形成槽35的方向，即對(duì)應(yīng)于在同心槽37中應(yīng)該產(chǎn)生的氣流 的方向。例如，當(dāng)在圖8中的同心槽37中產(chǎn)生逆時(shí)針氣流時(shí)，同心槽37中流動(dòng) 的氣體以更小的阻力更平穩(wěn)地進(jìn)入渦流形成槽35中。當(dāng)在同心槽37中產(chǎn)生 逆時(shí)針氣流時(shí)，每個(gè)氣體引導(dǎo)部25a、 25b、 25c和25d設(shè)置為在上游側(cè)以角 度小2傾斜。因此，在同心槽37中產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于每個(gè)渦流形成槽35的方向的逆 時(shí)4十整流環(huán)流，,人而渦流氣流可以有效形成?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D7描述上面構(gòu)造中的渦流形成方法。圖7展示了與圖6所 示相同的旋渦形成底座23a的底表面。從四個(gè)供氣孔34提供的氣體沿著同心槽37產(chǎn)生如箭頭B1、 B2、 B3和B4所示的逆時(shí)針環(huán)形氣流，四個(gè)供氣孔 24制造在形成于渦流形成板38的外周邊上的同心槽37中。環(huán)形氣流在從透 射孔21放射狀地形成的放射狀槽38b中，通過產(chǎn)生箭頭D1、 D2、 D3、 D4、 D5和D6所示的氣流，從提供氣體的提供部分38e排出到透射孔21上的排 出部分38f。因此，在渦流形成空間36的圓周部分中如箭頭El、 E2、 E3和 E4所示產(chǎn)生逆時(shí)針環(huán)形氣流。上升氣流通過排氣泵24作用在由箭頭El、 E2、 E3和E4所示的環(huán)形氣流的大氣上。結(jié)果，在氣體導(dǎo)出部分23b和腔 23c中產(chǎn)生盤繞或者螺旋上升氣流，并且在透射孔21中上升的氣流從排出孔 32排出到外面。這里，將描述以距目標(biāo)膜26預(yù)定距離(例如，50 )Lim內(nèi))保持碎片收 集裝置22的方法。首先，位移量規(guī)(displacement gauge)事先設(shè)置在與碎 片收集裝置22的底表面(面對(duì)目標(biāo)的表面) 一樣高的位置。然后，在進(jìn)行 激光3照射的同時(shí)，測(cè)量連續(xù)用激光3照射位置的位移。根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)，才艮 據(jù)需要通過驅(qū)動(dòng)裝置例如電動(dòng)機(jī)控制碎片收集裝置22的高度，以進(jìn)行激光 的照射。因此，在基板4上的目標(biāo)膜26與碎片收集裝置22的底表面之間保 持一定的窄間隔，并且碎片收集裝置22的內(nèi)部可以處于減少壓力下。就是 說，吸收了目標(biāo)的照射表面上的凹凸，碎片收集裝置22的底表面與目標(biāo)之 間的距離可以恒定地保持，焦點(diǎn)調(diào)整(focus control)是不必要的，并且可以 易于收集碎片。特別是，當(dāng)目標(biāo)膜26為金屬膜時(shí)，重要的是保持激光照射 區(qū)域的區(qū)域附近以這種方式在減少壓力下，以減少金屬膜的蒸氣壓，這是因 為金屬膜具有很高的熔點(diǎn)，并且難于蒸發(fā)。接下來，將描述屏蔽碎片流的屏蔽裝置。圖11是用于描述屏蔽裝置實(shí)例的碎片收集機(jī)構(gòu)的示意性截面圖。在圖 11中，對(duì)應(yīng)于圖4至IO的部分由相同的標(biāo)號(hào)表示。如圖ll所示，具有開口 42a的屏蔽板42設(shè)置在將連接腔23c的上部(透射孔28 )連接到底表面上 的透射孔21 (腔23c之下)的部分內(nèi)，即在氣體導(dǎo)出部分23b內(nèi)。開口42a 形成在屏蔽板42的近似中心上，并且設(shè)置在激光光路上，以允許施加到目 標(biāo)膜26的激光通過。由激光加工產(chǎn)生的碎片漂浮在由從氣體引入部分25a、 25b、 25c和25d 通過空氣孔引入渦流形成底座23a的渦流形成空間36的氣體產(chǎn)生的渦流氣 流中，并且碎片從透射孔21巻入到屏蔽板42。這里，由屏蔽板42防止碎片上升，并且附著在屏蔽板42的下表面。由屏蔽板42去除碎片的氣體通過開 口 42a,并被巻入到真空腔23c的透射孔28,并且從排出孔32排出到外面。圖12A和12BA^L示屏蔽板42的外觀的示意圖，其中圖12A是俯視圖， 而圖12B是X-X線的截面圖。如圖12A和12B所示，屏蔽板42是高度低 的具有開口的有底的圓筒狀或者在兩個(gè)底面具有開口且高度低的圓柱或圓 盤狀。屏蔽板42的一側(cè)寬闊開口，而另一側(cè)具有以預(yù)定尺寸形成在底表面 上的開口 42a,從而穿透屏蔽板42。該實(shí)例的屏蔽4反42近似為形成在開口 42a和相對(duì)于制作開口 42a的底部表面的開口邊緣之間的碗狀。形成在屏蔽板42的底部表面上的開口 42a優(yōu)選與穿過開口 42a的激光3 的束尺寸(對(duì)角尺寸) 一樣大或者略大于束尺寸。