本發(fā)明涉及一種發(fā)光技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著顯示技術(shù)的發(fā)展與普遍，顯示裝置已被應(yīng)用至各式的電子裝置，例如：個(gè)人臺(tái)式電腦、平板電腦、筆記本電腦或其他可攜式電子裝置。

以筆記本電腦為例，筆記本電腦的顯示裝置中包含有背光單元(back light unit；BLU)。背光單元中包含有發(fā)光條(light-bar)。然而，在筆記本電腦的組裝過(guò)程中，為了隨時(shí)地確認(rèn)背光單元的亮度，發(fā)光條需維持在點(diǎn)亮的狀態(tài)。在這種情況下，發(fā)光條上的發(fā)光元件很有可能會(huì)因?yàn)殪o電放電(electrostatic discharge；ESD)而受損。

因此，如何提高發(fā)光條的抵抗靜電放電(ESD)的能力已成為此領(lǐng)域亟欲解決的問(wèn)題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)，借以解決現(xiàn)有技術(shù)所述及的問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)。發(fā)光條結(jié)構(gòu)包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽(yáng)極區(qū)域以及多個(gè)元件區(qū)域。元件區(qū)域分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。該多個(gè)元件區(qū)域的至少一包含一陽(yáng)極部分以及一節(jié)點(diǎn)部分。陽(yáng)極部分連接于第一陽(yáng)極區(qū)域。第二基板包含一接地區(qū)域以及一第二陽(yáng)極區(qū)域。陽(yáng)極部分與接地區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。節(jié)點(diǎn)部分與第二陽(yáng)極區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。絕緣層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。

為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)。發(fā)光條結(jié)構(gòu)包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含一第一陽(yáng)極區(qū)域以及多個(gè)元件區(qū)域。該多個(gè)元件區(qū)域分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。該多個(gè)元件區(qū)域至少之一包含一陽(yáng)極部分以及一節(jié)點(diǎn)部分。第一陽(yáng)極區(qū)域以及陽(yáng)極部分電性連接以形成第一基板的一陽(yáng)極。第二基板包含一接地區(qū)域以及一第二陽(yáng)極區(qū)域。第一基板的陽(yáng)極與接地區(qū)域之間形成一第一電容。第二陽(yáng)極區(qū)域與地端之間形成一第二電容。節(jié)點(diǎn)部分與第二陽(yáng)極區(qū)域之間形成一第三電容。絕緣層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)。發(fā)光條結(jié)構(gòu)包含一第一基板、一第二基板以及一絕緣層。第一基板包含多個(gè)元件區(qū)域。元件區(qū)域分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。各元件區(qū)域包含一節(jié)點(diǎn)部分。第二基板包含一接地區(qū)域以及一陽(yáng)極區(qū)域。接地區(qū)域與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分對(duì)應(yīng)設(shè)置。接地區(qū)域與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分之間的對(duì)應(yīng)面積沿一方向逐漸遞增。陽(yáng)極區(qū)域與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分對(duì)應(yīng)設(shè)置。陽(yáng)極區(qū)域與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分之間的對(duì)應(yīng)面積沿該方向逐漸遞減。絕緣層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

綜上所述，通過(guò)本發(fā)明可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)的抵抗靜電放電的能力。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

為讓本揭露的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附圖式的說(shuō)明如下：

圖1A是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖1B是圖1A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；

圖1C是圖1A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖2A是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2B是圖2A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖3A是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3B是圖3A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖4A是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4B是圖4A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖5是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖6是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖7是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖；以及

圖8是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記

100、200、300、400、500、600、700、800：發(fā)光條結(jié)構(gòu)

TS1、TS2、TS3、TS4、TS5、TS6、TS7、TS8：第一基板

BS1、BS1、BS3、BS4、BS5、BS6、BS7、BS8：第二基板

INS：絕緣層

A0、122、222、322、422、522、622、722、822：陽(yáng)極區(qū)域

111～118、211～218、311～318、411～418、511～518、611～618、711～718、811～818：元件區(qū)域

G0、120、220、320、420、520、620、720、820：接地區(qū)域

X、Y、Z：方向

d1～d4、y11、y12、y21、y22：寬度

A1～A8：陽(yáng)極部分

N1～N8：節(jié)點(diǎn)部分

G1～G8：接地部分

C0、CB、Cna1～Cna8、Cled1～Cled8、C2～C8：電容

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

下文舉實(shí)施例配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而結(jié)構(gòu)運(yùn)作的描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由元件重新組合的結(jié)構(gòu)，所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。另外，圖式僅以說(shuō)明為目的，并未依照原尺寸作圖。為使便于理解，下述說(shuō)明中相同元件或相似元件將以相同的符號(hào)標(biāo)示來(lái)說(shuō)明。

