專利名稱：高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器及其制造方法，且特別涉及一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法。
等離子平面顯示器(PDP)使用氣體電弧(Arc)所放射的紫外線輻射來激發(fā)紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的磷光物質(zhì)，進(jìn)而得到可見光。請(qǐng)參考

圖1A及1B所示等離子平面顯示器的電極結(jié)構(gòu)及其表面放電狀態(tài)，如圖所示，電極會(huì)分別排列在兩片玻璃基板1、2的垂直及水平鑲條所構(gòu)成的矩陣上。一組電極是用來寫入顯示資料的定址電極3(Address electrode)，另一組電極則是用來放電及實(shí)際顯示的顯示電極4(Display electrode)。定址電極由條狀柵欄5所分隔，紅色、綠色、藍(lán)色的磷光物質(zhì)則鍍?cè)诓ＡЩ迳喜⒏采w定址電極。兩片玻璃基板1、2彼此結(jié)合，玻璃基板間的縫隙則充滿氖和氙的混合氣體以構(gòu)成顯示板。每個(gè)定址電極3與顯示電極4的交會(huì)處是一個(gè)圖素，資料寫入定址及顯示電極對(duì)所放出的電荷則轉(zhuǎn)移到顯示板上并在顯示電極間放電。顯示電極間放電的強(qiáng)度用來控制放射光的強(qiáng)度，進(jìn)而能夠顯示全彩的符號(hào)、圖形、影像。
在等離子平面顯示器中，亮度(Brightness)及對(duì)比度(Contrast)均是極重要的特性。對(duì)比的定義是亮準(zhǔn)位及暗準(zhǔn)位的比值，如圖2所示。由于操作方式的關(guān)系，等離子平面顯示器即使在全黑狀態(tài)下亦會(huì)有一點(diǎn)點(diǎn)背景輻射。因此，暗室(Dark-room)對(duì)比的定義就是顯示光強(qiáng)度(Ld)及背景輻射(Lb)的比值暗室對(duì)比=Ld/Lb暗室對(duì)比可通過增加顯示光強(qiáng)度或減少背景輻射來改善。但是，若增加顯示光強(qiáng)度卻不同時(shí)減少背景輻射，則較亮的黑準(zhǔn)位將會(huì)使畫面像是通過毛玻璃來看一樣。
另外，在具有周遭光線(如室內(nèi)照明)的環(huán)境下，來自磷光物質(zhì)及玻璃表面的反射光(Lref)同時(shí)會(huì)使顯示光強(qiáng)度Ld及背景輻射Lb增加。因此，若入射的環(huán)境光強(qiáng)度為Lin且玻璃基板的表面反射系數(shù)為α，則亮室(Light-room)對(duì)比的定義可修正為亮室對(duì)比=(Ld+Lref)/(Lb+Lref)Lref=αLin由上述可知，在增加暗室及亮室對(duì)比的過程中，降低背景輻射均是不可或缺的要素。
因此，有部分作法便是將不透明黑色掩模(BM)導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板中，使其覆蓋在等離子平面顯示器的不發(fā)光區(qū)域上，藉以減低反射光強(qiáng)度并改善亮室對(duì)比。
請(qǐng)參考圖3A至3G，此即將黑色掩模(BM)導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板中，藉以改善暗室及亮室對(duì)比的一個(gè)例子。
在這個(gè)例子中，首先提供一個(gè)玻璃基板10，如圖3A所示。然后，在玻璃基板10表面的電極形成區(qū)域形成透明電極12，如圖3B所示。透明電極12通常是由銦錫氧化物(Indium Tin oxide)所構(gòu)成。然后，在透明電極12表面形成總線電極14(Bus electrode)，如圖3C所示。總線電極14通常是由Cr/Cu/Cr結(jié)構(gòu)或Cr/Al/Cr結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。然后，在整個(gè)玻璃基板10(包括總線電極14)表面再沉積一介電層16、并將介電層16予以平坦化，如圖3D所示。然后，在介電層16表面對(duì)應(yīng)于等離子平面顯示器的不發(fā)光區(qū)域定義黑色掩模18，如圖3E所示，黑色掩模18通常亦是由黑色低融點(diǎn)玻璃物質(zhì)所構(gòu)成。然后，在介電層16表面對(duì)應(yīng)于等離子平面顯示器的顯示區(qū)域四周形成玻璃膠20，如圖3F所示。然后，在介電層16露出的表面再形成MgO層22，如圖3G所示。
請(qǐng)參考圖4A至4F，此即將黑色掩模(BM)導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板中，藉以改善亮室對(duì)比的另一個(gè)例子。
在這個(gè)例子中，首先提供一玻璃基板30，如圖4A所示。然后，在玻璃基板30表面的電極形成區(qū)域形成透明電極32，如圖4B所示，透明電極32通常是由銦錫氧化物(Indium Tin oxide)所構(gòu)成。然后，同時(shí)在透明電極32表面形成總線電極34(Bus electrode)，及在等離子平面顯示器的不發(fā)光區(qū)域形成黑色掩模36，如圖4C所示。然后，在整個(gè)玻璃基板30(包括透明電極32、總線電極34、黑色掩模36)表面再形成一介電層38，并將介電層38予以平坦化，如圖4D所示。然后，在介電層38表面對(duì)應(yīng)于等離子平面顯示器的顯示區(qū)域四周形成玻璃膠40，如圖4E所示。然后，在介電層38表面再形成MgO層42，如圖4F所示。