在該實(shí)例中，開口 42a為 例如比束尺寸大0.5 mm至1 mm。因此，在目標(biāo)膜26的激光照射區(qū)域中產(chǎn) 生并且朝著上透射窗口 19上升的碎片中，可以屏蔽在具有這樣束尺寸的激 光3周圍上升的碎片，并且可以最小化穿過開口 42a的碎片數(shù)量。此外，將描述屏蔽裝置的另一個(gè)實(shí)例。圖13是用于描述屏蔽裝置另 一個(gè)實(shí)例的碎片收集機(jī)構(gòu)的示意性截面圖。 在圖13中，對(duì)應(yīng)于圖11的部分由相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略其描述。該實(shí) 實(shí)例的屏蔽裝置不是設(shè)置在氣體導(dǎo)出部分內(nèi)的屏蔽板，而是具有凹凸結(jié)構(gòu)的 氣體導(dǎo)出部分的圓筒表面或者內(nèi)壁。氣體導(dǎo)出部分50的周邊壁具有變化直 徑的凹凸結(jié)構(gòu)以形成波紋管(bellows )。與前面所述的情況一樣，氣體導(dǎo)出 部分50 (波紋管)的每個(gè)小直徑部分51、 51優(yōu)選具有與通過的激光的束尺 寸(對(duì)角尺寸) 一樣大或者比該束尺寸略大的直徑。纟艮明顯，兩個(gè)小直徑部 分51、 51可以具有不同的直徑。在這樣的構(gòu)造中，屏蔽裝置可以設(shè)置在碎片收集機(jī)構(gòu)中而不增加其它部 件，例如屏蔽板42。凹凸的波紋管結(jié)構(gòu)可以提供與設(shè)置多個(gè)屏蔽板的情況相 同的捕獲功能(屏蔽功能)，并且因此改善碎片捕獲功能。此外，該實(shí)例具 有類似于采用屏蔽4反42的情況的其它效果。在激光加工中，對(duì)于樹脂膜中的蝕刻反應(yīng)主要進(jìn)行熔蝕，而對(duì)于金屬膜 中的蝕刻反應(yīng)主要進(jìn)行熱熔融。這里，碎片變?yōu)榉Q為巻流的氣球狀塊 (balloon-like mass),并且以根據(jù)cosp定律以幾十米/秒的初速度擴(kuò)散。因?yàn)?具有這樣初速度的蒸氣流的方向不能由流入碎片收集裝置22的渦流氣流改 變，所以有必要通過設(shè)置屏蔽裝置來屏蔽(捕獲)碎片，以便防止碎片附著到上透射窗口 19。然而，因?yàn)榧す?的光路不能阻擋，所以即使有屏蔽裝置也不能完全避免上透射窗口 19的污染。因此，在批量生產(chǎn)平板顯示面板的設(shè)備中采用的激光加工設(shè)備中，有必要設(shè)置用于自動(dòng)置換可以通過入射激光 的上透射窗口的機(jī)構(gòu)。下面，將描述可以置換透射窗口的實(shí)施例。圖14是碎片收集機(jī)構(gòu)的示意性截面圖，并且展示了用于保護(hù)透射窗口 的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。如圖14所示，對(duì)應(yīng)于圖5的部分由相同的標(biāo)號(hào)表示。該實(shí)例 與圖5的實(shí)例不同之處在于，碎片收集機(jī)構(gòu)具有帶多個(gè)透射窗口的旋轉(zhuǎn)器形 狀的旋轉(zhuǎn)置換機(jī)構(gòu)。帶有上透射窗口 19a和上透射窗口 19b的盤狀旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 60設(shè)置在真空腔23c的上表面上。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)60可以使用比如電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng) 裝置繞作為旋轉(zhuǎn)中心的與激光光軸平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。具有開口 42a的屏蔽 板42設(shè)置在氣體導(dǎo)出部分23b內(nèi)。在這樣的構(gòu)造中，上透射窗口 19a設(shè)置在真空腔23c的上表面上的中心。 當(dāng)使用上透射開口 19a在一定數(shù)量的目標(biāo)基板上進(jìn)行激光加工后，在基板置 換時(shí)使旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)60旋轉(zhuǎn)，以用新的上透射窗口 19b置換上透射窗口 19a，并 且繼續(xù)激光加工。在此情況下，實(shí)現(xiàn)了屏蔽功能和透射窗口置換功能的協(xié)同 作用，從而可以有效地收集^f爭(zhēng)片，并且可以通過適當(dāng)?shù)刂脫Q透射窗口在合適 的條件下進(jìn)行激光加工。通過結(jié)合具有該實(shí)例的透射窗口置換機(jī)構(gòu)的真空腔和具有波紋管結(jié)構(gòu) (氣體導(dǎo)出部分50)的上述屏蔽裝置，明顯地可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。在圖 14所示的實(shí)例中，透射窗口的數(shù)量為兩個(gè)；然而，該數(shù)量不限于此。