專利名稱：除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路的表面的機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路的表面 的機(jī)器。
背景技術(shù)：
集成電路或芯片是一種電子器件，其通過在半導(dǎo)體材料(通常是硅， M時(shí)也是砷化鎵或其它類似的和等同的材料)的基片上集成電子電路而構(gòu)成o集成電路(以下簡(jiǎn)稱IC)的制造成本幾乎很少或者根本不隨著其復(fù)雜性的增加而變化，因此研發(fā)復(fù)雜的電路更加經(jīng)濟(jì)，復(fù)雜的電路包括一系列內(nèi)部層級(jí)，這些內(nèi)部層M:此連接并與外部連接，并且集成一種特定裝 置所需的全部功能。為此，微電子工業(yè)僅提供相當(dāng)少量的通用ic，卻提供數(shù)以萬(wàn)計(jì)的專 用ic,每種ic設(shè)計(jì)用于專門的用途，從而變成了公司寶貴的技^密。公司開發(fā)的每種技術(shù)方案都產(chǎn)生智力與工業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這可以被專利 申請(qǐng)保護(hù)，但是這些技術(shù)方案的大部分通常被公司商業(yè)機(jī)密涵蓋，為此， 制造公司釆取措施戒備地隱藏它們的技術(shù)內(nèi)容以防止它們竟?fàn)帉?duì)手的關(guān) 注。制造IC的初始材料是半導(dǎo)體的圓形部分，稱為基片；這種材料通常 已經(jīng)被輕m摻雜，通過離子注入或熱擴(kuò)散被進(jìn)一步摻雜以便生成活性區(qū) 域，用于一系列并排排列的相同的預(yù)定義電路的后續(xù)供應(yīng)品；然后不同材 料的一系列薄層一_比如多晶半導(dǎo)體層、薄絕緣層、氧化絕緣層以及用于 電連接的金屬層(硅化物或金屬，比如鋁、鵠、或稀有的銅)通過外延附 生或熱處理被淀積和生成。如已提到的，每個(gè)新的lC都產(chǎn)生智力和/或工業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在產(chǎn)品的 處理期間，那些未使用的或者已經(jīng)被丟棄的IC帶來麻煩，需要讓未授權(quán) 的第三方不能復(fù)制和重建所述未使用的集成電路中的內(nèi)容。目前，為了阻止竟?fàn)帉?duì)手通過工業(yè)間諜活動(dòng)獲得呈現(xiàn)在不合格的電路上的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這些不合格的集成電路通過研磨被粉化。研磨由特定的公司以相當(dāng)高的成本執(zhí)行，該公司被要求在將被破壞的 電路的制造商的觀察員的警惕監(jiān)督下工作，觀察員必須檢查經(jīng)授M員適 當(dāng)?shù)毓ぷ饕员闼胁缓细竦碾娐范急怀浞值胤刍?。研磨操作要承扭兩種風(fēng)險(xiǎn)第一種風(fēng)險(xiǎn)與被授;^A員的忠誠(chéng)有關(guān)，第 二種更實(shí)在的風(fēng)險(xiǎn)是關(guān)于粉化處理不總是將電路減小成一個(gè)使其無法使 用的尺寸的事實(shí)；在一些情形中，事實(shí)上甚至能夠從微芯片的精微顆粒重 建其帶有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。另夕卜，研磨導(dǎo)致其上設(shè)置有電路的硅或其它等同半導(dǎo)體的所有晶片的 損耗，這導(dǎo)致了原料的無益浪費(fèi)?？蛇x擇地，用于電路表面的化學(xué)洗滌的技術(shù)是已知的，但是它們被證 實(shí)在機(jī)器方面、使用的溶劑的處置方面、以及勞動(dòng)力方面是非常復(fù)雜并且 非常昂貴的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電 路的表面的機(jī)器，其能夠克服上述技術(shù)及已知各種機(jī)器顯示的缺點(diǎn)。依照這種目標(biāo)，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于除去半導(dǎo)體的表面 的機(jī)器，其從半導(dǎo)體晶片的表面清除集成電路的每個(gè)跡線，使第三方不可 能進(jìn)行任何復(fù)制或重建企圖。