請(qǐng)參考圖5A至5H，此即將黑色掩模(BM)導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板中，藉以改善亮室對(duì)比的再一個(gè)例子。
在這個(gè)例子中，首先提供一玻璃基板50，如圖5A所示。然后，在玻璃基板50表面的電極形成區(qū)域形成透明電極52，如圖5B所示，透明電極52通常是由銦錫氧化物(Indium Tin oxide)所構(gòu)成。然后，在透明電極52表面形成總線電極54(Bus electrode)，如圖5C所示，總線電極54通常是由Cr/Cu/Cr結(jié)構(gòu)或Cr/Al/Cr結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。然后，在整個(gè)玻璃基板50(包括總線電極54)表面再形成一介電層56、并將介電層56予以平坦化，如圖5D所示。然后，在介電層56表面對(duì)應(yīng)于等離子平面顯示器的不發(fā)光區(qū)域再形成黑色掩模58，如圖5E所示，黑色掩模58通常亦是由黑色低融點(diǎn)玻璃物質(zhì)所構(gòu)成。然后，在介電層56(包括黑色掩模58)表面再形成另一介電層60、并將介電層60予以平坦化，如圖5F所示。然后，在介電層60表面對(duì)應(yīng)于等離子平面顯示器的顯示區(qū)域四周形成玻璃膠62，如圖5G所示。然后，在介電層60表面再形成MgO層64，如圖5H所示。
在上述三個(gè)例子中，黑色掩模18、36、58若是直接由Cr/Cu/Cr結(jié)構(gòu)或Cr/Al/Cr結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，可能會(huì)有高達(dá)60％的表面反射系數(shù)。
有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，可降低黑色掩模的表面反射系數(shù)，進(jìn)而降低反射光強(qiáng)度并改善亮室對(duì)比。
本發(fā)明的另一個(gè)目的就是提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，在總線電極下方亦形成有黑色掩模，相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可增加黑色掩模覆蓋面積，可進(jìn)一步降低等離子平面顯示器的反射光強(qiáng)度。
本發(fā)明的又一個(gè)目的就是提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，可在不增加制程步驟及成本的前提下，達(dá)到降低反射光強(qiáng)度及改善亮室對(duì)比的效果。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，即提供一種等離子平面顯示器的制造方法，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，遮光掩模具有一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上緊鄰該遮光掩模處形成一透明電極，該透明電極具有一側(cè)向延伸區(qū)，該側(cè)向延伸區(qū)覆蓋于該遮光掩模頂面上；(d)在該透明電極的側(cè)向延伸區(qū)上形成一總線電極，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
本發(fā)明也提供一種等離子平面顯示器的制造方法，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上形成一透明電極，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接，且該透明電極側(cè)壁的高度大于該遮光掩模側(cè)壁的高度，如此使該透明電極側(cè)壁具有一外露部分；(d)在該遮光掩模頂面形成一總線電極，且該總線電極與該透明電極側(cè)壁的外露部分相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
本發(fā)明另提供一種等離子平面顯示器的制造方法，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上形成一透明電極，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁與一透明電極頂面，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接；(d)在該遮光掩模頂面與該透明電極頂面的一部分形成一總線電極，且該總線電極與該透明電極頂面的一部分相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