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收集方法，能夠有 效地收集圖案化形成在目標(biāo)上的樹脂膜或者金屬膜期間所產(chǎn)生的碎片。因此，根據(jù)采用碎片收集機(jī)構(gòu)和碎片收集方法的激光加工設(shè)備和激光加 工方法，激光照射期間產(chǎn)生的碎片被有效去除，從而可以減少附著在目標(biāo)上 的碎片。這使得能夠改善加工的邊緣形狀并且消除殘?jiān)?，從而多層膜可以?有期望的精細(xì)結(jié)構(gòu)的表面。稱為平板顯示器例如液晶顯示器的顯示面板形成有配線基板，該配線基 板包括元件，例如薄膜晶體管(TFT)和電容器；以及各種導(dǎo)電構(gòu)件，例 如電連接到這些元件的多條配線(例如，信號(hào)配線和電位提供配線)。有機(jī) 電致發(fā)光(EL)顯示TFT基板除了信號(hào)配線和掃描配線外，還具有多個(gè)電位提供配線，從而增加了像素中的配線密度，并且進(jìn)一步復(fù)雜化了像素結(jié)構(gòu)。 因此，為了批量生產(chǎn)形成顯示器的配線基板，能夠如同本發(fā)明實(shí)施例一樣提 供期望的精細(xì)結(jié)構(gòu)的表面的圖案化技術(shù)是非常重要的。采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施 例的激光加工方法可以生產(chǎn)和提供具有高質(zhì)量多層膜的產(chǎn)品，例如包括平板 顯示器面板的顯示面板。此外，通過新工藝可以完全去除碎片，該新工藝通過激光加工(干方法) 允許樹脂膜或者金屬膜的高質(zhì)量圖案化，并且取代了過去光刻工藝中進(jìn)行的 圖案化方法(濕方法)。通過消除光刻工藝，減少了投資、環(huán)境負(fù)荷、產(chǎn)品成本和覆蓋區(qū)。在上述實(shí)施例中，在同心槽37和從同心槽37提供的氣流之間形成角度， 以對(duì)流入渦流形成板38中的氣流進(jìn)行整流，使其能夠形成僅有小紊流的渦 流氣體。在上述實(shí)施例中，以預(yù)定的開口率為渦流形成板38提供渦流形成放射 狀槽38b,使其能夠增加流入渦流形成空間的氣體的流速，并且易于將碎片 夾帶在渦流中。在上述實(shí)施例中，渦流形成板38具有直徑例如為透射孔21直徑的l.5 倍或者更小的渦流形成空間36,使其能夠形成僅有小紊流的渦流。在上述實(shí)施例中，設(shè)置在渦流形成空間36中的內(nèi)徑38a具有R形狀或 者錐形形狀38d,并且夾帶在渦流中的碎片從用于排出的透射孔21排出，從 而^ff片可以以減小的空氣阻力在渦流形成空間36的開口收集到渦流。在上述實(shí)施例中，碎片由渦流氣流聚集在激光照射區(qū)域中心中的透射孔 21中，使其能夠抑制碎片散射到激光照射區(qū)域的周邊。即4吏碎片保留在激光 照射區(qū)域中，碎片也聚集在照射區(qū)域中心中的透射口 21中，從而碎片可以 進(jìn)一步用激光照射，并且可以完全去除。下面將描述采用上述激光加工設(shè)備(碎片收集機(jī)構(gòu))生產(chǎn)顯示面板的方 法的實(shí)施例。在本實(shí)施例中，本發(fā)明應(yīng)用于作為顯示面板的液晶顯示器。圖15 ^L示應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器中驅(qū)動(dòng)基板構(gòu)造實(shí)例的平面圖。如圖15所示，驅(qū)動(dòng)基板(配線基板)201具有排列成矩陣的像素電極 202;以及分別設(shè)置在像素電極202中的TFT元件230。為液晶顯示器中的 每個(gè)像素設(shè)置像素電極202，并且在像素電極202之間設(shè)置信號(hào)線205和柵 極線206。像素電極202具有透射像素電極210;以及形成在透射像素電極210上 的反射像素電極212。開口 212w形成在反射像素電極212中。TFT元件230具有柵極電極207;以及與柵極電極207交叉設(shè)置的多晶 硅層208。柵極電極207電連接到柵極線206。多晶硅層208的一端電連接 到信號(hào)線205，而另一端電連接到透射像素電極210。柵極線206是用于給 TFT元件230提供掃描信號(hào)的線。信號(hào)線205是用于給TFT元件230施加 信號(hào)電壓的線。圖16力艮示沿著圖15中的B-B線的驅(qū)動(dòng)基板201的TFT元件230的 周邊截面結(jié)構(gòu)的截面圖。圖17是展示沿著圖15中的C-C線的驅(qū)動(dòng)基板201 的開口 212w的周邊截面結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖16和17所示，液晶顯示器還 包括面對(duì)驅(qū)動(dòng)基板201的電極形成表面設(shè)置的對(duì)向電極262、濾色器264、 相差板266和偏振板268;以及設(shè)置在驅(qū)動(dòng)基板201的背面上的相差板270、 偏振纟反272和平面光源274。