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于除去半導(dǎo)體的表面的機(jī)器，其允許 回收半導(dǎo)體晶片的至少一部分。本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠被編程以便自動(dòng)操作的機(jī)器，從而 甚至能夠由少量的資格受限的操作員管理。本發(fā)明的另一目的是提供一種機(jī)器，用于除去半導(dǎo)體的表面，尤其是 集成電路的表面，其能夠由已知的系統(tǒng)和技術(shù)制造。在下文中將變得更加明顯的這種目標(biāo)以及這些和其它的目的由一種 用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路的表面的機(jī)器實(shí)現(xiàn)，其特征在 于，包括激光發(fā)射裝置，其至少一個(gè)光束被^:計(jì)成用于擊打至少一個(gè)半導(dǎo)體 晶片或者該半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)片段以便燒蝕預(yù)置厚度的表面層，用于支撐所述至少一個(gè)晶片或其片段的支撐裝置，
用于使所述激光發(fā)射裝置相對(duì)于所述至少一個(gè)晶片或其片段相對(duì) 運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)裝置，所述運(yùn)動(dòng)裝置適于使所述激光發(fā)射裝置沿著一個(gè)路徑 運(yùn)動(dòng)，從而所發(fā)射的所述至少 一個(gè)光束遍歷所述至少 一個(gè)晶片或其片段 的將被除去的整個(gè)表面。


通過以下的兩個(gè)優(yōu)選的而非窮盡的實(shí)施方式的詳細(xì)描述，本發(fā)明的進(jìn) 一步的特性和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，通過附圖中的非限制性示例進(jìn)行解
釋，其中
圖l是依照本發(fā)明第一實(shí)施方式的機(jī)器的示意性立體圖； 圖2是依照本發(fā)明第二實(shí)施方式的機(jī)器的示意性正視圖； 圖3是圖2的第二實(shí)施方式的機(jī)器的側(cè)視圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明的機(jī)器執(zhí)行燒蝕的剖視側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖，本發(fā)明的一種用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路 的表面的機(jī)器，在第一實(shí)施方式中以參考標(biāo)號(hào)IO標(biāo)示，示意性地顯示在圖 l中。
機(jī)器10包括激ife^J^射裝置11,其至少一個(gè)光束12被設(shè)計(jì)用于擊打下 方的半導(dǎo)體晶片13以便燒蝕具有預(yù)置厚度A的表面層。
在作為本發(fā)明的非限制性示例的第一實(shí)施方式中，將在下文更清楚地 描述的發(fā)射裝置11發(fā)射單一激光束12。
機(jī)器10將要處理單個(gè)晶片13或其片段；事實(shí)上,晶片13還可以以 破碎的或部*碎的形式出現(xiàn)。
機(jī)器10還包括用于支撐至少一個(gè)晶片13或其片段的支撐裝置，例如 支撐表面14。
機(jī)器10還包括運(yùn)動(dòng)裝置15，用于使發(fā)射裝置ll相對(duì)于晶片13或其 片段產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)；運(yùn)動(dòng)裝置適于使發(fā)射裝置沿著一個(gè)路徑運(yùn)動(dòng)，從而裝 置發(fā)射的光束12遍歷晶片13或其片段的將被除去的整個(gè)表面。
圖1以示例的方式顯示本身已知的運(yùn)動(dòng)裝置15允許發(fā)射裝置11從晶片13的中心向外緣的螺旋運(yùn)動(dòng)16。
設(shè)置在晶片13的表面上的微芯片17被示意性地顯示在其上，并且被 設(shè)計(jì)成通過激光束12的作用而除去。