在全篇說(shuō)明書(shū)與權(quán)利要求所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此發(fā)明的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。

關(guān)于本文中所使用的第一、第二、第三等，并非特別指稱(chēng)次序或順位的意思，亦非用以限定本發(fā)明，其僅僅是為了區(qū)別以相同技術(shù)用語(yǔ)描述的元件或操作而已。

請(qǐng)參考圖1A以及圖1B。圖1A是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的示意圖。圖1B是圖1A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的側(cè)視圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)100包含第一基板TS1、第二基板BS1以及絕緣層INS。為了簡(jiǎn)化圖示內(nèi)容，圖1A省略絕緣層INS。第一基板TS1與第二基板BS1對(duì)應(yīng)設(shè)置。在一些實(shí)施例中，第一基板TS1為上基板且第二基板BS1為下基板。絕緣層INS設(shè)置于第一基板TS1與第二基板BS1之間。在其他實(shí)施例中，第一基板TS1與第二基板BS1于空間上的相對(duì)關(guān)系不限于如圖1A所繪示。

以圖1A示例而言，第一基板TS1包含陽(yáng)極區(qū)域A0以及多個(gè)元件區(qū)域111～118。第一基板TS1沿方向X依序配置有陽(yáng)極區(qū)域A0以及元件區(qū)域111～118。元件區(qū)域111～118分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。換句話說(shuō)，發(fā)光條結(jié)構(gòu)100可供八個(gè)發(fā)光元件設(shè)置于其上，以形成發(fā)光條(light bar)。此數(shù)量?jī)H用于舉例的目的，本發(fā)明并不以此數(shù)量為限。發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管(light emitting diode；LED)，本發(fā)明亦不以此為限。當(dāng)發(fā)光條結(jié)構(gòu)100被點(diǎn)亮?xí)r，電流將從陽(yáng)極區(qū)域A0流入發(fā)光條結(jié)構(gòu)100。電流接著流經(jīng)元件區(qū)域111～118，并從后端的陰極(未繪示)流出，以點(diǎn)亮元件區(qū)域111～118上的發(fā)光元件。

元件區(qū)域111沿方向Y被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A1以及節(jié)點(diǎn)部分N1。方向Y與方向X為垂直。陽(yáng)極部分A1連接于陽(yáng)極區(qū)域A0。換句話說(shuō)，陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1電性連接。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1共同形成第一基板TS1的陽(yáng)極。節(jié)點(diǎn)部分N1用以供一發(fā)光元件設(shè)置。元件區(qū)域112～118分別配置有節(jié)點(diǎn)部分N2～N8。節(jié)點(diǎn)部分N2～N8分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。

第二基板BS1的部分沿方向Y被區(qū)隔成接地區(qū)域120以及陽(yáng)極區(qū)域122。如圖1A所示，第二基板BS1的左側(cè)部分僅配置有接地區(qū)域120。而其余部分則沿方向Y被區(qū)隔成接地區(qū)域120以及陽(yáng)極區(qū)域122。換句話說(shuō)，接地區(qū)域120大致呈L型。

陽(yáng)極部分A1的寬度d1與接地區(qū)域120的寬度d3相同。也就是說(shuō)，陽(yáng)極部分A1只對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域120，而不對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域122。節(jié)點(diǎn)部分N1的寬度d2與陽(yáng)極區(qū)域122的寬度d4相同。也就是說(shuō)，節(jié)點(diǎn)部分N1只對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域122，而不對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域120。

簡(jiǎn)言之，陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域120。節(jié)點(diǎn)部分N1對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域122。節(jié)點(diǎn)部分N2～N8的上半部對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域120，而節(jié)點(diǎn)部分N2～N8的下半部對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域122。