驅(qū)動(dòng)基板201具有基板240、柵極電極207、阻擋膜(barrier film ) 244、 柵極絕緣膜246、多晶硅層208、停止層(stopper layer) 250、層間絕緣膜 248與252、漫射板254、平坦化層256、透射像素電極210和反射像素電極 212。基板240由透光材料例如玻璃形成。柵極電極207與柵極線206 —起在 基板240上圖案化。柵極電極207例如通過濺射在基板240上沉積導(dǎo)電材料 例如Cr或者M(jìn)o (鉬)并且例如通過光刻圖案化Cr或者M(jìn)o等的薄膜來獲j曰付。阻擋膜244設(shè)置在基板240上，以覆蓋柵極電極207。阻擋膜244例如 通過等離子體CVD在基板240上沉積氮化硅獲得。柵極絕緣膜246例如通 過等離子體CVD沉積氮化硅而形成在阻擋膜2"上。在柵極絕緣膜246上圖案化多晶硅層208。多晶硅層208這樣來獲得 例如通過等離子體CVD在棚-極絕緣膜246上沉積非晶硅；然后退火非晶硅， 以去除包含在非晶硅中的氫，并且將非晶硅轉(zhuǎn)變成多晶硅；并且例如通過光 刻圖案化多晶硅。雜質(zhì)例如磷(P)在停止層250的兩側(cè)以預(yù)定的濃度注入 到多晶硅層208中，并且激活以形成輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域和N+區(qū)域。停止層250例如由氧化硅形成。停止層250可以這樣獲得例如通過 CVD在柵極絕緣膜246上沉積氧化硅以覆蓋多晶硅層208;然后采用柵極電極207作為掩模通過自對(duì)準(zhǔn)圖案化氧化膜。因此，停止層250覆蓋多晶硅層 208在柵極電極207之上的區(qū)域。LDD區(qū)域采用停止層250作為掩模通過雜 質(zhì)的離子注入形成。N+區(qū)域通過用光致抗蝕劑遮蔽停止層250和停止層250 的周邊然后將雜質(zhì)離子注入到多晶硅層208中形成，隨后，通過退火激活雜質(zhì)。層間絕緣膜248形成在柵極絕緣膜246上，以覆蓋停止層250和多晶硅 層208。層間絕緣膜248例如通過CVD沉積氧化硅來形成。層間絕緣膜252 形成在層間絕緣膜248上。層間絕緣膜252例如通過CVD沉積氮化硅形成。漫射板254形成在層間絕緣膜252上。漫射板254具有表面的凹凸。該 凹凸設(shè)置為在形成于漫射板254之上的反射電極212上形成凹凸，并且漫射 入射在反射電極212上的光以改善屏幕亮度。漫射板254這樣獲得通過旋 涂將由丙烯酸樹脂或等同物形成的抗蝕劑涂敷到層間絕緣膜252上；通過后 烘培(post-baking)以去除溶劑而將抗蝕劑固定到下層；并且在抗蝕劑的表 面上形成凹凸?？刮g劑表面例如通過光刻或者激光加工而加工成具有凹凸。平坦化層256形成在漫射板254上，并且設(shè)置為使得在漫射板254中的 表面凹凸平滑，且使得透射像素電極210和反射像素電極212易于固定。因 此，平坦化層256的表面比漫射板254的表面更平坦。如圖17所示，錐形孔H形成為通過阻擋膜242、柵極絕緣膜246、層間 絕緣膜248與252、漫射板254和平坦化層256到達(dá)基板240。如圖17所示， 透射像素電極210形成在平坦化層256上，并且形成為覆蓋錐形孔H的內(nèi)周 邊和形成孔H的底部的基板240的表面。透射像素電極210例如由ITO制 造的導(dǎo)電透射膜形成。透射像素電極210圖案化成如圖17所示的矩形形狀。反射像素電極212形成在透射像素電極210的整個(gè)表面上。反射像素電 極212具有如圖17所示形成的開口 212w。反射^^素電極212例如由Al制 造的導(dǎo)電反射膜(金屬膜)形成。因此，反射像素電極212電連接到透射像 素電極210。反射像素電極212通過用稍后描述的激光熔蝕加工圖案化沉積 在透射像素電極210上的導(dǎo)電反射膜211來形成。此外，在該圖案化中，由 樹脂或等同物制造的停止層215事先形成在透射像素電極210中的錐形孔H 上。對(duì)向電極262、濾色器264、相差板266和偏振才反268面對(duì)形成有像素 電極的驅(qū)動(dòng)基板201而一體地設(shè)置。相差板270、偏振板272和平面光源274面對(duì)驅(qū)動(dòng)基板201相對(duì)于形成有像素電極的一側(cè)而一體地設(shè)置。對(duì)向電極262例如由ITO或等同物制造的導(dǎo)電透射膜形成，并且在對(duì)向電極262和透 射像素電極210之間以及對(duì)向電極262和反射像素電極212之間形成電場(chǎng)。偏振板268和272將入射光轉(zhuǎn)換成線性偏振光。相差板266和270進(jìn)行 光學(xué)補(bǔ)償，以將通過偏振板268或272的線性偏振光轉(zhuǎn)換成圓偏振光，以便 改善對(duì)比度，并且減少和防止液晶顯示器中的顏色改變。濾色器264具有紅 (R)、綠(G)和藍(lán)(B)三基色的良好彩色層，以及具有預(yù)定圖案的稱為 黑矩陣的遮蔽層。平面光源274包括例如冷陰極熒光管的光源，并且輸出平 面光BL到基板240。