激M射裝置11設(shè)置為在罩18里面安全地工作，軍18部分以虛線 顯示，例如泵的抽吸裝置以及過濾裝置19與罩18關(guān)聯(lián)，用于清除在激光 束12的作用下升華的物質(zhì)的氣體；當(dāng)升華的物質(zhì)的氣體從升華區(qū)移向較低 溫度的區(qū)域時(shí)，它們將固化并落在附近，因此，抽吸裝置19避免了碎片堆 積在軍18內(nèi)，發(fā)射裝置11在罩18內(nèi)運(yùn)行。
應(yīng)當(dāng)指出，發(fā)射裝置11包括Nd:Yag (摻雜釹的釔鋁石榴石)晶體類 型或類似和等同類型的激M射器。
發(fā)射裝置11適于發(fā)射頻率為10到30kHz之間并且波長(zhǎng)為l，064nm的 脈沖光束12 (俗稱"Q-switched"光束)。
所述激iUL射器的額定功率大約是500瓦特。
每個(gè)具有極高的比能的激光脈沖作用在面積約為0.3x0,3mm2的區(qū)域 上， 一個(gè)區(qū)域與下一個(gè)區(qū)域之間具有重疊區(qū)；所述重疊區(qū)優(yōu)選地約為被單 個(gè)激光脈沖擊打區(qū)域的50%。
在這里使用的詞匯"約為"是用于表示釆用的值可以在相關(guān)領(lǐng)域技術(shù) 人員眾所周知的范圍內(nèi)變化。
機(jī)器10的操作如下。
當(dāng)晶片13在支撐表面14上定位并Jbf目對(duì)于激iUL射器對(duì)中之后，開 始燒蝕。
脈沖激光束12擊打晶片13的中心區(qū)域，然后被移動(dòng)以l更沿向外的螺 旋#運(yùn)動(dòng)，從而覆蓋晶片13的整個(gè)表面。
激光脈沖形成等離子體(極高溫度的電離氣體，通常在5,000到9,000 1C之間)，在附圖中示意性地以云團(tuán)20表示。
脈沖激光束12的強(qiáng)大的能量撞擊以及激光脈沖作用區(qū)域產(chǎn)生的等離 子體20的高溫的組合作用決定了成分的狀態(tài)(升華)改變，這些成分^li更 在晶片13的表面上深度A內(nèi)的金屬、氧化物、氮化物、珪或其它，該深 度A可通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整發(fā)射裝置11而預(yù)設(shè)， 一般是1到20微米的范圍。
通過激光脈沖的高能的和連續(xù)的作用，在晶片13的表面上構(gòu)成微芯片17的這些成分在幾微秒內(nèi)從固態(tài)轉(zhuǎn)變成氣態(tài)并從晶片13的a面移除。
一旦這些升華的化合物的氣體離開升華點(diǎn)，流向等離子體泡20的外 圍區(qū)域，離心地流向低溫的區(qū)域，它們將在那里被冷卻和固化。
抽吸裝置19移除所述固化的氣體從而防止所得到的固體顆粒重新淀 積到晶片13的表面上。
因此，本發(fā)明的機(jī)器10的作用在于， 一次性地、同步地并且快速地 除去并吸取半導(dǎo)體晶片13的表面上的成份和/或有機(jī)和無機(jī)材料層，不管 所述成分和/或?qū)尤绾瓮ㄟ^填隙式擴(kuò)散、通過離子注入、通過外延淀積或其 它類似的和等同的操作淀積在晶片13上。
這些成分和/或?qū)哟篌w上限定了微芯片17，其通常具有小于1微米的 厚度B。
在發(fā)射裝置ll作用期間，除了微芯片17的層之外，屬于基片一部分 的一部分珪也升華并被移除，如圖4所示，但是大部分的晶片13被保留并 且可用于后續(xù)的循環(huán)^Mt。
機(jī)器10被設(shè)計(jì)執(zhí)行的程序可以在各種類型的半導(dǎo)體上執(zhí)行，不僅是 硅，可以是M形式也可以是破碎的晶片13的片段的形式。
在第二實(shí)施方式中，示意性地顯示在圖2和3中并且以參考標(biāo)號(hào)110 標(biāo)示的本發(fā)明的機(jī)器設(shè)置有激iUL射裝置111，該激M射裝置111包括 一系列并排布置的發(fā)射器，在該示例中是四個(gè)，分別是llla、 lllb、 lllc 和llld。
各個(gè)光束U2a、 112b、 U2c和112d使得側(cè)鄰發(fā)射器發(fā)出的光束重疊，風(fēng)險(xiǎn)。
因此，前述光束U2a等整體上作為一個(gè)帶^^作用，其作用尺寸使 得沿著將被處理的晶片113的整個(gè)寬度作用于該晶片113。