“對(duì)應(yīng)”是指兩者在方向Z上至少部分對(duì)齊，或者是指任何可以形成電容的配置方式。另外，“上半部”或“下半部”是以圖面的方向?yàn)槔?，而非用以限制本發(fā)明的內(nèi)容。

接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖1A以及圖1C。圖1C是圖1A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的等效電路圖。第一基板TS1的陽(yáng)極(陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1)與接地區(qū)域120之間形成第一電容C0。陽(yáng)極區(qū)域122與地端(或接地的鐵件)之間形成第二電容CB。由于陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極區(qū)域122電性連接，因此第一電容C0的第一端與第二電容CB的第一端電性連接。第一電容C0的第二端與第二電容CB的第二端皆電性連接至地端。節(jié)點(diǎn)部分N1與陽(yáng)極區(qū)域122之間形成第三電容Cna1。節(jié)點(diǎn)部分N2～N8的下半部與陽(yáng)極區(qū)域122之間分別形成第三電容Cna2～Cna8。節(jié)點(diǎn)部分N2～N8的上半部與接地區(qū)域120之間分別形成第四電容C2～C8。而八個(gè)發(fā)光元件本身的節(jié)電容則為電容Cled1～Cled8。上述該多個(gè)電容的耦接關(guān)系如圖1C所示。

于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100中，元件區(qū)域111中的陽(yáng)極部分A1與陽(yáng)極區(qū)域A0共同形成第一基板TS1的陽(yáng)極，使得第一基板TS1的陽(yáng)極面積變大。如此，可使第一基板TS1的陽(yáng)極與接地區(qū)域120之間的電容C0的電容值變大。電容C0可用以?xún)?chǔ)存更多的電荷，以降低流經(jīng)后方的發(fā)光元件(節(jié)電容Cled1～Cled8)的電量。在這種情況下，發(fā)光元件將可受到保護(hù)，進(jìn)而提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的抵抗靜電放電(ESD)的能力。

于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100中，第二基板BS1上配置有陽(yáng)極區(qū)域122，使得陽(yáng)極區(qū)域122與地端(或接地的鐵件)之間形成電容CB。電容CB亦可用以?xún)?chǔ)存電荷，以降低流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1～Cled8的電量。如此，可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的抵抗靜電放電的能力。

于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100中，第二基板BS1上配置有陽(yáng)極區(qū)域122，使得節(jié)點(diǎn)部分N1～N8與陽(yáng)極區(qū)域122之間分別形成電容Cna1～Cna8。電容Cna1～Cna8可用以旁路部分電量，以降低流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1～Cled8的電量。如此，可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的抵抗靜電放電的能力。

于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100中，第二基板BS1上配置有陽(yáng)極區(qū)域122，且接地區(qū)域120的面積對(duì)應(yīng)地被縮小。在這種情況下，節(jié)點(diǎn)部分N2～N8與接地區(qū)域120在方向Z上的對(duì)應(yīng)面積變小，使得電容C2～C8的電容值變小。當(dāng)電容C2～C8的電容值變小，可降低流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled2～Cled8的電量，進(jìn)而提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的抵抗靜電放電的能力。

另外，以發(fā)光條結(jié)構(gòu)100為例，設(shè)置于節(jié)點(diǎn)部分N2的發(fā)光元件其所承受的電壓最大。這個(gè)發(fā)光元件最容易因?yàn)殪o電放電而受損。借由增加電容C0的電容值，使得電容C0的電容值大于這個(gè)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled2的電容值，可改善發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的抵抗靜電放電的能力。當(dāng)電容C0的電容值相較于電容Cled2的電容值的比值愈大時(shí)，發(fā)光條結(jié)構(gòu)100抵抗靜電放電的能力的改善將更為明顯。

請(qǐng)參考圖2A。圖2A是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)200相似于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100。發(fā)光條結(jié)構(gòu)200包含第一基板TS2、第二基板BS2以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS2包含陽(yáng)極區(qū)域A0以及多個(gè)元件區(qū)域211～218。具體而言，第一基板TS2沿方向X依序配置有陽(yáng)極區(qū)域A0以及元件區(qū)域211～218。