對(duì)于封閉在對(duì)向電極與透射像素電極210和反射Y象素電極212之間的液 晶260，例如采用扭轉(zhuǎn)向列(TN)液晶。在具有上述構(gòu)造的液晶顯示器中，入射在偏振板268上的外部光OL通 過偏振板268、相差板266、濾色器264和對(duì)向電極262，入射在反射像素電 極212上，被反射像素電極212反射，并且再一次從偏振板268輸出到外面。 因?yàn)榉瓷湎袼仉姌O212具有由漫射板254中的凹凸引起的表面凹凸，所以入 射在反射像素電極212上的外部光OL被散射，并且改善了屏幕亮度。如圖16所示，另一方面，從平面光源274輸出的光BL由反射像素電極 212屏蔽，并且在存在反射像素電極212的區(qū)域中不從偏振板268輸出到外 部。然而，如圖17所示，入射在透射像素電極210上的光BL的一部分通過 反射像素電極212的開口 212w，并且通過對(duì)向電極262、濾色器264、相差 板266和偏振板268輸出到外部。結(jié)果，在暗的地方使用平面光源274而在 亮的地方外部光被反射像素電極212反射，可以獲得高亮度和省電的液晶顯 示器。接下來，將描述形成反射像素電極212的方法。反射像素電極212采用 如圖4所示包括碎片收集裝置22的激光加工設(shè)備20形成(圖案化)。激光控制單元1作為激光源輸出激光3 (稍后描述的激光束LB )。目標(biāo) 的表面(目標(biāo)膜26 )通過從激光控制單元1輸出的激光3加工。例如，準(zhǔn)分 子激光器或者YAG激光器用作激光控制單元1。如上所述，有具有不同激 光介質(zhì)的多種類型的準(zhǔn)分子激光器。準(zhǔn)分子激光器與采用熱能進(jìn)行加工的 YAG激光器(1.06 iam)和0)2激光器(10. 6 |um )有很大不同，不同之處 在于準(zhǔn)分子激光器在紫外區(qū)域中具有振蕩波長(zhǎng)。準(zhǔn)分子激光器本質(zhì)上僅脈沖振蕩，并且例如具有約20 ns的脈沖寬度和矩形激光束形狀。因?yàn)闇?zhǔn)分子激 光器進(jìn)行稱為熔蝕的加工，該加工直接光化學(xué)地分離化學(xué)鍵(bond),并且 不容易受到熱影響，所以加工表面的所得的邊緣極其鋒利。另一方面，因?yàn)?由YAG激光器或C02激光器加工的區(qū)域在溶化后蒸發(fā)，所以加工區(qū)域的周 邊是倒圓的，并且所得的邊緣不鋒利。此外，準(zhǔn)分子激光器具有尺寸約為10 x 10mm的起始束截面，并且在激光束具有就長(zhǎng)度和寬度而言由束成形器14 增加的面積時(shí)，可以共同地加工相對(duì)大的區(qū)域。因此，準(zhǔn)分子激光器適合于 同時(shí)加工具有大面積的區(qū)域。下面，將參照?qǐng)D18至21描述形成電極的方法。根據(jù)該實(shí)施例，即使在 使用非導(dǎo)電材料例如樹脂材料形成的停止層時(shí)，透射像素電極210和反射像 素電極212也是導(dǎo)通的，使得防止激光束LB對(duì)透射像素電極210的損壞。 在圖18至21中，與圖16和17相同的部件由相同的標(biāo)號(hào)表示。首先，如圖18所示，孔H形成在堆疊在驅(qū)動(dòng)基板201的基板240上的 阻擋膜242、柵極絕緣膜246、層間絕緣膜248與252、漫射板254和平坦化 層256中；然后導(dǎo)電透射膜形成在平坦化層256上；以及導(dǎo)電透射膜圖案化 為形成透射像素電極210。透射像素電極210可以采用上述的激光加工設(shè)備 20圖案化。例如退火的ITO用作形成透射像素電極210的導(dǎo)電透射膜。導(dǎo) 電透射膜例如通過濺射形成。圖18展示了這樣的狀態(tài)形成孔H;然后導(dǎo)電透射膜形成在平坦化層 256上；圖案化導(dǎo)電透射膜以形成透射像素電極210;以及然后在孔H中的 透射像素電極的表面上形成停止層215。停止層215由透射可見光的材料形 成。例如，采用透明樹脂材料。如果采用樹脂材料，則優(yōu)選該樹脂材料具有 在來自激光加工設(shè)備20的激光束LB的波長(zhǎng)附近的盡可能高的吸收率。例如， 樹脂材料具有在248 nm的KrF準(zhǔn)分子激光器的波長(zhǎng)附近的高吸收率。停止 層215例如可以通過采用激光加工設(shè)備20的激光加工或者光刻工藝形成。在采用樹脂材料形成停止層215后，導(dǎo)電反射膜211形成為覆蓋停止層 215和以矩形形狀圖案化的透射像素電極210,如圖19所示。作為導(dǎo)電反射 膜211，例如，采用由Al制造的導(dǎo)電反射膜(金屬膜)。導(dǎo)電反射膜ll例如 通過賊射形成。因此，導(dǎo)電反射膜211電連接到透射像素電極210。接下來，形成有導(dǎo)電反射膜211的驅(qū)動(dòng)基板201設(shè)置在上述激光加工設(shè) 備20上，并且用具有預(yù)定圖案的激光束LB照射導(dǎo)電反射膜211的表面，如圖20所示。導(dǎo)電反射膜211用作為脈沖的激光束LB間歇地照射。激光束 LB的功率設(shè)定為使得導(dǎo)電反射膜211的照射區(qū)域R此時(shí)沒有由照射完全去 除，而是僅通過熔蝕去除導(dǎo)電反射膜211的一部分。