本發(fā)明還提供一種等離子顯示器，它包括一玻璃基板、一透明電極與一總線電極；該透明電極形成在該玻璃基板上，且該總線電極與該透明電極導(dǎo)通；該總線電極與該玻璃基板之間形成有一遮光掩模，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，由上述方法得到的等離子平面顯示器會(huì)在不發(fā)光區(qū)域及電極形成區(qū)域下方同時(shí)覆蓋有黑色掩模，相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可增加黑色掩模覆蓋面積，進(jìn)而降低反射光強(qiáng)度及改善亮室對(duì)比。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下
圖1A是現(xiàn)有等離子平面顯示器的三電極結(jié)構(gòu)圖；圖1B是圖1A所示等離子平面顯示器的表面放電狀態(tài)圖；圖2是說明等離子平面顯示器的對(duì)比的示意圖；圖3A至3G是一種將黑色掩模導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板以改善亮室對(duì)比的制造流程圖；圖4A至4F是另一種將黑色掩模導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板以改善亮室對(duì)比的制造流程圖；圖5A至5H是再一種將黑色掩模導(dǎo)入等離子平面顯示器的前板以改善亮室對(duì)比的制造流程圖；圖6A至6F是本發(fā)明等離子平面顯示器的第一實(shí)施例的制造流程圖；圖7A至7C是本發(fā)明等離子平面顯示器的第二實(shí)施例的制造流程圖；圖8A至8C是本發(fā)明等離子平面顯示器的第三實(shí)施例的制造流程圖。
由于黑色掩模的表面反射系數(shù)會(huì)直接影響到亮室對(duì)比(Light-roomcontrast)的好壞。相比于直接以Cr/Cu/Cr結(jié)構(gòu)或Cr/Al/Cr結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的傳統(tǒng)黑色掩模，本發(fā)明利用Cr/Cr2O3結(jié)構(gòu)或Fe/Fe2O3結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的黑色掩模，其表面反射系率可以維持在20％以下。
圖6A至6F即是本發(fā)明等離子平面顯示器的第一實(shí)施例的制造流程圖。
首先，如圖6A所示，提供一玻璃基板70，并在玻璃基板70的表面形成黑色掩模層72。在這個(gè)實(shí)施例中，黑色掩模層72可以在玻璃基板70表面依次濺鍍(Sputter)1K-2K埃的Cr/Cr2O3結(jié)構(gòu)或Fe/Fe2O3結(jié)構(gòu)。
接著，如圖6B所示，在黑色掩模層72表面定義一層光致抗蝕劑74，并藉由半導(dǎo)體制程的光罩(Mask)對(duì)預(yù)定形成遮光掩模73的區(qū)域A及預(yù)定形成黑色掩模75的區(qū)域B進(jìn)行曝光，藉以硬化相對(duì)應(yīng)于區(qū)域A、B的光致抗蝕劑74，然后再利用顯影步驟去除區(qū)域A、B以外的光致抗蝕劑。接著，如圖6C所示，利用光致抗蝕劑74為掩模及Cr-7為蝕刻反應(yīng)液體(Etchant)，蝕刻未被殘余光致抗蝕劑74保護(hù)的掩模層72，使玻璃基板70表面的掩模層72同時(shí)只剩下區(qū)域A的遮光掩模73及區(qū)域B的黑色掩模75，且該遮光掩模73具有遮光掩模頂面77。此處所揭示者為最佳實(shí)施例，因此遮光掩模73與黑色掩模75系同時(shí)形成。事實(shí)上，本步驟亦可先只形成遮光掩模73；而稍后再以額外的光罩與微影步驟來加以定義形成黑色掩模75。
接著，如圖6D所示，在等離子平面顯示器表面電極形成區(qū)域A上的遮光掩模73表面形成一層透明電極76，該透明電極76具有一側(cè)向延伸區(qū)79，該側(cè)向延伸區(qū)79覆蓋于該遮光掩模頂面77上。在這個(gè)實(shí)施例中，透明電極76可以先在定義圖案后的黑色掩模75及遮光掩模73上濺鍍一層厚約1500埃的銦錫氧化物(ITO)；然后再利用微影步驟(曝光、顯影、蝕刻)定義這層銦錫氧化物(可使用FeCl3+HCl為蝕刻反應(yīng)液體進(jìn)行蝕刻以得到)，進(jìn)而去除黑色掩模75表面的銦錫氧化物。
接著，如圖6E所示，在該透明電極76的側(cè)向延伸區(qū)79上形成總線電極78(Bus electrode)，以使該總線電極底面81受到該遮光掩模73遮蔽而減少反光。在這個(gè)實(shí)施例中，總線電極78可以依次在透明電極76對(duì)應(yīng)于遮光掩模73的上方濺鍍厚約1K～2K埃的Cr層78a、厚約2～3μm的Cu(Al)層78b、厚約1K～2K埃的Cr層78c；然后再以微影步驟蝕刻定義這三層金屬78a至78c，藉以在透明電極76表面形成所要的總線電極78。
接著，如圖6F所示，在黑色掩模75、透明電極76、遮光掩模73、總線電極78上覆蓋一層厚約30μm的介電層80(如氧化鉛及氧化硅)，并在介電層80表面沉積一層厚約5000～10000埃的保護(hù)層82(如氧化鎂層)，藉以完成整個(gè)等離子顯示器結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明等離子平面顯示器的第二實(shí)施例的制造流程的前三個(gè)步驟相同于如圖6A至6C所示的第一實(shí)施例，但圖6D至6F修正為圖7A至7C。