元件區(qū)域211沿方向Y被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A1以及節(jié)點(diǎn)部分N1。元件區(qū)域212沿方向Y被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A2以及節(jié)點(diǎn)部分N2。元件區(qū)域213沿方向Y被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A3以及節(jié)點(diǎn)部分N3。元件區(qū)域214沿方向Y被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A4以及節(jié)點(diǎn)部分N4。而元件區(qū)域215～218則分別配置有節(jié)點(diǎn)部分N5～N8。所有節(jié)點(diǎn)部分N1～N8分別用以供一發(fā)光元件設(shè)置。

陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A4沿方向X串接。換句話說(shuō)，陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A4電性連接。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A4共同形成第一基板TS2的陽(yáng)極。圖2A中的第二基板BS2相似于圖1A中的第二基板BS1，故于此不再贅述。

陽(yáng)極部分A1～A4的寬度d1與接地區(qū)域220的寬度d3相同。也就是說(shuō)，陽(yáng)極部分A1～A4只對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域220，而不對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域222。節(jié)點(diǎn)部分N1～N4的寬度d2與陽(yáng)極區(qū)域222的寬度d4相同。也就是說(shuō)，節(jié)點(diǎn)部分N1～N4只對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域222，而不對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域220。

簡(jiǎn)言之，陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1～A4對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域220。節(jié)點(diǎn)部分N1～N4對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域222。節(jié)點(diǎn)部分N5～N8的上半部對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域220，而節(jié)點(diǎn)部分N5～N8的下半部對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域222。

接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖2A以及圖2B。圖2B是圖2A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的等效電路圖。第一基板TS2的陽(yáng)極(陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1～A4)與接地區(qū)域220之間形成第一電容C0。陽(yáng)極區(qū)域222與地端(或接地的鐵件)之間形成第二電容CB。節(jié)點(diǎn)部分N1～N4與陽(yáng)極區(qū)域222之間分別形成第三電容Cna1～Cna4。節(jié)點(diǎn)部分N5～N8的下半部與陽(yáng)極區(qū)域222之間分別形成第三電容Cna5～Cna8。節(jié)點(diǎn)部分N5～N8的上半部與接地區(qū)域220之間分別形成第四電容C5～C8。而八個(gè)發(fā)光元件本身的節(jié)電容則為電容Cled1～Cled8。上述該多個(gè)電容的耦接關(guān)系如圖2B所示。

相較于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100，于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200中，第一基板TS2更配置有陽(yáng)極部分A2～A4，使得第一基板TS2的陽(yáng)極面積大于第一基板TS1的陽(yáng)極面積。換句話說(shuō)，第一基板TS2的陽(yáng)極與接地區(qū)域220之間的電容C0的電容值大于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100的電容C0的電容值。在這種情況下，發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的電容C0可用以?xún)?chǔ)存更多的電荷，以降低流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1～Cled8的電量。如此，可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的抵抗靜電放電的能力。

相較于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100，于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200中，接地區(qū)域220是對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極部分A2～A4，而未對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)部分N2～N4。因此發(fā)光條結(jié)構(gòu)200不具有電容C2～C4。在這種情況下，流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容的電量Cled2～Cled4將會(huì)減少，以提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的抵抗靜電放電的能力。

請(qǐng)參考圖3A。圖3A是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)300的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)300相似于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200。發(fā)光條結(jié)構(gòu)300包含第一基板TS3、第二基板BS3以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS3包含陽(yáng)極區(qū)域A0以及多個(gè)元件區(qū)域311～318。具體而言，第一基板TS3沿方向X依序配置有陽(yáng)極區(qū)域A0以及元件區(qū)域311～318。

第一基板TS3的所有元件區(qū)域311～318沿方向Y分別被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A1～A8以及節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8沿方向X串接。換句話說(shuō)，陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8電性連接。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8共同形成第一基板TS3的陽(yáng)極。圖3A中的第二基板BS3相似于圖1A中的第二基板BS1，故于此不再贅述。

陽(yáng)極部分A1～A8的寬度d1與接地區(qū)域320的寬度d3相同。也就是說(shuō)，陽(yáng)極部分A1～A8只對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域320，而不對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域322。節(jié)點(diǎn)部分N1～N8的寬度d2與陽(yáng)極區(qū)域322的寬度d4相同。也就是說(shuō)，節(jié)點(diǎn)部分N1～N8只對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域322，而不對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域320。