這里，通過用激光束 LB照射從加工表面產(chǎn)生的碎片與在激光照射區(qū)域附近的氣體一起夾帶在渦 流中，并且采用如圖ll或13所示的碎片收集裝置通過碎片收集方法被有效 地收集和去除。當(dāng)導(dǎo)電反射膜211的照射區(qū)域R用激光束LB重復(fù)照射時(shí)，逐漸去除照 射區(qū)域R。當(dāng)導(dǎo)電反射膜211的照射區(qū)域R完全去除時(shí)，停止層215從導(dǎo)電 反射膜211中形成的開口暴露。用激光束LB進(jìn)一步進(jìn)行照射，當(dāng)停止層215 也由熔蝕去除時(shí)，停止用激光束LB照射。在下透射像素電極210由激光束 LB損壞之前，停止用激光束LB照射。如上所述，導(dǎo)電反射膜211通過用具有預(yù)定圖案的激光束LB照射導(dǎo)電 反射膜211來圖案化導(dǎo)電反射膜211,并且因此形成具有開口 212w的反射 像素電極212，如圖21所示。這里，停止層215的部分215p可以保留在反 射像素電極212和透射像素電極210之間。然而，停止層215是透射膜，并 且因此可以不妨礙可見光透射通過開口中的透射像素電極210。在上述工藝中，圖案化了圖15所示具有開口 212w的矩形反射像素電極 212。在本實(shí)施例中，停止層215形成在用于反射像素電極212的導(dǎo)電反射 膜和透射像素電極210之間。因此，當(dāng)用激光束LB圖案化反射像素電極212 時(shí)，透射像素電極210避免被去除或損壞，例如，從基板240剝離。結(jié)果， 可以用激光束LB形成反射像素電極212。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例制造顯示面板的方法，采用碎片收集裝置22 可以有效收集圖案化目標(biāo)上的金屬膜(反射像素電極212)期間所產(chǎn)生的碎 片。因此，有效地去除了激光照射期間產(chǎn)生的碎片，并且因此可以減少附著 到目標(biāo)的碎片。這使得能夠改善加工邊緣的形狀或者消除殘?jiān)?。因此，能?制造由微細(xì)和精密表面結(jié)構(gòu)的多層膜形成的液晶顯示器。此外，根據(jù)本實(shí)施例制造顯示面板的方法，在停止層由非導(dǎo)電材料即樹 脂形成的情況下，透射像素電極210電連接到反射像素電極212，并且反射 像素電極212可以通過激光束LB加工而不損壞透射像素電極210。停止層 215可以由根據(jù)用于激光加工設(shè)備20的激光的波長(zhǎng)選擇的任何材料形成。在上述實(shí)施例中，液晶顯示器通過包括加工沉積在樹脂(停止層215)上的金屬膜(反射像素電極212)的步驟的方法制造；然而，液晶顯示器也 可以通過包括采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的激光加工設(shè)備(碎片收集機(jī)構(gòu))加工 沉積在樹脂膜上的樹脂膜的步驟的方法制造。液晶顯示器是顯示面板(平板 顯示面板)的一個(gè)實(shí)例。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法不限于該實(shí)例，并且 可以應(yīng)用于各種顯示面板。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求及其等同特征的范圍 內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。本發(fā)明包含2007年6月27日提交日本專利局的日本專利申請(qǐng)JP 2007-169381的相關(guān)主題，將其全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種激光加工設(shè)備，用于采用激光來圖案化形成于基板上的樹脂膜或者金屬膜，所述激光加工設(shè)備包括激光源，發(fā)射激光；和碎片收集裝置，包括透射窗口，所述激光透射通過所述透射窗口；渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬膜的激光照射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，所述屏蔽裝置具有入射激光通過的開口并且屏蔽碎片流，其中所述碎片收集裝置的所述渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)置為靠近所述基板上的所述樹脂膜或者金屬膜，并且其中由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后被夾帶在由所述渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的所述渦流氣流中，并且通過所述屏蔽裝置排出到外部。