前U射器llla等沿著相對(duì)于傳送帶114垂直的方向并排布置，傳 送帶114形成用于一系列連續(xù)晶片113、 113a或其片段的支撐表面，它們 被裝載在傳送帶114上。
通過轉(zhuǎn)動(dòng)，傳送帶114在罩118下方依次地移動(dòng)晶片，前iOL射器llla 等在罩118內(nèi)工作。
在也是本發(fā)明的非限制性示例的本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，抽吸和過濾裝置包括第一抽吸裝置119a、第二抽吸裝置119b以及濾除或過濾裝置 U9c。
第一抽吸裝置119a在軍118處的傳送帶114之下工作。
傳送帶114設(shè)置有孔121,從而設(shè)置在軍118下方的抽吸室122內(nèi)產(chǎn) 生的抽吸使得前述晶片113等附著于傳送帶114，因此它們?cè)跓g操作期 間保持它們的位置，同時(shí)抽吸氣體和碎片塵埃以便冷卻該氣體。
傳送帶114還作為用于4^C射裝置111和支撐裝置(實(shí)際上由傳送帶 114構(gòu)成)之間相對(duì)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)裝置115。
第二抽吸裝置119b從革118的上部抽吸氣體。
第一抽吸裝置119a和第二抽吸裝置119b都連接到過濾裝置119c，該 過濾裝置119c由適于留住吸入的有害物質(zhì)的已知類型的過濾器構(gòu)成。
從而，機(jī)器IIO能夠連續(xù)操作并快速處理大量的半導(dǎo)體晶片，以與第 一實(shí)施方式的機(jī)器10可以實(shí)現(xiàn)的方式類似的方式極佳地清理設(shè)置在其上 的微芯片。
經(jīng)過計(jì)算，這種機(jī)器110每小時(shí)能夠清理150到200個(gè)直徑8英寸的 晶片，理想地， 一天能夠清理3,600到4,800個(gè)晶片。
前i^射器111a等的操作原理整體上類似于本發(fā)明的第一實(shí)施方式 10中所描述的Nd:Yag晶體發(fā)射裝置。
依照本發(fā)明的機(jī)器10和110的應(yīng)用可以各種各樣，特別用于電子學(xué) 領(lǐng)域。
從而，不需要求助于特別昂貴的和復(fù)雜的化學(xué)設(shè)備，機(jī)器10和110 允許通過使用電子能量，簡(jiǎn)單地移除以各種方式淀積在半導(dǎo)體晶片13和 113或其片段的表面上的金屬的和非金屬的所有電路、圖案以;5L^。
激光脈沖在將要處理的晶片的表面上重疊確保了全部移除包含知識(shí) 產(chǎn)權(quán)的集成電路，從而使第三方不能夠以任何方式復(fù)制和/或使用這些知識(shí) 產(chǎn)權(quán)。
在實(shí)踐中，已經(jīng)證明本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了希望的目標(biāo)和目的。
特別地，本發(fā)明提供一種用于從半導(dǎo)體晶片的表面除去集成電路的機(jī) 器，其從半導(dǎo)體晶片的表面清除集成電路的每個(gè)跡線，使第三方不可能進(jìn) 行任何復(fù)制或重建企圖。進(jìn)一步地，本發(fā)明提供一種用于除去半導(dǎo)體的表面的機(jī)器，其允許回 收該半導(dǎo)體晶片的大部分，包含微芯片的表面層已經(jīng)從該半導(dǎo)體晶片上移
除；保留的半導(dǎo)體材料能夠采用已知技術(shù)被循環(huán)再利用。
而且，本發(fā)明提供一種能夠被編程以便自動(dòng)操作的機(jī)器，從而甚至能 夠由少量的資格受限的操作員管理。
而且，本發(fā)明提供一種機(jī)器，用于除去半導(dǎo)體的表面，尤其是具有集 成電路的表面，其能夠由已知的系統(tǒng)和工藝制造。
如此構(gòu)思的本發(fā)明容許有各種修改和變化，它們都包括在所附的權(quán)利 要求的范圍內(nèi)；所有細(xì)節(jié)都可以進(jìn)一步被其它的技術(shù)上等同的元件代替。
在實(shí)踐中，使用的材料可以是符合要求和技術(shù)規(guī)定的任何材料，只要 它們適合于具體的應(yīng)用和尺寸。
權(quán)利要求