接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖3A以及圖3B。圖3B是圖3A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)300的等效電路圖。第一基板TS3的陽(yáng)極(陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1～A8)與接地區(qū)域320之間形成第一電容C0。陽(yáng)極區(qū)域322與地端(或接地的鐵件)之間形成第二電容CB。節(jié)點(diǎn)部分N1～N8與陽(yáng)極區(qū)域322之間形成第三電容Cna1～Cna8。而八個(gè)發(fā)光元件本身的節(jié)電容則為電容Cled1～Cled8。上述該多個(gè)電容的耦接關(guān)系如圖3B所示。

相較于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200，于發(fā)光條結(jié)構(gòu)300中，第一基板TS3上還配置有陽(yáng)極部分A5～A8，使得第一基板TS3的陽(yáng)極面積大于第一基板TS2的陽(yáng)極面積。換句話說(shuō)，第一基板TS3的陽(yáng)極與接地區(qū)域320之間的電容C0的電容值大于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200的電容C0的電容值。在這種情況下，發(fā)光條結(jié)構(gòu)300的電容C0可用以?xún)?chǔ)存更多的電荷，以降低流經(jīng)發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1～Cled8的電量。如此，可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)300的抵抗靜電放電的能力。

相較于發(fā)光條結(jié)構(gòu)100，于發(fā)光條結(jié)構(gòu)200中，接地區(qū)域320是對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極部分A2～A8，而未對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)部分N2～N8。因此發(fā)光條結(jié)構(gòu)300不具有電容C2～C8。在這種情況下，流經(jīng)發(fā)光元件Cled2～Cled8的電量將會(huì)減少，以提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)300的抵抗靜電放電的能力。

請(qǐng)參考圖4A。圖4A是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)400的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)400相似于發(fā)光條結(jié)構(gòu)300。發(fā)光條結(jié)構(gòu)400包含第一基板TS4、第二基板BS4以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS4包含陽(yáng)極區(qū)域A0以及多個(gè)元件區(qū)域411～418。具體而言，第一基板TS4沿方向X依序配置有陽(yáng)極區(qū)域A0以及元件區(qū)域411～418。

相似于圖3A的第一基板TS3，圖4A的第一基板TS4的所有元件區(qū)域411～418沿方向Y分別被區(qū)隔成陽(yáng)極部分A1～A8以及節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8沿方向X串接。換句話說(shuō)，陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8電性連接。陽(yáng)極區(qū)域A0與陽(yáng)極部分A1～A8共同形成第一基板TS4的陽(yáng)極。

如圖4A所示，陽(yáng)極部分A1～A8的面積沿方向X逐漸遞減。舉例而言，陽(yáng)極部分A2的面積小于陽(yáng)極部分A1的面積，陽(yáng)極部分A3的面積小于陽(yáng)極部分A2的面積，以此類(lèi)推。另一方面，節(jié)點(diǎn)部分N1～N8的面積沿方向X逐漸遞增。舉例而言，節(jié)點(diǎn)部分N2的面積大于節(jié)點(diǎn)部分N1的面積，節(jié)點(diǎn)部分N3的面積大于節(jié)點(diǎn)部分N2的面積，以此類(lèi)推。

第二基板BS4的部分沿方向Y被區(qū)隔成接地區(qū)域420以及陽(yáng)極區(qū)域422。具體而言，第二基板BS4的左側(cè)部分僅配置有接地區(qū)域420。而其余部分則沿方向Y被區(qū)隔成接地區(qū)域420以及陽(yáng)極區(qū)域422。

陽(yáng)極區(qū)域422于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。以圖4A示例而言，位于右側(cè)的寬度y12小于位于左側(cè)的寬度y11，使得陽(yáng)極區(qū)域422大致呈楔型。而部分的接地區(qū)域420于方向Y上的寬度沿方向X對(duì)應(yīng)地逐漸遞增。以圖4A示例而言，位于右側(cè)的寬度y22大于位于左側(cè)的寬度y21。