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工設(shè)備，其中所述碎片收集裝置還包括渦流氣流排出部和渦流形成部，所述渦流 氣流排出部具有透射孔，該透射孔為激光光路并且為與排出孔相通的渦流氣 流通路，且所述渦流形成部置為面對(duì)所述基板；其中所述渦流形成部具有渦流形成板，所述渦流形成板具有與所述渦流 氣流相對(duì)應(yīng)的旋轉(zhuǎn)方向并且與所述透射孔相通的放射狀渦流形成槽，所述渦 流形成槽形成在所述渦流形成部的面對(duì)所述基板的表面上；并且其中氣體引入所述渦流形成板的所述渦流形成槽中，從而流入所述渦流 形成槽中以形成渦流氣流的所述氣體通過所述渦流氣流排出部的所述透射 孔從所述排出孔排出到外部。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中所述屏蔽裝置是設(shè)置到所述碎片收集裝置內(nèi)部的所述渦流氣流通 路并且在所述激光光路上具有開口的屏蔽板。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中所述屏蔽裝置具有形成在所述碎片收集裝置內(nèi)部的所述渦流氣流 通^各中的凹凸的波紋管結(jié)構(gòu)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的激光加工設(shè)備，其中所述屏蔽裝置的所述渦流氣流通路中的所述開口與所述激光的束 尺寸一樣大或者比所述激光的束尺寸略大。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中所述渦流形成槽形成為使得在所述渦流形成槽與所述透射孔的同 心圓的切線之間形成的角中在所述渦流氣流的下游側(cè)形成銳角。
7、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中所述碎片收集裝置還包括在所述渦流形成板的面對(duì)所述基板的表 面的外周邊上的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽與所述渦流形成槽相通；并且其中氣體從形成在所述環(huán)形槽中的供氣孔引入，以將所述氣體提供到所 述渦流形成槽，引起在所述環(huán)形槽中沿與所述渦流氣流的旋轉(zhuǎn)方向相同的方 向產(chǎn)生氣流。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光加工設(shè)備，其中所述碎片收集裝置還包括將氣體引入形成在所述環(huán)形槽內(nèi)的所述 供氣孔中的氣體引導(dǎo)部；并且其中所述氣體引導(dǎo)部的位置對(duì)應(yīng)于所述渦流形成槽，并且所述氣體引導(dǎo) 部設(shè)置為相對(duì)于將所述透射孔的中心連接到所述環(huán)形槽的所述供氣孔的直 線傾斜到沿所產(chǎn)生的渦流氣流的所述旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中形成在所述渦流形成板中的所述渦流形成槽在所述環(huán)形槽上的槽 寬度以預(yù)定的比率大于在所述透射孔上的槽寬度。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的激光加工設(shè)備， 其中滿足下面的關(guān)系W1:W2= 1:1.5到2.5其中在形成于所述渦流形成板中的所述渦流形成槽中，在所述環(huán)形槽上 的所述槽寬度定義為Wl，而在所述透射孔上的所述槽寬度定義為W2。
11 、根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工設(shè)備，其中所述碎片收集裝置還包括在所述渦流氣流排出部的所述透射孔與 所述渦流形成板的所述渦流形成槽之間形成環(huán)形氣流的空間。
12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的激光加工設(shè)備，其中曲線形狀或者錐形形狀形成在所述透射孔的連接到形成所述環(huán)形 氣流的所述空間的所述開口附近的壁表面上。
13、 一種激光加工方法，用于采用激光來圖案化基板上的樹脂膜或者金屬膜，所述激光加工方法包括下述步驟使碎片收集裝置靠近所述基板，所述碎片收集裝置具有透射所述激光 的透射窗口；渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬膜的激光 照射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入射激光通過的 開口并且屏蔽碎片流；將由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后夾帶在由所述 渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的所述渦流氣流中；以及通過所述屏蔽裝置將所述碎片排出到外部。