如圖7A所示，在玻璃基板70表面上的遮光掩模73具有遮光掩模側(cè)壁85與遮光掩模頂面87。此時(shí)，在該玻璃基板70上形成一透明電極76，該透明電極76具有透明電極側(cè)壁91，該透明電極側(cè)壁91與該遮光掩模側(cè)壁85相鄰接，且該透明電極側(cè)壁91的高度大于該遮光掩模側(cè)壁85的高度，如此使該透明電極側(cè)壁91具有外露部分93；本步驟中的透明電極76的制程和條件與圖6D所示的第一實(shí)施例相似。
接著，如圖7B所示，在該遮光掩模頂面87形成一總線電極78，且該總線電極78與該透明電極側(cè)壁91的外露部分93相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面81受到該遮光掩模73遮蔽而減少反光；本步驟中的總線電極78的制程和條件與圖6E所示的第一實(shí)施例相似。
接著，如圖7C所示，在透明電極76、遮光掩模73、黑色掩模75、總線電極78上覆蓋介電層80，并在介電層80表面沉積保護(hù)層82；本步驟的制程和條件與圖6F所示的第一實(shí)施例相似。
本發(fā)明等離子平面顯示器的第三實(shí)施例的制造流程的前三個(gè)步驟相同于如圖6A至6C所示的第一實(shí)施例，但圖6D至6F修正為圖8A至8C。
如圖8A所示，在玻璃基板70表面上的遮光掩模73具有遮光掩模側(cè)壁85與遮光掩模頂面87。此時(shí)，在該玻璃基板70上形成一透明電極76，該透明電極76具有透明電極側(cè)壁91與透明電極頂面95，該透明電極側(cè)壁91與該遮光掩模側(cè)壁85相鄰接；本步驟中的透明電極76的制程和條件與圖6D所示的第一實(shí)施例相似。
接著，如圖8B所示，在該遮光掩模頂面87及透明電極頂面95的一部分形成一總線電極78，且該總線電極78與該透明電極頂面95的一部分相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面81大部分受到該遮光掩模73遮蔽而減少反光；本步驟中的總線電極78的制程和條件與圖6E所示的第一實(shí)施例相似。
接著，如圖8C所示，在透明電極76、遮光掩模73、黑色掩模75、總線電極78上覆蓋介電層80，并在介電層80表面沉積保護(hù)層82；本步驟的制程和條件與圖6F所示的第一實(shí)施例相似。
綜上所述，本發(fā)明提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，其可降低黑色掩模的表面反射系數(shù)，進(jìn)而降低反射光強(qiáng)度并改善亮室對(duì)比。
另外，本發(fā)明提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，其同時(shí)在不發(fā)光區(qū)域及總線電極下方形成有黑色掩模，相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可增加黑色掩模覆蓋面積，可進(jìn)一步降低等離子平面顯示器的反射光強(qiáng)度。
再者，本發(fā)明提供一種高對(duì)比等離子平面顯示器及其制造方法，其可以在不增加制程步驟及成本的前提下，達(dá)到降低反射光強(qiáng)度及改善亮室對(duì)比的效果。
權(quán)利要求
1．一種等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，遮光掩模具有一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上緊鄰該遮光掩模處形成一透明電極，該透明電極具有一側(cè)向延伸區(qū)，該側(cè)向延伸區(qū)覆蓋于該遮光掩模頂面上；(d)在該透明電極的側(cè)向延伸區(qū)上形成一總線電極，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
2．如權(quán)利要求1所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(b)中，同時(shí)在該玻璃基板上形成一黑色掩模，該黑色掩?？捎靡愿綦x該玻璃基板上不同的影像像素。
3．如權(quán)利要求1所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(d)之后，更包括步驟(e)形成一介電層以覆蓋在該玻璃基板、遮光掩模、透明電極及總線電極上。
4．如權(quán)利要求3所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后，更包括步驟(f)在該介電層表面形成一保護(hù)層。
5．一種等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上形成一透明電極，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接，且該透明電極側(cè)壁的高度大于該遮光掩模側(cè)壁的高度，如此使該透明電極側(cè)壁具有一外露部分；(d)在該遮光掩模頂面形成一總線電極，且該總線電極與該透明電極側(cè)壁的外露部分相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
6．如權(quán)利要求5所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(b)中，同時(shí)在該玻璃基板上形成一黑色掩模，該黑色掩模可用以隔離該玻璃基板上不同的影像像素。
7．如權(quán)利要求5所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(d)之后，更包括步驟(e)形成一介電層以覆蓋在該玻璃基板、遮光掩模、透明電極及總線電極上。