接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖4A以及圖4B。圖4B是圖4A的發(fā)光條結(jié)構(gòu)400的等效電路圖。第一基板TS4的陽(yáng)極(陽(yáng)極區(qū)域A0以及陽(yáng)極部分A1～A8)與接地區(qū)域420之間形成第一電容C0。陽(yáng)極區(qū)域422與地端(或接地的鐵件)之間形成第二電容CB。

由于節(jié)點(diǎn)部分N1～N8的部分面積對(duì)應(yīng)至陽(yáng)極區(qū)域422，因此節(jié)點(diǎn)部分N1～N8與陽(yáng)極區(qū)域422之間將會(huì)形成第三電容Cna1～Cna8。由于陽(yáng)極區(qū)域422于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減，因此陽(yáng)極區(qū)域422與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，電容Cna1～Cna8將會(huì)沿方向X逐漸遞減。舉例而言，陽(yáng)極區(qū)域422與節(jié)點(diǎn)部分N2之間的電容Cna2會(huì)小于陽(yáng)極區(qū)域422與節(jié)點(diǎn)部分N1之間的電容Cna1。陽(yáng)極區(qū)域422與節(jié)點(diǎn)部分N3之間的電容Cna3會(huì)小于陽(yáng)極區(qū)域422與節(jié)點(diǎn)部分N2之間的電容Cna2。以此類(lèi)推。

由于節(jié)點(diǎn)部分N1～N8的部分面積對(duì)應(yīng)至接地區(qū)域420，因此節(jié)點(diǎn)部分N1～N8與接地區(qū)域420之間將會(huì)分別形成第四電容C1～C8。由于接地區(qū)域420于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區(qū)域420與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，電容C1～C8將會(huì)沿方向X逐漸遞增。舉例而言，接地區(qū)域420與節(jié)點(diǎn)部分N2之間的電容C2大于接地區(qū)域420與節(jié)點(diǎn)部分N1之間的電容C1。接地區(qū)域420與節(jié)點(diǎn)部分N3之間的電容C3大于接地區(qū)域420與節(jié)點(diǎn)部分N2之間的電容C2。以此類(lèi)推。

簡(jiǎn)言之，電容Cna1至電容Cna8的電容值為逐漸遞減，而電容C1至電容C8的電容值為逐漸遞增。

在一些實(shí)施例中，由于所有的發(fā)光元件為相同，因此發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1～Cled8具有相同的電容值。借由將電容Cna1～Cna8沿方向X逐漸遞減搭配上電容C1～C8沿方向X逐漸遞增，可將電量平均分配到每個(gè)節(jié)電容Cled1～Cled8上，進(jìn)而使得各節(jié)電容Cled1～Cled8的兩端的電壓差變得相近或相等。

以下以第一顆發(fā)光元件以及第八顆發(fā)光元件為例進(jìn)行說(shuō)明。由于電流是從陽(yáng)極區(qū)域A0流入且依序流經(jīng)元件區(qū)域411～418，因此在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，第一顆發(fā)光元件(節(jié)電容Cled1)所承受的電量為最多，而第八顆發(fā)光元件(節(jié)電容Cled8)所承受的電量為最少。

當(dāng)電容Cna1的電容值較大，電容Cna1可旁路掉較多的電量，使得較少電量流經(jīng)第一顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1。另一方面，當(dāng)電容C1越小，流經(jīng)第一顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1的電量就越小。因此增大電容Cna1的電容值且減小電容C1的電容值，可使得原先需承受較大電量的第一顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1不需承受那么大的電量。而減小電容Cna8的電容值且增大電容C8的電容值，可使得第八顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled8所承受的電量被提升，甚至使得第八顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled8所承受的電量與第一顆發(fā)光元件的節(jié)電容Cled1所承受的電量相同。

基于上述原理，借由將電容Cna1～Cna8沿方向X逐漸遞減搭配上電容C1～C8沿方向X逐漸遞增，可使得電量被平均分配到各個(gè)電容Cled1～Cled8上，進(jìn)而使得各電容Cled1～Cled8的兩端的電壓差變得相近或相等。此時(shí)，發(fā)光條結(jié)構(gòu)400的抵抗靜電放電的能力將可達(dá)到最大。