14、 一種碎片收集機(jī)構(gòu)，用于去除采用激光圖案化基板上的樹脂膜或者 金屬膜期間由激光照射產(chǎn)生的碎片，所述碎片收集機(jī)構(gòu)包括透射窗口，激光透射通過所述透射窗口；渦流產(chǎn)生部，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬膜的激光照射區(qū)域附 近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入射激光通過的開口并且屏蔽碎片流，其中所述渦流氣流由置為靠近所述基板上的所述樹脂膜或者金屬膜的 所述渦流產(chǎn)生部產(chǎn)生，并且其中由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后被夾帶在由 所述渦流產(chǎn)生部產(chǎn)生的所述渦流氣流中，并且通過所述屏蔽裝置排出到外部。
15、 一種碎片收集方法，用于去除采用激光圖案化基板上的樹脂膜或者 金屬膜期間由激光照射產(chǎn)生的碎片，所述碎片收集方法包括下述步驟使碎片收集裝置靠近所述基板，所述碎片收集裝置具有透射入射激光 的透射窗口；渦流產(chǎn)生部，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬膜的激光照 射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有所述入射激光通過 的開口并且屏蔽碎片流；將由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后夾帶在由所述 渦流產(chǎn)生部產(chǎn)生的所述渦流氣流中；以及通過所述屏蔽裝置將所述碎片排出到外部。
16、 一種制造顯示面板的方法，所述顯示面板具有形成有對(duì)應(yīng)于像素的 多個(gè)配線圖案的基板，所述方法包括下述步驟在形成于所述基板上的樹脂膜上沉積樹脂膜或者金屬膜；以及通過用激光照射來圖案化所述樹脂膜或者金屬膜，其中采用激光圖案化所述樹脂膜或者金屬膜的步驟包括下述步驟使碎片收集裝置靠近所述基板，所述碎片收集裝置具有透射所述 激光的透射窗口；渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬 膜的激光照射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入 射激光通過的開口并且屏蔽碎片流；將由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后夾帶在由 所述渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的所述渦流氣流中；以及通過所述屏蔽裝置將所述碎片排出到外部。 17、 一種激光加工設(shè)備，用于采用激光圖案化形成在基板上的樹脂膜或 者金屬膜，所述激光加工設(shè)備包括 激光源，發(fā)射激光；和碎片收集裝置，包括透射窗口，所述激光透射通過所述透射窗口；渦 流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過使氣體流入所述樹脂膜或者金屬膜的激光照射區(qū)域附近的 區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流；以及屏蔽裝置，具有入射激光通過的開口并且屏蔽碎 片流，其中所述碎片收集裝置的所述渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)置為靠近所述基板上的所 述樹脂膜或者金屬膜，并且其中由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后被夾帶在由 所述渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的所述渦流氣流中，并且通過所述屏蔽裝置排出到外部。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種激光加工設(shè)備、碎片收集機(jī)構(gòu)及方法與顯示板的制造方法。提供了一種激光加工設(shè)備，用于以激光圖案化形成于基板上的樹脂膜或者金屬膜。該設(shè)備包括激光源和碎片收集裝置，該碎片收集裝置具有透射激光的透射窗口、通過使氣體流入樹脂膜或者金屬膜的激光照射區(qū)域附近的區(qū)域而產(chǎn)生渦流氣流的渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，以及具有激光通過的開口并且屏蔽碎片流的屏蔽裝置。該機(jī)構(gòu)靠近基板上的樹脂膜或金屬膜設(shè)置。由激光照射產(chǎn)生的碎片于堆疊在目標(biāo)膜上之前和之后被夾帶在由渦流產(chǎn)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的渦流氣流中，并且通過屏蔽裝置排出到外部。
文檔編號(hào)B23K26/42GK101332535SQ200810131749
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者佐佐木良成, 山田尚樹, 村瀬英壽, 阿蘇幸成 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社