1、一種用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路的表面的機(jī)器，其特征在于，包括激光發(fā)射裝置(11，111)，其至少一個(gè)光束(12，112a，112b，112c，112d)被設(shè)計(jì)成用于擊打至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片(13，113，113a)或者所述半導(dǎo)體晶片的的至少一個(gè)片段以便燒蝕預(yù)置厚度(A)的表面層，支撐裝置(14，114)，其用于支撐所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段，運(yùn)動(dòng)裝置(15，115)，其用于使所述激光發(fā)射裝置(11，111)相對(duì)于所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段相對(duì)運(yùn)動(dòng)，所述運(yùn)動(dòng)裝置(15，115)能夠使所述激光發(fā)射裝置沿著一個(gè)路徑運(yùn)動(dòng)，使得所發(fā)射的所述至少一個(gè)光束(12，112a，112b，112c，112d)遍歷所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段的將被除去的整個(gè)表面。
2、 如權(quán)利要求1所述的機(jī)器，其特征在于，所述發(fā)射裝置(11， 111)包括至少一個(gè)Nd:Yag晶體類型的或類似和等同類型的激光發(fā)射 器。
3、 如前述權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述發(fā)射裝置(ll， 111)能夠發(fā)射頻率為10到30kHz、波長(zhǎng)為1，064nm的脈沖光束(12， 112a， 112b， 112c， 112d)。
4、 如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述發(fā)射裝置(ll， 111)具有大約500瓦特的額定功率。
5、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，所述 激光脈沖在所述激光脈沖作用的區(qū)域形成等離子體(20),所述等離子 體(20)與所述激光脈沖的作用一起引起設(shè)在晶片(13)的表面上深度 (A)內(nèi)的成分的升華，所述深度(A)可通過適當(dāng)調(diào)節(jié)發(fā)射裝置(11) 而預(yù)設(shè)。
6、 如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，每個(gè) 具有極高的比能的所述激光脈沖作用在面積約為0.3x0.3mm2的區(qū)域上。
7、 如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述激光脈沖相繼 地發(fā)生，在被擊打表面的一個(gè)區(qū)域和下一區(qū)域之間具有重疊區(qū)，所述重 疊區(qū)優(yōu)選地約為被單個(gè)激光脈沖擊打的區(qū)域的50%。
8、 如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，用于 所述至少一個(gè)晶片(13)或其片段的所述支撐裝置由支撐表面(14)構(gòu) 成。
9、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，所述 運(yùn)動(dòng)裝置(15 )允許所述發(fā)射裝置(11)從晶片(13 )中心向晶片(13 ) 外緣的螺旋運(yùn)動(dòng)(16)，或反之亦然。
10、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，所述 激光發(fā)射裝置(11， 111)設(shè)置為在罩(18, 118)內(nèi)安全地工作，抽吸 和過濾裝置(19， 119a, 119b, 119c)與所述罩(18， 118)關(guān)聯(lián)，用于 清除在激光束的作用下升華的物質(zhì)的氣體。
11、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，所述 激光發(fā)射裝置(111)包括一系列并排布置的發(fā)射器(llla， lllb, lllc， llld)。