8．如權(quán)利要求7所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后，更包括步驟(f)在該介電層表面形成一保護(hù)層。
9．一種等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，它包括下列步驟(a)提供一玻璃基板；(b)在該玻璃基板上形成一遮光掩模，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面；(c)在該玻璃基板上形成一透明電極，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁與一透明電極頂面，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接；(d)在該遮光掩模頂面與該透明電極頂面的一部分形成一總線電極，且該總線電極與該透明電極頂面的一部分相導(dǎo)通，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
10．如權(quán)利要求9所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(b)中，同時(shí)在該玻璃基板上形成一黑色掩模，該黑色掩?？捎靡愿綦x該玻璃基板上不同的影像像素。
11．如權(quán)利要求9所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(d)之后，更包括步驟(e)形成一介電層以覆蓋在該玻璃基板、遮光掩模、透明電極及總線電極上。
12．如權(quán)利要求11所述的等離子平面顯示器的制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后，更包括步驟(f)在該介電層表面形成一保護(hù)層。
13．一種等離子顯示器，它包括一玻璃基板、一透明電極與一總線電極；該透明電極形成在該玻璃基板上，且該總線電極與該透明電極導(dǎo)通；其特征在于，該總線電極與該玻璃基板之間形成有一遮光掩模，如此使該總線電極底面受到該遮光掩模遮蔽而減少反光。
14．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模具有一遮光掩模頂面，該透明電極具有一側(cè)向延伸區(qū)，該側(cè)向延伸區(qū)覆蓋于該遮光掩模頂面上，該總線電極位于該透明電極的側(cè)向延伸區(qū)上。
15．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接，且該透明電極側(cè)壁的高度大于該遮光掩模側(cè)壁的高度，該總線電極形成在該遮光掩模頂面上，如此使該透明電極側(cè)壁具有一外露部分，而該總線電極與該透明電極側(cè)壁的外露部分相導(dǎo)通。
16．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模具有一遮光掩模側(cè)壁與一遮光掩模頂面，該透明電極具有一透明電極側(cè)壁與一透明電極頂面，該透明電極側(cè)壁與該遮光掩模側(cè)壁相鄰接，而該總線電極形成在該遮光掩模頂面與該透明電極頂面的一部分上，該總線電極與該透明電極頂面的一部分相導(dǎo)通。
17．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模是Cr/Cr2O3結(jié)構(gòu)。
18．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模是Fe/Fe2O3結(jié)構(gòu)。
19．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該遮光掩模是由黑色低融點(diǎn)玻璃物質(zhì)所構(gòu)成。
20．如權(quán)利要求13所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該總線電極是Ag結(jié)構(gòu)。
21．如權(quán)利要求20所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該介電層由氧化鉛及氧化硅等物質(zhì)所構(gòu)成。
22．如權(quán)利要求20所述的等離子平面顯示器，其特征在于，它更包括一保護(hù)層，形成在該介電層表面。
23．如權(quán)利要求22所述的等離子平面顯示器，其特征在于，該保護(hù)層為MgO。
全文摘要
一種高對(duì)比等離子平面顯示器,其由玻璃基板、黑色掩模、透明電極、總線電極、介電層及MgO層構(gòu)成;黑色掩模形成在玻璃基板表面的電極形成區(qū)域及不發(fā)光區(qū)域;透明電極形成在電極形成區(qū)域的黑色掩模表面?？偩€電極形成在透明電極的表面;介電層及MgO層依序沉積在玻璃基板上方;黑色掩模由Cr/Cr
文檔編號(hào)H01J17/49GK1289140SQ9912031
公開日2001年3月28日 申請(qǐng)日期1999年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月20日
發(fā)明者盧金鈺, 宋文發(fā), 黃春津, 李大元 申請(qǐng)人:達(dá)碁科技股份有限公司