圖5是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)500的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)500包含第一基板TS5、第二基板BS5以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS5包含多個(gè)元件區(qū)域511～518。元件區(qū)域511～518分別包含節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。第二基板BS5包含接地區(qū)域520以及陽(yáng)極區(qū)域522。

在發(fā)光條結(jié)構(gòu)500的配置下，由于接地區(qū)域520于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區(qū)域520與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區(qū)域520與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞增。另外，由于陽(yáng)極區(qū)域522于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽(yáng)極區(qū)域522與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽(yáng)極區(qū)域522與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞減。相似于前述實(shí)施例，通過(guò)這作法可使得電量被平均分配到各個(gè)發(fā)光元件的電容上。

圖6是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)600的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)600包含第一基板TS6、第二基板BS6以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS6包含陽(yáng)極區(qū)域A0以及多個(gè)元件區(qū)域611～618。元件區(qū)域611～618分別包含節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。第二基板BS6包含接地區(qū)域620以及陽(yáng)極區(qū)域622。部分的接地區(qū)域620(例如：接地區(qū)域620的上半部)對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域A0。其他部分的接地區(qū)域620(例如：接地區(qū)域620的下半部)對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。陽(yáng)極區(qū)域622對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。

在發(fā)光條結(jié)構(gòu)600的配置下，由于接地區(qū)域620于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區(qū)域620與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區(qū)域620與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞增。另外，由于陽(yáng)極區(qū)域622于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽(yáng)極區(qū)域622與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽(yáng)極區(qū)域622與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞減。相似于前述實(shí)施例，通過(guò)這作法可使得電量被平均分配到各個(gè)發(fā)光元件的電容上。

圖7是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)700的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)700包含第一基板TS7、第二基板BS7以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS7包含接地區(qū)域G0以及多個(gè)元件區(qū)域711～718。元件區(qū)域711～718分別包含節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。第二基板BS7包含接地區(qū)域720以及陽(yáng)極區(qū)域722。部分的陽(yáng)極區(qū)域722(例如：陽(yáng)極區(qū)域722的上半部)對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域G0。其他部分的陽(yáng)極區(qū)域722(例如：陽(yáng)極區(qū)域722的下半部)以及接地區(qū)域720對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。

在發(fā)光條結(jié)構(gòu)700的配置下，由于接地區(qū)域720于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區(qū)域720與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區(qū)域720與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞增。另外，由于陽(yáng)極區(qū)域722于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽(yáng)極區(qū)域722與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽(yáng)極區(qū)域722與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞減。相似于前述實(shí)施例，通過(guò)這作法可使得電量被平均分配到各個(gè)發(fā)光元件的電容上。

圖8是依照本發(fā)明一些實(shí)施例所繪示的一種發(fā)光條結(jié)構(gòu)800的示意圖。發(fā)光條結(jié)構(gòu)800包含第一基板TS8、第二基板BS8以及絕緣層(未繪示)。

第一基板TS8包含多個(gè)元件區(qū)域811～818。元件區(qū)域811～818分別包含接地部分G1～G8以及節(jié)點(diǎn)部分N1～N8。接地部分G1～G8沿方向X串接。第二基板BS8包含接地區(qū)域820以及陽(yáng)極區(qū)域822。接地部分G1～G8對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極區(qū)域822。節(jié)點(diǎn)部分N1～N8對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域820以及部分的陽(yáng)極區(qū)域822。

在發(fā)光條結(jié)構(gòu)800的配置下，由于接地區(qū)域820于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞增，因此接地區(qū)域820與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞增。在這種情況下，接地區(qū)域820與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞增。另外，由于陽(yáng)極區(qū)域822于方向Y上的寬度沿方向X逐漸遞減。因此陽(yáng)極區(qū)域822與節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的對(duì)應(yīng)面積將會(huì)沿方向X逐漸遞減。在這種情況下，陽(yáng)極區(qū)域822與該多個(gè)節(jié)點(diǎn)部分N1～N8之間的電容將會(huì)沿方向X逐漸遞減。相似于前述實(shí)施例，通過(guò)這作法可使得電量被平均分配到各個(gè)發(fā)光元件的電容上。

綜上所述，通過(guò)應(yīng)用上述一實(shí)施例，可提高發(fā)光條結(jié)構(gòu)的抵抗靜電放電的能力。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。