12、如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，并排布置的所述發(fā) 射器(llla， lllb， lllc， llld)的各個(gè)光束(112a， 112b， 112c, 112d) 使得側(cè)鄰的發(fā)射器產(chǎn)生的光束重疊，從而安全地工作而不會(huì)帶來被處理 表面存在未被激光作用蝕刻的區(qū)域的風(fēng)險(xiǎn)。
13、如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述光束(112a,112b， 112c， 112d)整體上形成一個(gè)帶條，所述帶條尺寸使得能夠沿著 所述晶片(113)的整個(gè)寬度作用于所述晶片(113)。
14、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，所述 運(yùn)動(dòng)裝置(115)由傳送帶(114)構(gòu)成，所述傳送帶(114)形成用于 一系列連續(xù)晶片(113， 113a)或其片段的支撐表面，所述晶片(113， 113a)或其片段裝載在所述傳送帶(114)上，所述發(fā)射器(llla， lllb， lllc， llld)沿著與所述傳送帶(114)垂直的方向并排布置。
15、如前述權(quán)利要求中一個(gè)或多個(gè)所述的機(jī)器，其特征在于，通過 轉(zhuǎn)動(dòng)，所述傳送帶(114)將所述晶片依次地放置在所述罩(118)下， 發(fā)射器(llla， lllb， lllc， llld)在所述罩(118)內(nèi)工作。
16、如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述抽吸和過濾裝 置包括能夠在處于所述罩(118)處的傳送帶(114)之下工作的第一抽 唳裝置(119a),以及能夠從所述罩(118)的上部抽吸氣體的第二抽吸 裝置(119b),所述第一抽吸裝置(119a)和所述第二抽吸*>置(119b) 連接到過濾裝置(119c),所述過濾裝置(119c)由能夠留住被抽吸的有 害物質(zhì)的已知類型的過濾器構(gòu)成。
17、如前項(xiàng)權(quán)利要求所述的機(jī)器，其特征在于，所述傳送帶(114) 穿有孔(121)，從而設(shè)在所述罩(118)下方的抽吸室(122)內(nèi)引起的 部分真空使得所述晶片(113)附著于所述傳送帶(114)，因此在燒蝕 操作期間它們維持在它們的位置，并且同時(shí)抽吸氣體和碎片塵埃以便冷 卻所述氣體。
全文摘要
一種用于除去半導(dǎo)體的表面尤其是具有集成電路的表面的機(jī)器，包括激光發(fā)射裝置(11，111)，其至少一個(gè)光束(12，112a，112b，112c，112d)被設(shè)計(jì)成用于擊打至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片(13，113，113a)或其至少一個(gè)片段，以便燒蝕預(yù)置厚度(A)的表面層；用于所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段的支撐裝置(14，114)；用于使所述激光發(fā)射裝置(11，111)相對(duì)于所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段相對(duì)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)裝置(15，115)，所述運(yùn)動(dòng)裝置(15，115)能夠使所述激光發(fā)射裝置沿著一個(gè)路徑運(yùn)動(dòng)，使得所發(fā)射的所述至少一個(gè)光束(12，112a，112b，112c，112d)遍歷所述至少一個(gè)晶片(13，113，113a)或其片段的將被除去的整個(gè)表面。
文檔編號(hào)B23K26/08GK101320674SQ200810006308
公開日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月8日
發(fā)明者佛朗哥·特拉韋爾索 申請(qǐng)人:埃利奧斯技術(shù)公司